專(zhuān)利名稱(chēng)：一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明還涉及該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emission Diode),以下簡(jiǎn)稱(chēng)0LED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及緑色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
在現(xiàn)有技術(shù)的OLED器件中，使用玻璃襯底制作的OLED器件不具備彎曲的特點(diǎn)，而且玻璃易碎，對(duì)發(fā)光器件的應(yīng)用造成了影響。采用柔性材料作為襯底的OLED器件，比玻璃襯底的OLED具有更輕薄、更耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)。并且柔性O(shè)LED的制備可以采用卷對(duì)卷方式生產(chǎn)，從而大幅地降低制造成本。目前柔性顯示襯底主要有超薄玻璃，聚合物薄膜、金屬薄片
坐寸o通常采用聚合物薄膜作為襯底制作的陽(yáng)極，是在其表面通過(guò)濺射エ藝覆蓋ー層透明導(dǎo)電薄膜如ITO，IZO等材料，然而這些導(dǎo)電薄膜在柔性O(shè)LED的應(yīng)用上也存在諸多難以克服的問(wèn)題。例如在制備ITO薄膜的過(guò)程中，各種元素如銦(In)，(Sn)的摻雜比例組成不易控制，導(dǎo)致ITO薄膜的形貌，載流子和傳輸性能難以控制，從而導(dǎo)致發(fā)光器件的性能不穩(wěn)定。其次，在柔性襯底上制備ITO等導(dǎo)電薄膜時(shí)，由于聚合物薄膜的耐熱性能不佳，制備導(dǎo)電薄膜通常采用低溫濺射技術(shù)，所制備的導(dǎo)電薄膜表面電阻高，薄膜與襯底的結(jié)合力不強(qiáng)，使得柔性O(shè)LED在反復(fù)彎曲的過(guò)程中容易發(fā)生導(dǎo)電薄膜從襯底脫落的情況，影響OLED發(fā)光裝置的發(fā)光穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種撓曲性能好、發(fā)光性能穩(wěn)定，且發(fā)光效率高的柔性有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明的技術(shù)方案—種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，該柔性有機(jī)發(fā)光二極管為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為襯底/陽(yáng)極層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，在所述襯底與陽(yáng)極層之間，還制備有ー層緩沖層；所述陽(yáng)極為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)為A/Sm/B的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V205。本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其采用的襯底材料為聚合物薄膜，如聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚醚砜(PES)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，透明聚酰亞胺(PI)環(huán)烯烴共聚物(COC)，聚碳酸酯(PC)，聚こ烯(PE)等材料，所選材料在可見(jiàn)光的透過(guò)率>80%，厚度可選自0. 1-0. 5mm之間。位于襯底上的緩沖層是采用UV膠制作而成，緩沖層的厚度可以為0. 5-10 Um0
本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，陽(yáng)極的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)全部采用蒸鍍エ藝制備。具體地，A層，S卩ZnS或ZnSe層的厚度選自40_80nm，Sm層的厚度選擇18_25nm，B層，即TO3或V2O5層的厚度選自3-10nm。該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，利用了熱鏡中的增透原理，因此制備的陽(yáng)極層在可見(jiàn)光透過(guò)率高，同時(shí)表面電阻較低。本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，空穴注入層的材料為酞菁銅(CuPc)或4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)，該空穴注入層的厚度為 30_40nm ；
所述空穴傳輸層的材料為N，N’-ニ(3-甲基苯基)-N，N’-ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或 N，N' -ニ苯基-N，N' - ニ(I-萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' - ニ胺(NPB)中的任ー種；該空穴傳輸層的厚度為30-80nm ；所述發(fā)光層的材料為4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)摻雜三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3),即 Ir (ppy) 3 CBP ;該發(fā)光層的厚度為 15_40nm ;所述電子傳輸層的材料為4，7-ニ苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2_ (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁ニ唑(PBD) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1，3，5-三(I-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi);該電子傳輸層的厚度為20_60nm ；所述電子注入層的材料優(yōu)選為氟化鋰(LiF)或氟化銫(CsF);該電子注入層的厚度為 0. 5_2nm ；所述陰極層的材料優(yōu)選為Al、Ag或Mg-Ag合金層,該陰極層厚度為100-200nm。本發(fā)明還提供ー種上述柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，其包括以下步驟I、將聚合物薄膜襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?