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      半導(dǎo)體激光裝置和光裝置的制作方法

      文檔序號:7001655閱讀:129來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體激光裝置和光裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置和光裝置,特別涉及包括載置半導(dǎo)體激光元件的基座 (base)部和安裝于基座部的密封用部件的半導(dǎo)體激光裝置和光裝置。
      背景技術(shù)
      目前,半導(dǎo)體激光元件廣泛用作光盤系統(tǒng)和光通信系統(tǒng)等的光源。例如,出射波長約780nm的激光的紅外半導(dǎo)體激光元件,作為CD再現(xiàn)用光源而實用化,出射波長約650nm 的激光的紅色半導(dǎo)體激光元件,作為DVD的記錄/再現(xiàn)用光源而實用化。此外,出射波長約 405nm的激光的藍紫色半導(dǎo)體激光元件,作為藍光光盤的光源而實用化。為實現(xiàn)這樣的光源裝置,目前已知有包括載置半導(dǎo)體激光元件的基座部和安裝于基座部的密封用部件的半導(dǎo)體激光裝置。例如在日本特開平9-205251號公報和日本特開 2009-152330號公報中公開了這種半導(dǎo)體激光裝置。在日本特開平9-205251號公報中公開了一種半導(dǎo)體激光器的塑料封裝裝置,包括由形成有凸緣面的樹脂成型品構(gòu)成的頭部;隔著(通過,借助于)Si基臺(submoimt)安裝于固定在頭部的安裝板上的半導(dǎo)體激光元件;和覆蓋半導(dǎo)體激光器元件的周圍的樹脂制的透明蓋部。此外,該半導(dǎo)體激光器的塑料封裝裝置中,透明蓋部的開口端部通過含有環(huán)氧樹脂類材料的粘接劑與頭部的凸緣面接合,由此半導(dǎo)體激光器元件以在由頭部和透明蓋部包圍的封裝體(package)內(nèi)被氣密密封的方式構(gòu)成。此外,在日本特開2009-152330號公報中公開了一種半導(dǎo)體裝置,在金屬制的封裝體和金屬制的蓋部的內(nèi)部搭載有半導(dǎo)體激光元件,其中,該封裝體具有從前表面貫穿 (延續(xù))到上表面的一個開口部,該蓋部的側(cè)截面形成大致L形狀,用兩個面將封裝體的開口部密封。在該日本特開2009-152330號公報所記載的半導(dǎo)體裝置中,通過電阻熔接將封裝體和蓋部接合。然而,在日本特開平9-205251號公報公開的半導(dǎo)體激光器的塑料封裝裝置中,在頭部與透明蓋部的接合中使用環(huán)氧樹脂類粘接劑。這種粘接劑特別是在固化前的狀態(tài)下, 含有較多有機氣體等揮發(fā)性的氣體成分,由于使用這種粘接劑,所以會產(chǎn)生大量的上述揮發(fā)性氣體。而且,在封裝體內(nèi)充滿大量揮發(fā)性氣體的狀態(tài)下,特別是在使出射振蕩波長短且高能量的激光的藍紫色半導(dǎo)體激光元件動作的情況下,揮發(fā)性氣體由于被從激光出射端面出射的激光激勵并在激光出射端面附近分解,導(dǎo)致可能在激光出射端面形成附著物。在該情況下,由于附著物吸收激光而引起激光出射端面溫度上升,存在半導(dǎo)體元件劣化的問題。此外,在日本特開2009-152330號公報中公開的半導(dǎo)體裝置中,在封裝體和蓋部均由金屬制的情況下,能夠通過電阻熔接將封裝體和蓋部接合,但是在封裝體和蓋部中的某一方由金屬以外的材料形成的情況下,則不能通過熔接來接合。當激光元件為藍紫色半導(dǎo)體激光元件時,在使用上述日本特開平9-205251號公報中記載的環(huán)氧樹脂類粘接劑來接合封裝體和蓋部的情況下,能夠認為因從粘接劑揮發(fā)出的揮發(fā)性氣體,可能會導(dǎo)致在激光出射端面形成附著物。從而,由于附著物吸收激光引起激光出射端面溫度上升,所以存在半導(dǎo)體元件劣化的問題。

      發(fā)明內(nèi)容
      為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置,包括半導(dǎo)體激光元件;和將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體,其中,封裝體包括具有設(shè)置在上表面和一個側(cè)面的開口部的凹狀的基座部;和覆蓋開口部的密封用部件,密封用部件通過密封劑安裝于基座部的接合區(qū)域。在該發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,如上所述,由于通過密封劑使開口部被密封用部件覆蓋,所以能夠通過密封用部件更容易地對上表面和一個側(cè)面的兩個面開口的凹狀的基座部進行密封。由此,能夠抑制封裝體內(nèi)部的半導(dǎo)體激光元件劣化。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選密封劑由難以產(chǎn)生揮發(fā)成分的材料構(gòu)成,其中該揮發(fā)成分是導(dǎo)致附著于半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面的附著物的產(chǎn)生的成分。另外,作為在激光出射端面形成附著物的原因的物質(zhì),是有機氣體、硅氧烷等揮發(fā)性氣體。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),由于上述揮發(fā)成分不侵入封裝體內(nèi),所以能夠抑制在激光出射端面形成附著物。由此,能夠抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。特別是,在具備氮化物類半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置中,在激光元件的激光出射端面易形成揮發(fā)性氣體產(chǎn)生的附著物,所以使用本發(fā)明的密封劑是有效的。 在上述結(jié)構(gòu)中,優(yōu)選密封劑由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成。這里,乙烯-聚乙烯醇共聚物是遮斷外部氣體的氣障性優(yōu)異的樹脂材料,所以能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣態(tài)等透過密封劑浸入封裝體內(nèi)。進而,由于從乙烯-聚乙烯醇共聚物難以產(chǎn)生上述揮發(fā)成分,所以在激光出射端面形成附著物的情況得以抑制。其結(jié)果是,能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。另外,作為難以產(chǎn)生在激光出射端面形成附著物的揮發(fā)成分的材料,使用上述乙烯-聚乙烯醇共聚物,這一結(jié)構(gòu)是本發(fā)明人充分研討后得到的結(jié)果。在上述密封劑由難以產(chǎn)生在激光元件的激光出射端面形成附著物的揮發(fā)成分的材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中,優(yōu)選密封劑由氟類樹脂構(gòu)成。由于從氟類樹脂難以產(chǎn)生上述揮發(fā)成分, 所以在激光出射端面形成附著物的情況得以抑制。其結(jié)果是,能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。另外,作為難以產(chǎn)生在激光出射端面形成附著物的揮發(fā)成分的材料,使用上述氟類樹脂,這一結(jié)構(gòu)是本發(fā)明人充分研討后得到的結(jié)果。在該情況下,優(yōu)選氟類樹脂是氟類潤滑脂。氟類潤滑脂是膏狀,由于也能夠容易地填充在小的間隙中,所以能夠可靠地無間隙地對封裝體內(nèi)部進行密封。其結(jié)果是,能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選密封用部件具有覆蓋基座部的上表面的第一部分;和覆蓋基座部的一個側(cè)面的第二部分,密封用部件一體形成有第一部分和第二部分。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠以單一的部件對上表面和一個側(cè)面的兩個面開口的凹狀的基座部進行密封,所以與分別用密封用部件對上述兩個面進行密封的情況相比,能夠簡化制造工藝。在上述密封用部件的第一部分和第二部分一體形成的結(jié)構(gòu)中,優(yōu)選密封用部件具有透光性。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠使從半導(dǎo)體激光元件出射的光透射至外部的“窗用部件”兼用作密封用部件,所以能夠簡化封裝體的結(jié)構(gòu)。在上述密封用部件的第一部分和第二部分一體形成的結(jié)構(gòu)中,優(yōu)選封裝體還包括使從半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件,密封用部件還具有貫通第二部分的孔部,窗用部件以密封第二部分的孔部的方式,通過密封劑安裝于第二部分。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),即使在設(shè)置有窗用部件的情況下,也在第二部分與窗用部件的接合中使用本發(fā)明的“密封劑”,所以能夠可靠地抑制有機氣體、硅氧烷等的揮發(fā)性氣體侵入封裝體內(nèi)。在該情況下,優(yōu)選窗用部件通過密封劑接合在第二部分的與安裝于基座部的一側(cè)相反的一側(cè)的表面。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠使密封用部件的安裝于基座部一側(cè)(封裝體內(nèi)部的密封空間側(cè))的表面為沒有突出物的平坦的表面,所以能夠容易地將密封用部件安裝于凹狀的基座部。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選密封劑以在整個接合區(qū)域不存在間隙的方式設(shè)置。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠通過無間隙地設(shè)置的密封劑,將封裝體的密封空間與封裝體的外部可靠地隔離。由此,能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選密封用部件使用固定部件固定于基座部。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠使用密封劑以外的固定部件將密封用部件可靠地固定于基座部。由此,能夠容易地抑制密封用部件由于意外的振動或沖擊而從基座部脫落的情況。在使用固定部件將上述密封用部件固定的機構(gòu)中,優(yōu)選固定部件包括粘接劑,粘接劑設(shè)置于接合區(qū)域的外側(cè)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),即使在粘接劑產(chǎn)生揮發(fā)性的有機氣體的情況下,也能夠容易地抑制揮發(fā)性的有機氣體浸透密封空間(封裝體內(nèi)部)。在使用固定部件將上述密封用部件固定的機構(gòu)中,優(yōu)選固定部件包括形成于密封用部件的第一嵌合部;和形成于基座部的第二嵌合部,密封用部件的第一嵌合部與基座部的第二嵌合部嵌合,由此密封用部件被固定于基座部。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠容易地將密封用部件固定于基座部。在該情況下,優(yōu)選第一嵌合部與第二嵌合部在從接合區(qū)域離開的位置相互嵌合。 根據(jù)這種結(jié)構(gòu),在將密封用部件安裝于基座部時,抑制密封劑延伸至第一嵌合部與第二嵌合部的嵌合部分。由此,由于在第一嵌合部與第二嵌合部的嵌合部分不存在密封劑,所以能夠可靠地進行第一嵌合部與第二嵌合部的嵌合。其結(jié)果是,能夠可靠地抑制密封用部件由于意外的振動或沖擊而從基座部脫落。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選基座部和密封用部件為樹脂制。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),與金屬部件相比,即使使用具有可塑性的比較柔軟的樹脂制的基座部和密封用部件,也能夠通過密封劑可靠地密封封裝體。由此,與由金屬部件構(gòu)成的半導(dǎo)體激光裝置相比,能夠獲得更加輕量化的半導(dǎo)體激光裝置。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選密封用部件由金屬箔、在表面形成有氣障層的硅樹脂或在表面形成有氣障層的熱可塑性氟樹脂中的任一種構(gòu)成。另外,在本發(fā)明中,所謂氣障層,是指由氣體透過性比硅樹脂和熱可塑性氟樹脂低的材料構(gòu)成的層。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),在由金屬箔構(gòu)成密封用部件的情況下,能夠由樹脂以外的加工性豐富且低成本的材料容易地形成密封用部件。此外,在由硅樹脂或熱可塑性氟樹脂等的樹脂構(gòu)成密封用部件的情況下,通過氣障層,能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣體等透過密封用部件的樹脂中而侵入封裝體內(nèi)。
