專利名稱：顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種顯示面板，特別是有關于一種可補償不同長度信號線所造成的影響的顯示面板。
背景技術：
一般而言，平面顯示器可分為非自發(fā)光顯示器以及自發(fā)光顯示器。液晶顯示器(liquid crystal display ;IXD)屬于非自發(fā)光顯示器的一種。自發(fā)光顯示器包含,等離子顯不器(plasma display panel ;PDP)、場發(fā)射顯不器(field emission display ;FED)、電致發(fā)光(electroluminescent ；EL)顯示器以及有機發(fā)光二極管顯示器(organic lightemitting diode display ；0LED)。不論是非自發(fā)光顯示器以及自發(fā)光顯示器，其顯示面板通?？煞譃橐伙@示區(qū)及一非顯示區(qū)。如圖所示，非顯示區(qū)Iio具有至少一驅動電路120。驅動電路120可為一驅動芯片(driving IC)。驅動電路120通過信號線模塊130，對顯示區(qū)140內的像素P11 Pmn進行充電及放電動作。如圖所示，信號線模塊130是以扇出(fan-out)方式，耦接驅動電路120以及像素P11 Pmn0然而，扇出結構會造成信號線模塊130內的信號線長度不一，因而造成像素的充放電速度不一。舉例而言，信號線131的長度大于信號線133的長度。因此，當驅動電路120提供相同的信號給信號線131及133時，第一行(垂直方向)的像素P11 Pln的充電/放電速度可能會慢于第三行(垂直方向)的像素P31 P3n的充電/放電速度，因而造成像素P11 Pln所呈現(xiàn)的亮度不同于像素P31 P3n所呈現(xiàn)的亮度。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種顯示面板，包括一顯示區(qū)、一非顯示區(qū)以及至少一補償模塊。顯示區(qū)具有多個像素。非顯示區(qū)設置在顯示區(qū)之外，并包括一近端子區(qū)。近端子區(qū)具有多個信號線。信號線往顯示區(qū)延伸。一驅動電路透過顯示區(qū)及近端子區(qū)內的信號線，對像素進行充放電動作。補償模塊耦接信號線中的一第一信號線，用以補償?shù)谝恍盘柧€對充放電動作所造成的影響。當非顯示區(qū)更包括一反端子區(qū)時，補償模塊設置在顯示區(qū)及反端子區(qū)的至少一者之中。當信號線的兩端皆延伸至反端子區(qū)時，補償模塊設置在顯示區(qū)之中。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作詳細說明，其中圖I為已知顯示面板的示意圖。圖2及圖4為本發(fā)明的顯示面板的可能實施例。圖3A 3D為本發(fā)明的補償模塊的一可能結構示意圖。主要元件符號說明
100、200、400 :顯示面板；110:非顯示區(qū)；120、211、411 :驅動電路；130 :信號線模塊；131、133、A D :信號線;140、250、450 :顯示區(qū)； 210、410 :近端子區(qū)；231 233、431 433 :反端子區(qū)；261 272、461 463 :補償模塊;310a 310c、330a :延伸區(qū)；P11 Pmn、Pai Pd6 :像素;Cai Cc5、Ca Cc :電容器；SE、DEA DEd、PE、CEa :電極。
具體實施例方式圖2為本發(fā)明的顯示面板的一可能實施例。如圖所示,顯示面板200具有一顯示區(qū)(Active Area ；AA) 250>一非顯示區(qū)以及至少一補償模塊(如261 272)。本發(fā)明并不限定顯示面板200的種類。在一可能實施例中，顯示面板200為一液晶顯示(IXD)面板。顯示區(qū)250用以呈現(xiàn)影像，并具有多個信號線以及多個像素。為方便說明，圖2僅顯示信號線A D以及像素Pai PD6。每一像素耦接一相對應的信號線。舉例而言，像素Pai Pa6耦接信號線A。由于像素Pai Pd6內的電路結構為本領域人士所深知，故不再贅述。在本實施例中，信號線A D由導電材料所構成，如金屬。另外，本發(fā)明并不限定信號線的種類。