專(zhuān)利名稱(chēng)：支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造及處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于支承半導(dǎo)體晶圓等被處理體的支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造及處理
直O(jiān)
背景技術(shù)：
通常，為了制造半導(dǎo)體集成電路，對(duì)由硅基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行成膜處理、 蝕刻處理、氧化處理、擴(kuò)散處理、改性處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。這些處理利用逐張?zhí)幚砭A的單片式的處理裝置、一次處理多張晶圓的分批式的處理裝置來(lái)進(jìn)行。例如在利用專(zhuān)利文獻(xiàn)1等公開(kāi)的立式的、所謂的分批式的處理裝置進(jìn)行這些處理的情況下， 首先，將半導(dǎo)體晶圓從能夠收容多張、例如2 5張半導(dǎo)體晶圓的晶圓盒移載到立式的晶圓舟皿中，并呈多層地將晶圓支承在該晶圓舟皿中。該晶圓舟皿例如也取決于晶圓規(guī)格，但能夠載置30 150張左右的晶圓。在將上述晶圓舟皿從能夠排氣的處理容器的下方搬入(加載)到該處理容器內(nèi)之后，將處理容器內(nèi)維持為氣密狀態(tài)。然后，控制處理氣體的流量、工藝壓力、工藝溫度等各種工藝條件來(lái)實(shí)施規(guī)定的熱處理。在該熱處理中，例如以成膜處理為例，作為成膜處理的方法，公知有 CVD (Chemical Vapor Deposition)法(專(zhuān)禾丨J文獻(xiàn) 2)、ALD (Atomic Layer Deposition)法。而且，出于提高電路元件的特性的目的，期望也降低半導(dǎo)體集成電路的制造工序中的熱過(guò)程，因此，即使不將晶圓暴露于那么高的溫度下，也能夠進(jìn)行目標(biāo)處理，因此，傾向于使用一邊間斷地供給原料氣體等一邊以原子級(jí)每1層 幾層地或者以分子級(jí)每1層 幾層地反復(fù)成膜的ALD法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3、4等)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平6-275608號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2004-006551號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)平6-45256號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)平11-87341號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制在支承被處理體的支承體構(gòu)造的上下的兩端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流來(lái)謀求改善所形成的薄膜的膜厚的面內(nèi)均勻性和膜質(zhì)的支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造和處理裝置。本發(fā)明是一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，多個(gè)支承部中的最上層的支承部與頂板部之間的距離以及多個(gè)支承部中的最下層的支承部與底部之間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下。利用該構(gòu)造，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果，能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。本發(fā)明是一種處理容器構(gòu)造，該處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)，用于收納要處理的多張被處理體，其特征在于，該處理容器構(gòu)造包括有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?