專利名稱：光半導(dǎo)體用封裝片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光半導(dǎo)體用封裝片。更特別地，本發(fā)明涉及一種用于封裝發(fā)光元件如發(fā)光二極管(LED)或半導(dǎo)體激光器的包裝體，且涉及用于在成形時抑制樹脂從包裝體泄漏的光半導(dǎo)體用封裝片和利用所述片(sheet)封裝的光半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來，光半導(dǎo)體的發(fā)光裝置(例如，發(fā)光二極管或LED)代替白熾燈或熒光燈得到傳播。在白光LED的發(fā)光裝置中，能發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件和使用含有能將藍(lán)光轉(zhuǎn)化成黃光的熒光體(phosphor)的樹脂的模式是主流。一般地，制造白光LED的方法的實(shí)例包括利用含熒光體樹脂涂布LED芯片的方法和在杯形LED裝置上灌封含熒光體樹脂的方法。另外，例如，在專利文獻(xiàn)1的光半導(dǎo)體裝置中，使用了通過含熒光體樹脂的注射成形而形成的熒光體覆蓋層(cover)，且據(jù)報道，可以通過該覆蓋層而在包裝體整個外側(cè)上很薄地布置熒光體，提高了從芯片的光提取效率，且抑制了由熒光體造成的光散射，從而使其能夠獲得期望的光方向性。另一方面，從處理性能和生產(chǎn)能力的觀點(diǎn)來看，使用片形的含熒光體樹脂層進(jìn)行成形的方法是優(yōu)選的。優(yōu)選使用通過層疊封裝層和含熒光體樹脂層(含熒光體層)等而獲得的片作為這種片，且通過使用金屬模具從所述片的頂部進(jìn)行成形，可以在包裝體整個外側(cè)上布置熒光體。專利文獻(xiàn)1 日本特許第3678673號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，即使在具有封裝樹脂層和層疊在其上的含熒光體層的片中，在使用具有相同尺寸(底面形狀和尺寸相同)的片對這些層進(jìn)行模具成形的情況下，在推擠模具之際，一部分所述片(主要是封裝樹脂層)會破裂并在成形時從包裝體中泄漏，從而遇到如下問題 所獲得的包裝體的外觀受損(參見圖1)；和必須重新提供除去泄漏的樹脂的步驟。本發(fā)明的目的是提供一種光半導(dǎo)體用封裝片和利用所述片封裝的光半導(dǎo)體裝置， 所述封裝片沒有發(fā)生一部分所述片由于模具成形而從包裝體中泄漏的情況。為了解決前述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛而深入的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在其中封裝樹脂層比含熒光體層小特定尺寸的片中，即使通過采用使用凹模的模具成形，也獲得顯示良好外觀的光半導(dǎo)體裝置，而在成形后未引起樹脂泄漏在包裝體外部，從而導(dǎo)致本發(fā)明的完成。S卩，本發(fā)明涉及如下項(xiàng)(1) 0)。(1) 一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層；和含有封裝樹脂且層疊在所述含熒光體層上的封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出，且所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍。(2) 一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層，和含有封裝樹脂且以規(guī)定的間隔層疊在所述含熒光體層的多個位置上的多個封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出， 所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍，且相鄰封裝樹脂層之間的長度是所述封裝樹脂層厚度的2 10倍。(3) (1)或O)的光半導(dǎo)體用封裝片，其中在所述含熒光體層的與封裝樹脂層層疊面相對的面上進(jìn)一步層疊有隔片。(4) 一種光半導(dǎo)體裝置，其通過如下操作而獲得將(1) (3)中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體用封裝片布置成使所述封裝樹脂層與光半導(dǎo)體元件對向(opposite)，然后使用具有與所述封裝樹脂層相同形狀的凹形結(jié)構(gòu)的凹模進(jìn)行加壓成形。在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片中，即使當(dāng)用于模具成形時，也抑制了在成形后樹脂從包裝體中泄漏，從而能夠獲得顯示良好外觀的光半導(dǎo)體裝置。


圖1是說明光半導(dǎo)體裝置的實(shí)例的圖，所述光半導(dǎo)體裝置通過使用片進(jìn)行模具成形而獲得，所述片通過對具有相同尺寸(底面形狀和尺寸相同)的封裝樹脂層和含熒光體層進(jìn)行層疊而獲得，其中左圖示出在模具成形前的狀態(tài)，而右圖示出在成形后的狀態(tài)。圖2是說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片的制備方法的實(shí)施方式的圖，其中左圖示出填充封裝樹脂層構(gòu)成溶液的狀態(tài)，而右圖示出在成形后的狀態(tài)。圖3是說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片的制備方法的實(shí)施方式的圖，其中左上圖示出填充封裝樹脂層構(gòu)成溶液的狀態(tài)；右上圖示出在成形后封裝樹脂層的狀態(tài)；下圖示出將封裝樹脂層的成形體布置在單獨(dú)制備的含熒光體層上的狀態(tài)。圖4是說明使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝一個LED芯片的實(shí)施方式的圖， 其中左圖示出將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在LED芯片上的狀態(tài)；中間圖示出使用凹模進(jìn)行封裝的狀態(tài)；而右圖示出分別剝離凹模和隔片的狀態(tài)。圖5是說明使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片單獨(dú)封裝多個LED芯片的實(shí)施方式的圖，其中左圖示出將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在LED芯片上的狀態(tài)；中間圖示出使用凹模進(jìn)行封裝的狀態(tài)；而右圖示出分別剝離凹模和隔片的狀態(tài)。