在一可能實施例中，信號線A D均為掃描電極(scan electrode),用以傳送掃描信號(scan signal)。在其它可能實施例中,信號線A D可能為數(shù)據(jù)電極(dataelectrode)或是共通電極(common electrode),用以傳送數(shù)據(jù)信號(data signal)或是共通電壓(common voltage)。在顯示區(qū)250以外的區(qū)域均稱為非顯示區(qū)。在本實施例中，非顯示區(qū)包括，近端子區(qū)210以及反端子區(qū)231 233。近端子區(qū)210具有多個信號線，為方便說明，圖2僅顯示四條信號線A D。信號線A D往顯示區(qū)250延伸，用以將一驅動電路所提供的驅動信號傳送至顯示區(qū)250內的像素Pai PD6。在本實施例中，具有將驅動信號由驅動器傳入顯示區(qū)的信號線線段的區(qū)域稱為此信號線的近端子區(qū)(如210)，而不具有此類信號線線段的區(qū)域稱為該信號線的反端子區(qū)(如231 233)。近端子區(qū)210內的驅動電路211通過近端子區(qū)210及顯示區(qū)250內的信號線A D，對像素Pai Pd6進行一充放電動作。在本實施例中，是以一芯片玻璃接合技術(ChipOn Glass ；C0G)整合驅動電路211，用以提供驅動信號予信號線A D，用以對像素Pai Pa6進行充放電動作。在另一可能實施例中，可利用一卷帶式自動接合(Tape AutomaticBonding ；TAB)以及一芯片軟膜接合技術(Chip On Film5COF)整合驅動電路211，用以提供驅動信號予信號線A D。本發(fā)明并不限定驅動電路的數(shù)量及種類。在一可能實施例中，當信號線A D為掃描電極時，則驅動電路211為一掃描驅動器(scan driver)，用以提供多個掃描信號予像素Pai Pd6，使其開始進行充電或放電動作。在另一可能實施例中，當信號線A D為數(shù)據(jù)電極時，則驅動電路211為一數(shù)據(jù)驅動器(data driver)，用以提供多個數(shù)據(jù)信號予像素Pai PD6，使得像素Pai Pd6內的電容器儲存相對應的電荷。如果一非顯示區(qū)域(如區(qū)域210)中的信號線線段(如信號線A D位于區(qū)域210中的線段)用以將驅動電路的信號傳入顯示區(qū) (如250)時，則此非顯示區(qū)稱為該信號線的近端子區(qū)。如果非顯示區(qū)(如區(qū)域231 233)不包含將驅動信號傳入顯示區(qū)的信號線線段，則統(tǒng)稱為該信號線的反端子區(qū)。舉例而言，假設一掃描驅動器只從顯示區(qū)的右側(如區(qū)域231)將掃描信號提供予顯示區(qū)時，則以掃描電極而言，顯示區(qū)右側的非顯示區(qū)即為掃描電極的近端子區(qū)，而不論掃描電極是否由顯示區(qū)延伸入左側的非顯示區(qū)(如區(qū)域233)，左側的非顯示區(qū)都為掃描電極的反端子區(qū)。假設采取由顯示區(qū)兩側將掃描信號提供予顯示區(qū)的架構，則兩側的非顯示區(qū)皆為掃描電極的近端子區(qū)。同理，假設一數(shù)據(jù)驅動器只從顯示區(qū)的上側(如區(qū)域232)將數(shù)據(jù)信號傳入顯示區(qū)，且一掃描驅動器只從顯示區(qū)的右側(如區(qū)域231)將掃描信號傳入顯示區(qū)，則顯示器上側的非顯示區(qū)為數(shù)據(jù)電極的近端子區(qū)，并且為掃描電極的反端子區(qū)。同樣地，顯示器右側的非顯示區(qū)為掃描電極的近端子區(qū)，并且為數(shù)據(jù)電極的反端子區(qū)。在本實施例中，信號線A D是以扇出方式排列，用以將驅動電路211所提供的信號傳送給像素Pai PD6，因此，信號線A D的長度并不相同(特別是位于近端子區(qū)210內的線段長度不相同)。由于信號線A D的長度將影響像素Pai Pd6的充電放電速度，故為了均勻化每一信號線上的像素的充放電速度，補償模塊261 272耦接相對應的信號線(如A D)，用以補償信號線A D的不同長度，對像素的充放電動作所造成的影響。在本實施例中，信號線D不具有補償模塊,而信號線A具有補償模塊261 266、信號線B具有補償模塊267 269、信號線C具有補償模塊270 272。