，其下端部開(kāi)放，以利用支承體構(gòu)造支承多張被處理體的狀態(tài)收納被處理體；噴嘴收納區(qū)域，其沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的一側(cè)，用于收納氣體噴嘴；狹縫狀的排氣口，其與噴嘴收納區(qū)域相對(duì)地沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的側(cè)壁，該排氣口的上端延伸至與支承體構(gòu)造的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，該排氣口的下端延伸至與支承體構(gòu)造的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置。利用該構(gòu)造，沿水平方向流動(dòng)的氣流在支承于支承體構(gòu)造的被處理體之間的空間中不會(huì)改變方向，而保持原樣地自狹縫狀的排氣口被排出，因此，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果，能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。本發(fā)明是一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，該處理裝置包括處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，用于收納多張被處理體；蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入處理構(gòu)造內(nèi)或自處理構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴；排氣部件，其用于對(duì)處理構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣；加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)，該處理容器構(gòu)造包括有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?，其下端部開(kāi)放，以利用支承體構(gòu)造支承多張被處理體的狀態(tài)收納被處理體；噴嘴收納區(qū)域，其沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的一側(cè)，用于收納氣體噴嘴；狹縫狀的排氣口，其與噴嘴收納區(qū)域相對(duì)地沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的側(cè)壁上，該排氣口的上端延伸至與支承體構(gòu)造的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，該排氣口的下端延伸至與支承體構(gòu)造的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置；支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部，多個(gè)支承部中的最上層的支承部與頂板部之間的距離以及多個(gè)支承部中的最下層的支承部與底部之間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下。采用本發(fā)明的支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造和處理裝置，能夠發(fā)揮如下的優(yōu)良的作用效果。采用本發(fā)明，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果， 能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。采用本發(fā)明，沿水平方向流動(dòng)的氣流在支承于支承體構(gòu)造的被處理體之間的空間中不會(huì)改變方向，而保持原樣地自狹縫狀的排氣口被排出，因此，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果，能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。采用本發(fā)明，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果， 能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。


圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的處理裝置的一個(gè)例子的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示處理裝置的處理容器構(gòu)造的一部分的橫剖視圖。圖3是表示處理容器的立體圖。圖4是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第1實(shí)施例的俯視圖。圖5是表示設(shè)置于支承體構(gòu)造的蓋構(gòu)件的立體圖。圖6是表示設(shè)置在保溫臺(tái)上的空間罩構(gòu)件的立體圖。圖7是表示使用本發(fā)明進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。圖8是表示本發(fā)明的評(píng)價(jià)結(jié)果的曲線圖。圖9是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例的俯視圖。圖10是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3實(shí)施例的俯視圖。圖11是表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的處理容器構(gòu)造的示意圖。圖12是表示比較例的分批式的處理裝置的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖。圖13是表示晶圓舟皿的一個(gè)例子的主視圖。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造及處理裝置的一實(shí)施例。第1實(shí)施例圖1是表示具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的處理裝置的一個(gè)例子的剖視結(jié)構(gòu)圖，圖2 是表示處理裝置的處理容器構(gòu)造的一部分的橫剖視圖，圖3是表示處理容器的立體圖，圖4 是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第1實(shí)施例的俯視圖，圖5是表示設(shè)置于支承體構(gòu)造的蓋構(gòu)件的立體圖，圖6是表示設(shè)置在保溫臺(tái)上的空間罩構(gòu)件的立體圖。在此，以利用處理裝置進(jìn)行用于形成薄膜的成膜處理的情況為例來(lái)說(shuō)明。如圖1 所示，該處理裝置32主要具有用于收容被處理體的處理容器構(gòu)造34、用于氣密地堵塞該處理容器構(gòu)造34下端的開(kāi)口部側(cè)的蓋部36、以規(guī)定的間距支承作為被處理體的多張半導(dǎo)體晶圓W并可插入上述處理容器構(gòu)造34內(nèi)或從上述處理容器構(gòu)造34內(nèi)拔出的支承體構(gòu)造 38、用于向處理容器構(gòu)造34內(nèi)導(dǎo)入必要?dú)怏w的氣體導(dǎo)入部件40、用于對(duì)處理容器構(gòu)造34內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣的排氣部件41及用于加熱半導(dǎo)體晶圓W的加熱部件42。具體地講，上述處理容器構(gòu)造34主要由下端部開(kāi)放的有頂圓筒體狀的處理容器 44及下端部開(kāi)放并覆蓋在上述處理容器44的外側(cè)的有頂圓筒體狀的罩容器46構(gòu)成。上述處理容器44和罩容器46均由耐熱性的石英構(gòu)成，以同軸狀配置而做成雙重管構(gòu)造。在此，上述處理容器44的頂部平坦。在上述處理容器44的一側(cè)，沿著該處理容器 44的長(zhǎng)度方向形成有用于收容后述的氣體噴嘴的噴嘴收納區(qū)域48。在此，也如圖2所示， 使處理容器44的側(cè)壁的一部分朝向外側(cè)突出而形成凸部50，將該凸部50內(nèi)形成為上述噴嘴收納區(qū)域48。另外，與上述噴嘴收納區(qū)域48相對(duì)地在上述處理容器44的與該噴嘴收納區(qū)域48 相反一側(cè)的側(cè)壁沿該處理容器44的長(zhǎng)度方向(上下方向)形成有恒定寬度Ll (參照?qǐng)D3) 的狹縫狀的排氣口 52 (參照?qǐng)D3)，能夠?qū)μ幚砣萜?4內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣。在此，該狹縫狀的排氣口 52的長(zhǎng)度與上述支承體構(gòu)造38的長(zhǎng)度相同或者比上述支承體構(gòu)造38的長(zhǎng)度長(zhǎng)地分別向上下方向延伸地形成，該排氣口 52的上端延伸到位于與支承體構(gòu)造38的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，排氣口 52的下端延伸到位于與支承體構(gòu)造38的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置。