圖6是說明使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片共同封裝多個LED芯片的實(shí)施方式的圖，其中左圖示出將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在LED芯片上的狀態(tài)；中間圖示出使用凹模進(jìn)行封裝的狀態(tài)；而右圖示出分別剝離凹模和隔片的狀態(tài)。圖7是示出要使用實(shí)施例3、5和6中的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝的六個 LED芯片的排列狀態(tài)的圖，其中圖中示出的所有長度單位是“mm”。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片是如下光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層，所述含熒光體層具有層疊于其上且含有封裝樹脂的封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出，且所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍。作為這種片，可以將封裝樹脂層層疊在含熒光體層上，使得封裝樹脂層的端部以距離含熒光體層的端部1 10倍于封裝樹脂層厚度的長度位于內(nèi)部。這種實(shí)施方式的具體實(shí)例包括其中將一個封裝樹脂層層疊在含熒光體層的指定位置上的實(shí)施方式(實(shí)施方式1)；和其中將所有多個封裝樹脂層層疊在含熒光體層的指定位置上的實(shí)施方式(實(shí)施方式幻。在本說明書中提及的含熒光體層的端部從封裝樹脂層的端部突出的長度(突出長度)，是指從封裝樹脂層的端部至含熒光體層的最近端部的距離， 且在含熒光體層的所有端部中設(shè)置。在使用凹模從其中層疊有各自具有相同底面尺寸和形狀的封裝樹脂層和含熒光體層的片的頂部進(jìn)行成形的情況下，將所述片折疊到凹模內(nèi)部并成形。在該情況下，一部分所述片破裂，且未完全填充在凹模內(nèi)部的樹脂(主要是封裝樹脂)溢出，從而在所獲得的包裝體中確認(rèn)樹脂泄漏(參見圖1)。于是，在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片中，以這樣的方式布置含熒光體層和封裝樹脂層，使得含熒光體層的端部在其間的層疊面上以1 10倍于封裝樹脂層厚度的長度從封裝樹脂層的端部突出。另外，在布置多個封裝樹脂層的情況下(實(shí)施方式i)，除了前述事項(xiàng)之外，還以這樣的方式布置所述多個封裝樹脂層，使得相鄰封裝樹脂層之間的長度是所述封裝樹脂層厚度的2 10倍。據(jù)此，例如，在LED裝置中布置本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片并使用具有與封裝樹脂層相同形狀的凹形結(jié)構(gòu)的凹模進(jìn)行封裝成形的情況下，將封裝樹脂層填充在凹形結(jié)構(gòu)中，同時將其包覆在含熒光體層的表面上而不使其破裂。并且，鑒于含熒光體層的突出長度是封裝樹脂層厚度的10倍以下的事實(shí)，能夠減少熒光體的用量。因而，通過使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片，可以以高生產(chǎn)率提供具有優(yōu)異外觀的光半導(dǎo)體裝置。具體地，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片的實(shí)施例包括如下實(shí)施方式。實(shí)施方式1一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層；和含有封裝樹脂且層疊在所述含熒光體層上的封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出， 且所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍。實(shí)施方式2—種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層，和含有封裝樹脂且以規(guī)定的間隔層疊在所述含熒光體層的多個位置上的多個封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出， 所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍，且相鄰封裝樹脂層之間的長度是所述封裝樹脂層厚度的2 10倍?！春瑹晒怏w層〉在實(shí)施方式1和2的每個中的含熒光體層是含有后述熒光體的樹脂層。用于構(gòu)成含熒光體層的樹脂沒有特別限制，只要它是迄今已被用于封裝光半導(dǎo)體的樹脂即可。其實(shí)例包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、苯乙烯樹脂，丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚氨酯樹脂和聚烯烴樹脂。這些樹脂可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性、耐熱性和耐光性的觀點(diǎn)來看，硅樹脂是優(yōu)選的。并且，因?yàn)閮?yōu)選的是，含熒光體層具有如此低的彈性，以至于即使當(dāng)在封裝時施加外力或壓力時，也能夠保持固定厚度，所以作為硅樹脂，可以按照已知方法對硅氧烷骨架的交聯(lián)數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)后使用。這種樹脂可以按照已知方法制造，或者可以使用市售產(chǎn)品。合適的市售產(chǎn)品的實(shí)例包括有機(jī)硅彈性體(LR7665，由瓦克旭化成有機(jī)硅株式會社(Wacker Asahikasei Silicone Co. , Ltd.)制造)。構(gòu)成含熒光體層的樹脂中硅樹脂的含量是70重量％以上，更優(yōu)選是90重量％以上，還更優(yōu)選是基本上100重量％。本發(fā)明中的熒光體沒有特別限制，且其實(shí)例包括用于光半導(dǎo)體裝置的已知熒光體。具體地，具有將藍(lán)色轉(zhuǎn)換成黃色功能的合適市售產(chǎn)品的實(shí)例包括黃色熒光體 (a-sialon)、YAG和TAG。另外，具有將藍(lán)色轉(zhuǎn)換成紅色功能的合適市售產(chǎn)品的實(shí)例包括 CaAlSiN30這些材料可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。熒光體的共混比或含量不能明確確定，這是因?yàn)轭伾旌铣潭入S熒光體種類和含熒光體層的厚度或包裝體的形狀而變化。