由于信號線A D的長度不同，故針對不同的信號線，需提供不同的補償程度。舉例而言，信號線A的長度短于信號線B,故補償模塊261 266的總補償程度大于補償模塊267 269的總補償程度。本發(fā)明并不限定每一信號線上的補償模塊的數(shù)量。在一可能實施例中，補償模塊的數(shù)量是取決于對應的信號線的長度以及補償模塊的補償能力。舉例而言，當每一補償模塊的補償能力均相同時，則愈短的信號線需要愈多的補償模塊，或是在較短的信號線中，設置補償能力較大的補償模塊，而在較長的信號線中，設置補償能力較小的補償模塊。本發(fā)明并不限制補償模塊的設置方式。在一可能實施例中，同一信號線上的每一像素均配置一補償模塊。舉例而言，信號線A上的像素P_A1 Pa6均配置一補償模塊(如261 266)。在另一可能實施例中，可能每隔N個像素，便配置一補償模塊，如信號線B及C所示。在信號線B為例，每隔I個像素便配置一補償模塊。在其它實施例中，是每隔一固定距離，便設置一補償模塊。在本實施例中，雖然信號線B及C的補償模塊的數(shù)量相同(均具有3個補償模塊)，但其補償能力并不相同。舉例而言，由于信號線B的長度短于信號線C的長度，故補償模塊267 269的補償能力大于補償模塊270 272的補償能力，方能均勻化信號線B及C的不同長度所造成的影響(充放電速度)。另外，同一信號線上的補償模塊的補償能力可能均不相同、均相同或部分相同。在一可能實施例中，同一信號線上的補償模塊的補償能力可能逐漸降低或是逐漸增加。在另一可能實施例中，愈接近信號線中央的補償模塊的補償能力愈高。在本實施例中，信號線B及C的補償模塊的數(shù)量相同，但不同于耦接到信號線A的補償模塊的數(shù)量。在其它實施例中，不同信號線的補償模塊的數(shù)量可能均相同、均不同或是一部分相同，其它部分不同。只要適當?shù)卣{整補償模塊的數(shù)量以及補償模塊的補償能力，便可補償不同長度的信號線A D所造成的影響。本發(fā)明并不限定補償模塊261 272的結構。在本實施例中，補償模塊261 272分別為電容器Cai 0；6。在一可能實施例中，電容器Cai Cc6可能均為金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator_Metal,MIM)結構或是串接金屬絕緣層金屬結構(cascade MIM)。在 其它可能實施例中，電容器Cai Cc6的部分電容器為MIM結構，而其它電容器為串接MIM結構。只要適當?shù)乜刂泼恳浑娙萜鞯慕饘俳Y構的面積大小，便可適當?shù)乜刂泼恳浑娙萜鞯娜葜?。在本實施例中，每一電容器的金屬結構均接收到一電壓電位。本發(fā)明并不限定電壓電位的大小，只要不影響影像品質的電位，均可供給電容器。圖3A為本發(fā)明的補償模塊的一可能結構示意圖。為方便說明，圖3A僅顯示補償模塊與部分顯示區(qū)的布局示意圖。在本實施例中，信號線A D分別為數(shù)據(jù)電極DEa DEd。像素Pai Pdi除了分別耦接數(shù)據(jù)電極DEa DEd外，更耦接掃描電極SE。由于像素Pai Pdi的結構為本領域人士所深知，故不再贅述。如圖3A所示，掃描電極SE是朝方向Dl延伸，而數(shù)據(jù)電極DE是朝方向D2延伸，其中方向Dl垂直方向D2。掃描電極SE除了往朝方向Dl延伸，掃描電極SE更具有一延伸區(qū)310a 310co為了補償數(shù)據(jù)電極DEa DEd的不同長度所造成的影響，故延伸區(qū)310A 310。是往方向D2延伸，并重疊數(shù)據(jù)電極DEa DEd。延伸區(qū)3IOa 310。與數(shù)據(jù)電極DEa DEc重疊的區(qū)域便可定義出電容器Cai、Cbi及Ca。借由控制延伸區(qū)310a 310。與數(shù)據(jù)電極DEa DEc的重疊區(qū)域的大小，便可控制電容器CA1、CB1及Ca的容值，進而調整補償程度。舉例而言，延伸區(qū)310a與數(shù)據(jù)電極DEa的重疊區(qū)域最大，而延伸區(qū)310。與數(shù)據(jù)電極DEc的重疊區(qū)域最小，故電容器Cai的容值大于電容器Cci的容值。因此，電容器Cai的補償能力大于電容器Cci的補償能力。