，備用；其中，聚合物薄膜包括聚?duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚醚砜(PES)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，透明聚酰亞胺(PD環(huán)烯烴共聚物(COC)，聚碳酸酯(PC)或聚こ烯(PE)等材料；2、將清洗干凈的聚合物薄膜置入勻膠機(jī)上，將UV膠旋涂在聚合物薄膜表面，然后采用UV燈或紫外燈進(jìn)行固化，形成ー層緩沖層；其中，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在1000-5000轉(zhuǎn)/分，勻膠時(shí)間30-120秒；3、利用真空鍍膜的方法，依次在緩沖層表面蒸鍍多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層，其中，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)依次為A/Sm/B的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V2O5 ；4、利用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；最后制得柔性有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明采用真空鍍膜技術(shù)，制備的A/Sm/B (其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V2O5)多層復(fù)合結(jié)構(gòu)作為陽(yáng)極層，其制作過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)襯底的破壞小，且該陽(yáng)極層透光性能好，表面電阻低；同時(shí)，通過(guò)插入緩沖層，加強(qiáng)了陽(yáng)極與襯底之間的結(jié)合力，使得制作的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，撓曲性能好，發(fā)光性能穩(wěn)定，發(fā)光效率高。


圖I為本發(fā)明柔性有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，101襯底、102緩沖層、103陽(yáng)極、104空穴注入層、105空穴傳輸層、106發(fā)光層、107電子傳輸層、108電子注入層、109陰極；圖2為本發(fā)明柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝流程圖；圖3為實(shí)施例2制作的ZnS/Sm/V205陽(yáng)極層和對(duì)比例I以ITO為陽(yáng)極層的透過(guò)率曲線(xiàn)；圖4為實(shí)施例2和對(duì)比例I制作的發(fā)光裝置的電流-電壓曲線(xiàn)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供的一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，如圖I所示，該柔性有機(jī)發(fā)光二極管為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為襯底101/緩沖層102/陽(yáng)極層103/空穴注入層104/空穴傳輸層105/發(fā)光層106/電子傳輸層107/電子注入層108/陰極層109 ;其中，陽(yáng)極層為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)為A103a/Sm 103b/B 103c ;其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或 V2O5。本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件，其采用的襯底材料為聚合物薄膜，如聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚醚砜(PES)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，透明聚酰亞胺(PI)環(huán)烯烴共聚物(COC)，聚碳酸酯(PC)，聚こ烯(PE)等材料，所選材料在可見(jiàn)光的透過(guò)率>80%，厚度可選自0. 1-0. 5mm之間。位于襯底上的緩沖層是采用UV膠制作而成，緩沖層的厚度可以為0. 5-10 u m。本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，陽(yáng)極的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)全部采用蒸鍍エ藝制備。具體地，A層，S卩ZnS或ZnSe層的厚度選自40_80nm，Sm層的厚度選擇18_25nm，B層，即TO3或V2O5層的厚度選自3-10nm。該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，利用了熱鏡中的增透原理，因此制備的陽(yáng)極層在可見(jiàn)光透過(guò)率高，同時(shí)表面電阻較低。本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其各功能層，如空穴注入層的材料為酞菁銅(CuPc)、4，4'，4"-三(N_3_甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)，該空穴注入層的厚度為30_40nm ；所述空穴傳輸層的材料為N，N' -ニ苯基-N，N' -ニ(1_萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' -ニ胺(NPB)、N，N，- ニ(3-甲基苯基)-N，N，-ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(TPD)、1，3，
5-三苯基苯(TDAPB)，該空穴傳輸層的厚度為30-80nm ；所述發(fā)光層的材料為4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)摻雜三(2_苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3),即 Ir (ppy) 3 CBP ;該發(fā)光層的厚度為 15_40nm ;所述電子傳輸層的材料為4，7-ニ苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2_ (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁ニ唑(PBD) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1，3，5-三(I-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，該電子傳輸層的厚度為20_60nm ；所述電子注入層的材料優(yōu)選為氟化鋰(LiF)或氟化銫(CsF);該電子注入層的厚度為 0. 5_2nm ；所述陰極層的材料優(yōu)選為Al、Ag或Mg-Ag合金層,該陰極層厚度為100_200nm。本發(fā)明還提供ー種上述柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，如圖2所示，其包括以下步驟SI、將襯底(即聚合物薄膜)放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?