具體地講，上述支承體構(gòu)造38的上端和排氣口 52的上端之間的高度方向的距離 L2在0 5mm左右的范圍內(nèi)，上述支承體構(gòu)造38的下端和排氣口 52的下端之間的高度方向的距離L3在 350mm左右的范圍內(nèi)。另外，上述寬度Ll在1 6mm左右的范圍內(nèi)，優(yōu)選在2. 5 5. Omm左右的范圍內(nèi)。上述處理容器構(gòu)造34的下端利用例如由不銹鋼構(gòu)成的圓筒體狀的歧管54支承。在該歧管54的上端部形成有凸緣部56，將上述罩容器46的下端部設(shè)置在該凸緣部56上而支承上述罩容器46的下端部。而且，在該凸緣部56與罩容器46的下端部之間夾裝0型密封圈等密封構(gòu)件58，使罩容器46內(nèi)成為氣密狀態(tài)。另外，在上述歧管54的上部?jī)?nèi)壁設(shè)有環(huán)狀的支承部60，將上述處理容器44的下端部設(shè)置在該支承部60上而支承上述處理容器44的下端部。在該歧管54的下端開(kāi)口部，夾著0型密封圈等密封構(gòu)件62氣密地安裝有上述蓋部36，將上述處理容器構(gòu)造34的下端開(kāi)口部側(cè)、即歧管54的開(kāi)口部氣密地堵塞。該蓋部36例如由不銹鋼形成。在該蓋部36的中央部，借助磁性流體密封部64貫穿設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸66。該旋轉(zhuǎn)軸 66的下部能自由旋轉(zhuǎn)地支承在由舟皿升降機(jī)構(gòu)成的升降部件68的臂68A上，利用未圖示的電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)。另外，在旋轉(zhuǎn)軸66的上端設(shè)有旋轉(zhuǎn)板70。而且，在該旋轉(zhuǎn)板70上，隔著石英制的保溫臺(tái)72載置有用于保持晶圓W的上述支承體構(gòu)造38。因而，通過(guò)使上述升降部件 68升降，蓋部36和支承體構(gòu)造38 —體地上下運(yùn)動(dòng)，能夠使該支承體構(gòu)造38插入處理容器構(gòu)造34內(nèi)或自處理容器構(gòu)造34內(nèi)拔出。上述石英制的保溫臺(tái)72具有在基座75上立起的4根支柱74(圖1及圖4中僅表示有兩根)，將上述支承體構(gòu)造38設(shè)置在該支柱74上而支承上述支承體構(gòu)造38。另外，在上述支柱74的長(zhǎng)度方向中間，以適當(dāng)間隔設(shè)有多張保溫板73。另一方面，用于向上述處理容器44內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入部件40設(shè)置于上述歧管54。具體地講，該氣體導(dǎo)入部件40具有多根、圖示例子中為3根石英制的氣體噴嘴76、 78、80。各氣體噴嘴76 80在上述處理容器44內(nèi)沿著該處理容器44的長(zhǎng)度方向設(shè)置，并且，各氣體噴嘴76 80的基端部彎曲成L字形，貫穿上述歧管54地被支承。也如圖2所示，上述氣體噴嘴76 80設(shè)置為在上述處理容器44的噴嘴收納區(qū)域 48內(nèi)沿著圓周方向成為一列。在上述各氣體噴嘴76 80中，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有多個(gè)氣體孔76A、78A、80A，能夠自各氣體孔76A 80A朝向水平方向放出各氣體。 在此，上述規(guī)定的間距被設(shè)定為與支承于支承體構(gòu)造38上的晶圓W的間距相同，并且，高度方向的位置被設(shè)定為各氣體孔76A 80A位于在上下方向上相鄰的晶圓W之間的中間的位置，從而能夠高效率地向晶圓W的空間部供給各氣體。作為在此采用的氣體，可采用原料氣體、氧化氣體和吹掃氣體，能夠一邊控制各氣體流量一邊根據(jù)需要通過(guò)上述各氣體噴嘴76 80供給氣體。在此，作為原料氣體采用四乙基甲基氨基鋯(TEMAZ)，作為氧化氣體采用臭氧，作為吹掃氣體采用N2氣體，能夠利用ALD 法形成膜。另外，不言而喻，采用的氣體種類(lèi)與要成膜的膜種相應(yīng)地進(jìn)行各種變更。另外，在上述歧管54的上部側(cè)壁的上述支承部60的上方形成有氣體出口 82，能夠經(jīng)由上述處理容器44與罩容器46之間的空間部84將從排氣口 52排出的處理容器44內(nèi)的氣氛氣體排出到系統(tǒng)外。而且，在該氣體出口 82上設(shè)有上述排氣部件41。