另外，本發(fā)明并不限定延伸區(qū)310A 310。的形狀，以不傷害顯示區(qū)的開口率(Aperture Ratio)為設計原則。在本實施例中，延伸區(qū)310A 310。的形狀均相同，是長條形。在其它實施例中，延伸區(qū)310A 310。具有不同的形狀，并可為任意形狀。再者，本發(fā)明并不限定構成電容器CA1、Cbi R Cci的電極種類。為了補償數(shù)據(jù)電極DEa DE。，在本實施例中，電容器CA1、CB1及Ca是由數(shù)據(jù)電極DEa DEe與掃描電極SE所構成。在其它可能實施例中，電容器CA1、CB1及Ca可由數(shù)據(jù)電極DEa DEe與一補償電極所構成，其中該補償電極可為一共通電極或是一額外加入的電極。在一可能實施例中，同一信號線上的補償電容器可由不同電極層所組成，例如第3A圖中電容器Cai中是由數(shù)據(jù)電極DEa及掃描電極延伸區(qū)310a所構成，但與同樣用于補償數(shù)據(jù)電極DEa的另一電容器(如CA2)則可能位于由共同電極(圖未示)和數(shù)據(jù)電極DEa所構成；而補償數(shù)據(jù)電極DEa的另一電容器(如CA3)亦可能由一額外加入的電極和數(shù)據(jù)電極DEaK構成。在一可能實施例中，該額外加入的電極與掃描電極SE是由同一道制程所形成，并且該額外加入的電極與掃描電極SE具有相同的材質。在另一可能實施例中，該額外加入的電極與像素電極Pai Pdi是由同一道黃光制程所形成，并與像素電極Pai Pd具有相同的材質。本發(fā)明并不限定該額外加入的電極的電壓電位。該額外加入的電極可能電性連接掃描電極SE，或是接收共通電壓(Vcom)、接地電壓(GND)及其他可能電壓。只要適當?shù)卦O計電容器CA1、Cm及Ca的大小，便可達到補償?shù)男Ч?。在其它實施例中，若欲補償顯示區(qū)內的掃描電極的不同長度所造成的影響，則電 容器可由掃描電極與一補償電極所構成。本發(fā)明并不限定該補償電極的種類。在一可能實施例中，可利用顯示區(qū)內已存在的其它電極(如數(shù)據(jù)電極或共通電極)，或是額外加入的導電層構成該補償電容器。同樣地，若欲補償共通電極的不同長度所造成的影響，則補償電容器可由一共通電極與一補償電極(如掃描電極、數(shù)據(jù)電極或額外新增的電極)所構成。雖然電容器CA1、CB1及Ca設置在顯示區(qū)250之中，然而借由調整重疊區(qū)域的大小，便可控制補償?shù)某潭取Ｔ僬?，此電容器的設計可避開開口區(qū)(例如設置于面板黑矩陣層下方)，因此，并不會對顯示面板的開口率造成影響。借由原本的電極(如數(shù)據(jù)電極、源極電極以及共通電極)形成電容器CA1、CB1及Ca，故可提高電極的使用率，并且不會增加制作成本。圖3B為本發(fā)明的補償模塊的另一可能結構示意圖。為方便說明，圖3B僅顯示電容器Cai的結構。在圖3A中，電容器Cai是由掃描電極SE的延伸區(qū)3IOa與數(shù)據(jù)電極DEa所構成。然而，在第3B圖中，電容器Cai是由數(shù)據(jù)電極DEa的一延伸區(qū)330a與掃描電極SE所構成。在其它實施例中，亦可利用數(shù)據(jù)電極DEa的延伸區(qū)33(^與其它補償電極(如共通電極或額外加入的電極)構成相對應的補償裝置(如電容)。圖3C為本發(fā)明的補償模塊的另一可能結構示意圖。在本實施例中，掃描電極SE與數(shù)據(jù)電極DEa均具有一延伸區(qū)，用以定義出電容器。如圖3C所示，掃描電極SE具有一延伸區(qū)310a，并且數(shù)據(jù)電極DEa具有一延伸區(qū)330a。電容器Cai形成在延伸區(qū)310A與延伸區(qū)330a重疊的處。在本實施例中，延伸區(qū)3IOa與延伸區(qū)330a的形狀及面積相同，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，延伸區(qū)3IOa的形狀可能不同于延伸區(qū)330a的形狀，或是延伸區(qū)3IOa的面積可能不同于延伸區(qū)330a的面積。圖3D為本發(fā)明的補償模塊的另一可能結構示意圖。在本實施例中，電容器Cai為串接MIM結構。如圖所示，電容器Cai是由掃描電極SE的延伸區(qū)3IOa、數(shù)據(jù)電極DEa以及補償電極CEaK構成。在本實施例中，電容器Cai是位于顯示區(qū)之中。在另一可能實施例中，電容器Cai可能位于非顯示區(qū)之中，如在近端子區(qū)中或反端子區(qū)中。在其它實施例中，電容器Cai的部分位于顯示區(qū)中，而其它部分位于非顯示區(qū)中。