另外，除了含有前述成分之外，本發(fā)明中的含熒光體層還可以含有無機(jī)粒子、固化劑、固化促進(jìn)劑和添加劑如老化抑制劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、變色抑制劑和紫外線吸收劑。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠按照已知方法制備含熒光體層，只要能夠獲得前述組成即可。具體地，對通過向前述構(gòu)成樹脂或樹脂的有機(jī)溶劑溶液中添加熒光體并將它們攪拌混合而獲得的樹脂溶液(還可以將該樹脂溶液稱為“含熒光體層構(gòu)成溶液”)，可通過例如澆鑄、旋涂、輥涂等，在表面進(jìn)行過脫模處理的脫模片或后述隔片上以適當(dāng)厚度涂布該樹脂溶液，然后在能夠除去溶劑的溫度附近加熱干燥，從而將該樹脂溶液成形為片狀。盡管因?yàn)榧訜釡囟入S樹脂或溶劑的種類變化而不能明確確定，但是它優(yōu)選是80 150°C，更優(yōu)選是 90 150°C。通過將多個獲得的片進(jìn)行層疊，并通過在20 180°C下的熱壓制對它們進(jìn)行壓制以實(shí)現(xiàn)一體化而獲得的片可以用作含熒光體層的單一片。盡管含熒光體層的尺寸(上側(cè)邊或直徑的長度)不能根據(jù)封裝樹脂層的形狀和尺寸而明確確定，但是必要的是，在通過封裝樹脂層封裝LED芯片之后，含熒光體層覆蓋封裝樹脂層。相應(yīng)地，從這樣的觀點(diǎn)來看，在比較層疊面上的含熒光體層和封裝樹脂層的情況下，優(yōu)選的是，含熒光體層的尺寸達(dá)到所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出的程度。從含熒光體層(phosphor content)與基板之間的粘附性的觀點(diǎn)來看，含熒光體層的端部的突出長度是封裝樹脂層厚度的1倍以上，優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的2倍以上。并且，從減少熒光體的用量的觀點(diǎn)來看，突出長度是封裝樹脂層厚度的10倍以下，優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的5倍以下。因此，含熒光體層的突出長度是封裝樹脂層厚度的1 10倍， 優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的2 5倍。從白化的觀點(diǎn)來看，含熒光體層的厚度優(yōu)選是30 200μπι，更優(yōu)選是70 120 μ m0<封裝樹脂層>盡管實(shí)施方式1和2中的封裝樹脂層布置在含熒光體層上的數(shù)目彼此不同，但是它們具有相同構(gòu)造。構(gòu)成封裝樹脂層的封裝樹脂沒有特別限制，只要它是迄今已被用于封裝光半導(dǎo)體的樹脂即可，且其實(shí)例包括與構(gòu)成含熒光體層的那些樹脂相同的樹脂。尤其是， 從耐久性、耐熱性和耐光性的觀點(diǎn)來看，硅樹脂是優(yōu)選的。并且，從優(yōu)選所述封裝樹脂隨溫度顯示不同的強(qiáng)度，使得它具有低彈性(可塑性) 從而能夠在其中包埋元件，然后將其固化以保持形狀，從而具有能持久耐沖擊等的特性 (后固化性)這一事實(shí)來看，可以將具有兩個反應(yīng)體系的硅樹脂或改性硅樹脂用作硅樹脂。具有兩個反應(yīng)體系的硅樹脂的實(shí)例包括具有包括硅烷醇縮合反應(yīng)和環(huán)氧反應(yīng)的兩個反應(yīng)體系的硅樹脂以及具有包括硅烷醇縮合反應(yīng)和氫化硅烷化的兩個反應(yīng)體系的硅樹脂(縮合-加成固化型硅樹脂)。改性硅樹脂的實(shí)例包括具有其中硅氧烷骨架中的一部分Si原子被原子如B、Al、 P和Ti取代的雜硅氧烷骨架如硼硅氧烷、鋁硅氧烷、磷硅氧烷和鈦硅氧烷的樹脂；以及其中將有機(jī)官能團(tuán)如甲基(丙烯酰)基(meth(acryl) group)加合至硅氧烷骨架中的Si原子的樹脂。這種樹脂能夠通過已知的制造方法制得，且在下文將改性硅樹脂作為實(shí)例描述。 例如，甲基丙烯酰改性的聚鋁硅氧烷能夠通過如下操作獲得在室溫下攪拌的同時混合兩端以硅烷醇基封端的硅油和異丙醇鋁，向所獲得的油中添加甲基丙烯酰型硅烷偶聯(lián)劑，然后將它們攪拌混合。構(gòu)成封裝樹脂層的封裝樹脂中硅樹脂的含量優(yōu)選是70重量％以上，更優(yōu)選是90 重量％以上，還更優(yōu)選是基本上100重量％。另外，從韌性和低線性膨脹性的觀點(diǎn)來看，本發(fā)明中的封裝樹脂層能夠含有無機(jī)粒子。無機(jī)粒子的實(shí)例包括二氧化硅(硅石)、硫酸鋇、碳酸鋇和鈦酸鋇。這些材料可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。從韌性和低線性膨脹性的觀點(diǎn)來看，封裝樹脂層中無機(jī)粒子的含量優(yōu)選是10 70重量％，更優(yōu)選是40 60重量％。除了含有前述成分之外，本發(fā)明中的封裝樹脂層還能夠含有固化劑、固化促進(jìn)劑和添加劑如老化抑制劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、變色抑制劑和紫外線吸收劑。封裝樹脂層能夠由本領(lǐng)域的技術(shù)人員按照已知方法制備，只要能夠獲得前述組成即可。盡管后面描述細(xì)節(jié)，但是例如，封裝樹脂層能夠通過如下操作而制備以期望的形狀使通過添加構(gòu)成封裝樹脂層的樹脂和樹脂的有機(jī)溶劑溶液、或者如果需要的無機(jī)粒子而獲得的混合物(還可以將溶液概括稱為“封裝樹脂層構(gòu)成溶液”)成形，然后進(jìn)行加熱干燥。 盡管加熱溫度因?yàn)殡S樹脂或溶劑的種類變化而不能明確確定，但是它優(yōu)選是80 150°C， 更優(yōu)選是90 150°C。還可以將由此獲得的封裝樹脂層稱為“封裝樹脂層成形體”。從與含熒光體層一體化的觀點(diǎn)來看，封裝樹脂層的形狀沒有特別限制，只要與含熒光體層的層疊面平坦即可，且其實(shí)例包括長方體、立方體、圓柱體、錐形圓柱體(上部較小)和片狀。作為片狀，包括通過層疊多個片并通過在20 180°C下的熱壓制對它們進(jìn)行壓制以實(shí)現(xiàn)一體化而獲得的片。