該排氣部件41 具有連接于上述氣體出口 82的排氣通路86，在該排氣通路86上依次設(shè)有壓力調(diào)整閥88和真空泵90，能夠抽真空。在此，上述排氣口 52的寬度Ll被設(shè)定為1 6mm范圍內(nèi)的大小， 能夠高效地對(duì)處理容器44內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣。而且，覆蓋上述罩容器46的外周地設(shè)有圓筒體狀的上述加熱部件42，用于對(duì)晶圓W進(jìn)行加熱。支承體構(gòu)造的說(shuō)明接著，說(shuō)明由晶圓舟皿構(gòu)成的上述支承體構(gòu)造38。該支承體構(gòu)造38整體如上所述那樣由耐熱性的石英形成。也如圖4所示，該支承體構(gòu)造38具有位于上端部的頂板部92、 位于下端部的底部94及將這上述頂板部92和底部94連結(jié)起來(lái)并呈多層地支承上述多張晶圓W的多個(gè)支承支柱96。在此，作為支承支柱96，具有3根支承支柱96A、96B、96C(參照?qǐng)D2)，這3根支承支柱96A 96C沿著晶圓W的大致半圓弧的軌跡等間隔地配置。自未設(shè)置這些支承支柱96A 96C的另一半圓弧側(cè)移載晶圓。并且，在上述頂板部92和底部94之間連結(jié)有板狀的石英制的加強(qiáng)支柱98 (參照?qǐng)D2)，該加強(qiáng)支柱98位于上述3根支承支柱96A 96C之間的大致中央部，用于加強(qiáng)該晶圓舟皿自身的強(qiáng)度。而且，在上述3根各支承支柱96A 96C的內(nèi)周側(cè)，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距 Pi形成有用于支承晶圓W的支承部100。在此，該支承部100由支承槽101構(gòu)成，該支承槽 101由對(duì)各支承支柱96A 96C切削而形成的槽構(gòu)成。通過(guò)將晶圓W的周緣部載置在該支承槽101中，能夠呈多層地支承晶圓W。該晶圓W的直徑例如為300mm，整體能夠支承50 150張左右的晶圓W。上述間距Pl在6 16mm左右的范圍內(nèi)，在此被設(shè)定為6. 5mm左右。在此，上述頂板部92由最上層的板狀的主頂板92A和設(shè)置在該主頂板92A下方的 1個(gè)或多個(gè)板狀的副頂板92B形成。在圖4中記載有兩張副頂板92B。而且，上述主頂板 92A和各副頂板92B相互間分開(kāi)規(guī)定的間距P2，利用焊接等固定地設(shè)置。另外，上述支承部 100中的最上層的支承部100A(支承槽101A)與上述頂板部92、具體地講是最下層的副頂板92B之間也分開(kāi)間距P2。而且，上述最上層的支承部100A與上述頂板部92之間的距離被設(shè)定為上述支承部100之間的間距以下的長(zhǎng)度。具體地講，成為“間距P2 <間距P1”的關(guān)系，從而抑制了在由該晶圓舟皿構(gòu)成的支承體構(gòu)造38的上端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流。另外，為了更高效地防止產(chǎn)生氣體的湍流，優(yōu)選設(shè)定為上述間距Pl =間距P2較佳。并且，上述間距P2的下限為間距Pl的1/2，在間距P2小于間距Pl的1/2時(shí)，該部分的排氣傳導(dǎo)性變小，氣體易于流動(dòng)到晶圓W與處理容器44之間的間隙中，膜厚的面內(nèi)均勻性進(jìn)一步惡化，因此并不理想。另外，上述間距P2不必全部相同，在同一個(gè)晶圓舟皿中，作為間距P2，也可以在上述范圍內(nèi)采用不同的各種數(shù)值。另外，支承體構(gòu)造38的底部94主要由在中心形成有孔104的環(huán)狀的石英制的主底板94A及設(shè)置為堵塞該孔104的石英制的蓋構(gòu)件94B構(gòu)成。上述主底板94A如上所述那樣形成為在中心部形成有孔104的環(huán)狀，使保溫臺(tái)72的支柱74上端的凸部74A卡合在該孔104的內(nèi)周側(cè)，保持該整個(gè)支承體構(gòu)造38。另外，上述蓋構(gòu)件94B如圖5所示那樣形成， 通過(guò)設(shè)置該蓋構(gòu)件94B，來(lái)防止氣體通過(guò)主底板94A的孔104內(nèi)向下方漏出。而且，上述多個(gè)支承部100中的最下層的支承部100B與上述蓋構(gòu)件94B的上端之間分開(kāi)相當(dāng)于間距P3的距離。而且，上述最下層的支承部100B與上述底部94之間的距離被設(shè)定為上述支承部100之間的間距以下的長(zhǎng)度。