      在上述密封用部件由金屬箔、硅樹脂或熱可塑性氟樹脂的任一種構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中, 優(yōu)選密封用部件由Al的金屬箔構(gòu)成,密封劑由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成,密封劑延伸至密封用部件的與基座部接合的一側(cè)的接合區(qū)域以外的表面上。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),能夠通過設(shè)置在密封用部件的密封劑提高金屬箔的強度(剛性),所以即使使用廉價的Al的金屬箔,也能夠容易地構(gòu)成具有規(guī)定的剛性的密封用部件。在上述密封用部件由金屬箔、硅樹脂或熱可塑性氟樹脂的任一種構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中, 優(yōu)選在密封用部件的與基座部接合的一側(cè)的表面上形成有氣障層,氣障層與密封劑接觸。 根據(jù)這種結(jié)構(gòu),由于在密封用部件與基座部的接合區(qū)域中,在密封用部件與密封劑之間存在氣障層,所以能夠進一步抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣體等侵入封裝體內(nèi)。其結(jié)果是,能夠抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中,優(yōu)選半導(dǎo)體激光元件是氮化物類半導(dǎo)體激光元件。這樣,在振蕩波長短且要求高輸出的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中,由于在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面容易形成附著物,所以使用上述本發(fā)明的“密封劑”,在抑制氮化物類半導(dǎo)體激光元件劣化這一方面非常有效。在本發(fā)明的第二方面的光裝置中,優(yōu)選具備半導(dǎo)體激光元件和將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體裝置;和控制半導(dǎo)體激光裝置的出射光的光學(xué)系統(tǒng),其中,封裝體具備具有設(shè)置在上表面和一個側(cè)面的開口部的凹狀的基座部;和覆蓋開口部的密封用部件,密封用部件通過密封劑安裝于基座部的接合區(qū)域。在本發(fā)明的第二方面的光裝置中,如上所述,由于通過密封劑使開口部被密封用部件覆蓋,所以能夠獲得通過密封用部件容易地對上表面和一個側(cè)面的兩個面開口的凹狀的基座部進行密封的半導(dǎo)體激光裝置。由此,能夠獲得搭載有抑制半導(dǎo)體激光元件劣化的半導(dǎo)體激光裝置的光裝置。


      圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基座部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的密封用部件安裝于基座部的狀態(tài)的立體圖。圖3是本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的卸下密封用部件后的狀態(tài)的上表面圖。圖4是本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖5是表示從激光的出射方向觀看本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置時的正面圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的上表面圖。圖7是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的上表面圖。圖8是表示本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置中基座部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖9是本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖10是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖11是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖12是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖13是表示本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基座部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖14是表示本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的密封用部件安裝于基座部的狀態(tài)的立體圖。圖15是用于說明本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖16是用于說明本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖17是表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基座部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖18是表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖19是表示從激光的出射方向觀看本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置時的截面圖。圖20是本發(fā)明的第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的卸下密封用部件后的狀態(tài)的上表面圖。圖21是表示從激光的出射方向觀看本發(fā)明的第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置時的正面圖。圖22是表示本發(fā)明的第七實施方式的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖23是本發(fā)明的第八實施方式的具備光拾取裝置的光盤裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖M是表示從激光的出射方向觀看本發(fā)明的第九實施方式的RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置時的正面圖。圖25是本發(fā)明的第九實施方式的具備RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置的投影儀裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖沈是本發(fā)明的第十實施方式的投影儀裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖27是表示本發(fā)明的第十實施方式的投影儀裝置中控制部按時間序列發(fā)送信號的狀態(tài)的時序圖。
      具體實施例方式下面,基于附圖來說明本發(fā)明的實施方式。
      (第一實施方式)首先,參照圖1 圖5,對本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的結(jié)構(gòu)進行說明。另外,在圖2中,為了顯示被密封在封裝體內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件及其周邊的狀況, 將一部分附圖標記省略。本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100,如圖1和圖2所示,由具有約 405nm的振蕩波長的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和密封藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝體 50構(gòu)成。封裝體50包括安裝藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的基座部10 ;和安裝于基座部10, 從上方(C2側(cè))和前方(Al側(cè))兩個方向覆蓋藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封用部件30。 其中,藍紫色半導(dǎo)體激光元件20是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”的一例。如圖1所示,基座部10具有平板狀的基座主體10a,該基座主體IOa由聚酰胺樹脂形成,具有厚度tl(c方向)。此外,在平板狀的基座主體IOa的前方部分(Al側(cè))的約一半的區(qū)域,形成有向下方(Cl側(cè))以厚度tl的約一半的深度凹陷的凹部10b。此外,在基座主體IOa的前側(cè)(Al側(cè))的前壁部10c,設(shè)置有在寬度方向(B方向)的中央部具有寬度W3(參照圖3)的大致矩形狀的開口部10d。因此,在凹部IOb配置有在上表面IOi側(cè)開口的大致矩形狀的開口部IOe ;和在前方開口的開口部10d。此外,凹部IOb具有前壁部 IOc ;從前壁部IOc的兩側(cè)端部向后方(A2方向)大致平行地延伸的一對側(cè)壁部IOf ;將側(cè)壁部IOf的后方側(cè)(A2側(cè))的端部連接的內(nèi)壁部IOg ;和在下部連接上述前壁部10c、一對側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的底面。另外,前壁部IOc是本發(fā)明的“一個側(cè)面”的一例。此外,如圖1和圖3所示,在基座部10,金屬制的由引線框架構(gòu)成的引線端子11、 12和13按照在相互絕緣的狀態(tài)下在基座主體IOa中從前方(Al側(cè))貫通至后方(A2側(cè)) 的方式配置。此外,俯視時,引線端子11貫通基座主體IOa的大致中心(B方向),并且在引線端子11的寬度方向(B方向)的外側(cè)(B2側(cè)和Bl側(cè))分別配置有引線端子12和13。 此外,引線端子11、12和13的延伸到各自的后方(A2方向)的后端區(qū)域IlaUh和13a分別從基座主體IOa的后方(A2側(cè))的后壁部IOh (參照圖3)露出。此夕卜,如圖1和圖3所示,引線端子11、12和13的前方(Al側(cè))的前端區(qū)域lib、 12b和1 分別從基座主體IOa的內(nèi)壁部IOg露出,前端區(qū)域lib 1 均配置在凹部IOb 的底面上。此外,引線端子11的前端區(qū)域lib在凹部IOb的底面上沿著B方向擴展。此外,如圖3所示,在引線端子11 一體形成有與前端區(qū)域lib連接的一對散熱部 lid。一對散熱部Ild以引線端子11為中心,在B方向的兩側(cè)大致對稱地配置。此外,散熱部Ild從前端區(qū)域lib起延伸,并且從基座主體IOa的側(cè)面起在Bl方向(B2方向)上貫通,露出在基座部10的外部。因此,在封裝體50內(nèi)動作的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)出的熱,傳遞到基臺(submoimt) 40、前端區(qū)域lib和兩側(cè)的散熱部lld,向半導(dǎo)體激光裝置100 的外部散出。此外,密封用部件30由具有透光性的硅樹脂形成。如圖1所示,密封用部件30 — 體化地包括厚度為t2 (C方向)且寬度為Wl (B方向)的平板狀的頂面部30a;和與頂面部 30a的一側(cè)(Al側(cè))的端部連接,向下方(Cl方向)延伸的厚度為t2且寬度為W2(W2彡Wl) 的平板狀的前表面部30b。此外,頂面部30a和前表面部30b在相互大致正交的狀態(tài)下一體形成,由此密封用部件30的A方向的側(cè)截面具有大致L形狀。此外,前表面部30b的寬度 W2比基座部10的開口部IOd的B方向的開口長度W3(參照圖3)大。