專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片投片方法與晶片投片裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶片投片方法與晶片投片裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，一個(gè)硅晶片要加工成半導(dǎo)體器件，中間至少得經(jīng)過(guò)數(shù)百道以上處理程序，這些處理程序中需要用到各種不同用途的機(jī)臺(tái)，例如刻蝕或沉積機(jī)臺(tái)，而且各個(gè)機(jī)臺(tái)中通常都有數(shù)個(gè)反應(yīng)室(Chamber)。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，一批相同晶片完成某種工藝的過(guò)程叫做一個(gè)制程方案(Lot)。目前在行業(yè)中，生產(chǎn)管理人員根據(jù)經(jīng)驗(yàn)估計(jì)產(chǎn)品的生產(chǎn)周期，人為地確定晶片投入(簡(jiǎn)稱(chēng)“投片”)時(shí)間和投片數(shù)量。但是，生產(chǎn)線(xiàn)上的各個(gè)機(jī)臺(tái)的工作狀態(tài)隨時(shí)變化，生產(chǎn)線(xiàn)的實(shí)際 運(yùn)行狀況隨時(shí)變化。而且，如果所需加工的半導(dǎo)體類(lèi)型比較繁多，各個(gè)類(lèi)型的器件的生產(chǎn)工藝不同，加工順序也不相同，加工的周期不同，交貨日期不同，因而僅靠人為憑估算操作，很難做出合理的投片決策以保質(zhì)保量按時(shí)交貨。為了解決上述問(wèn)題，目前也有相關(guān)技術(shù)被提出，例如專(zhuān)利號(hào)US6470231B1的美國(guó)專(zhuān)利中提到的一種投片方法，包括列出各個(gè)待處理晶片的各個(gè)性質(zhì)參數(shù)，所述待處理晶片的各個(gè)性質(zhì)參數(shù)都不同；獲取待處理晶片與各個(gè)反應(yīng)室的匹配關(guān)系；按匹配關(guān)系，將待處理晶片投入匹配的反應(yīng)室中。在獲取待處理晶片與各個(gè)反應(yīng)室的匹配關(guān)系步驟中考慮了預(yù)估加工時(shí)間，交貨時(shí)間等因素，然而，在實(shí)際半導(dǎo)體制作過(guò)程中，按所述匹配關(guān)系將待處理晶片投入匹配的反應(yīng)室中，造成有部分反應(yīng)室閑置，這種投片的方式使得反應(yīng)室的利用率不高。有鑒于此，實(shí)有必要提出一種新的晶片投片方式，提高反應(yīng)室利用率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提出一種新的晶片投片方法與晶片投片裝置，提高反應(yīng)室利用率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶片投片方法，包括獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息；將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率，所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值；將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。可選地，在所述計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率步驟后，所述將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片步驟前，所述投片方法還包括按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案?？蛇x地，將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組步驟后，根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟前，所述投片方法還包括剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的反應(yīng)室組?？蛇x地，在根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟后，計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率步驟前，所述投片方法還包括剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的所述可能的制程方案。
可選地，所述工藝步驟至少兩個(gè)。可選地，在根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟后，計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率步驟前，所述投片方法還包括剔除后執(zhí)行的工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能大于先執(zhí)行的工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能的所述可能的制程方案。本發(fā)明還提供一種晶片投片裝置，包括信息獲取模塊，用于獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息；分組模塊，用于將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；制程方案獲取模塊，用于根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；反應(yīng)室利用率計(jì)算模塊，用于計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率，所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值；投片控制裝置，用于將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片?？