，備用；其中，聚合物薄膜包括聚?duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚醚砜(PES)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，透明聚酰亞胺(PD環(huán)烯烴共聚物(COC)，聚碳酸酯(PC)或聚こ烯(PE)等材料；S2、將清洗干凈的聚合物薄膜置入勻膠機(jī)上，將UV膠旋涂在聚合物薄膜表面，然后采用UV燈或紫外燈進(jìn)行固化，形成ー層緩沖層；其中，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在1000-5000轉(zhuǎn)/分，勻膠時(shí)間30-120秒；S3、利用真空鍍膜的方法，依次在緩沖層表面蒸鍍多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層，其中，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)依次為A/Sm/B的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V2O5 ；S4、利用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；最后制得柔性有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明采用真空鍍·膜技術(shù)，制備的A/Sm/B (其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V2O5)多層復(fù)合結(jié)構(gòu)作為陽(yáng)極層，其制作過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)襯底的破壞小，且該陽(yáng)極層透光性能好，表面電阻低；同時(shí)，通過(guò)插入緩沖層，加強(qiáng)了陽(yáng)極與襯底之間的結(jié)合力，使得制作的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，撓曲性能好，發(fā)光性能穩(wěn)定，發(fā)光效率高。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例I一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PET/UV膠/ZnS/Sm/W03/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy) 3 CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag。該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. Imm的PEN薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈桑唤又?，將PEN薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在1000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為0.5 iim UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間120秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層； 隨后，在真空度為5X 10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在緩沖層表面依次蒸鍍厚度為40nm的ZnS層，厚度為18nm的Sm層，厚度為IOnm的WO3層，形成陽(yáng)極層；最后，依次在WO3層上面蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，且厚度依次為35nm、30nm、40nm、20nm、0. 5nm以及150nm。實(shí)施例2一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PET/UV膠/ZnS/Sm/V205/CuPc/TPD/Ir (ppy) 3 CBP/Bphen/CsF/Ag。該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. 175mm的PET薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?；其次，將PET薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在5000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為5 ii m UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間30秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層；隨后，在真空度為5X 10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在緩沖層表面依次蒸鍍厚度為45nm的ZnS層，厚度為20nm的Sm層，厚度為5nm的V2O5層，形成陽(yáng)極層；
最后，依次在V2O5層上面蒸鍍空穴注入層(CuPc)、空穴傳輸(TH))、發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)、電子傳輸層(Bphen)、電子注入層(CsF)和陰極層(Ag)，且厚度依次為30nm、80nm、15nm、60nm、Inm 以及 IOOnm0實(shí)施例3一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PES/UV膠/ZnSe/Sm/W03/m-MTDATA/TDAPB/Ir (ppy) 3 CBP/Alq3/LiF/Al。該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. 2mm的PES薄膜放在含有洗滌劑的去離子水 中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?；接著，將PES薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在4000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為I y m UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間70秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層；隨后，在真空度為5X10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在緩沖層表面依次蒸鍍厚度為80nmZnSe層，厚度為25nm的Sm層，厚度為3nm的WO3層，形成陽(yáng)極層；最后，依次在WO3層上面蒸鍍空穴注入層(m-MTDATA)、空穴傳輸(TDAPB)、發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)、電子傳輸層(Alq3)、電子注入層(LiF)和陰極層(Al)，且厚度依次為40nm、60nm、40nm、40nm、2nm 以及 200nm。