封裝樹脂層的尺寸(與含熒光體層的層疊面或與其相對的面的側(cè)邊或直徑的長度)沒有特別限制，只要它是達(dá)到能夠封裝光半導(dǎo)體元件(LED芯片)程度的尺寸即可。從進(jìn)行封裝而不損傷LED芯片周圍配線的觀點(diǎn)來看，或者從改進(jìn)源自所述裝置的發(fā)光色調(diào)的角度依賴性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是，封裝樹脂層的尺寸達(dá)到封裝樹脂層外圍從LED芯片和其周圍配線(在共同封裝多個LED芯片的情況下，最外面布置的LED芯片和其周圍配線) 突出的程度。突出長度優(yōu)選是1 20mm，更優(yōu)選是1 5mm。封裝樹脂層的厚度沒有特別限制，只要能夠封裝LED芯片即可，且它可以大于LED 芯片的厚度。并且，當(dāng)熒光體存在于LED芯片附近時，含熒光體層因波長轉(zhuǎn)換損耗等而在 LED照明時極端地引起發(fā)熱，因此，封裝樹脂層的厚度優(yōu)選是Imm以上。并且，從封裝片的操作性的觀點(diǎn)來看，封裝樹脂層的厚度優(yōu)選是3mm以下。封裝樹脂層對應(yīng)于待封裝的光半導(dǎo)體元件，且在封裝多個光半導(dǎo)體元件的情況下，光半導(dǎo)體元件可以共同或單獨(dú)封裝。相應(yīng)地，在本發(fā)明的含熒光體的片中，其實(shí)施方式隨布置在含熒光體層上的封裝樹脂層的數(shù)目而變化，且單一封裝樹脂層的情況對應(yīng)于實(shí)施方式1，而多個封裝樹脂層的情況對應(yīng)于實(shí)施方式2。實(shí)施方式2中的封裝樹脂層單獨(dú)封裝光半導(dǎo)體元件并以規(guī)定的間隔布置在含熒光體層上。從穩(wěn)當(dāng)?shù)胤庋b光半導(dǎo)體元件的觀點(diǎn)來看，相鄰封裝樹脂層之間的長度是封裝樹脂層厚度的2倍以上，優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的3 倍以上。另外，從使含熒光體層中含有的熒光體損耗最小化的觀點(diǎn)來看，相鄰封裝樹脂層之間的長度是封裝樹脂層厚度的10倍以下，優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的5倍以下。因此，含熒光體層的突出長度是封裝樹脂層厚度的2 10倍，優(yōu)選是封裝樹脂層厚度的3 5倍。< 隔片(s印arator) >并且，在所有實(shí)施方式1和2中，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片除了包含前述含熒光體層和封裝樹脂層之外，還可以包含隔片，且優(yōu)選的是，將含熒光體層和封裝樹脂層依次層疊在隔片上。作為隔片，可以使用任何材料，只要它能夠從含熒光體層上剝離即可。其實(shí)例包括在剝離階段即將隔片從本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片上剝離后的片成形的情況和在使本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片成形之后剝離隔片的情況不同的材料。在使剝離隔片后的片成形的情況下能夠使用的隔片沒有特別限制，只要它能包覆并保護(hù)含熒光體層的表面即可，且其實(shí)例包括聚酯膜和聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。合適的市售產(chǎn)品的實(shí)例包括聚酯膜(商品名SS4C，由Nippa株式會社(Nippa Corporation)制造，厚度:50ym)o另一方面，作為在片成形后剝離隔片的情況下能夠使用的隔片，需要在成形之際的模具跟進(jìn)性(follow-up properties) 0因而，其實(shí)例包括在室溫下堅(jiān)硬但是在固化溫度例如150°C下的儲存彈性模量是1. OX IO8Pa以下的材料。其具體實(shí)例包括聚苯乙烯膜、 聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸類膜、硅樹脂膜、苯乙烯樹脂膜和碳氟化合物樹脂膜。尤其是，從耐熱性、脫模性和跟進(jìn)性的觀點(diǎn)來看，聚碳酸酯膜是優(yōu)選的，且適宜使用聚碳酸酯膜 (商品名TR膜非取向產(chǎn)品，由鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會社(Kaneka Corporation)制造，厚度 45 μ m) ο在本發(fā)明中，從使得易于從含熒光體層上剝離隔片的觀點(diǎn)來看，可以使用按照已知方法對表面進(jìn)行過脫模處理的隔片。
隔片的厚度沒有特別限制，且在使隔片跟進(jìn)模具的情況下，優(yōu)選是20 ΙΟΟμπι， 更優(yōu)選是30 50 μ m。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片的制備方法沒有特別限制，只要光半導(dǎo)體用封裝片含有含熒光體層和封裝樹脂層，且將一個或多個封裝樹脂層布置在含熒光體層上的一個或多個特定位置上即可。并且，盡管封裝樹脂層的數(shù)目不同，但是作為在實(shí)施方式1和2的每個中制造光半導(dǎo)體用封裝片的實(shí)施方式，例舉了如下實(shí)施方式A和B。在按照實(shí)施方式2制備光半導(dǎo)體用封裝片的情況下，在實(shí)施方式A中可以使用具有數(shù)目對應(yīng)于封裝樹脂層的孔的篩網(wǎng)；而在實(shí)施方式B中可以制備封裝樹脂層數(shù)目的封裝樹脂層成形體。實(shí)施方式A如下實(shí)施方式將具有孔的篩網(wǎng)布置在層疊在隔片上的含熒光體層上；將封裝樹脂層構(gòu)成溶液填充在孔中；在使表面平滑之后，將所得溶液加熱干燥；然后剝離篩網(wǎng)，從而制得光半導(dǎo)體用封裝片。實(shí)施方式B如下實(shí)施方式將具有孔的篩網(wǎng)布置在隔片上；將封裝樹脂層構(gòu)成溶液填充在孔中；在使表面平滑之后，將所得溶液加熱干燥；剝離篩網(wǎng)，從而制得封裝樹脂層成形體；將封裝樹脂層成形體布置在單獨(dú)制備的隔片和含熒光體層的層疊體的含熒光體層側(cè)上，然后進(jìn)行熱壓制，從而制得光半導(dǎo)體用封裝片。在圖2中說明了實(shí)施方式A的實(shí)例。鑒于實(shí)施方式A是其中封裝樹脂層直接形成在含熒光體層上的實(shí)施方式的事實(shí)，實(shí)施方式A的制備方法也稱為“直接形成方法”。在圖2的左圖中，隔片和含熒光體層的層疊體能夠例如按照如下方法制備在將含熒光體層以片狀成形時，將含熒光體層直接成形在隔片上。另外，隔片和含熒光體層的層疊體可以通過如下操作制備在隔片上層疊以片狀單獨(dú)制備的含熒光體層，然后進(jìn)行層疊或熱壓制。盡管篩網(wǎng)的孔沒有特別限制，但是鑒于可獲得形狀與篩網(wǎng)的孔相同的封裝樹脂層的事實(shí)，優(yōu)選的是，設(shè)置孔的尺寸和厚度以具有這樣的尺寸，使得封裝樹脂層能夠封裝LED 芯片和其周圍配線而不損傷它們。封裝樹脂層構(gòu)成溶液在篩網(wǎng)孔中的填充沒有特別限制，且例如能夠按照已知方法如絲網(wǎng)印刷法進(jìn)行填充。通過對填充在篩網(wǎng)孔中的封裝樹脂層構(gòu)成溶液進(jìn)行平滑化處理等，使得利用抹刀等使其表面平坦，然后在優(yōu)選80 150°C、優(yōu)選90 150°C下進(jìn)行加熱干燥，能夠同時進(jìn)行封裝樹脂層成形體的制備和封裝樹脂層在含熒光體層上的層疊。優(yōu)選的是，在封裝樹脂層成形體徹底固化以達(dá)到可以實(shí)現(xiàn)處理操作的狀態(tài)之后，進(jìn)行篩網(wǎng)的剝離。在圖3中說明了實(shí)施方式B的實(shí)例。在實(shí)施方式B中，鑒于將單獨(dú)制備的封裝樹脂層粘貼至含熒光體層的事實(shí)，實(shí)施方式B的制備方法也稱為“間接形成方法”。圖3的上圖示出封裝樹脂層成形體的制備。按照實(shí)施方式B，封裝樹脂層成形體能夠按照與實(shí)施方式A中相同的方式制備，所不同的是，在實(shí)施方式A中，將用于制備封裝樹脂層成形體的單獨(dú)制備的隔片布置在例如表面進(jìn)行過脫模處理的脫模片(例如，聚酯膜) 上，而不是將篩網(wǎng)布置在隔片和含熒光體層的層疊體上。圖3的下圖示出封裝樹脂和含熒光體層的一體化。具體地，通過將如上制得的封