此外,頂面部30a和前表面部30b分別是本發(fā)明的“第一部分”和“第二部分”的一例。這里,如圖1 圖5所示,以包圍開口部IOe和IOd的周圍的方式,以規(guī)定厚度涂布密封劑15來連續(xù)覆蓋基座主體IOa的上表面IOi的開口部IOe的周邊區(qū)域(內(nèi)壁部IOg 的附近區(qū)域、一對側(cè)壁部IOf和前壁部IOc的各自的上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al側(cè)))的開口部IOd的周邊區(qū)域上。在使頂面部30a和前表面部30b的內(nèi)表面30c 的外緣部附近與密封劑15緊貼的狀態(tài)下,密封用部件30安裝于基座部10。S卩,基座主體 IOa的開口部IOe被頂面部30a覆蓋,并且基座主體IOa的開口部IOd被前表面部30b覆蓋。由此,開口部IOd和IOe被密封用部件30完全封閉(堵塞),通過封裝體50將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20密封。另外,密封劑15使用氟類潤滑脂(潤滑油,grease),該氟類潤滑脂是由將聚四氟乙烯(CF2)n)的微粒作為增長劑混入到作為氟類油的全氟聚醚(perfluoropolyether)中而得的膏狀的混合物構(gòu)成的。這里,全氟聚醚由用以下的化學(xué)式表示的物質(zhì)的單體或組合構(gòu)成。即,全氟聚醚由 Rf (OCF2CF2)nF、Rf (0 CF2CF2CF2)nF、Rf (0 CF(CF3) CF2)nF(這里,Rf 表示 C3F5或C3F7),或者Rf (OCF2CF2)nF(這里,Rf表示C2F5或C3F7)的單體或組合構(gòu)成。這樣,作為密封劑15,使用不產(chǎn)生揮發(fā)成分等的材料或難以產(chǎn)生揮發(fā)成分等的材料。由此,在半導(dǎo)體激光裝置100中,在封裝體50的內(nèi)部的光出射端面20a不產(chǎn)生或難以產(chǎn)生揮發(fā)成分的附著物等。此外,如圖4和圖5所示,在密封用部件30的內(nèi)表面30c上和外表面30d上,連續(xù)形成有厚度約為0. Ιμπι的由SW2構(gòu)成的氣障層31。此外,如圖2所示,在將密封用部件30安裝于基座部10的狀態(tài)下,進一步通過環(huán)氧樹脂類的粘接劑16固定密封用部件30。具體而言,粘接劑16設(shè)置在密封用部件30的頂面部30a的后方(A2側(cè))的端面附近和前表面部30b的側(cè)方(Bi、B2側(cè))的端面附近。此外,粘接劑16在各個部位形成于從基座部10的外表面到密封用部件30的外表面,設(shè)置在密封劑15的外側(cè)(凹部IOb的外側(cè))。由此,防止粘接劑16散發(fā)的揮發(fā)性的有機氣體通過密封劑15浸透到封裝體50內(nèi)。另外,粘接劑16為本發(fā)明的“固定方法”的一例。此外,在引線端子11的前端區(qū)域lib的上表面大致中央,隔著基臺40安裝有藍紫色半導(dǎo)體激光元件20。該藍紫色半導(dǎo)體激光元件20具有約250 μ m以上約400 μ m以下的共振器長(A方向),并且具有約100 μ m以上約200 μ m以下的元件寬(B方向)。此外,藍紫色半導(dǎo)體激光元件20具有約100 μ m的厚度。此外,如圖5所示,在藍紫色半導(dǎo)體激光元件20中,在η型GaN基板21的上表面上形成有由Si摻雜的η型AKiaN構(gòu)成的η型覆蓋(clad,復(fù)合)層22。在η型覆蓋層22 的上表面上形成有活性層23,該活性層23具有將由h組成高的InGaN構(gòu)成的量子阱層和由GaN構(gòu)成的障壁層交替疊層構(gòu)成的MQW結(jié)構(gòu)。在活性層23的上表面上形成有由Mg摻雜的ρ型AWaN構(gòu)成的ρ型覆蓋層24。此外,在ρ型覆蓋層M形成有沿著與圖5的紙面垂直的方向(圖3的A方向)延伸的具有約1. 5 μ m的寬度的脊部(凸部)25。此外,在ρ型覆蓋層M的脊部25以外的上表面和脊部25的兩側(cè)面,形成有由SW2構(gòu)成的電流阻擋層26。此外,在ρ型覆蓋層M的脊部25和電流阻擋層沈的上表面上,形成有由Au等構(gòu)成的ρ側(cè)電極27。此外,在η型GaN基板21的下表面上的大致整個區(qū)域中,從接近η型GaN基板21的一側(cè)起形成有按Al層、Pt層和Au層的順序疊層而成的η側(cè)電極觀。此外,在藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射端面20a(參照圖幻形成有低反射率的電介質(zhì)多層膜。此外,在光反射端面20b (參照圖幻形成有高反射率的電介質(zhì)多層膜。這里,上述的光出射端面20a 和光反射端面20b,根據(jù)相對于形成在藍紫色半導(dǎo)體激光元件20中的一對共振器端面,按照從各個端面出射的激光的光強度的大小關(guān)系來區(qū)分。即,出射的激光的光強度相對大的一方的端面是光出射端面20a。而相對小的一方的端面是光反射端面20b。另外,光反射端面20b是本發(fā)明的“激光出射端面”的一例。上述藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極28和形成在基臺40的上表面上的焊盤電極41通過導(dǎo)電性粘接層(未圖示)接合。由此,藍紫色半導(dǎo)體激光元件20通過上置結(jié)(jimction-up)方式接合在基臺40上(參照圖5)。此外,基臺40的下表面通過由Au-Sn 焊錫構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層5與引線端子11的前端區(qū)域lib的表面(上表面)接合。此時, 藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射端面20a,按照與基臺40的Al側(cè)的端面40a、引線端子 11的前端區(qū)域lib的前表面和基座部10的凹部IOb的前壁部IOh在同一面上一致的方式配置(參照圖3)。此外,如圖1所示,由Au等構(gòu)成的金屬線91的一端與ρ側(cè)電極27線接合(wire bonding),金屬線91的另一端與引線端子12的前端區(qū)域12b連接。此外,在基臺40的后方(A2側(cè))配置有平板狀的顯示器用PD (發(fā)光二極管)42。 此外,顯示器用PD42具有在作為受光面的上表面4 側(cè)(C2側(cè))形成的ρ型區(qū)域42b和在下面?zhèn)?Cl側(cè))形成的η型區(qū)域42c。下面?zhèn)鹊摩切蛥^(qū)域42c與引線端子11的上表面接
      I=I O此外,由Au等構(gòu)成的金屬線92的一端與顯示器用PD42的上表面4 接合,金屬線92的另一端與引線端子13的前端區(qū)域1 連接。這樣,構(gòu)成第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100。接著,參照圖1 圖7,說明第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝。首先,如圖6所示,通過蝕刻由鐵、銅等的帶狀的薄板構(gòu)成的金屬板而將散熱部 Ild與前端區(qū)域lib —體形成的引線端子11,和配置在引線端子11的兩側(cè)的引線端子12 以及13,形成在橫向(B方向)反復(fù)進行圖案形成的引線框(lead frame) 1050此時,各引線端子12和13,在通過沿著橫向(B方向)延伸的連結(jié)部101和102連結(jié)的狀態(tài)下進行圖案形成。此外,各散熱部Ild在通過沿著橫向延伸的連結(jié)部103連結(jié)的狀態(tài)下進行圖案形成。然后,如圖7所示,將包括貫通有一組引線端子11 13貫通的基座主體IOa和使各端子的前端區(qū)域lib 13b露出于底面上的凹部IOb的基座部10 (參照圖1),使用樹脂成型裝置成型于引線框105。此時,基座主體IOa的各引線端子11 13的前端區(qū)域lib 13b以一同配置在凹部IOb內(nèi)的方式被模塑成型。另一方面,使以約10比1的比例混合硅樹脂和固化劑而成的固化前的硅樹脂流入具有規(guī)定形狀的模具(模型,鑄型,未圖示)。在約150°C的溫度條件下加熱約30分鐘使其固化。由此,密封用部件30的頂面部30a和前表面部30b (參照圖1)成型。然后,從模具中取出密封用部件30,在通過無油泵成為減壓狀態(tài)的爐內(nèi),在約 240°C的溫度條件下加熱兩天,將硅樹脂中含有的低分子硅氧烷(Siloxane)除去。然后,利用真空蒸鍍法,在密封用部件30的頂面部30a和前表面部30b的各自的表面(內(nèi)表面30c和外表面30d)上形成由SiO2構(gòu)成的氣障層31(參照圖幻。這樣,形成密封用部件30。此外,使用規(guī)定的制造工藝,制作藍紫色半導(dǎo)體激光元件20、顯示器(monitor,監(jiān)視)用PD42和基臺40。在形成于基臺40的一個表面上的焊盤電極41上,使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)接合藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的芯片。此時藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的η 側(cè)電極觀側(cè)與焊盤電極41接合。然后,如圖7所示,通過導(dǎo)電性粘接層5 (參照圖幻,將基臺40接合在引線端子11 的前端區(qū)域llb(參照圖3)的上表面大致中央(橫向)的上表面上。此時,未接合藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的基臺40的下表面?zhèn)扰c前端區(qū)域lib的上表面接合。接著,在基臺40 的后方且在引線端子11的前端區(qū)域lib與前壁部IOc之間的區(qū)域上,使用導(dǎo)電性粘接層 (未圖示)接合顯示器用PD42的η型區(qū)域42c。此時,顯示器用PD42的η型區(qū)域42c側(cè)與引線端子11接合。然后,如圖1所示,使用金屬線91將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極27與引線端子12的前端區(qū)域12b連接。此外,使用金屬線92將顯示器用PD42的ρ型區(qū)域42b 與引線端子13的前端區(qū)域1 連接。另外,圖7中省略了金屬線91和92的記載。然后,如圖7所示,通過沿著分離線180和190切斷,將連結(jié)部101、102和103切斷除去。然后,如圖1所示,以包圍基座部10的開口部IOe和IOd的周圍的方式,涂布密封劑15來連續(xù)覆蓋在基座主體IOa的上表面IOi的開口部IOe的周邊區(qū)域(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域、一對側(cè)壁部IOf和前壁部IOc的各上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al 側(cè)))的開口部IOd的周邊區(qū)域上。在該狀態(tài)下,在使密封用部件30的內(nèi)表面30c的外緣部附近與密封劑15緊貼的狀態(tài)下安裝于基座部10。最后,將粘接劑16貼附固定在密封用部件30與基座部10的接合部位的外側(cè)的表面。這樣,形成半導(dǎo)體激光裝置100(參照圖2)。如上所述,由于通過密封劑15由密封用部件30覆蓋開口部IOe和10d,所以能夠利用密封用部件30容易地密封上表面IOi側(cè)和前壁部IOc側(cè)這兩個面開口的凹狀的基座部10。因此,能夠抑制封裝體50內(nèi)部的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。此外,通過密封劑15將密封用部件30安裝于基座部10,由此不會增加制造成本,能夠使用現(xiàn)有的制造設(shè)備容易地制造半導(dǎo)體激光裝置100。此外,通過將難以產(chǎn)生作為光出射端面20a的附著物的原因的揮發(fā)成分的氟類潤滑脂用作密封劑15,作為光出射端面20a的附著物的原因的有機氣體和硅氧烷等揮發(fā)性氣體難以浸入封裝體50內(nèi),所以在光出射端面20a形成附著物的情況得到抑制。由此,能夠抑制由基座部10和密封用部件30密封的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。此外,氟類潤滑脂是膏狀,即使是細小的間隙也能夠容易地填充,所以能夠無間隙地密封封裝體50。由此, 能夠可靠地抑制藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。特別是對于具備因激光出射端面(光出射端面20a)的附著物而使元件容易劣化的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的半導(dǎo)體激光裝置 100,使用由氟類潤滑脂構(gòu)成的密封劑15是有效的。