蛇x地，所述晶片投片裝置還包括第一比較器，用于比較每一個(gè)可能的制程方案的預(yù)估算完成時(shí)間是否大于交貨時(shí)間；剔除模塊，剔除所述第一比較器獲得結(jié)果為是時(shí)對(duì)應(yīng)的可能的制程方案?？蛇x地，所述工藝步驟至少兩個(gè)，所述晶片投片裝置還包括第二比較器，用于比較每一個(gè)制程方案的后執(zhí)行工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能是否大于先執(zhí)行工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能；剔除模塊，剔除所述第二比較器獲得結(jié)果為是時(shí)對(duì)應(yīng)的可能的制程方案?？蛇x地，所述晶片投片裝置還包括排序模塊，用于按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案。可選地，所述晶片投片裝置還包括顯示模塊，用于顯示所有可能的制程方案與所述反應(yīng)室的利用率?？蛇x地，所述信息獲取模塊包括功率測(cè)量模塊，用于檢測(cè)所有反應(yīng)室的功率使用狀態(tài)，以獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)利用將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率；將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片；提高反應(yīng)室的利用率，進(jìn)而提高晶片的處理效率。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例一的晶片投片方法流程圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的晶片投片方法對(duì)應(yīng)的晶片投片裝置示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的晶片投片方法流程圖； 圖4是本發(fā)明實(shí)施例二的晶片投片方法對(duì)應(yīng)的晶片投片裝置示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明利用將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率；將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片；提高反應(yīng)室的利用率，進(jìn)而提高晶片的處理效率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明，由于重點(diǎn)在于說(shuō)明本發(fā)明的原理，所以不必按比例制圖。實(shí)施例一本實(shí)施例一以A、B、C與F四個(gè)反應(yīng)室為例，所述四個(gè)反應(yīng)室可以完成相同的工藝，所述工藝?yán)缡浅练e工藝；以下講述本發(fā)明實(shí)施例一提供的晶片投片方法，如圖I所示。執(zhí)行步驟SI I，獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息。假設(shè)F反應(yīng)室正被占用，則當(dāng)前可使用反應(yīng)室為A、B與C。執(zhí)行步驟S12，將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組。本實(shí)施例一只進(jìn)行一個(gè)工藝步驟，所以A、B與C三個(gè)反應(yīng)室可以歸為A、B、C、AB、AC、BC、ABC七個(gè)反應(yīng)室組。執(zhí)行步驟S13，根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案。為了描述本發(fā)明的目的，本實(shí)施例一假設(shè)A、B與C反應(yīng)室一次均只可處理一個(gè)晶片，得出所有可能的制程方案如表I所示，其中，Lotll制程方案對(duì)應(yīng)的A反應(yīng)室標(biāo)注的Y代表制程方案Lotll是將一批晶片利用反應(yīng)室A處理，一次處理一片；Lotl4制程方案中的AB反應(yīng)室對(duì)應(yīng)的Y代表制程方案Lotl4是將該批晶片利用反應(yīng)室A與反應(yīng)室B同時(shí)處理，一次處理兩片。反應(yīng)室組 AB C AB AC BC ABC
制程方
LotllY Lotl 2Y Lotl 3Y Lotl 4Y Lotl 5Y Lotl 6Y Lotl 7Y
表I
執(zhí)行步驟S14，剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的所述可能的制程方案。所述完成制程方案的預(yù)估算時(shí)間一般由統(tǒng)計(jì)、分析歷史記錄中完成相同加工工藝
步驟所需的時(shí)間得到。為了描述本發(fā)明的目的，本實(shí)施例一假設(shè)利用A、B與C三個(gè)反應(yīng)室單獨(dú)處理，或者
兩個(gè)或三個(gè)同時(shí)處理，所估算的完成時(shí)間都在交貨日期之前。實(shí)施例一是在生成各種可能的制程方案后，通過(guò)剔除交貨時(shí)間不滿(mǎn)足要求的制程
方案，來(lái)獲得符合實(shí)際生產(chǎn)要求的制程方案。但這并非必需，例如，可以在步驟S12所述的
分組步驟后，進(jìn)行剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的反應(yīng)室組的步驟，這樣在后續(xù)步驟
S13中生成的制程方案自然就已經(jīng)排除很多不滿(mǎn)足交貨時(shí)間的方案。執(zhí)行步驟S15，計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率。所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值。本實(shí)施例中，計(jì)算制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率如表2所示反應(yīng)室組及反應(yīng)A B C AB AC BC ABC ABC反
利用率應(yīng)室利制程方案M
LotllY 1/3
Lotl 2Y 1/3
Lotl 3Y 1/3
Lotl 4Y 2/3
Lotl 5Y2/3
Lotl 6Y2/3