具體地講，成為“間距P3 <間距P1”的關(guān)系，抑制了在由該晶圓舟皿構(gòu)成的支承體構(gòu)造38的下端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流。該間距P3 的下限為間距Pl的1/2，在間距P3小于間距Pl的1/2時(shí)，該部分的排氣傳導(dǎo)性變小，氣體易于流動(dòng)到晶圓W與處理容器44之間的間隙中，因此，膜厚的面內(nèi)均勻性進(jìn)一步惡化，因此并不理想。另夕卜，上述間距P3不必全部相同，在同一個(gè)晶圓舟皿中，作為間距P3，也可以在上述范圍內(nèi)采用不同的各種數(shù)值。另外，在上述保溫臺(tái)72最上層的保溫板73上設(shè)有如圖6所示的石英制的罩構(gòu)件 110，用于堵塞主底板94A正下方的空間。在該罩構(gòu)件110上形成有用于供上述支柱74貫穿的4個(gè)支柱孔112(圖6中僅表示有兩個(gè))。并且，在該罩構(gòu)件110上端的周邊部形成有沿水平方向延伸出的環(huán)狀的凸緣部114，盡量地將該凸緣部114的外周端與處理容器44的內(nèi)周之間縮窄，盡量抑制流動(dòng)到上述支承體構(gòu)造38的底部94的下方空間的氣體，從而防止氣體的湍流的產(chǎn)生。另外，在此，上述支承體構(gòu)造38的外周與處理容器44的內(nèi)周(除噴嘴收納區(qū)域48 之外)之間的空間部的距離L4(參照?qǐng)D2)被設(shè)定得非常窄，抑制了在該空間部中流動(dòng)的氣體流量。該距離L4的長(zhǎng)度例如在5 20mm的范圍內(nèi)，在此被設(shè)定為例如18mm左右。返回到圖1，這樣形成的處理裝置32的整體動(dòng)作利用例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的控制部件110來(lái)控制，進(jìn)行該動(dòng)作的計(jì)算機(jī)的程序存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)112中。該存儲(chǔ)介質(zhì)112例如由軟磁盤(pán)、⑶(Compact Disc)、硬盤(pán)、閃存器或者DVD等構(gòu)成。另外，在上述處理裝置中，以同時(shí)采用將處理容器44的排氣口 52的上下端設(shè)定得較長(zhǎng)的構(gòu)造和消除作為晶圓舟皿的支承體構(gòu)造38的上下端側(cè)的較大空間部的構(gòu)造這兩者的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，也可以?xún)H將上述兩構(gòu)造中的任一個(gè)構(gòu)造用于在圖12及圖13中說(shuō)明的以往的處理裝置。動(dòng)作說(shuō)明接著，對(duì)使用如上所述那樣構(gòu)成的處理裝置32進(jìn)行的成膜方法進(jìn)行說(shuō)明。在此， 反復(fù)執(zhí)行多次以恒定的供給期間呈脈沖狀地分別供給原料氣體、例如四乙基甲基氨基鋯和氧化氣體、例如臭氧的一個(gè)循環(huán)，利用ALD法形成薄膜、例如灶 膜。另外，作為吹掃氣體， 例如采用N2氣體。首先，使由載置有常溫的多張、例如50 150張的300mm規(guī)格的晶圓W的狀態(tài)的晶圓舟皿構(gòu)成的支承體構(gòu)造38從預(yù)先達(dá)到規(guī)定溫度的處理容器構(gòu)造34的處理容器44的下方上升而加載到該處理容器44內(nèi)，利用蓋部36封閉歧管54的下端開(kāi)口部，從而將容器內(nèi)密閉。然后，連續(xù)地對(duì)處理容器44內(nèi)進(jìn)行抽真空而將該處理容器44內(nèi)維持在規(guī)定的工藝壓力，并且，增大對(duì)加熱部件42的供給電力，從而使晶圓溫度上升而維持工藝溫度。自氣體導(dǎo)入部件40的氣體噴嘴76供給上述原料氣體，自氣體噴嘴78供給臭氧氣體，而且，自氣體噴嘴80供給吹掃氣體。具體地講，原料氣體自氣體噴嘴76的各氣體孔76A向水平方向噴射，臭氧氣體自氣體噴嘴78的各氣體孔78A向水平方向噴射，吹掃氣體自吹掃氣體噴嘴 80的各氣體孔80A向水平方向噴射。由此，原料氣體和臭氧氣體發(fā)生反應(yīng)，在支承于旋轉(zhuǎn)的支承體構(gòu)造38上的晶圓W的表面形成&0X薄膜。