9裝樹脂層成形體從用于制備封裝樹脂層成形體的隔片上剝離，然后將它布置在按照與實(shí)施方式A中相同的方式制得的隔片和含熒光體層的層疊體的含熒光體層上，接著進(jìn)行熱壓制，能夠?qū)⒎庋b樹脂層和含熒光體層一體化。在制備實(shí)施方式2的光半導(dǎo)體用封裝片的情況下，在以固定間隔將多個封裝樹脂層布置在含熒光體層上之后，可以進(jìn)行熱壓制。由此，獲得包含封裝樹脂層和含熒光體層的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片。盡管本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片的使用實(shí)施方式?jīng)]有特別限制，但是在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片包含隔片的情況下，例舉如下實(shí)施方式。實(shí)施方式a如下實(shí)施方式以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的平坦基板上；以隔片原樣設(shè)置的狀態(tài)對凹模進(jìn)行壓制；并在加壓成形后，依次將凹模和隔片剝離。實(shí)施方式b如下實(shí)施方式以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的平坦基板上；在剝離隔片之后，對凹模進(jìn)行壓制； 并在加壓成形之后，將凹模剝離。實(shí)施方式c如下實(shí)施方式以使得對于每個LED芯片封裝樹脂層都與LED芯片對向的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上；以隔片原樣設(shè)置的狀態(tài)對凹模進(jìn)行壓制；并在加壓成形后，依次將凹模和隔片剝離。實(shí)施方式d如下實(shí)施方式以使得對于每個LED芯片封裝樹脂層都與LED芯片對向的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上；在剝離隔片之后，對凹模進(jìn)行壓制；并在加壓成形之后，將凹模剝離。實(shí)施方式e如下實(shí)施方式以使得封裝樹脂層覆蓋所有LED芯片的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上；以隔片原樣設(shè)置的狀態(tài)對凹模進(jìn)行壓制；并在加壓成形之后，依次將凹模和隔片剝離。實(shí)施方式f如下實(shí)施方式以使得封裝樹脂層覆蓋所有LED芯片的方式將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上；在剝離隔片之后，對凹模進(jìn)行壓制；并在加壓成形之后，將凹模剝離。在這些實(shí)施方式中，參照圖4 6描述代表性的實(shí)施方式。作為實(shí)施方式a的實(shí)例，圖4說明了其中使用包含隔片的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝一個LED芯片的實(shí)施方式。適合用于這種實(shí)施方式中的光半導(dǎo)體用封裝片是實(shí)施方式1的片。圖4的左圖示出如下狀態(tài)其中以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式，以隔片原樣設(shè)置的狀態(tài)將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的平坦基板上，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合(conform to)LED芯片的上面中心。圖4的中間圖示出如下狀態(tài)其中將尺寸對應(yīng)于LED芯片的凹模布置成使模具的底面中心符合LED芯片的上面中心并對其進(jìn)行壓制，從而進(jìn)行加壓成形。本文中所用的凹模沒有特別限制，只要LED芯片和其周圍配線被封裝樹脂層封裝即可。從通過加壓成形抑制封裝樹脂的樹脂泄漏的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是，凹模是凹形狀的尺寸與封裝樹脂層成形體中相同的模具。圖4的右圖示出如下狀態(tài)其中在加壓成形之后，使成形體靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，接著剝離隔片。作為實(shí)施方式c的實(shí)例，圖5說明了其中使用包含隔片的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝多個LED芯片的實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，可以使用數(shù)目與待封裝的LED芯片相同的實(shí)施方式1的光半導(dǎo)體用封裝片，或者可以使用包含數(shù)目與待封裝的LED芯片相同的封裝樹脂層的實(shí)施方式2的光半導(dǎo)體用封裝片。圖5的左圖示出如下狀態(tài)其中以使得封裝樹脂層與每個LED芯片對向的方式，以隔片原樣設(shè)置的狀態(tài)將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合每個LED芯片的上面中心。圖5的中間圖示出如下狀態(tài)其中對能單獨(dú)封裝LED芯片和將它們共同封裝的梳齒狀凹模進(jìn)行壓制，同時使得模具凹形結(jié)構(gòu)的底面中心符合每個LED芯片的上面中心，從而進(jìn)行加壓成形。本文中所用的梳齒狀凹模沒有特別限制，只要對每個LED芯片可以通過封裝樹脂層封裝LED芯片和其周圍配線且可以共同進(jìn)行封裝即可。從通過加壓成形抑制封裝樹脂的樹脂泄漏的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是，梳子的每個凹形結(jié)構(gòu)的尺寸與封裝樹脂層中相同。圖5的右圖示出如下狀態(tài)其中在加壓成形之后，使成形體靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，接著剝離隔片。