這里,為了確認使用氟類潤滑脂作為密封劑15的有用性,進行了以下的實驗。首先,將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20安裝于具有5. 6mm的直徑(外徑)的金屬制的桿部(棒狀部,stem)(基座部),并且在金屬制的帽部(帶玻璃窗)的內(nèi)側(cè)面附著約3mg的氟類潤滑脂的狀態(tài)下,將帽部蓋上進行密封。另外,所用的氟類潤滑脂分別使用Dow Corning Toray(東 > ·夕·々- 一二 >夕.、)公司制的“HP-300”和ULVAC公司制的“Super Z-300”。在70°C的條件下,從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC(Aut0 Power Control,自動功率控制)將調(diào)整為IOmW的輸出的激光出射350小時,進行動作試驗。其結(jié)果是在經(jīng)過350小時后,各個附著有氟類潤滑脂的半導(dǎo)體激光裝置的動作電流沒有發(fā)生顯著的變化。另外,作為比較例,使用在帽部的內(nèi)側(cè)面附著硅類潤滑脂進行密封的半導(dǎo)體激光裝置,進行了動作試驗。 另外,所用的硅類潤滑脂分別使用Dow Corning Toray公司制的“FS高真空用潤滑脂”和 “HIGHVACUUMGREASE”。在比較例的情況下,在激光元件的動作后經(jīng)過20 50小時后,得到動作電流值上升為初始值的1. 5倍的結(jié)果。根據(jù)該結(jié)果可確認,用于密封劑15的氟類潤滑脂是難以產(chǎn)生在激光出射面形成附著物的揮發(fā)成分的材料,對抑制在光出射端面20a形成附著物等是有用的。此外,為了確認使用硅樹脂作為密封用部件30的有用性,進行了以下的實驗。首先,通過具有Imm厚度的板狀的由聚二甲硅氧烷(polydimethylsiloxane)構(gòu)成的硅樹脂 (信越化學(xué)制KE-106)形成密封用部件30,將其與光出射端面20a隔開Imm的距離配置。 接著,在70°C的條件下,從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC(Aut0 Power Control,自動功率控制)將調(diào)整為IOmW的輸出的激光對上述光透射部35照射1000小時。其結(jié)果是確認密封用部件30的透射率不發(fā)生變化。作為比較例,在以相同的條件對具有Imm厚度的由 PMMA (透明丙烯酸樹脂)形成的光透射部照射激光的情況下,激光的照射區(qū)域劣化而成為不透明,透射率急劇減少。根據(jù)該結(jié)果確認了使用硅樹脂作為密封用部件30的有用性。此外,在密封用部件30 —體形成有覆蓋基座部10的上表面IOi的頂面部30a和覆蓋基座部10的前壁部IOc的前表面部30b。由此,能夠用單一的密封用部件30將上表面 IOi和前壁部IOc這兩個面開口的凹狀的基座部10密封,所以與分別用密封用部件密封上述的兩個面的情況相比較,能夠使半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝簡化。此外,密封用部件30具有透光性,所以能夠使密封用部件30兼用作將從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20出射的光向外部透過的窗用部件,所以能夠使封裝體50的結(jié)構(gòu)簡化。此外,設(shè)置密封劑15使得沿著基座部10與密封用部件30的接合區(qū)域(開口部 IOe的周邊區(qū)域(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域、一對側(cè)壁部IOf和前壁部IOc的各上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面)的開口部IOd的周邊區(qū)域)沒有間隙。由此,通過無間隙地設(shè)置的密封劑15,能夠?qū)⒎庋b體50的密封空間與封裝體50的外部可靠地隔離。由此,能夠可靠地抑制藍紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。此外,除了密封劑15,還使用粘接劑16將密封用部件30固定于基座部10。由此, 能夠可靠地固定在基座部10,所以能夠容易地抑制起因于意外的振動、沖擊而導(dǎo)致的密封用部件30從基座部10脫落的情況。此外,粘接劑16設(shè)置在將基座部10和密封用部件30通過密封劑15接合的區(qū)域的外側(cè)。由此,即使在粘接劑16散發(fā)揮發(fā)性的有機氣體的情況下,也能夠容易地抑制揮發(fā)性的有機氣體浸透密封空間(封裝體50內(nèi)部)。此外,基座部10和密封用部件30均為樹脂制。這樣,與金屬部件相比較,即使在使用具有可塑性且比較柔軟的樹脂制的基座部10和密封用部件30的情況下,也能夠通過密封劑15可靠地密封封裝體50。由此,與由金屬部件構(gòu)成的半導(dǎo)體激光裝置相比較,能夠得到更輕量化的半導(dǎo)體激光裝置100。此外,作為密封用部件30,使用在內(nèi)表面30c上和外表面30d上形成有氣障層31 的硅樹脂。這里,構(gòu)成密封用部件30的硅樹脂,由于非結(jié)晶結(jié)構(gòu)而具有高氣體透過性,所以存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣體,可能會透過硅樹脂中浸入密封有藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝體50內(nèi)。因此,通過在密封用部件30的表面形成氣障層31,能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣體等透過密封用部件30的硅樹脂中而浸入封裝體50內(nèi)。另外,氣障層 31具有幾十nm的厚度即可。此外,密封用部件30在通過密封劑15與基座部10接合的內(nèi)表面30c上形成有氣障層31,氣障層31與密封劑15接觸。由此,在密封用部件30與基座部10的接合區(qū)域中, 由于在密封用部件30與密封劑15之間設(shè)置有氣障層31,所以能夠進一步抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機氣體等浸入封裝體50內(nèi)部。其結(jié)果是,藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化能夠進一步得到抑制。此外,在封裝體50的內(nèi)部密封有藍紫色半導(dǎo)體激光元件20。這樣,在振蕩波長短且要求高輸出的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中,在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面容易形成附著物,所以使用密封劑15在抑制藍紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化的方面是非常有效的。(第二實施方式)接著,說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置200。在該半導(dǎo)體激光裝置 200中,如圖8所示,與第一實施方式的不同之處在于,光透射部235形成在前表面(Al側(cè))、 密封用部件230由鋁箔構(gòu)成,對此情況進行說明。另外,在圖中對與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的附圖標記來圖示。另外,鋁箔是本發(fā)明的“金屬箔”的一例。在半導(dǎo)體激光裝置200中,密封用部件230使用具有約50 μ m的厚度t2的鋁箔形成。此外,如圖9所示,在密封用部件230的前表面部230b的大致中央部,設(shè)置有在厚度方向上貫通密封用部件230的一個孔部234。以從前表面部230b的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部234的方式設(shè)置有由硅樹脂構(gòu)成的具有透光性的光透射部235。此外,在光透射部235 的表面(Al側(cè)和A2側(cè))上,形成有由Al2O3構(gòu)成的電介質(zhì)膜32。電介質(zhì)膜32不僅具有作為氣障層的功能,還具有反射防止層的作用。此外,光透過層235通過涂布在孔部234的周圍具有約0. Imm厚度的密封劑17貼附于前表面部230b。另外,作為密封劑17,使用作為由乙烯-聚乙烯醇(ethylene-polyvinyl alcohol)共聚物構(gòu)成的樹脂(EV0H樹脂)的Eval (注冊商標)。EVOH樹脂是氣體障壁性優(yōu)良的材料,主要作為多層膜用于食品包裝材料等。因此,密封用部件230的孔部234被通過密封劑17安裝的光透射部235完全堵塞。另外,半導(dǎo)體激光裝置200的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。接著,對半導(dǎo)體激光裝置200的制造工藝進行說明。首先,如圖1所示,在具有約 50 μ m厚度的鋁箔233的規(guī)定區(qū)域中隔開規(guī)定的間隔形成多個孔部234。然后,如圖11所示,在鋁箔233的上表面233a上的各個孔部234的周圍,圓環(huán)狀地涂布密封劑17。此時,在加熱到約220°C的鋁箔233的上表面233a上,以約0. 2mm的厚度涂布由 Eval (可樂麗制Eval F104B)構(gòu)成的密封劑17。在通過加熱使密封劑17熔融的狀態(tài)下,形成電介質(zhì)膜32,并且以覆蓋孔部234上的方式壓接而形成為大致圓板狀的光透射部235。 然后,通過冷卻鋁箔233,用密封劑17將光透射部235貼附于鋁箔233(參照圖11)。然后,如圖12所示,以將密封用部件230在平面上展開的形狀切割鋁箔233。然后,以光透射部235成為外側(cè)的方式將前表面部230b這部分折曲至與頂面部230a垂直的方向上。由此,密封用部件230形成如圖8所示的形狀。然后,將密封用部件230安裝于基座部10,以代替第一實施方式的制造工藝中將密封用部件30安裝于基座部10的工序。另外,其他工序與第一實施方式的制造工藝相同。 這樣,形成半導(dǎo)體激光裝置200(參照圖9)。在第二實施方式中,如上所述,由鋁箔233構(gòu)成密封用部件230。由此,能夠由樹脂以外的富有加工性且低成本的材料容易地形成密封用部件230。此外,光透射部235被以將前表面部230b的孔部234密封的方式通過密封劑17 安裝于前表面部230b。由此,即使在設(shè)置有光透射部235的情況下,也將密封劑17用于前表面部230b與光透射部235的接合,所以能夠可靠地抑制有機氣體、硅氧烷等揮發(fā)性氣體浸入封裝體50內(nèi)部。此外,光透射部235通過密封劑17安裝于密封用部件230(前表面部230b)。艮口, 通過使用密封劑17,光透射部235和密封用部件230,不使用丙烯酸樹脂類粘接劑、環(huán)氧樹脂類粘接劑等粘接劑而進行接合,所以密封在封裝體50內(nèi)的藍紫色半導(dǎo)體激光元件20不會暴露在上述粘接劑散發(fā)的有機氣體中。因此,能夠有效地抑制藍紫色半導(dǎo)體激光元件20 劣化。此外,能夠使密封用部件230的安裝于基座部10的一側(cè)(封裝體50內(nèi)部的密封空間側(cè))的表面為沒有突出物的平坦的表面,所以能夠容易地將密封用部件230安裝于凹狀的基座部10。這里,為了確認使用EVOH樹脂(Eval)作為密封劑17的有用性,進行了以下的實驗。首先,將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20安裝于具有9mm的直徑(外徑)的金屬制的桿部 (基座部),并且在金屬制的帽部(帶玻璃窗)的內(nèi)側(cè)面摻入切割成約5mg的Eval (可樂麗制EvalF104B)的顆粒(pellet)的狀態(tài)下,將帽部蓋上進行密封。在70°C的條件下,從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC將調(diào)整為IOmW的輸出的激光出射250小時,進行了動作試驗。其結(jié)果是在經(jīng)過250小時后,半導(dǎo)體激光裝置的動作電流沒有發(fā)生顯著的變化。另外,作為比較例,進行了在沒有摻入Eval的狀態(tài)下密封的半導(dǎo)體激光裝置的動作試驗。與經(jīng)過250小時后的比較例相比,也未觀察到動作電流中有顯著的差異。根據(jù)該結(jié)果可確認, 從Eval極難以產(chǎn)生有機氣體等,確認了使用EVOH樹脂作為密封劑17的有用性。(第三實施方式)參照圖13,對第三實施方式進行說明。在該第三實施方式的半導(dǎo)體激光裝置300 中,使用第二實施方式中所用的密封劑17(可樂麗制Eval F104B)代替第一實施方式中所用的密封劑15,除此以外,與第一實施方式相同。另外,在圖中對與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的附圖標記來圖示。