專利名稱：一種可調(diào)整式電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容器，尤其是一種可調(diào)整式電容器。
背景技術(shù)：
本發(fā)明提供一種對于微電路的LC或RC相配網(wǎng)路需要使用可調(diào)整式電容器，其系藉由形成一組個別的電容器而而獲致此目的，該電容器系共用一共用的下電極，那些電容器的上電極區(qū)，系互相選擇一積分比，以致于它們可以產(chǎn)生任何在單元值范圍的電容。例如，若提供那些區(qū)比為5 2 I I的四個電容器時(shí)，依上電極如何連接則會產(chǎn)生任何從范圍I到9的電容。此類的連接可為在最后線路層中的硬線路，以提供一工廠可調(diào)整式電容器、或它們可連接穿過場可程式化元件，以產(chǎn)生一個場可程式化電容器
發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明提供一種可調(diào)整式電容器。本發(fā)明提供一種對于微電路的LC或RC相配網(wǎng)路需要使用可調(diào)整式電容器，其系藉由形成一組個別的電容器而而獲致此目的，該電容器系共用一共用的下電極，那些電容器的上電極區(qū)，系互相選擇一積分比，以致于它們可以產(chǎn)生任何在單元值范圍的電容。例如，若提供那些區(qū)比為5 2 I I的四個電容器時(shí)，依上電極如何連接則會產(chǎn)生任何從范圍I到9的電容。此類的連接可為在最后線路層中的硬線路，以提供一工廠可調(diào)整式電容器、或它們可連接穿過場可程式化元件，以產(chǎn)生一個場可程式化電容器。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種對于微電路的LC或RC相配網(wǎng)路需要使用可調(diào)整式電容器，其系藉由形成一組個別的電容器而而獲致此目的，該電容器系共用一共用的下電極，那些電容器的上電極區(qū)，系互相選擇一積分比，以致于它們可以產(chǎn)生任何在單元值范圍的電容。例如，若提供那些區(qū)比為5 2 I I的四個電容器時(shí)，依上電極如何連接則會產(chǎn)生任何從范圍I到9的電容。此類的連接可為在最后線路層中的硬線路，以提供一工廠可調(diào)整式電容器、或它們可連接穿過場可程式化元件，以產(chǎn)生一個場可程式化電容器。一種形成一可調(diào)整式電容器之制程，包括有提供一矽晶片，其具有一最上層于其上，其為接觸墊連接到在該晶片中的一電路；沈積一基部介電層于該最上層上，其包括有該接觸墊；沈積一蝕刻阻絕層于該基部介電層上；沈積一支撐介電層于該蝕刻阻絕層上；蝕刻一貫穿孔穿過該支撐介電層、該蝕刻阻絕層及該基部介電層上，藉以暴露出該接觸墊 ’沈積一阻障層于該貫穿孔中，然后將鎢過度填充該貫穿孔，且然后平坦化，以便于移除所有不在該貫穿孔內(nèi)的鎢；蝕刻三溝槽，其系延伸穿過該支撐介電層直到該蝕刻阻絕層；沈積一第一層金屬于該支撐介電層上，其系包括有在該溝槽內(nèi)，且然后圖案化該第一層金屬，以形成一共用的電容器電極，其系接觸該填充鎢的貫穿孔；沈積一層高介電常數(shù)材料于該共用的電容器電極上，且然后圖案化該高介電常數(shù)層，藉以此完全地覆封該共用的電容器電極；沈積一第二層金屬于該高介電常數(shù)層，且然后圖案化該第二層金屬，以形成四未連接的上電極，那些系被該電極所疊封，該電極(互相相對)區(qū)域的比為5 2 I I;沈積一上介電層于該上電極及該高介電常數(shù)層上；蝕刻四貫穿孔穿過該上介電層，藉以暴露出每個 該上電極的一接觸區(qū)；沈積一阻障層于該貫穿孔中，然后以鎢過度填充該貫穿孔，然后平坦化，以便于移除所有未在該貫穿孔內(nèi)的的鎢；及然后沈積及圖案化一第三金屬層，以便于在該上電極間提供固定的連接，藉以對該可調(diào)整式電容器產(chǎn)生一個特定的電容值。
權(quán)利要求
1. 一種形成一可調(diào)整式電容器之制程，包括有提供一矽晶片，其具有一最上層于其上，其為接觸墊連接到在該晶片中的一電路；沈積一基部介電層于該最上層上，其包括有該接觸墊；沈積一蝕刻阻絕層于該基部介電層上；沈積一支撐介電層于該蝕刻阻絕層上；蝕刻一貫穿孔穿過該支撐介電層、該蝕刻阻絕層及該基部介電層上，藉以暴露出該接觸墊 ’沈積一阻障層于該貫穿孔中，然后將鎢過度填充該貫穿孔，且然后平坦化，以便于移除所有不在該貫穿孔內(nèi)的鎢；蝕刻三溝槽，其系延伸穿過該支撐介電層直到該蝕刻阻絕層；沈積一第一層金屬于該支撐介電層上，其系包括有在該溝槽內(nèi)，且然后圖案化該第一層金屬，以形成一共用的電容器電極，其系接觸該填充鎢的貫穿孔；沈積一層高介電常數(shù)材料于該共用的電容器電極上，且然后圖案化該高介電常數(shù)層，藉以此完全地覆封該共用的電容器電極；沈積一第二層金屬于該高介電常數(shù)層，且然后圖案化該第二層金屬，以形成四未連接的上電極，那些系被該電極所疊封，該電極(互相相對)區(qū)域的比為5 2 I I;沈積一上介電層于該上電極及該高介電常數(shù)層上；蝕刻四貫穿孔穿過該上介電層，藉以暴露出每個該上電極的一接觸區(qū)；沈積一阻障層于該貫穿孔中，然后以鎢過度填充該貫穿孔，然后平坦化，以便于移除所有未在該貫穿孔內(nèi)的的鎢；及然后沈積及圖案化一第三金屬層，以便于在該上電極間提供固定的連接，藉以對該可調(diào)整式電容器產(chǎn)生一個特定的電容值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種對于微電路的LC或RC相配網(wǎng)路需要使用可調(diào)整式電容器，其系藉由形成一組個別的電容器而而獲致此目的，該電容器系共用一共用的下電極，那些電容器的上電極區(qū)，系互相選擇一積分比，以致于它們可以產(chǎn)生任何在單元值范圍的電容。例如，若提供那些區(qū)比為5∶2∶1∶1的四個電容器時(shí)，依上電極如何連接則會產(chǎn)生任何從范圍1到9的電容。此類的連接可為在最后線路層中的硬線路，以提供一工廠可調(diào)整式電容器、或它們可連接穿過場可程式化元件，以產(chǎn)生一個場可程式化電容器。
文檔編號H01L29/92GK102779859SQ201110122838
公開日2012年11月14日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者費(fèi)金華 申請人:吳江華誠復(fù)合材料科技有限公司