作為實(shí)施方式e的實(shí)例，圖6說明了其中使用包含隔片的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片，通過同一封裝樹脂層共同封裝多個LED芯片的實(shí)施方式。用于該實(shí)施方式中的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片是一片實(shí)施方式1的光半導(dǎo)體用封裝片，而與LED芯片數(shù)目無關(guān)。圖6的左圖示出如下狀態(tài)其中以封裝樹脂層覆蓋所有LED芯片的方式，將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了多個LED芯片的平坦基板上。圖6的中間圖示出如下狀態(tài)其中對具有使得能夠通過一個封裝樹脂層將所有 LED芯片封裝的尺寸的凹模進(jìn)行壓制，然后進(jìn)行加壓成形。本文中所用的凹模沒有特別限制，只要通過同一封裝樹脂層封裝所有LED芯片和其周圍配線即可。從通過加壓成形抑制封裝樹脂層的樹脂泄漏的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是，凹模是凹形狀的尺寸與封裝樹脂層成形體中相同的模具。圖6的右圖示出如下狀態(tài)其中在加壓成形之后，使成形體靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，接著剝離隔片。在所有實(shí)施方式中，使用凹模的成形條件沒有特別限制。加熱溫度優(yōu)選是120 2000C，更優(yōu)選是140 180°C。加熱時間優(yōu)選是0. 5 30分鐘，更優(yōu)選是1 10分鐘。并且，從防止發(fā)生氣泡并入到封裝樹脂層中的觀點(diǎn)來看，成形可以在減壓下進(jìn)行。在加壓成形之后，在剝離凹模和隔片之前，可以在壓力下在加熱下將后固化進(jìn)行固化封裝樹脂層所必需的時間。另外，在本發(fā)明中，在將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片布置在LED芯片上之際，從防止發(fā)生由在成形時的外力或壓力而引起的LED芯片周圍配線的破裂的觀點(diǎn)來看，LED芯片和其周圍配線可以通過預(yù)先在其上滴加保護(hù)樹脂(還稱為“灌封樹脂”)并對其加熱干燥來保護(hù)。灌封樹脂沒有特別限制，只要它是迄今已被用于封裝光半導(dǎo)體的樹脂即可。其實(shí)例包括半透明樹脂如硅樹脂、環(huán)氧樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚氨酯樹脂和聚烯烴樹脂。這些樹脂可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性、耐熱性和耐光性的觀點(diǎn)來看，硅樹脂是優(yōu)選的。并且，從韌性和低線性膨脹性的觀點(diǎn)來看，灌封樹脂能夠含有無機(jī)粒子如二氧化硅(硅石)、硫酸鋇、碳酸鋇和鈦酸鋇作為添加劑。這些材料可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。灌封樹脂中無機(jī)粒子的含量優(yōu)選是10 70重量％。灌封樹脂的用量沒有特別限制，只要能夠包覆LED芯片和其周圍配線即可。從使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝后的形狀良好的觀點(diǎn)來看，相對于每個尺寸為ImmXlmm 的LED芯片，灌封樹脂的用量優(yōu)選是2 20mg，更優(yōu)選是3 10mg。因而，可以使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片以各種形式封裝LED芯片。相應(yīng)地，本發(fā)明提供通過本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片封裝的光半導(dǎo)體裝置。在本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置中，使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片簡單且容易地封裝光半導(dǎo)體元件。因?yàn)槭褂帽景l(fā)明的光半導(dǎo)體用封裝片抑制了在加壓成形時的樹脂泄漏，所以成形后的包裝體顯示良好的外觀且能夠合適地使用。并且，無需對樹脂泄漏部分的除去步驟，從而導(dǎo)致生產(chǎn)能力提高。實(shí)施例在下文中以如下實(shí)施例和比較例為基礎(chǔ)描述本發(fā)明，但是不應(yīng)當(dāng)理解為本發(fā)明限于這些實(shí)施例等。封裝樹脂層(封裝樹脂層構(gòu)成溶液)的制備例1將600g(0. 200摩爾)雙末端硅烷醇型硅油(商品名KF_970，由信越化學(xué)工業(yè)株式會社(Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.)制造，平均分子量3，000)和 8. 22g(40. 2 摩爾) 異丙醇鋁在室溫(25°C)下攪拌混合M小時。其后，將所獲得的混合物離心分離以除去雜質(zhì)，并將殘余物在減壓下于50°C下濃縮2小時，從而獲得聚鋁硅氧烷油。將10重量份甲基丙烯酰型硅烷偶聯(lián)劑(KBM-503，由信越化學(xué)工業(yè)株式會社制造)添加至100重量份獲得的聚鋁硅氧烷油中，并在減壓下于80°C下將混合物攪拌10分鐘，從而獲得甲基丙烯酰改性的聚鋁硅氧烷(作為不含硅石的樹脂溶液的封裝樹脂層構(gòu)成溶液A)。封裝樹脂層(封裝樹脂層構(gòu)成溶液)的制備例2向封裝樹脂層(封裝樹脂層構(gòu)成溶液)的制備例1中獲得的甲基丙烯酰改性的聚鋁硅氧烷中，以50重量％的量添加并混合硅石細(xì)粒，從而獲得含硅石的甲基丙烯酰改性的聚鋁硅氧烷(作為含硅石的樹脂溶液的封裝樹脂層構(gòu)成溶液B)。含熒光體層的制備例1向有機(jī)硅彈性體(商品名LR7665，由瓦克旭化成有機(jī)硅株式會社制造，其是二甲基硅氧烷骨架衍生物)溶液中，以40重量％的粒子濃度添加黃色熒光體(α-sialon)，并將混合物攪拌1小時。以100 μ m的厚度將所獲得的溶液涂布在聚酯膜(商品名SS4C，由 Nippa株式會社制造，厚度50μπι)上，然后在100°C下干燥10分鐘，從而獲得層疊在隔片上的含熒光體層(聚酯膜一體化的含熒光體層)。含熒光體層的制備例2按照與含熒光體層的制備例1中相同的方式獲得層疊在隔片上的含熒光體層(聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層)，所不同的是，將隔片變成聚碳酸酯膜(商品名TR膜非取向產(chǎn)品，由鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會社制造，厚度45 μ m)。