此外,在半導(dǎo)體激光裝置300的制造工藝中,代替半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝中將密封用部件30安裝于基座部10的工序,通過以下工序?qū)⒚芊庥貌考?0安裝于基座部。即,在將基座部10加熱至約220°C的狀態(tài)下,將密封劑17 (參照圖13)涂布在開口部 IOd和IOe的周邊區(qū)域上。在通過加熱使密封劑17熔融的狀態(tài)下,將密封用部件30與基座部10熱壓接。然后,通過冷卻基座部10,將密封用部件30安裝于基座部10。此外,其他工序與第一實施方式的制造工藝相同。這樣,形成半導(dǎo)體激光裝置300。另外,第三實施方式的效果與第一實施方式相同。(第四實施方式)接著,對第四實施方式進行說明。在該第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置400中,將使用密封劑17的密封用部件430安裝于基座部10,除此以外,與第二實施方式相同。另外, 在圖中對與第二實施方式相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的附圖標記來圖示。在半導(dǎo)體激光裝置400中,如圖14所示,將密封用部件430與基座部10通過密封劑17接合。此時,以約0. 2mm的厚度將密封劑17不僅涂布在密封用部件430與基座部10 的接合部位,而且涂布在密封用部件430的背面(內(nèi)表面)上的大致全部區(qū)域。另外,圖14 中通過部分省略涂布在密封用部件430的背面上的密封劑17的圖示,來圖示封裝體50內(nèi)部。另外,半導(dǎo)體激光裝置400的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。接著,對半導(dǎo)體激光裝置400的制造工藝進行說明。首先,在將具有約0. 17μπι厚度的片狀的鋁箔233(參照圖10)加熱至220°C的狀態(tài)下,在背面233b(參照圖10)上的整個面以約0. 2mm的厚度涂布密封劑17。然后,形成孔部234 (參照圖10),并且與第二實施方式同樣地,通過密封劑17將光透射部235貼附于鋁箔233后,制作如圖12所示的具有平面形狀的密封用部件430。另外,通過冷卻使涂布在背面233b上的密封劑17也固化,所以在形成為板狀的密封用部件430產(chǎn)生規(guī)定大小的剛性。然后,代替半導(dǎo)體激光裝置200的制造工藝中將密封用部件230安裝于基座部10 的工序,通過以下工序?qū)⒚芊庥貌考?30安裝于基座部10。S卩,在將基座部10加熱至約 220°C的狀態(tài)下,將未折曲的狀態(tài)下的密封用部件430與基座部10的上表面熱壓接,并且在沿著前壁部IOc折曲密封用部件430的同時與前壁部IOc的前表面熱壓接。另外,在密封用部件430,密封劑17因周圍的熱而開始熔融,所以鋁箔233成為可變形的狀態(tài)。然后,通過冷卻基座部10,將密封用部件430安裝于基座部10。另外,其他工序與第二實施方式的制造工藝相同。這樣,形成半導(dǎo)體激光裝置400。在第四實施方式中,由Eval構(gòu)成的密封劑17整體性地形成在密封用部件430的背面233b上,所以即使鋁箔233的厚度較小時,也能夠提高物理強度(剛性)。由此,能夠降低材料成本。此外,通過提高剛性,能夠防止制造工序上的不必要的變形。進而,制造工序上的處理也變得容易。另外,其他效果與第一實施方式相同。(第五實施方式)參照圖17 圖19,對第五實施方式進行說明。在該第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置500中,與第一實施方式的不同之處在于,將設(shè)置有嵌合爪530a 530c的密封用部件 530安裝于基座部10,對此情況進行說明。另外,在圖中對與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的附圖標記來圖示。在半導(dǎo)體激光裝置500中,如圖17所示,嵌合爪530a、530b和530c與密封用部件 530 —體形成。嵌合爪530a具有從前表面部30b的Cl側(cè)的端部起向內(nèi)側(cè)(A2方向)突出成凸狀,且前端部進一步向上方(C2方向)突出成楔狀的形狀。嵌合爪530b和530c具有從頂面部30a的B方向的各端部起向下方(Cl方向)若干延伸,且前端部向內(nèi)側(cè)(Bi側(cè)和 B2側(cè))突出成楔狀的形狀。
      此外,如圖17 圖19所示,在基座部10形成有嵌合槽部510a、510b和510c。嵌合槽部510a(參照圖18)形成在基座部10的下表面IOj的前壁部IOc (Al側(cè))附近區(qū)域, 呈大致V字槽狀凹陷。嵌合槽部510b和510c (參照圖19)分別形成在凹部IOb的側(cè)壁部 IOf的外表面,呈大致V字槽狀凹陷。此外,與第一實施方式同樣,密封用部件530通過密封劑15安裝于基座主體10a。 進而,在第五實施方式中,如圖18所示,嵌合爪530a嵌入嵌合槽部510a,并且如圖19所示, 嵌合爪530b和530c分別嵌入嵌合槽部510b和510c。由此,密封用部件530固定在基座部 10。此時,嵌合爪530a (530b、530c)與嵌合槽部510a (510b、510c)在離開基座部10與密封用部件530通過密封劑15接合的接合區(qū)域的位置上相互嵌合。另外,嵌合爪530a、530b和 530c是本發(fā)明的“固定部件”和“第一嵌合部”的一個例子,嵌合槽部510a、510b和510c是本發(fā)明的“固定部件”和“第二嵌合部”的一個例子。另外,半導(dǎo)體激光裝置500的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。另外,關(guān)于半導(dǎo)體激光裝置500的制造工藝,除了以下幾個方面,其他與第一實施方式的制造工藝大致相同將具有嵌合爪530a、530b和530c的密封用部件530模塑成型的方面;將具有嵌合槽部510a、510b和510c的基座部10模塑成型的方面;和以嵌合爪530a、 530b和530c分別與嵌合槽部510a、510b和510c嵌合的方式將密封用部件530安裝于基座部10的方面。在第五實施方式中,如上所述,除密封劑15以外,還通過使嵌合爪530a、530b和 530c分別與嵌合槽部510a、510b和510c嵌合,將密封用部件530安裝于基座部10。由此, 通過嵌合爪530a、530b和530c與嵌合槽部510a、510b和510c的嵌合(三個位置),能夠?qū)⒚芊庥貌考?30可靠地固定在基座部10。其結(jié)果是能夠容易地抑制起因于意外的振動或沖擊而使密封用部件530從基座部10脫落的情況。此外,嵌合爪530a (530b、530c)與嵌合槽部510a (510b、510c),在離開基座部10與密封用部件530通過密封劑15接合的接合區(qū)域的位置上相互嵌合。由此,在將密封用部件 530安裝于基座部10時,能夠抑制密封劑15溢出到嵌合爪530a(530b、530c)與嵌合槽部 510a(510b、510c)的嵌合部分的情況。由此,密封劑15不存在于嵌合爪530a (530b、530c) 與嵌合槽部510a(510b、510c)的嵌合部分,所以能夠可靠地進行嵌合。其結(jié)果是能夠可靠地抑制起因于意外的振動或沖擊而使密封用部件530從基座部10脫落的情況。另外,其他效果與第一實施方式相同。(第六實施方式)參照圖20和圖21,對第六實施方式進行說明。在該第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置600中,與第一實施方式的不同之處在于,搭載有出射相互不同波長的激光的多個半導(dǎo)體激光 元件,對此情況進行說明。另外,在圖中對與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的附圖標記來圖示。在本發(fā)明的第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置600中,如圖20所示,與藍紫色半導(dǎo)體激光元件20相鄰,將具有約650nm的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件70和具有約780nm的振蕩波長的紅外半導(dǎo)體激光元件80形成為一片(單片)的二波長半導(dǎo)體激光元件60接合在基臺40的表面上。此外,三波長半導(dǎo)體激光裝置600是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的一個例子。此外,二波長半導(dǎo)體激光元件60、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80分別是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”的一個例子。另外,上述半導(dǎo)體激光元件接合在焊盤電極41的前方(Al側(cè))的上表面的規(guī)定區(qū)域,并且顯示器用PD42與后方(A2側(cè))的上表面的規(guī)定區(qū)域接合。此外,與第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100相比,基座部10的基座主體IOa的截面沿著寬度方向(B方向)延伸,形成為具有寬度W61(W61 >W1)。因此,上表面IOi的開口部IOe也沿著B 方向延伸。此外,設(shè)置在前壁部IOc的大致中央的開口部10d,在B方向上具有開口長度W63(W63 > W3)。另外,前壁部IOc是本發(fā)明的“一個側(cè)面”的一個例子。此外,如圖20所示,在基座部10,由金屬制的引線框構(gòu)成的引線端子11、612、613、 614和615,在相互絕緣的狀態(tài)下以貫通基座主體IOa的方式配置在同一平面上。此外,引線端子11和引線端子612 615的各自的前方(Al側(cè))的前端區(qū)域lib 和前端區(qū)域612b 615b,分別從基座主體IOa的內(nèi)壁部IOg露出,并且配置在凹部IOb的底面上。此外,在前端區(qū)域lib的大致中央,藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和二波長半導(dǎo)體激光元件60沿著B方向排列固定。此外,如圖21所示,在二波長半導(dǎo)體激光元件60中,紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80隔著具有規(guī)定槽寬度的凹部65形成在公用的η型GaAs基板71的表面上。 具體而言,在紅色半導(dǎo)體激光元件70中,在η型GaAs基板71的上表面上形成有由 AlGaInP構(gòu)成的η型覆蓋層72。在η型覆蓋層72的上表面上形成具有由GaInP構(gòu)成的量子阱層和由AlGaInP構(gòu)成的障壁層交替疊層構(gòu)成的MQW結(jié)構(gòu)的活性層73。在活性層73的上表面上形成有由AlGaInP構(gòu)成的ρ型覆蓋層74。此外,在紅外半導(dǎo)體激光元件80中,在η 型GaAs基板71的上表面上形成有由AlGaAs構(gòu)成的η型覆蓋層82。在η型覆蓋層82的上表面上形成具有由Al組成較低的AlGaAs構(gòu)成的量子阱層和由Al組成較高的AlGaAs構(gòu)成的障壁層交替疊層構(gòu)成的MQW結(jié)構(gòu)的活性層83。在活性層83的上表面上形成有由AlGaAs 構(gòu)成的P型覆蓋層84。此外,形成有由SiO2構(gòu)成的電流阻擋層86,該電流阻擋層86覆蓋ρ型覆蓋層74 的脊部75以外的上表面和脊部75的兩側(cè)面、及ρ型覆蓋層84的脊部85以外的上表面和脊部85的兩側(cè)面。此外,在脊部75、脊部85和電流阻擋層86的上表面上,分別形成有將具有約200nm厚度的Pt層和具有約3 μ m厚度的Au層疊層而成的ρ側(cè)電極77和87。此外,在η型GaAs基板71的下表面上形成有從η型GaAs基板71起按從近到遠依次疊層有AuGe層、Ni層和Au層的η側(cè)電極78。此外,η側(cè)電極78設(shè)置為紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80共用的η側(cè)電極。此外,紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80的光出射端面70a和80a,以同處在與光出射端面20a相同一側(cè)(Al 側(cè))的方式配置。另外,光出射端面70a和80a是本發(fā)明的“激光出射端面”的一個例子。此外,如圖20所示,金屬線691的一端與ρ側(cè)電極27線接合,金屬線691的另一端與引線端子614的前端區(qū)域614b連接。金屬線692的一端與ρ側(cè)電極77線接合,金屬線 692的另一端與引線端子613的前端區(qū)域613b連接。此外,金屬線693的一端與ρ側(cè)電極 87線接合,金屬線693的另一端與引線端子612的前端區(qū)域612b連接。此外,金屬線694 的一端與顯示器用PD42的ρ型區(qū)域42b線接合,金屬線694的另一端與引線端子615的前端區(qū)域615b連接。