Lotl 7Y I表2執(zhí)行步驟S16，按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案，得到表3。
良應(yīng)室組及反應(yīng)A B C AB AC BC ABC ABC反
利用率應(yīng)室利
制程方案
Lotl 7Y I
Lotl 4Y 2/3
Lotl 5Y2/3
Lotl 6Y2/3
LotllY 1/3
Lotl 2Y 1/3
Lotl 3Y 1/3
表3執(zhí)行步驟S17，將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。本實(shí)施例中，即按制程方案Lotl7進(jìn)行投片。需要說(shuō)明的是，在本申請(qǐng)中，發(fā)明人雖然人為定義了“制程方案的反應(yīng)室利用率為完成制程方案利用到的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值”，并最終根據(jù)反應(yīng)室利用率的大小選定投片的方案，但最終獲得的結(jié)果仍然是符合自然規(guī)律的。這是因?yàn)?，利用到的反?yīng)室數(shù)目越多，制程方案的晶片加工速度越快，這是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的客觀規(guī)律，也是經(jīng)得起生產(chǎn)實(shí)踐檢驗(yàn)的；正是基于這一客觀規(guī)律，發(fā)明人提出了上述的投片方法。本實(shí)施例一提供的投片方法對(duì)應(yīng)的投片裝置2，如圖2所示，包括信息獲取模塊21，用于獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息；分組模塊22，用于將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì) 應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；制程方案獲取模塊23，用于根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；反應(yīng)室利用率計(jì)算模塊24，用于計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率，所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值；投片控制裝置25，用于將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。第一比較器26，用于比較每一個(gè)可能的制程方案的預(yù)估算完成時(shí)間是否大于交貨時(shí)間；剔除模塊27，剔除所述第一比較器獲得結(jié)果為是時(shí)對(duì)應(yīng)的可能的制程方案；排序模塊28，用于按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案；顯示模塊29，用于顯示所有可能的制程方案與所述反應(yīng)室的利用率。在具體實(shí)施過(guò)程中，所述信息獲取模塊21包括功率測(cè)量模塊211，用于檢測(cè)所有反應(yīng)室的功率使用狀態(tài)，以獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息。實(shí)施例二本實(shí)施例二除了實(shí)施例一使用的A、B、C與F四個(gè)反應(yīng)室外,還包括D、E兩個(gè)反應(yīng)室，所述A、B、C與F四個(gè)反應(yīng)室可以完成相同的工藝步驟，例如是沉積工藝，所述D與E兩個(gè)反應(yīng)室可以完成相同的工藝步驟，例如是刻蝕工藝。A、B、C、D、E與反應(yīng)室都為一次處理一片；本實(shí)施例中，所述一批晶片需先進(jìn)行刻蝕工藝，后進(jìn)行沉積工藝。以下講述本發(fā)明實(shí)施例二提供的晶片投片方法，如圖3所示。執(zhí)行步驟S21，獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息。假設(shè)F反應(yīng)室正被占用，則當(dāng)前可使用反應(yīng)室為A、B、C、D與E。執(zhí)行步驟S22，將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組。本實(shí)施例中，A、B與C三個(gè)反應(yīng)室可以完成相同的工藝步驟，所以A、B與C三個(gè)反應(yīng)室可以歸為A、B、C、AB、AC、BC、ABC七個(gè)反應(yīng)室組，D與E兩個(gè)反應(yīng)室歸為D、E、DE三個(gè)
反應(yīng)室組。執(zhí)行步驟S23，根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案。
得出所有可能的制程方案如表4所示。其中，Lotl8制程方案對(duì)應(yīng)的A反應(yīng)室與D反應(yīng)室標(biāo)注的Y代表制程方案Lotl8是將一批晶片利用反應(yīng)室D處理,一次處理一片，處理完的一片再放入A反應(yīng)室處理；Lot32制程方案中的A反應(yīng)室與DE反應(yīng)室對(duì)應(yīng)的Y代表制程方案Lot32是將該批晶片利用反應(yīng)室D與反應(yīng)室E同時(shí)處理，一次處理兩片，處理完的兩片分兩次再放入A反應(yīng)室處理；Lot35制程方案中的AB反應(yīng)室與DE反應(yīng)室對(duì)應(yīng)的Y代表制程方案Lot35是將該批晶片利用反應(yīng)室D與反應(yīng)室E同時(shí)處理，一次處理兩片，處理完 的兩片再分別放入A反應(yīng)室與B反應(yīng)室同時(shí)處理，一次處理兩片。
權(quán)利要求