實(shí)施例4—種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為C0C/UV膠/ZnS/Sm/W03/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy) 3 CBP/PBD/LiF/Mg-Ag。該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. 5mm的COC薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈桑唤又?，將COC薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在3000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為10 ii m UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間80秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層；隨后，在真空度為5X10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在其表面依次蒸鍍厚度為60nm ZnS層，厚度為25nm的Sm層,厚度為6nm的WO3層,形成陽(yáng)極層；最后，依次在WO3層上面蒸鍍空穴注入層(m-MTDATA)、空穴傳輸(NPB)、發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)、電子傳輸層(PBD)、電子注入層(LiF)和陰極層(Al)，且厚度依次為38nm、70nm、25nm、50nm、L 5nm 以及 120nmo實(shí)施例5—種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PC/UV膠/ZnS/Sm/W03/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy) 3 CBP/TAZ/LiF/Mg-Ag。該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. 4mm的PC薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈桑唤又?，將PC薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在2000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為7 u m UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間50秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層；隨后，在真空度為5X10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在緩沖層表面依次蒸鍍厚度為70nmZnS層，厚度為20nm的Sm層，厚度為8nm的WO3層；最后，依次在WO3層上面蒸鍍空穴注入層(m-MTDATA)、空穴傳輸(NPB)、發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)、電子傳輸層(TAZ)、電子注入層(LiF)和陰極層(Al)，且厚度依次為30nm、50mm、25nm、30nm、L 5nm 以及 180nmo實(shí)施例6一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PE/UV膠/ZnSe/Sm/V205/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy) 3 CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag。
該柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備エ藝如下首先，將厚度為0. 3mm的PE薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?；接著，將PE薄膜放置在勻膠機(jī)上，啟動(dòng)勻膠機(jī)，且該勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速在4000轉(zhuǎn)/分，在PEN薄膜表面旋涂ー層厚度為3 ii m UV膠作為平整層，勻膠時(shí)間100秒后，采用UV燈固化，形成緩沖層；隨后，在真空度為5X10_4pa的鍍膜系統(tǒng)中，在緩沖層表面依次蒸鍍厚度為45nmZnSe層，厚度為22nm的Sm層，厚度為4nm的V2O5層；最后，依次在WO3層上面蒸鍍空穴注入層(m-MTDATA)、空穴傳輸(NPB)、發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)、電子傳輸層(TAZ)、電子注入層(LiF)和陰極層(Al)，且厚度依次為30nm、50nm、25nm、30nm、L 5nm 以及 180nmo對(duì)比例I ー種有機(jī)發(fā)光二極管器件，為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PET/IT0/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy)3CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag ;其中，該器件中沒(méi)有緩沖層，且陽(yáng)極層為ITO(氧化銦錫)導(dǎo)電層，其他各功能層與實(shí)施例2 —祥。該有機(jī)發(fā)光二極管器件的制備エ藝如下將厚度為0. 175mm的PET薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，然后在用氮?dú)獯蹈?。采用磁控濺射系統(tǒng)，PET薄膜表面濺射制備ー層厚度為120nm的ITO(氧化銦錫)導(dǎo)電薄膜，然后在真空度為5X 10_4Pa的鍍膜系統(tǒng)中，在其表面依次蒸鍍穴注入層(m-MTDATA)，空穴傳輸(NPB)，發(fā)光層(Ir (ppy)3: CBP)，電子傳輸層(TPBi)，電子注入層(LiF)和陰極層(Mg-Ag)。對(duì)比例2—種有機(jī)發(fā)光二極管器件,為層狀結(jié)構(gòu),該層狀結(jié)構(gòu)的依次為PET/Ag/m-MTDATA/NPB/Ir (ppy)3CBP/TPBi/LiF/Mg-Ag ;其中，該器件中沒(méi)有緩沖層，且陽(yáng)極層為Ag層，其他各功能層與實(shí)施例2 —祥。將厚度為0. 175mm的PET薄膜按上述方法清潔后，在PET薄膜表面蒸鍍制備ー層厚度為20nm的Ag層，然后同實(shí)施例2，在其表面依次蒸鍍穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層和陰扱。表I