實(shí)施例1(光半導(dǎo)體用封裝片)將孔尺寸為8mmX 8mm的SUS板(厚度1mm)布置在聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層上，將封裝樹脂層構(gòu)成溶液A填充在孔部分中，并用橡皮抹刀使表面平滑。其后，以布置有SUS板的狀態(tài)在100°C下進(jìn)行干燥10分鐘，然后除去SUS板，從而獲得長方體的封裝樹脂層(尺寸8mmX8mm，高度1mm)層疊在含熒光體層上的成形物。將獲得的成形物切成就底面的聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層而言的IOmmX IOmm尺寸，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合含熒光體層的底面中心，從而獲得光半導(dǎo)體用封裝片。(光半導(dǎo)體裝置)以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式將獲得的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的基板上，同時使得封裝樹脂層的中心符合LED芯片的上面中心，然后使用具有深度為Imm且尺寸為8mmX8mm的凹形狀的凹形SUS模具在160°C和0. IMPa的條件下成形5分鐘。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后依次將凹模和隔片剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例2(光半導(dǎo)體用封裝片)按照與實(shí)施例1中相同的方式制備光半導(dǎo)體用封裝片，所不同的是，使用聚酯膜一體化的含熒光體層代替聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層。(光半導(dǎo)體裝置)以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式將獲得的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的基板上，同時使得封裝樹脂層的中心符合LED芯片的上面中心，并在剝離隔片之后，在與實(shí)施例1中相同的條件下對所得物進(jìn)行成形處理。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例3(光半導(dǎo)體裝置)以使得封裝樹脂層與每個LED芯片對向的方式將六片與實(shí)施例1中相同的光半導(dǎo)體用封裝片中的每個布置在其上安裝了六個LED芯片的基板上(參見圖7)，同時使得封裝樹脂層的中心符合每個LED芯片的上面中心，然后使用具有六個各自深度為Imm且尺寸為 SmmXSmm的凹形狀的凹形SUS模具，在與實(shí)施例1中相同的條件下進(jìn)行成形。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后依次將凹模和隔片剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例4(光半導(dǎo)體裝置)
將六片與實(shí)施例2中相同的光半導(dǎo)體用封裝片中的每個布置在與實(shí)施例3中相同的基板的每個LED芯片上，并在剝離隔片之后，使用與實(shí)施例3中相同的模具對所得物進(jìn)行成形處理。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例5(光半導(dǎo)體用封裝片)將孔尺寸為20mmX31mm的SUS板(厚度1mm)布置在聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層上，將封裝樹脂層構(gòu)成溶液A填充在孔部分中，并用橡皮抹刀使表面平滑。其后，以布置有SUS板的狀態(tài)在100°C下進(jìn)行干燥10分鐘，然后除去SUS板，從而獲得長方體的封裝樹脂層(尺寸20mmX31mm，高度1mm)層疊在含熒光體層上的成形物。將獲得的成形物切成就底面的聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層而言的22mmX33mm的尺寸，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合含熒光體層的底面中心，從而獲得光半導(dǎo)體用封裝片。(光半導(dǎo)體裝置)以使得封裝樹脂層覆蓋所有六個LED芯片的方式將獲得的光半導(dǎo)體用封裝片布置在與實(shí)施例3中相同的基板上，并在與實(shí)施例1中相同的條件下，使用具有深度為Imm且尺寸為20mmX 31mm的凹形狀的凹形SUS模具，對所得物進(jìn)行成形處理。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后依次將凹模和隔片剝離， 從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例6(光半導(dǎo)體用封裝片)按照與實(shí)施例5中相同的方式制備光半導(dǎo)體用封裝片，所不同的是，使用聚酯膜一體化的含熒光體層代替聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層。(光半導(dǎo)體裝置)將獲得的光半導(dǎo)體用封裝片布置在與實(shí)施例3中相同的基板上的LED芯片上，并在剝離隔片之后，使用與實(shí)施例5中相同的模具，對所得物進(jìn)行成形處理。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后將凹模剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例7(光半導(dǎo)體用封裝片)將孔尺寸為8mm Φ的SUS板(厚度1mm)布置在聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層上，將封裝樹脂層構(gòu)成溶液A填充在孔部分中，并用橡皮抹刀使表面平滑。其后，以布置有 SUS板的狀態(tài)在100°C下進(jìn)行干燥10分鐘，然后除去SUS板，從而獲得圓柱體的封裝樹脂層 (尺寸8mm(K高度1mm)層疊在含熒光體層上的成形物。將所獲得的成形物切成就底面的聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層而言的ΙΟπιπιΦ的尺寸，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合含熒光體層的底面中心，從而獲得光半導(dǎo)體用封裝片。(光半導(dǎo)體裝置)以使得封裝樹脂層與LED芯片對向的方式將獲得的光半導(dǎo)體用封裝片布置在其上安裝了一個LED芯片的基板上，同時使得封裝樹脂層的中心符合LED芯片的上面中心，并在與實(shí)施例1中相同的條件下，使用具有深度為Imm且尺寸為8πιπιΦ的凹形狀的凹形SUS模具對所得物進(jìn)行成形。