專利名稱：在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種通過(guò)濕法刻蝕在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝。
背景技術(shù)：
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行器件單元的輕摻雜離子注入的示意圖，圖2是現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜離子注入的示意圖，請(qǐng)參見(jiàn)圖1、圖2，現(xiàn)有的常規(guī)輕摻雜漏極(Lightly Doped Drain，簡(jiǎn)稱LDD)注入工藝中采用首先進(jìn)行器件單元(Core)的輕摻雜漏極注入，然后再進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件(SRAM)的輕摻雜漏極注入，并沒(méi)有濕法刻蝕調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸(CD)的工藝，因此不能調(diào)節(jié)LDD注入寬度，無(wú)法針對(duì)不同的器件注入不同的寬度，并且沒(méi)有相應(yīng)的優(yōu)化注入順序。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)了一種在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)輕摻雜漏極注入工藝中沒(méi)有濕法刻蝕調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，不能調(diào)節(jié)輕摻雜漏極注入寬度，并且沒(méi)有相應(yīng)的優(yōu)化注入順序的問(wèn)題。本發(fā)明的上述目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，一半導(dǎo)體器件上設(shè)有第一器件和第二器件，其中，步驟a:進(jìn)行所述第一器件的輕摻雜漏極注入；步驟b 進(jìn)行濕法刻蝕，以減小所述第一器件的柵極側(cè)壁以及所述第二器件的柵極側(cè)壁的厚度；步驟c 進(jìn)行所述第二器件的輕摻雜漏極注入。如上所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，在所述步驟a之前包括在半導(dǎo)體器件單元上覆蓋光刻膠的工藝步驟。如上所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，所述第一器件暴露在光刻膠的開(kāi)口中，所述步驟a與步驟b之間還包括去除覆蓋在半導(dǎo)體器件的第二器件上的光刻膠的工藝步驟。如上所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，所述步驟b與步驟c之間還包括在所述第一器件上覆蓋光刻膠的工藝步驟。如上所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，所述第一器件為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件
如上所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，步驟b 之前進(jìn)行步驟a，以保證擴(kuò)散至的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較小，進(jìn)而保證靜態(tài)隨進(jìn)存儲(chǔ)器件的低漏電。如上所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其中，步驟b之后進(jìn)行步驟C，以保證擴(kuò)散至第二器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較大。如上所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，其特征在于，所述濕法刻蝕采用輕濃度氫氟酸濕法刻蝕。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝解決了現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)輕摻雜漏極注入工藝中沒(méi)有濕法刻蝕調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，不能調(diào)節(jié)輕摻雜漏極注入寬度，并且沒(méi)有相應(yīng)的優(yōu)化注入順序的問(wèn)題，通過(guò)將靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入的順序提前，完成靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入后通過(guò)濕法刻蝕，減小靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件及器件單元的柵極側(cè)壁層的厚度，之后再進(jìn)行器件單元的輕摻雜漏極離子注入的工藝，在保證了靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的低漏電的前提下，同樣保證了器件單元的高性能。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行器件單元的輕摻雜離子注入的示意圖2是現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜離子注入的示意圖； 圖3是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入的示意圖4是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的進(jìn)行濕法刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖5是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的器件單元的輕摻雜漏極離子注入的示意圖6是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說(shuō)明
圖6是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的流程圖，請(qǐng)參見(jiàn)圖6，一種在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，一半導(dǎo)體器件上設(shè)有第一器件和第二器件，如果要使第一器件和第二器件均達(dá)到最佳性能，則第一器件與第二器件的輕摻雜漏極注入的寬度不同，第二器件需要的輕摻雜漏極注入寬度要小于第一器件的注入寬度，才能保證兩個(gè)器件同時(shí)達(dá)到最佳性能。本發(fā)明中的所述第一器件為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件，本發(fā)明中的所述第二器件為器件單元。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是