舉例而言，延伸區(qū)310a與數(shù)據(jù)電極DEa(或是數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa)的重疊區(qū)域是位于顯示區(qū)中，而數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa (或是延伸區(qū)3IOa與數(shù)據(jù)電極DEa)的重疊區(qū)域是位于非顯示區(qū)中。在其它實施例中，延伸區(qū)310a與數(shù)據(jù)電極DEa (或是數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa)的部分重疊區(qū)域是位于顯示區(qū)中，而延伸區(qū)310a與數(shù)據(jù)電極DEa(或是數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa)的其它重疊區(qū)域是位于非顯示區(qū)中。 另外，本發(fā)明并不限定延伸區(qū)3IOa與數(shù)據(jù)電極DEa以及數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa的重疊區(qū)域。在一可能實施例中，延伸區(qū)310a與數(shù)據(jù)電極DEa的重疊區(qū)域的面積可等于、小于或大于數(shù)據(jù)電極DEa與補償電極CEa的重疊區(qū)域的面積。為了控制補償電極CEa的電壓電位，在本實施例中，補償電極CEa具有一連接孔(contact hole),用以電性連接掃描電極SE。借由串接MIM(metal insulator metal)結構，便可在有限的空間中，提高電容器Cai的容值，進而增加補償能力。
在一可能實施例中，補償電極CEa與像素電極PE的材料是屬于透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide ;TC0)。因此,補償電極CEa與像素電極PE可由相同的光罩制程所形成，并不需額外增加制程的步驟。在圖3D中，電容器Cai是由掃描電極SE的延伸區(qū)310a、數(shù)據(jù)電極DEa以及補償電極CEa所構成，但并非用以限制本發(fā)明。在其它可能實施例中，電容器Cai是由一第一導電層、一第二導電層以及一第三導電層所構成，此三導電層彼此間以絕緣層隔開，其中該第二導電層為電容器Cai欲補償?shù)碾姌O，而該第一、第三導電層實質上皆具有補償電極的功能，并分別位于該第二導電層的第一側及第二側。例如在圖3D中，數(shù)據(jù)電極DEa及補償電極CEa分別位于掃描電極SE的第一側及第二側(上、下側)并都用于補償掃描電極SE,其中補償電極CEa、數(shù)據(jù)電極DEa、掃描電極SE各以絕緣層隔開，而數(shù)據(jù)電極DEa及補償電極CEa間經(jīng)一連接孔電性相連，以改善掃描電極因在近端子區(qū)長度不均而造成充電時間不均的問題。舉例而言，若電容器Cai欲補償數(shù)據(jù)電極的不同長度所造成的影響，則第二導電層為數(shù)據(jù)電極。同樣地，電容器Cai欲補償掃描電極或共通電極的不同長度所造成的影響，則第二導電層為掃描電極或共通電極。在一可能實施例中，第一及第三導電層可能都是額外加入的，或是顯示區(qū)內不需補償?shù)碾姌O。舉例而言，若欲補償數(shù)據(jù)電極，則第一或第三導電層可為顯示區(qū)內不需補償?shù)碾姌O(如掃描電極或共通電極)，或是額外加入的電極。若使用顯示區(qū)內的既有電極作為補償電極，則可增加電極的用途。另外，若借由既有的制程形成額外電極，即可達到補償效果亦不會增加制程的步驟。舉例而言，可在形成掃描電極、數(shù)據(jù)電極、共通電極、像素電極的同時，一并形成一額外電極，用以補償一個或多個相對應的電極。