其后，使成形物靜置，直到即使當(dāng)在室溫下放置時，封裝樹脂層的形狀也不變，然后依次將凹模和隔片剝離，從而制得光半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例8(光半導(dǎo)體用封裝片)將孔尺寸為8mmX8mm的SUS板(厚度1mm)布置在聚酯膜(商品名SS4C，由 Mppa株式會社制造，厚度50μπι)上，將封裝樹脂層構(gòu)成溶液A填充在孔部分中，并用橡皮抹刀使表面平滑。其后，以布置有SUS板的狀態(tài)在100°C下進(jìn)行干燥10分鐘，然后除去 SUS板，從而獲得長方體的封裝樹脂層成形體。隨后，將聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層切成IOmmX IOmm的尺寸，然后在上面布置前述成形體，同時使得封裝樹脂層的底面中心符合含熒光體層的底面中心，接著進(jìn)行熱壓制，從而獲得光半導(dǎo)體用封裝片。(光半導(dǎo)體裝置)按照與實(shí)施例1中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是，使用上面獲得的光半導(dǎo)體用封裝片。實(shí)施例9按照與實(shí)施例1中相同的方式制備光半導(dǎo)體用封裝片，與實(shí)施例1中所不同的是， 將聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層切成12mmX12mm的尺寸，其后，按照與實(shí)施例1中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是，使用所獲得的該片。實(shí)施例10在其上安裝了一個LED芯片的基板上，滴加3mg其中共混有50重量％硅石的硅樹脂作為在LED芯片和其周圍配線上的灌封樹脂，然后在180°C下加熱干燥10分鐘以保護(hù)它們。其后，以使得封裝樹脂層與LED芯片(被灌封樹脂保護(hù)的LED芯片)對向的方式布置與實(shí)施例1中相同的光半導(dǎo)體用封裝片，從而按照與實(shí)施例1中相同的方式制得光半導(dǎo)體
直ο實(shí)施例11按照與實(shí)施例1中相同的方式制備光半導(dǎo)體用封裝片，與實(shí)施例1中所不同的是， 使用封裝樹脂層構(gòu)成溶液B (含有硅石)代替封裝樹脂層構(gòu)成溶液A (不含硅石)作為用于填充孔部分的樹脂，其后，按照與實(shí)施例1中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是， 使用所獲得的該片。實(shí)施例12按照與實(shí)施例10中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是，使用與實(shí)施例11 中相同的光半導(dǎo)體用封裝片。比較例1(光半導(dǎo)體用封裝片)以Imm的厚度將封裝樹脂層構(gòu)成溶液A涂布在聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層上，然后在100°c下干燥10分鐘。將所獲得的片切成IOmmXlOmm的尺寸，從而獲得光半導(dǎo)體用封裝片。(光半導(dǎo)體裝置)按照與實(shí)施例1中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是，使用上面獲得的光半導(dǎo)體用封裝片。
比較例2按照與實(shí)施例1中相同的方式制備光半導(dǎo)體用封裝片，與實(shí)施例1中所不同的是， 將聚碳酸酯膜一體化的含熒光體層切成SmmXSmm的尺寸并加以使用，其后，按照與實(shí)施例 1中相同的方式制造光半導(dǎo)體裝置，所不同的是，使用所獲得的該片。關(guān)于所獲得的光半導(dǎo)體裝置，按照如下試驗(yàn)例1評價特性。將結(jié)果示于表1中。試驗(yàn)例1(外觀)在成形后的各個光半導(dǎo)體裝置中，目視觀察確認(rèn)樹脂是否泄漏。將確認(rèn)樹脂泄漏的情況稱為“觀察到”，而將未確認(rèn)樹脂泄漏的情況稱為“未觀察到”。
權(quán)利要求
1.一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含 含有熒光體的含熒光體層；和含有封裝樹脂且層疊在所述含熒光體層上的封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出，且所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍。
2.一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含 含有熒光體的含熒光體層，和含有封裝樹脂且以規(guī)定的間隔層疊在所述含熒光體層的多個位置上的多個封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出，所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度的1 10倍，且相鄰封裝樹脂層之間的長度是所述封裝樹脂層厚度的2 10倍。
3.權(quán)利要求1的光半導(dǎo)體用封裝片，其中在所述含熒光體層的與封裝樹脂層層疊面相對的面上進(jìn)一步層疊有隔片。
4.一種光半導(dǎo)體裝置，其通過如下操作而獲得將權(quán)利要求1的光半導(dǎo)體用封裝片布置成使所述封裝樹脂層與光半導(dǎo)體元件對向，然后使用具有與所述封裝樹脂層相同形狀的凹形結(jié)構(gòu)的凹模進(jìn)行加壓成形。
5.權(quán)利要求2的光半導(dǎo)體用封裝片，其中在所述含熒光體層的與封裝樹脂層層疊面相對的面上進(jìn)一步層疊有隔片。
6.一種光半導(dǎo)體裝置，其通過如下操作而獲得將權(quán)利要求2的光半導(dǎo)體用封裝片布置成使所述封裝樹脂層與光半導(dǎo)體元件對向，然后使用具有與所述封裝樹脂層相同形狀的凹形結(jié)構(gòu)的凹模進(jìn)行加壓成形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光半導(dǎo)體用封裝片，其包含含有熒光體的含熒光體層；和含有封裝樹脂且層疊在所述含熒光體層上的封裝樹脂層，其中，在其間的層疊面上，所述含熒光體層的端部從所述封裝樹脂層的端部突出，且所述含熒光體層的突出長度是所述封裝樹脂層厚度1～10倍。
文檔編號H01L33/50GK102270728SQ20111015930
公開日2011年12月7日 申請日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月7日
發(fā)明者末廣一郎, 松田廣和 申請人:日東電工株式會社