1.一種晶片投片方法，包括 獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息； 將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組； 根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案； 計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率，所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值； 將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片投片方法，其特征在于，在所述計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的 反應(yīng)室利用率步驟后，所述將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片步驟前，所述投片方法還包括按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶片投片方法，其特征在于，將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組步驟后，根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟前，所述投片方法還包括剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的反應(yīng)室組。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶片投片方法，其特征在于，在根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟后，計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率步驟前，所述投片方法還包括剔除預(yù)估算完成時(shí)間大于交貨時(shí)間的所述可能的制程方案。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片投片方法，其特征在于，所述工藝步驟至少兩個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片投片方法，其特征在于，在根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案步驟后，計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率步驟前，所述投片方法還包括剔除后執(zhí)行的工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能大于先執(zhí)行的工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能的所述可能的制程方案。
7.一種晶片投片裝置，包括 信息獲取模塊，用于獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息； 分組模塊，用于將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組； 制程方案獲取模塊，用于根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案； 反應(yīng)室利用率計(jì)算模塊，用于計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率，所述反應(yīng)室利用率為完成制程方案的反應(yīng)室數(shù)目與所有可使用反應(yīng)室的數(shù)目的比值； 投片控制裝置，用于將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片投片裝置，其特征在于，所述晶片投片裝置還包括 第一比較器，用于比較每一個(gè)可能的制程方案的預(yù)估算完成時(shí)間是否大于交貨時(shí)間； 剔除模塊，剔除所述第一比較器獲得結(jié)果為是時(shí)對(duì)應(yīng)的可能的制程方案。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片投片裝置，其特征在于，所述工藝步驟至少兩個(gè)，所述晶片投片裝置還包括第二比較器，用于比較每一個(gè)制程方案的后執(zhí)行工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能是否大于先執(zhí)行工藝步驟對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室組的產(chǎn)能； 剔除模塊，剔除所述第二比較器獲得結(jié)果為是時(shí)對(duì)應(yīng)的可能的制程方案。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片投片裝置，其特征在于，所述晶片投片裝置還包括排序模塊，用于按反應(yīng)室利用率從高到低排列制程方案。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片投片裝置，其特征在于，所述晶片投片裝置還包括顯示模塊，用于顯示所有可能的制程方案與所述反應(yīng)室的利用率。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片投片裝置，其特征在于，所述信息獲取模塊包括功率測(cè)量模塊，用于檢測(cè)所有反應(yīng)室的功率使用狀態(tài)，以獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片投片方法，包括獲取當(dāng)前可使用反應(yīng)室的信息；將所有完成相同工藝步驟的可使用反應(yīng)室進(jìn)行分組，以得到對(duì)應(yīng)該工藝步驟的至少一個(gè)反應(yīng)室組；根據(jù)制程包括的工藝步驟及各工藝步驟對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)反應(yīng)室組，獲得所有可能的制程方案；計(jì)算各制程方案對(duì)應(yīng)的反應(yīng)室利用率；將待處理晶片按反應(yīng)室利用率高的制程方案進(jìn)行投片。本發(fā)明還提供一種晶片投片裝置。采用本發(fā)明提供的晶片投片方法與晶片投片裝置，可以提高反應(yīng)室利用率。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102800563SQ201110139479
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者范安濤, 鄧俊弦, 陳波, 錢(qián)紅兵, 趙晨, 呂慶麟 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司