在一可能實施例中，第一及第三導電層其中之一可能是和像素電極由同一道黃光制程所形成。再者，第一及第三導電層其中之一的材料可能和像素電極相同。在其它實施例中，第一及第三導電層可能電性連接到一相同電壓源，如共通電壓(Vcom)或是接地電壓(GND)，或是第一至第三導電層彼此電性不相連，其各自接收一相對應電壓。同樣地，第一至第三導電層所構成的電容器可設置在顯示區(qū)或是非顯示區(qū)中，如位于近端子區(qū)或反端子區(qū)中。另外，第一至第三導電層的至少一者的部分電極是位于反端子區(qū)之中。舉例而言，第一及第二導電層的重疊區(qū)域可能位于顯示區(qū)之中，而第二及第三導電層的重疊區(qū)域位于非顯示區(qū)之中。圖4為本發(fā)明的顯示面板的另一可能實施例。圖4相似圖2，不同之處在于，圖2的補償模塊261 272是設置在顯示區(qū)250之中，而圖4的補償模塊461 463是設置在非顯示區(qū)的反端子區(qū)432之中，并連接對應的信號線A C的尾端。在本實施例中，補償模塊461 463分別為電容器Ca C。,其一端分別稱接信號線A C,另一端接收一電壓電位V。!!。在一可能實施例中，電壓電位Vcm與顯不區(qū)450內的掃描電極的電位相同，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，電壓電位Vcm不同于掃描電極的電位。另外，在制作顯示區(qū)450內的像素電極(如第3D圖的PE)的同時，可形成一補償電極(如第3D圖的CEa)。因此，補償電極的形成并不會增加制造的步驟。在本實施例中，補償電極與信號線A C的重疊區(qū)域具有電容器461 463。借由控制補償電極及信號線 A C的電壓電位,便可使電容器Ca Cc具有補償?shù)男Ч?。當顯示區(qū)250的空間不足時，亦可將補償模塊461 463設置在反端子區(qū)431 433的至少一者中。再者，由于信號線A D并未延伸至反端子區(qū)431 433驅動電路，故顯示面板400的可使用的空間較大，可設計容值較大的電容器。本發(fā)明并不限定補償模塊的設置位置。在一可能實施例中，不但反端子區(qū)432具有補償模塊461 463,連顯不區(qū)450亦具有補償模塊。另外,若一信號線的兩端皆延伸入非顯示區(qū)，并且和驅動電路相連接(即信號線兩側的非顯示區(qū)都為近端子區(qū))時，則耦接該信號線的補償模塊便僅設置在顯示區(qū)450之中。在其它可能實施例中，除了顯示區(qū)450及反端子區(qū)431 433外，補償模塊亦可設置在近端子區(qū)410之中。由于補償模塊的設置位置相當彈性，故可達到較高的補償效率，均勻化不同長度的信號線所造成的影響(像素的充電及放電時間)。另外，在其它實施例中，當補償模塊足以均勻化不同長度的信號線所造成的問題時，則信號線可采用片狀結構，而不需采用蛇形(z形)結構，故可縮減信號線所占的基板面積，而能窄化近端子區(qū)210及410的邊框。除非另作定義，在此所有詞匯(包含技術與科學詞匯)均屬本發(fā)明所屬技術領域中普通技術人員的一般理解。此外，除非明白表示，詞匯于一般字典中的定義應解釋為與其相關技術領域的文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態(tài)或過分正式的語態(tài)。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
權利要求
1.一種顯不面板，包括 一顯示區(qū)，具有多個像素； 一非顯示區(qū)，設置在該顯示區(qū)之外，并包括一近端子區(qū)，該近端子區(qū)具有多個信號線，所述信號線往該顯示區(qū)延伸，一驅動電路透過該近端子區(qū)及該顯示區(qū)內的所述信號線，對所述像素進行一充放電動作；以及 至少一補償模塊，耦接所述信號線中的一第一信號線，用以補償該第一信號線對該充放電動作所造成的影響； 其中當該非顯示區(qū)更包括一反端子區(qū)時，該補償模塊設置在該顯示區(qū)及該反端子區(qū)的至少一者之中，當該第一信號線的兩端皆延伸至該反端子區(qū)時，則該補償模塊設置在該顯示區(qū)之中。
2.如權利要求I所述的顯示面板，其特征在于，該補償模塊連接于該第一信號線以及一補償電極之間。