      此外,對于密封用部件630,相對于第一實施方式的密封用部件30 (參照圖1),頂面部630a和前表面部630b的截面沿著寬度方向(B方向)延伸,因此具有與基座部10相同的寬度W61。此外,在第六實施方式中,密封用部件630由具有透光性的熱可塑性氟樹脂形成。 此外,如圖21所示,在密封用部件630的內(nèi)表面630c上和外表面630d上連續(xù)形成有具有約0. Ιμπι厚度的由SiO2構(gòu)成的氣障層31。另外,三波長半導(dǎo)體激光裝置600的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。

      接著,對密封用部件630的制造工藝進行說明。首先,將顆粒(具有約3 5mm左右的長度的圓柱狀的粒子)狀的熱可塑性氟樹脂在170°C的溫度條件下加熱并流入具有規(guī)定的形狀的模具(未圖示)后,通過除溫使其固化。由此,密封用部件630的頂面部630a 和前表面部630b (參照圖21)成型。然后,利用真空蒸鍍法,在密封用部件630的頂面部630a和前表面部630b的各自的表面(內(nèi)表面630c和外表面630d)上形成由SiO2構(gòu)成的氣障層31。這樣,形成密封用部件630。另外,關(guān)于三波長半導(dǎo)體激光裝置600的其他制造工藝,除了以下方面之外,其他與第一實施方式大致相同將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和二波長半導(dǎo)體激光元件60在橫向上(圖21的B方向)排列的狀態(tài)下接合在基臺40上的方面;和使用熱可塑性氟樹脂形成密封用部件630之后,通過密封劑15將密封用部件630安裝于基座部10,由此密封藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和二波長半導(dǎo)體激光元件60的方面。這里,為了確認使用熱可塑性氟樹脂作為密封用部件630的有用性,進行了以下的實驗。首先,在僅將藍紫色半導(dǎo)體激光元件20安裝于具有9mm的直徑(外徑)的金屬制的桿部(基座部),并且在蓋上金屬制的帽部(帶玻璃窗)進行密封時,在封裝體內(nèi)放入切割為2_X2_X0. Imm(縱X橫X厚度)的尺寸的由四氟乙烯(tetrafluoroethylene)、 六氟丙烯和雙氟亞乙烯(vinylidene fluoride)構(gòu)成的熱可塑性氟樹脂(3M制THV500G) 進行密封。在70°C的條件下,從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC將調(diào)整為IOmW的輸出的激光出射250小時,進行了動作試驗。其結(jié)果是在經(jīng)過250小時后,動作電流沒有發(fā)生顯著的變化。此外,在藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的激光出射端面沒有形成從熱可塑性氟樹脂發(fā)出的揮發(fā)性氣體導(dǎo)致的附著物。另外,作為比較例,在相同的封裝體內(nèi)放入切割為與上述相同尺寸的丙烯酸板進行密封后,進行了動作試驗。在該情況下,140小時后動作電流開始上升,激光元件破損。此外,使用具有上述厚度(0. Imm)的熱可塑性氟樹脂(3M制THV500G)形成密封用部件630,將其與光出射端面20a隔開Imm的距離配置。接著,在70°C的條件下,從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC將調(diào)整為IOmW的輸出的激光對上述光透射部35照射1000 小時,結(jié)果確認密封用部件630的透射率不發(fā)生變化。另外,作為比較例,在以相同的條件對具有Imm厚度的由PMMA(透明丙烯酸樹脂)形成的光透射部照射激光的情況下,激光的照射區(qū)域劣化而成為不透明,透射率急劇減少。根據(jù)該結(jié)果能夠確認,使用熱可塑性氟樹脂作為密封用部件630,在激光出射端面難以形成附著物,且對于藍紫色激光的照射的透射率不易降低。因此,在使用它形成密封用部件630的三波長半導(dǎo)體激光裝置600中,能夠進一步抑制藍紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。此外,對于熱可塑性氟樹脂,來自熱可塑性氟樹脂的揮發(fā)性氣體在激光出射端面不會形成附著物,所以無需進行在第一實施方式的密封用部件30的制造工藝中所進行的脫氣處理。由此,能夠容易地制造具備優(yōu)良特性的三波長半導(dǎo)體激光裝置600。另外,三波長半導(dǎo)體激光裝置600的效果與第一實施方式相同。(第七實施方式) 參照圖20和圖22,對本發(fā)明的第七實施方式的光拾取裝置700進行說明。另外, 光拾取裝置700是本發(fā)明的“光裝置”的一個例子。本發(fā)明的第七實施方式的光拾取裝置700,如圖22所示,包括三波長半導(dǎo)體激光裝置600(參照圖20);對從三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光進行調(diào)整的光學(xué)系統(tǒng) 720 ;和接受激光的光檢測部730。此外,光學(xué)系統(tǒng)720具有偏光分束鏡(PBS) 721、準直透鏡722、光束擴展器723、 λ /4板724、物鏡725、圓柱(cylindrical)透鏡726和光軸修正元件727。此外,PBS721使從三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光全透射并且將從光盤 735返回的激光全反射。準直透鏡722將透過PBS721的來自三波長半導(dǎo)體激光裝置600的激光變換為平行光。光束擴展器723由凹透鏡、凸透鏡和致動器(未圖示)構(gòu)成。致動器具有根據(jù)來自后述的伺服電路的伺服信號,通過改變凹透鏡和凸透鏡的距離,修正從三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光的波面狀態(tài)的功能。此外,λ /4板724將由準直透鏡722變換為大致平行光的直線偏光的激光變換為圓偏光。此外,λ/4板724將從光盤735返回的圓偏光的激光變換為直線偏光。該情況下的直線偏光的偏光方向與從三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光的直線偏光的方向正交。由此,從光盤735返回的激光被PBS721幾乎全反射。物鏡725將透過λ /4板724的激光集束(收束)到光盤735的表面(記錄層)上。另外,物鏡725能夠通過物鏡致動器 (未圖示),根據(jù)來自后述的伺服電路的伺服信號(跟蹤伺服信號、聚焦伺服信號和傾斜伺服信號),在聚焦方向、跟蹤方向和傾斜方向上移動。此外,沿著被PBS721全反射的激光的光軸,配置有圓柱透鏡726、光軸修正元件 727和光檢測部730。圓柱透鏡726對入射的激光施加像散作用。光軸修正元件727由衍射光柵(回折格子)構(gòu)成,以透過圓柱透鏡726的藍紫色、紅色和紅外的各激光的0級衍射光的光斑在后述的光檢測部730的檢測區(qū)域上一致的方式配置。此外,光檢測部730基于接收的激光的強度分布輸出再現(xiàn)信號。這里,光檢測部 730具有規(guī)定圖案的檢測區(qū)域,使得能夠得到再現(xiàn)信號以及聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號。這樣,構(gòu)成具有三波長半導(dǎo)體激光裝置600的光拾取裝置700。在該光拾取裝置700中,三波長半導(dǎo)體激光裝置600通過在引線端子11與引線端子612 614之間分別獨立地施加電壓,能夠從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80獨立地出射藍紫色、紅色和紅外激光。此外,從三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光,如上所述,通過PBS721、準直透鏡722、光束擴展器723、λ/4 板724、物鏡725、圓柱透鏡726和光軸修正元件727進行調(diào)整后,照射到光檢測部730的檢測區(qū)域上。這里,對記錄在光盤735中的信息進行再現(xiàn)的情況下,能夠進行控制使得從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80出射的各激光功率為一定,同時將激光照射到光盤735的記錄層上,并且得到從光檢測部730輸出的再現(xiàn)信號。此外,能夠根據(jù)同時輸出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號,分別對光束擴展器723的致動器和驅(qū)動物鏡725的物鏡致動器進行反饋控制。此外,在將信息記錄在光盤735中的情況下,基于應(yīng)記錄的信息,在控制從藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和紅色半導(dǎo)體激光元件70 (紅外半導(dǎo)體激光元件80)出射的激光功率的同時,將激光照射到光盤735上。由此,能夠在光盤735的記錄層中記錄信息。此外,與上述同樣,能夠根據(jù)從光檢測部730輸出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號, 分別對光束擴展器723的致動器和驅(qū)動物鏡725的物鏡致動器進行反饋控制。這樣,使用具備三波長半導(dǎo)體激光裝置600的光拾取裝置700,能夠進行光盤735 的記錄和再現(xiàn)。在第七實施方式中的光拾取裝置700中,由于具有三波長半導(dǎo)體激光裝置600,所以能夠得到藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和二波長半導(dǎo)體激光元件60難以劣化,耐長時間使用的可靠性高的光拾取裝置700。(第八實施方式)參照圖22和圖23,對本發(fā)明的第八實施方式的光盤裝置800進行說明。另外,光盤裝置800是本發(fā)明的“光裝置”的一個例子。本發(fā)明的第八實施方式的光盤裝置800,如圖23所示,包括光拾取裝置700、控制器801、激光驅(qū)動電路802、信號生成電路803、伺服電路804和光盤驅(qū)動電動機805。將基于應(yīng)記錄到光盤735中的信息生成的記錄數(shù)據(jù)SLl輸入控制器801。此外,控制器801構(gòu)成為根據(jù)記錄數(shù)據(jù)SLl和來自后述的信號生成電路803的信號SL5,向激光驅(qū)動電路802輸出信號SL2,并且向伺服電路804輸出信號SL7。此外,控制器801如后所述, 基于信號SL5輸出再現(xiàn)數(shù)據(jù)SL10。此外,激光驅(qū)動電路802根據(jù)上述信號SL2,輸出控制從光拾取裝置700內(nèi)的三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的激光功率的信號SL3。S卩,三波長半導(dǎo)體激光裝置600構(gòu)成為被控制器801和激光驅(qū)動電路802驅(qū)動。在光拾取裝置700中,如圖23所示,將根據(jù)上述信號SL3被控制的激光照射到光盤735上。此外,從光拾取裝置700內(nèi)的光檢測部730向信號生成電路803輸出信號SL4。 此外,根據(jù)來自后述的伺服電路804的伺服信號SL8,控制光拾取裝置700內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng) 720 (圖22所示的光束擴展器723的致動器和驅(qū)動物鏡725的物鏡致動器)。信號生成電路803對從光拾取裝置700輸出的信號SL4進行放大和運算處理,向控制器801輸出包含再現(xiàn)信號的第一輸出信號SL5,并且向伺服電路804輸出進行上述光拾取裝置700的反饋控制和后述的光盤735的旋轉(zhuǎn)控制的第二輸出信號SL6。伺服電路804如圖23所示,根據(jù)來自信號生成電路803和控制器801的第二輸出信號SL6和信號SL7,輸出對光拾取裝置700內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)720進行控制的伺服信號SL8和對光盤驅(qū)動電動機805進行控制的伺服信號SL9。此外,光盤驅(qū)動電動機805根據(jù)伺服信號 SL9,控制光盤735的旋轉(zhuǎn)速度。這里,在對記錄在光盤735中的信息進行再現(xiàn)的情況下,首先利用此處省略說明的識別光盤735的種類(CD、DVD、BD等)的裝置,選擇應(yīng)照射的波長的激光。接著,從控制器801向激光驅(qū)動電路802輸出信號SL2,使得應(yīng)從光拾取裝置700內(nèi)的三波長半導(dǎo)體激光裝置600出射的波長的激光強度為一定。