在這種情況下，如上所述，原料氣體和氧化氣體交替地以脈沖狀反復(fù)供給，而且， 在上述兩氣體的供給期間之間設(shè)有吹掃期間，殘留氣體每次都被排出。在上述吹掃期間時(shí)， 吹掃氣流動(dòng)而促進(jìn)排出殘留氣體。自各氣體噴嘴76 80的各氣體孔76A 80A噴射出的各氣體在被呈多層地支承的各晶圓W之間向水平方向流動(dòng)，流向位于相反側(cè)的狹縫狀的排氣口 52，經(jīng)由該排氣口 52流入到處理容器44與罩容器46之間的空間部84，自此經(jīng)由氣體出口 82被排出到處理容器構(gòu)造34的外側(cè)。此時(shí)，由于上述狹縫狀的排氣口 52的截面積被設(shè)定在設(shè)有上述真空泵90的排氣通路86的截面積的1 2倍的范圍內(nèi)，因此，不會(huì)使氣體滯留在處理容器44內(nèi)，而能將其順暢地排出。而且，由于各氣體孔76A 80A與晶圓W之間的空間部對(duì)應(yīng)地配置在其水平方向的同一個(gè)水平面上，因此，各氣體不會(huì)在晶圓W之間的空間部中產(chǎn)生湍流，大致成為層流狀態(tài)地流動(dòng)。此時(shí)，在以往的晶圓舟皿中，像之前提到的參照?qǐng)D12及圖13地說(shuō)明那樣，由于在晶圓舟皿的上下端部側(cè)存在比晶圓相互間的間距Pl大的空間部30A、30B(參照?qǐng)D13)，因此，會(huì)導(dǎo)致該空間部30A、30B的氣體流速變快而產(chǎn)生湍流，但在本發(fā)明中，消除了該較大的空間部30A、30B，因此，能夠抑制產(chǎn)生氣體的湍流。具體地講，在支承體構(gòu)造38的上端部側(cè)設(shè)有由主頂板92A和副頂板92B構(gòu)成的頂板部92，而且，將上下相鄰的主頂板92A與副頂板92B之間、副頂板92B相互間的間距P2設(shè)定為晶圓W之間的間距Pl以下，因此，在該主頂板92A和副頂板92B之間、副頂板92B之間流動(dòng)的氣體流速與在晶圓W之間流動(dòng)的氣體流速大致相等，能夠抑制在該部分產(chǎn)生氣流的湍流。在這種情況下，優(yōu)選間距Pl =間距P2，但通常在支承部100A最上層的支承槽 IOlA側(cè)載置虛設(shè)晶圓，因此，上述間距P2也可以小于間距P1。這樣，能夠抑制在支承體構(gòu)造38的上端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，因此，不僅能夠提高該部分的形成在晶圓W表面的薄膜膜厚的面內(nèi)均勻性，也能夠提高該膜質(zhì)。另外，在支承體構(gòu)造38的下端部側(cè)，利用蓋構(gòu)件94B封閉構(gòu)成底部94的一部分的環(huán)狀的主底板94A中央的孔104，而且，將該蓋構(gòu)件94B的上端與最下層的支承部100B即支承槽IOlB之間的距離、即間距P3設(shè)定為晶圓W之間的間距Pl以下，因此，流入到該底部 94的下方空間的氣體大幅度減少，在蓋構(gòu)件94B與最下層的晶圓W之間流動(dòng)的氣體流速與在晶圓W之間流動(dòng)的氣體流速大致相等，能夠抑制在該部分產(chǎn)生氣流的湍流。在這種情況下，優(yōu)選間距Pl =間距P3，但通常在支承部100B最下層的支承槽 IOlB側(cè)載置虛設(shè)晶圓，因此，上述間距P3也可以小于間距P1。這樣，能夠抑制在支承體構(gòu)造38的下端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，因此，不僅能夠提高該部分的形成在晶圓W表面的薄膜膜厚的面內(nèi)均勻性，也能夠提高該膜質(zhì)。另外，特別是在該支承體構(gòu)造38的下端部側(cè)，在保溫臺(tái)72最上層的保溫板73上， 占有該部分的空間地設(shè)置罩構(gòu)件110，并且，在該罩構(gòu)件110上端的周邊部設(shè)有環(huán)狀的凸緣部114，從而能夠抑制向該凸緣部114的下方流動(dòng)的氣流，因此，能夠進(jìn)一步抑制在該區(qū)域中產(chǎn)生氣流的湍流。另外，如上所述那樣在支承體構(gòu)造38之間、晶圓W之間、頂板部92、底部94中向水平方向以層流狀態(tài)流動(dòng)的各氣體不會(huì)改變氣流的方向而保持原樣地自狹縫狀的排氣口 52順暢地排出，該排氣口 52在處理容器44的上下方向上延伸得長(zhǎng)于晶圓舟皿的上下端。因而，能夠抑制在該排氣口 52的部分產(chǎn)生氣流的湍流。結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制在支承體構(gòu)造 38的上下端側(cè)產(chǎn)生氣流的湍流。另外，在上述第1實(shí)施例中，相對(duì)于在圖13中說(shuō)明的晶圓舟皿，僅設(shè)置副頂板92B、 蓋構(gòu)件94B、罩構(gòu)件110即可，因此，不大幅度地改變裝置構(gòu)造的設(shè)計(jì)就能夠采用本發(fā)明的構(gòu)造。這樣，采用本發(fā)明，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流， 結(jié)果，能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。