3.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該第一信號線為一數(shù)據(jù)電極，該補償電極為一掃描電極。
4.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該第一信號線為一數(shù)據(jù)電極，該補償電極為一共通電極。
5.如權利要求2所述的顯不面板,其特征在于,該第一信號線為一掃描電極,該補償電極為一數(shù)據(jù)電極。
6.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該顯示區(qū)更包括多個像素電極，所述像素電極以及該補償電極的材料均為一透明導電氧化物，并且所述像素電極以及該補償電極彼此絕緣。
7.如權利要求I所述的顯示面板，其特征在于，該補償模塊具包含一第一導電層設置于該第一信號線的一第一側，及一第二導電層設置于該第一信號線的一第二側。
8.如權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，該第一導電層與該第二導電層電性相連。
9.如權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，該顯示區(qū)更包括多個像素電極，且所述像素電極及該第一導電層是由同一黃光制程所形成。
10.如權利要求I所述的顯示面板，該補償模塊包括一第一電容器以及一第二電容器，該第一電容器是由一第一補償電極以及該第一信號線所構成，該第二電容器是由該第一信號線以及一第二補償電極所構成。
11.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，該第一電容器的容值不同于該第二電容器的容值。
12.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，該第一補償電極及第二補償電極電性相連。
13.如權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，該第一電容器位于該非顯示區(qū)，該第二電容器位于該顯不區(qū)。
14.如權利要求13所述的顯示面板，其特征在于，該第一電容器位于該反端子區(qū)。
15.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，該第一補償電極和第二補償電極的至少一者的部分位于反端子區(qū)中。
16.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，該顯示區(qū)更包括多個像素電極，該第一補償電極及所述像素電極是由同一黃光制程所形成。
17.如權利要求16所述的顯示面板，其特征在于，該第一補償電極及所述像素電極的材質相同。
18.如權利要求16所述的顯示面板，其特征在于，該第一信號線為一數(shù)據(jù)電極，該第二補償電極為一掃描電極，且該第一補償電極材質和所述像素電極的材質相同。
19.如權利要求18所述的顯示面板，其特征在于，該第一補償電極位于該非顯示區(qū)。
20.如權利要求19所述的顯示面板，其特征在于，該第一補償電極位于該反端子區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種顯示面板，包括一顯示區(qū)、一非顯示區(qū)以及至少一補償模塊。顯示區(qū)具有多個像素。非顯示區(qū)設置在顯示區(qū)之外，并包括一近端子區(qū)。近端子區(qū)具有多個信號線。信號線往顯示區(qū)延伸。一驅動電路透過顯示區(qū)及近端子區(qū)內的信號線，對像素進行充放電動作。補償模塊用以補償不同長度的信號線所造成的影響。當非顯示區(qū)更包括一反端子區(qū)時，補償模塊設置在顯示區(qū)及反端子區(qū)的至少一者之中。當信號線的兩端皆延伸至反端子區(qū)時，補償模塊設置在顯示區(qū)之中。
文檔編號H01G4/005GK102789755SQ201110144248
公開日2012年11月21日 申請日期2011年5月20日 優(yōu)先權日2011年5月20日
發(fā)明者宋立偉, 張沛恩, 李亞諭, 陳承佐 申請人:奇美電子股份有限公司, 群康科技(深圳)有限公司