進而,通過上面說明的光拾取裝置700的三波長半導(dǎo)體激光裝置600、光學(xué)系統(tǒng)720和光檢測部730發(fā)揮作用,從光檢測部730向信號生成電路803輸出包含再現(xiàn)信號的信號SL4,信號生成電路803向控制器801輸出包含再現(xiàn)信號的信號SL5??刂破?01通過對信號SL5進行處理,將記錄在光盤735中的再現(xiàn)信號抽出, 作為再現(xiàn)數(shù)據(jù)SLlO輸出。利用該再現(xiàn)數(shù)據(jù)SL10,例如能夠向顯示器或麥克風輸出記錄在光盤735中的影像、聲音等信息。此外,還基于來自光檢測部730的信號SL4,進行各部的反饋控制。此外,在向光盤735記錄信息的情況下,首先利用與上述同樣的識別光盤735的種類的裝置,選擇應(yīng)照射的波長的激光。接著,根據(jù)與所記錄的信息對應(yīng)的記錄數(shù)據(jù)SL1,從控制器801向激光驅(qū)動電路802輸出信號SL2。進而,通過上面說明的光拾取裝置700的三波長半導(dǎo)體激光裝置600、光學(xué)系統(tǒng)720和光檢測部730發(fā)揮作用,將信息記錄到光盤735 中,并且基于來自光檢測部730的信號SL4,進行各部的反饋控制。這樣,使用光盤裝置800,能夠?qū)獗P735進行記錄和再現(xiàn)。在第八實施方式的光盤裝置800中,在光盤裝置700的內(nèi)部安裝有三波長半導(dǎo)體激光裝置600 (參照圖22),所以藍紫色半導(dǎo)體激光元件20和二波長半導(dǎo)體激光元件60難以劣化,能夠容易地獲得耐長時間使用的可靠性高的光盤裝置800。 (第九實施方式)參照圖22、圖24和圖25,說明本發(fā)明的第九實施方式的投影儀裝置900的結(jié)構(gòu)。 另外,對在投影儀裝置900中構(gòu)成RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的各個半導(dǎo)體激光元件幾乎同時點亮的例子進行說明。另外,RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的一例,投影儀900是本發(fā)明的“光裝置”的一例。本發(fā)明的第九實施方式的投影儀裝置900,如圖25所示,包括RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605 ;由多個光學(xué)部件構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)920 ;和控制RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置 605和光學(xué)系統(tǒng)920的控制部950。由此,從RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光, 通過光學(xué)系統(tǒng)920調(diào)制以后,投影到外部的屏幕990等上。此外,在RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605中,如圖24所示,具有約655nm的紅色(R) 振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件670與二波長半導(dǎo)體激光元件650接合,該二波長半導(dǎo)體激光元件650單體形成有具有約530nm的綠色(G)振蕩波長的綠色半導(dǎo)體激光元件660和具有約480nm的藍色(B)振蕩波長的藍色半導(dǎo)體激光元件665。另外,二波長半導(dǎo)體激光元件650、綠色半導(dǎo)體激光元件660、藍色半導(dǎo)體激光元件665和紅色半導(dǎo)體激光元件670是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”的一個例子。這里,RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605在圖21所示的三波長半導(dǎo)體激光裝置600 中,設(shè)置有形成在η型GaAs基板71的上表面上的紅色半導(dǎo)體激光元件670 (參照圖24)來代替藍紫色半導(dǎo)體激光元件20。此外,在RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605中,設(shè)置有在η型 GaN基板21的下表面上單體形成有綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665的二波長半導(dǎo)體激光元件650 (參照圖24),來代替單體形成有紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80的二波長半導(dǎo)體激光元件60。此外,各個半導(dǎo)體激光元件通過焊盤電極 41接合到基臺40的表面上。此外,如圖24所示,紅色半導(dǎo)體激光元件670通過與ρ側(cè)電極677線接合的金屬線691和引線端子614的前端區(qū)域614b (參照圖20)連接。此外,藍色半導(dǎo)體激光元件665 通過與P側(cè)焊盤電極666線接合的金屬線692和引線端子613的前端區(qū)域613b (參照圖 20)連接。綠色半導(dǎo)體激光元件660通過與ρ側(cè)焊盤電極661線接合的金屬線693與引線端子612的前端區(qū)域612b (參照圖20)連接。此外,以能夠接收來自各個激光元件的光反射面的激光的方式形成的顯示器用PD42,通過與ρ型區(qū)域42b線接合的金屬線694和引線端子615的前端區(qū)域615b(參照圖20)連接。此外,紅色半導(dǎo)體激光元件670的η側(cè)電極 678、二波長半導(dǎo)體激光元件650的η側(cè)電極658和顯示器用PD42的η型區(qū)域42c都經(jīng)由基臺40與引線端子11電連接。由此,在RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605中,實現(xiàn)共陰極的接線。另外,RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的其他結(jié)構(gòu)和制造工藝與三波長半導(dǎo)體激光裝置600的情況相同。此外,如圖25所示,在光學(xué)系統(tǒng)920中,從RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光,通過由凹透鏡和凸透鏡構(gòu)成的發(fā)散角控制透鏡922變換成具有規(guī)定光束直徑的平行光后,入射到蠅眼積分器923。此外,在蠅眼積分器923中,由蠅眼形狀的透鏡組構(gòu)成的兩個蠅眼透鏡相對設(shè)置。由此,對從發(fā)散角控制透鏡922入射的光施加透鏡作用,使得入射液晶面板929、933和940時的光量分布均勻。即,將透過蠅眼積分器923的光調(diào)整為能夠具有與液晶面板929、933和940的尺寸對應(yīng)的縱橫比(例如16 9)的廣度地入射。此外,透過蠅眼積分器923的光被聚光透鏡924聚光。此外,透過聚光透鏡924的光中僅紅色光被二向色鏡925反射,綠色光和藍色光透過二向色鏡925。然后,紅色光在經(jīng)過反射鏡926并由透鏡927平行化后,經(jīng)由入射側(cè)偏光板928入射到液晶面板929。該液晶面板929根據(jù)紅色用的圖像信號(R圖像信號)進行驅(qū)動,由此對紅色光進行調(diào)制。此外,在二向色鏡930中,透過二向色鏡925的光中僅綠色光被反射,藍色光透過二向色鏡930。然后,綠色光在由透鏡931進行平行化以后經(jīng)由入射側(cè)偏光板932入射到液晶面板933中。該液晶面板933根據(jù)綠色用的圖像信號(G圖像信號)進行驅(qū)動,由此對綠色光進行調(diào)制。此外,透過二向色鏡930的藍色光,經(jīng)過透鏡934、反射鏡935、透鏡936和反射鏡 937,進一步由透鏡938進行平行化后,經(jīng)由入射側(cè)偏光板939入射到液晶面板940。該液晶面板940根據(jù)藍色用的圖像信號(B圖像信號)進行驅(qū)動,由此對藍色光進行調(diào)制。然后,通過液晶面板929、933和940調(diào)制的紅色光、綠色光和藍色光,在由二向 棱鏡941合成后,經(jīng)由出射側(cè)偏光板942向投射鏡943入射。此外,投射鏡943內(nèi)置有使投射光在被投射面(屏幕990)上成像的透鏡組和用于使透鏡組的一部分沿著光軸方向移動對投射圖像的縮放和聚焦進行調(diào)整的致動器。此外,在投影儀裝置900中,通過控制部950進行如下控制,即,將作為與紅色半導(dǎo)體激光元件670的驅(qū)動有關(guān)的R信號、與綠色半導(dǎo)體激光元件660的驅(qū)動有關(guān)的G信號和與藍色半導(dǎo)體激光元件665的驅(qū)動有關(guān)的B信號的穩(wěn)定(定常)電壓供給到RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的各激光元件。由此,RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665實質(zhì)上同時振蕩。此外,通過控制部950控制RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665各自的光的強度,控制投射到屏幕990上的像素的色相、亮度等。由此,通過控制部950將期望的圖像投射到屏幕990上。由此,構(gòu)成搭載有RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的投影儀裝置900。(第十實施方式)參照圖26和圖27,說明本發(fā)明的第十實施方式的投影儀裝置905的結(jié)構(gòu)。另外, 對在投影儀裝置905中構(gòu)成RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的各個半導(dǎo)體激光元件按時序點亮的例子進行說明。本發(fā)明的第十實施方式的投影儀裝置905如圖26所示,包括RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605、光學(xué)系統(tǒng)960和控制RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605及光學(xué)系統(tǒng)960的控制部 951。由此,來自RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的激光在由光學(xué)系統(tǒng)960調(diào)制后,被投射到屏幕991等上。此外,在光學(xué)系統(tǒng)960中,從RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光分別由透鏡962變換為平行光以后,入射到光導(dǎo)管964。光導(dǎo)管964的內(nèi)面為鏡面,激光在 光導(dǎo)管964的內(nèi)面反復(fù)進行反射的同時在光導(dǎo)管964內(nèi)行進。此時,通過光導(dǎo)管964內(nèi)的多重反射作用,使從光導(dǎo)管964出射的各色的激光的強度分布均勻。此外,從光導(dǎo)管964出射的激光經(jīng)由中繼光學(xué)系統(tǒng)965,入射到數(shù)字微鏡裝置(DMD) 966。DMD966由配置成矩陣狀的微小的反射鏡組構(gòu)成。此外,DMD966具有通過將各像素位置的光的反射方向切換到朝向投射鏡980的第一方向A和從投射鏡980偏離的第二方向 B來表現(xiàn)(調(diào)制)各像素的灰度等級的功能。入射到各像素位置的激光中的被反射到第一方向A上的光(ON光,投射光),入射到投射鏡980后被投射到被投射面(屏幕991)。此外, 被DMD966反射到第二方向B上的光(OFF光,非投射光),不入射投射鏡980而被光吸收體 967吸收。此外,在投影儀裝置905中,通過由控制部951進行控制將脈沖電源供給到RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605,使得對于RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的紅色半導(dǎo)體激光元件 670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665按時間序列分割而對每一個元件進行周期性驅(qū)動。此外,通過控制部951,光學(xué)系統(tǒng)960的DMD966在與紅色半導(dǎo)體激光元件 670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665的驅(qū)動狀態(tài)同步的同時,根據(jù)各像素(R、G和B)的灰度等級對光進行調(diào)制。