權(quán)利要求
1.一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管，該ニ極管為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為襯底/陽(yáng)極層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，在所述襯底與陽(yáng)極層之間，還制備有ー層緩沖層；所述陽(yáng)極層為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)依次為A/Sm/B的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3或V205。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底材料為聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酷、聚醚砜、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、透明聚酰亞胺環(huán)烯烴共聚物、聚碳酸酯或聚こ烯中的任ー種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述陰極層的材料為Al、Ag或Mg-Ag合金層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述緩沖層為UV膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴注入層的材料為酞菁銅或4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺； 所述空穴傳輸層的材料為N，N’ - ニ(3-甲基苯基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺.01^)、1，3，5-三苯基苯或1" -ニ苯基-N，N' - ニ(I-萘基)-1，1'-聯(lián)苯-4,4' -ニ胺中的任ー種； 所述發(fā)光層的材料為4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯摻雜三(2-苯基吡啶)合銥； 所述電子傳輸層的材料為4，7- ニ苯基-1，10-菲羅啉、8-羥基喹啉鋁、2-(4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁ニ唑、1,2,4-三唑衍生物或I，3，5-三(I-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯中的任ー種； 所述電子注入層的材料為L(zhǎng)iF或CsF。
6.一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟 首先，清洗、干燥襯底； 其次，在襯底的表面制備ー層緩沖層； 接著，在所述緩沖層表面蒸鍍多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層，其中，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)依次為A/Sm/B的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，A為ZnS或ZnSe，B為WO3，或V2O5 ； 最后，在所述陽(yáng)極層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；完后，制得所述柔性有機(jī)發(fā)光二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的材料為聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酷、聚醚砜、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、透明聚酰亞胺環(huán)烯烴共聚物、聚碳酸酯或聚こ烯中的任ー種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述陰極層的材料為Al,Ag或Mg-AgI=I 土 te o
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層為UV膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材料為酞菁銅或.4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺； 所述空穴傳輸層的材料為、N，N’ - ニ(3-甲基苯基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺、.1，3，5-三苯基苯或N，N' -ニ苯基-N，N' - ニ(I-萘基)-1，1'-聯(lián)苯-4,4' - ニ胺中的任ー種； 所述發(fā)光層的材料為4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯摻雜三(2-苯基吡啶)合銥；所述電子傳輸層的材料為4，7- ニ苯基-1，10-菲羅啉、8-羥基喹啉鋁、2-(4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁ニ唑、1,2,4-三唑衍生物或I，3，5-三(I-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯中的任ー種； 所述電子注入層的材料為L(zhǎng)iF或CsF。
全文摘要
本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種柔性有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法，該柔性有機(jī)發(fā)光二極管為層狀結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)依次為襯底/陽(yáng)極層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，在所述襯底與陽(yáng)極層之間，還制備有一層緩沖層；所述陽(yáng)極層為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的柔性有機(jī)發(fā)光二極管通過(guò)插入緩沖層，加強(qiáng)了陽(yáng)極與襯底之間的結(jié)合力，使得制作的柔性有機(jī)發(fā)光二極管，撓曲性能好，發(fā)光性能穩(wěn)定，發(fā)光效率高。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102790183SQ20111012937
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者馮小明, 周明杰, 王平, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司