專利名稱：一種用于制造溝渠電容器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造溝渠電容器的方法，尤其是一種用于制造溝渠電容器的方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明提供一種用于制造溝渠電容器的方法，其中包含于基板內(nèi)形成溝渠。溝渠各壁都以實(shí)質(zhì)上以均勻厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁的半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)。將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方。去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料。形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)。將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等于大約該溝渠上邊部分的直徑
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于制造溝渠電容器的方法。本發(fā)明提供一種用于制造溝渠電容器的方法，其中包含于基板內(nèi)形成溝渠。溝渠各壁都以實(shí)質(zhì)上以均勻厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁的半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)。將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方。去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料。形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)。將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等于大約該溝渠上邊部分的直徑。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種用于制造溝渠電容器的方法，其中包含于基板內(nèi)形成溝渠。溝渠各壁都以實(shí)質(zhì)上以均勻厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁的半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)。將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方。去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料。形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)。將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等于大約該溝渠上邊部分的直徑。一種用于制造溝渠電容器的方法，其包括于基板內(nèi)形成溝渠；將溝渠各壁以實(shí)質(zhì)上以均勻的厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁的半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)；將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方；去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料；形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)；以及將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極，一種用于制造溝渠電容器的方法，其包括于基板內(nèi)形成瓶狀溝渠；將溝渠各壁以實(shí)質(zhì)上以均勻的厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁之半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)，這溝渠在該溝渠之內(nèi)部區(qū)域內(nèi)沒(méi)有材料；將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方；去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料；形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)；以及將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝 渠電容器的電極；其中該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等于大約該溝渠上邊部分的直徑。
權(quán)利要求
1.一種用于制造溝渠電容器的方法，其包括基板內(nèi)形成溝渠；將溝渠各壁以實(shí)質(zhì)上以均勻的厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁之半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)；將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方；去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料；形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)；以及將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造溝渠電容器的方法，其中包含于基板內(nèi)形成溝渠。溝渠各壁都以實(shí)質(zhì)上以均勻厚度覆蓋于溝渠各側(cè)壁的半導(dǎo)體材料襯隔開(kāi)。將介電軸環(huán)形成于溝渠上邊部分內(nèi)的該半導(dǎo)體材料上方。去除溝渠底邊部分內(nèi)的半導(dǎo)體材料。形成節(jié)點(diǎn)介電層使軸環(huán)與溝渠底邊部分上之各溝渠側(cè)壁襯隔開(kāi)。將溝渠填充以攙雜半導(dǎo)體材料，這類攙雜半導(dǎo)體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等于大約該溝渠上邊部分的直徑。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102779723SQ20111012285
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者費(fèi)金華 申請(qǐng)人:吳江華誠(chéng)復(fù)合材料科技有限公司