具體而言,如圖27所示,與紅色半導(dǎo)體激光元件670 (參照圖26)的驅(qū)動有關(guān)的R 信號、與綠色半導(dǎo)體激光元件660 (參照圖26)的驅(qū)動有關(guān)的G信號和與藍色半導(dǎo)體激光元件665 (參照圖26)的驅(qū)動有關(guān)的B信號,在以相互不重疊的方式按時間序列進行分割的狀態(tài)下,通過控制部951 (參照圖26)供給到RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的各激光元件。 此外,與該B信號、G信號和R信號同步地從控制部951分別向DMD966輸出B圖像信號、G 圖像信號和R圖像信號。由此,基于圖27所示的時序圖中的B信號,藍色半導(dǎo)體激光元件665發(fā)出藍色光, 并且在該時刻基于B圖像信號,通過DMD966對藍色光進行調(diào)制。此外,基于在B信號之后輸出的G信號,綠色半導(dǎo)體激光元件660發(fā)出綠色光,并且在該時刻基于G圖像信號,通過DMD966對綠色光進行調(diào)制。進而,基于在G信號之后輸出的R信號,紅色半導(dǎo)體激光元件 670發(fā)出紅色光,并且在該時刻基于R圖像信號,通過DMD966對紅色光進行調(diào)制。然后,基于在R信號之后輸出的B信號,藍色半導(dǎo)體激光元件665發(fā)出藍色光,并且在該時刻再次基于B圖像信號,通過DMD966對藍色光進行調(diào)制。通過反復(fù)進行上述的動作,基于B圖像信號、G圖像信號和R圖像信號照射激光,從而將圖像投射到被投射面(屏幕991)上。由此,構(gòu)成搭載有RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605的投影儀裝置905。在第九實施方式和第十實施方式中的投影儀裝置900和905中,在投影儀裝置的內(nèi)部安裝有RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置605 (參照圖24),因此,紅色半導(dǎo)體激光元件670、 綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍色半導(dǎo)體激光元件665難以劣化,能夠容易地獲得耐長時間使用的可靠性高的投影儀裝置900和905。另外,在本次公開的實施方式的所有方面均是例示,而不應(yīng)當認為是用來限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍確定,而非由上述實施方式的說明確定,還包括在與權(quán)利要求的范圍等同的含義和范圍內(nèi)的所有變更。例如,在第一 第十實施方式中,例示了使用由氟類樹脂構(gòu)成的氟類潤滑脂或由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的Eval (注冊商標)作為本發(fā)明的“密封劑”,但是本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中,作為密封劑,例如能夠使用由全氟聚醚和四氟乙烯構(gòu)成的聚合物、 由六氟丙烯構(gòu)成的聚合物和由偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)構(gòu)成的聚合物等氟類有機物,或者聚乙烯醇、乙烯和單液型環(huán)氧類粘接劑。另外,在使用單液型環(huán)氧類粘接劑等的情況下,需要通過預(yù)先加熱將揮發(fā)成分充分地除去。

      此外,在第二和第四實施方式中,表示了由硅樹脂構(gòu)成光透射部235的結(jié)構(gòu)的例子,但是在本發(fā)明中也可以使用在表面形成有氣障層的熱可塑性氟樹脂或硼硅酸玻璃構(gòu)成光透射部。另外,作為上述的氣障層,除Al2O3以外,可以使用Si02、&02等電介質(zhì)膜形成, 也可以使用乙烯-聚乙烯醇共聚物、聚乙烯醇等氣體透過性低的樹脂膜形成。另外,在形成于光透射部的氣障層利用由A1203、ZrO2等形成的多層金屬氧化膜構(gòu)成的情況下,也能夠?qū)υ摻饘傺趸て鸬椒瓷浞乐箤拥淖饔?。此外,在第二和第四實施方式中,表示了使用鋁箔構(gòu)成密封用部件230的例子,但是在本發(fā)明中作為鋁箔以外的金屬箔,例如也可以使用Cu箔、鋅白銅等Cu合金箔、Sn箔或不銹鋼等形成密封用部件。此外,在第三實施方式的制造工藝中,表示了在將基座部10加熱至220°C的狀態(tài)下涂布密封劑17(Eval)的例子,但是在本發(fā)明中也可以在將Eval溶于溶劑中的狀態(tài)下將溶劑與Eval的混合物涂布于基座部10之后,對基座部10進行加熱來除去溶劑。此外,當在基座部10進行涂布時,通過預(yù)先對基座部10的表面進行氧氣等離子體處理、UV臭氧處理而使樹脂表面親水性化,能夠提高基座部10與密封劑(Eval) 17的附著力。此外,在第五實施方式中,表示了使密封用部件530與基座部10在三個部位相互嵌合進行固定的例子,但是在本發(fā)明中也可以在除了 3個以外的數(shù)量的部位相互嵌合。此夕卜,表示了在密封用部件側(cè)設(shè)置有嵌合爪(凸部),并且在基座部設(shè)置有嵌合槽部(凹部) 的情況,但是在本發(fā)明中也可以在密封用部件側(cè)設(shè)置有嵌合槽部(凹部),并且在基座部設(shè)置有嵌合爪(凸部)。此外,在使密封用部件530與基座部10嵌合后,也可以通過使用在第一實施方式中使用的粘接劑16,進行可靠地固定。
      此外,在第一 第十實施方式中,表示了使用聚酰胺樹脂形成基座部的例子,但是在本發(fā)明中也可以使用環(huán)氧樹脂或聚苯硫醚(polyphenylene sulfide) 樹脂等形成基座部。另外,由于與上述其他樹脂相比聚酰胺樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性氣體較少,所以適于作為基座部用的模塑樹脂材料。進而,當使用密封用部件進行密封時,優(yōu)選將沸石、硅膠等的吸附劑與半導(dǎo)體激光元件一起,在加工成約0. 5mm以上約1. Omm以下的尺寸的狀態(tài)下設(shè)置于封裝體內(nèi)。由此,能夠吸附從基座部產(chǎn)生的揮發(fā)性氣體成分,因此能夠進一步提高激光元件的可靠性。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于,包括 半導(dǎo)體激光元件;和將所述半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體,其中,所述封裝體包括具有設(shè)置在上表面和一個側(cè)面的開口部的凹狀的基座部;和覆蓋所述開口部的密封用部件,所述密封用部件通過密封劑安裝于所述基座部的接合區(qū)域。
      2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述密封劑由難以產(chǎn)生揮發(fā)成分的材料構(gòu)成,其中該揮發(fā)成分是導(dǎo)致附著于所述半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面的附著物的產(chǎn)生的成分。
      3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封劑由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成。
      4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封劑由氟類樹脂構(gòu)成。
      5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述氟類樹脂是氟類潤滑脂。
      6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述密封用部件具有覆蓋所述基座部的所述上表面的第一部分;和覆蓋所述基座部的所述一個側(cè)面的第二部分,所述密封用部件一體形成有所述第一部分和所述第二部分。
      7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封用部件具有透光性。
      8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述封裝體還包括使從所述半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件, 所述密封用部件還具有貫通所述第二部分的孔部,所述窗用部件以密封所述第二部分的所述孔部的方式,通過所述密封劑安裝于所述第二部分。
      9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述窗用部件通過所述密封劑接合在所述第二部分的與安裝于所述基座部的一側(cè)相反的一側(cè)的表面。
      10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封劑以在整個所述接合區(qū)域不存在間隙的方式設(shè)置。
      11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封用部件使用固定部件固定于所述基座部。
      12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述固定部件包括粘接劑,所述粘接劑設(shè)置于所述接合區(qū)域的外側(cè)。
      13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述固定部件包括形成于所述密封用部件的第一嵌合部;和形成于所述基座部的第二嵌合部,所述密封用部件的所述第一嵌合部與所述基座部的所述第二嵌合部嵌合,由此所述密封用部件被固定于所述基座部。
      14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述第一嵌合部與所述第二嵌合部在從所述接合區(qū)域離開的位置相互嵌合。
      15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述基座部和所述密封用部件為樹脂制。
      16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于所述密封用部件由金屬箔、在表面形成有氣障層的硅樹脂或在表面形成有氣障層的熱可塑性氟樹脂中的任一種構(gòu)成。
      17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述密封用部件由Al的金屬箔構(gòu)成,所述密封劑由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成,所述密封劑延伸至所述密封用部件的與所述基座部接合的一側(cè)的所述接合區(qū)域以外的表面上。
      18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于在所述密封用部件的與所述基座部接合的一側(cè)的表面上形成有所述氣障層, 所述氣障層與所述密封劑接觸。
      19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置,其特征在于 所述半導(dǎo)體激光元件是氮化物類半導(dǎo)體激光元件。
      20.一種光裝置,其特征在于,包括具備半導(dǎo)體激光元件和將所述半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體裝置;和控制所述半導(dǎo)體激光裝置的出射光的光學(xué)系統(tǒng),其中,所述封裝體具備具有設(shè)置在上表面和一個側(cè)面的開口部的凹狀的基座部;和覆蓋所述開口部的密封用部件,所述密封用部件通過密封劑安裝于所述基座部的接合區(qū)域。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光裝置和光裝置。該半導(dǎo)體激光裝置包括半導(dǎo)體激光元件和對半導(dǎo)體激光元件進行密封的封裝體。而且,封裝體包括在上表面和一個側(cè)面具有開口部的凹狀的基座部;和覆蓋開口部的密封用部件,其中,密封用部件通過密封劑安裝于基座部。
      文檔編號H01S5/22GK102244366SQ20111013474
      公開日2011年11月16日 申請日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
      發(fā)明者林伸彥 申請人:三洋電機株式會社
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