圖3是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入的示意圖，請(qǐng)參見(jiàn)圖3，步驟alOl 進(jìn)行所述第一器件的輕摻雜漏極注入；
圖4是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的進(jìn)行濕法刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)參見(jiàn)圖4，步驟bl02 進(jìn)行濕法刻蝕，以減小所述第一器件的柵極側(cè)壁以及所述第二器件的柵極側(cè)壁的厚度；
圖5是本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝的器件單元的輕摻雜漏極離子注入的示意圖，請(qǐng)參見(jiàn)圖5，步驟cl03 進(jìn)行所述第二器件的輕摻雜漏極注入，經(jīng)過(guò)步驟bl02的刻蝕后，器件單元的側(cè)壁層的厚度變薄，減小了輕摻雜漏極注入的寬度。本發(fā)明中在步驟bl02之前進(jìn)行步驟alOl，以保證擴(kuò)散至的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較小，進(jìn)而保證靜態(tài)隨進(jìn)存儲(chǔ)器件的低漏電。本發(fā)明中的步驟bl02之后進(jìn)行步驟cl03，以保證擴(kuò)散至第二器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較大。本發(fā)明中在所述步驟alOl之前包括在半導(dǎo)體器件單元上覆蓋光刻膠的工藝步
馬聚ο本發(fā)明中所述步驟alOl與步驟bl02之間還包括去除覆蓋在半導(dǎo)體器件的器件單元上的光刻膠的工藝步驟。本發(fā)明中所述步驟bl02與步驟cl03之間還包括在所述第二器件上覆蓋光刻膠的
工藝步驟。本發(fā)明中所采取的技術(shù)方案并不影響制程的其他工藝，同時(shí)還能夠起到優(yōu)化器件性能，提高器件良率的有益效果。本發(fā)明中的所述濕法刻蝕采用輕濃度氫氟酸(DHF)濕法刻蝕。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝解決了現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)輕摻雜漏極注入工藝中沒(méi)有濕法刻蝕調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，不能調(diào)節(jié)輕摻雜漏極注入寬度，并且沒(méi)有相應(yīng)的優(yōu)化注入順序的問(wèn)題。通過(guò)將靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入的順序提前，完成靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入后通過(guò)濕法刻蝕，減小靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件及器件單元的柵極側(cè)壁層的厚度，之后再進(jìn)行器件單元的輕摻雜漏極離子注入的工藝，在保證了靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的低漏電的前提下，同樣保證了器件單元的高性能。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，一半導(dǎo)體器件上設(shè)有第一器件和第二器件，其特征在于，步驟a 進(jìn)行所述第一器件的輕摻雜漏極注入；步驟 b 進(jìn)行濕法刻蝕，以減小所述第一器件的柵極側(cè)壁以及所述第二器件的柵極側(cè)壁的厚度； 步驟c 進(jìn)行所述第二器件的輕摻雜漏極注入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，在所述步驟a之前包括在半導(dǎo)體器件單元上覆蓋光刻膠的工藝步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，所述第一器件暴露在光刻膠的開(kāi)口中，所述步驟a與步驟b之間還包括去除覆蓋在半導(dǎo)體器件的第二器件上的光刻膠的工藝步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，所述步驟b與步驟c之間還包括在所述第一器件上覆蓋光刻膠的工藝步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，所述第一器件為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，步驟b之前進(jìn)行步驟a，以保證擴(kuò)散至的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較小，進(jìn)而保證靜態(tài)隨進(jìn)存儲(chǔ)器件的低漏電。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，步驟b之后進(jìn)行步驟c，以保證擴(kuò)散至第二器件柵極下方的輕摻雜漏極的寬度較大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在輕摻雜漏極離子注入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝， 其特征在于，所述濕法刻蝕采用輕濃度氫氟酸濕法刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種在輕摻雜漏極離子植入中調(diào)節(jié)柵極側(cè)壁層特征尺寸的工藝，一半導(dǎo)體器件上設(shè)有第一器件和第二器件，其中，步驟a進(jìn)行所述第一器件的輕摻雜漏極注入；步驟b進(jìn)行濕法刻蝕，以減小所述第一器件的柵極側(cè)壁以及所述第二器件的柵極側(cè)壁的厚度；步驟c進(jìn)行所述第二器件的輕摻雜漏極注入。本發(fā)明通過(guò)將靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入的順序提前，完成靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的輕摻雜漏極離子注入后通過(guò)濕法刻蝕，減小靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件及單元器件的柵極側(cè)壁層的厚度，之后再進(jìn)行單元器件的輕摻雜漏極離子注入的工藝，在保證了靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件的低漏電的前提下，同樣保證了單元器件的高性能。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102412205SQ20111012366
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者劉格致, 毛剛 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司