專利名稱：一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容器制程整合，尤其是一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合。
背景技術(shù)：
本發(fā)明提供一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合，以制造一類比電容器積體電路裝置的方法系被說明。設(shè)置一個隔離區(qū)，以將半導(dǎo)體基板中的一第一主動區(qū)與一第二主動區(qū)隔離。一個第一閘極氧化物層被形成于二個主動區(qū)中的半導(dǎo)體基板上。一個第一多晶矽層被沈積于該第一閘極氧化物層與隔離層上。包含一個氧化物層與一個氮化物層的一電容器介電質(zhì)層被沈積于該第一多晶砂層上。未為遮罩所覆蓋的該電容器介電質(zhì)層與第一多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第一多晶矽閘極電極于該第一區(qū)中，以及在隔離區(qū)上方形成一多晶砂下電容板與位于下電容板上的電容器介電質(zhì)。在第二區(qū)中的該第一閘極氧化物被移除，以及一個較薄的第二閘極氧化物層被形成于該第二區(qū)中。一個第二多晶 矽層被沈積于該第二閘極氧化物層、下電容板與電容器介電質(zhì)以及該第一多晶矽閘電極上方。未為遮罩所覆蓋的該第二多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第二多晶矽閘極電極于該第二區(qū)中，以及形成一個上電容板在該下電容板上方，其中該電容器介電質(zhì)位于該上、下電容板之間。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明提供一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合。本發(fā)明提供一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合，以制造一類比電容器積體電路裝置的方法系被說明。設(shè)置一個隔離區(qū)，以將半導(dǎo)體基板中的一第一主動區(qū)與一第二主動區(qū)隔離。一個第一閘極氧化物層被形成于二個主動區(qū)中的半導(dǎo)體基板上。一個第一多晶矽層被沈積于該第一閘極氧化物層與隔離層上。包含一個氧化物層與一個氮化物層的一電容器介電質(zhì)層被沈積于該第一多晶砂層上。未為遮罩所覆蓋的該電容器介電質(zhì)層與第一多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第一多晶矽閘極電極于該第一區(qū)中，以及在隔離區(qū)上方形成一多晶砂下電容板與位于下電容板上的電容器介電質(zhì)。在第二區(qū)中的該第一閘極氧化物被移除，以及一個較薄的第二閘極氧化物層被形成于該第二區(qū)中。一個第二多晶矽層被沈積于該第二閘極氧化物層、下電容板與電容器介電質(zhì)以及該第一多晶矽閘電極上方。未為遮罩所覆蓋的該第二多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第二多晶矽閘極電極于該第二區(qū)中，以及形成一個上電容板在該下電容板上方，其中該電容器介電質(zhì)位于該上、下電容板之間。一種用于制造一類比電容器積體電路裝置的方法，包含有設(shè)置一個隔離區(qū)，以將半導(dǎo)體基板中的一第一主動區(qū)與一第二主動區(qū)隔離；形成一個第一閘極氧化物層于該第一與第二主動區(qū)中的該半導(dǎo)體基板上；沈積一個第一多晶砂層于該第一閘極氧化物層與該隔離層上；沈積一個氧化物層于該第一多晶矽層上；沈積一個氮化物層于該氧化物層上；蝕刻移除未為遮罩所覆蓋的該氮化物層、該氧化物層與該第一多晶矽層，而形成一個第一多晶矽閘極電極于該第一主動區(qū)中，以及在該隔離區(qū)上方形成一多晶矽下電容板與位于下電容板上的電容器介電質(zhì)(包含該氧化物層與該氮化物層)；移除在該第之主動區(qū)中的該第一閘極氧化物層；形成一個第二閘極氧化物層于該第二主動區(qū)中的該半導(dǎo)體基板上，其中該第二閘極氧化物層具有小于該第一閘極氧化物層之厚度的厚度；沈積一個第二多晶矽層于該第二閘極氧化物層、該下電容板與電容器介電質(zhì)以及該第一多晶矽閘電極上方；蝕刻移除未為遮罩所覆蓋的該第二多晶矽層，而形成一個第二多晶矽閘極電極于該第二主動區(qū)中，以及形成一個上電容板在該下電容板上方，其中該電容器介電質(zhì)位于該上、下電容板之 間；以及完成該類比電容器積體電路裝置，其中該隔離區(qū)為一個場氧化物區(qū)，如申請上述之，中該氧化物層包含氧化矽，并具有約100至200埃的厚度。
權(quán)利要求
1.種用于制造一類比電容器積體電路裝置的方法，包含有設(shè)置一個隔離區(qū)，以將半導(dǎo)體基板中的一第一主動區(qū)與一第二主動區(qū)隔離；形成一個第一閘極氧化物層于該第一與第二主動區(qū)中的該半導(dǎo)體基板上；沈積一個第一多晶砂層于該第一閘極氧化物層與該隔離層上；沈積一個氧化物層于該第一多晶砂層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于將該雙閘極與雙多晶矽電容器制程整合，以制造一類比電容器積體電路裝置的方法系被說明。設(shè)置一個隔離區(qū)，以將半導(dǎo)體基板中的一第一主動區(qū)與一第二主動區(qū)隔離。一個第一閘極氧化物層被形成于二個主動區(qū)中的半導(dǎo)體基板上。一個第一多晶矽層被沈積于該第一閘極氧化物層與隔離層上。包含一個氧化物層與一個氮化物層的一電容器介電質(zhì)層被沈積于該第一多晶矽層上。未為遮罩所覆蓋的該電容器介電質(zhì)層與第一多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第一多晶矽閘極電極于該第一區(qū)中，以及在隔離區(qū)上方形成一多晶矽下電容板與位于下電容板上的電容器介電質(zhì)。在第二區(qū)中的該第一閘極氧化物被移除，以及一個較薄的第二閘極氧化物層被形成于該第二區(qū)中。一個第二多晶矽層被沈積于該第二閘極氧化物層、下電容板與電容器介電質(zhì)以及該第一多晶矽閘電極上方。未為遮罩所覆蓋的該第二多晶矽層被蝕刻移除，而形成一個第二多晶矽閘極電極于該第二區(qū)中，以及形成一個上電容板在該下電容板上方，其中該電容器介電質(zhì)位于該上、下電容板之間。
文檔編號H01L21/02GK102779788SQ20111012285
公開日2012年11月14日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者費(fèi)金華 申請人:吳江華誠復(fù)合材料科技有限公司