另外，采用本發(fā)明，在支承于支承體構(gòu)造的被處理體之間的空間中向水平方向流動(dòng)的氣流不會(huì)改變方向，而保持原樣地自狹縫狀的排氣口排出，因此，能夠抑制在處理容器構(gòu)造的上端側(cè)和下端側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流，結(jié)果，能夠防止膜厚的面內(nèi)均勻性降低，并防止膜質(zhì)降低。實(shí)驗(yàn)結(jié)果的說(shuō)明接著，使用如上所述那樣構(gòu)成的本發(fā)明進(jìn)行了成膜實(shí)驗(yàn)，因此，對(duì)該實(shí)驗(yàn)的評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示使用本發(fā)明進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。首先，針對(duì)使用之前說(shuō)明的支承體構(gòu)造(晶圓舟皿)38的處理裝置進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。 即，在該處理裝置中，使用在圖4中說(shuō)明的設(shè)有副頂板92B、蓋構(gòu)件94B、罩構(gòu)件110等而消除了晶圓舟皿的上下端部的較大空間部的支承體構(gòu)造38，對(duì)于處理容器44，使用形成有未使狹縫狀的排氣口上下延長(zhǎng)的、在圖12中說(shuō)明的排氣口 16的處理容器。圖7的(A)表示此時(shí)膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。在圖7的(A)中，橫軸表示晶圓位置，頂側(cè)表示載置在支承體構(gòu)造的上部的晶圓，底側(cè)表示載置在下部的晶圓。左側(cè)的縱軸表示膜厚的平均值，右側(cè)的橫軸表示膜厚的面內(nèi)均勻性。另外，作為比較實(shí)驗(yàn)，對(duì)于圖12及圖13所示的以往的處理裝置也進(jìn)行了同樣的實(shí)驗(yàn)，因此，也一并記載其結(jié)果。如圖7的(A)所示，對(duì)于膜厚的平均值，本發(fā)明的處理裝置和以往的處理裝置均顯示大致相同的值。相對(duì)于此，在晶圓位置5 110左右的情況下，以往的處理裝置和本發(fā)明的處理裝置的膜厚的面內(nèi)均勻性大致相同，但在直到晶圓位置1 4左右的頂側(cè)和直到晶圓位置111 118的底側(cè)，本發(fā)明的處理裝置的膜厚的面內(nèi)均勻性提高，特別是底側(cè)的改善程度較大，可明確本發(fā)明的處理裝置顯示良好的結(jié)果。接著，對(duì)使用之前說(shuō)明的將上下方向的長(zhǎng)度延長(zhǎng)了的排氣口 52的處理裝置進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。即，在該處理裝置中，像在圖3中說(shuō)明的那樣，使用將狹縫狀的排氣口 52的上下方向長(zhǎng)度設(shè)定得較長(zhǎng)的排氣口，對(duì)于晶圓舟皿，使用在圖12中說(shuō)明的在上下端部具有較大的空間部的晶圓舟皿。圖7的(B)表示此時(shí)膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。在圖7的(B)中，橫軸表示晶圓位置，頂側(cè)表示載置在支承體構(gòu)造的上部的晶圓，底側(cè)表示載置在下部的晶圓。 左側(cè)的縱軸表示膜厚的平均值，右側(cè)的橫軸表示膜厚的面內(nèi)均勻性。另外，作為比較實(shí)驗(yàn)， 對(duì)于圖12及圖13所示的以往的處理裝置也進(jìn)行了同樣的實(shí)驗(yàn)，因此，也一并記載其結(jié)果。如圖7的(B)所示，對(duì)于膜厚的平均值，本發(fā)明的處理裝置和以往的處理裝置均顯示大致相同的值。相對(duì)于此，在晶圓位置20 90左右的情況下，以往的處理裝置和本發(fā)明的處理裝置的膜厚的面內(nèi)均勻性大致相同，但在直到晶圓位置5 19左右的頂側(cè)和直到晶圓位置91 110左右的底側(cè)，本發(fā)明的處理裝置的膜厚的面內(nèi)均勻性均以相當(dāng)?shù)谋嚷侍岣?，特別是底側(cè)的改善程度較大，可明確本發(fā)明的處理裝置顯示良好的結(jié)果。接著，對(duì)于使用之前說(shuō)明的支承體構(gòu)造(晶圓舟皿)38和將上下方向的長(zhǎng)度延長(zhǎng)了的排氣口 52這兩種構(gòu)造的處理裝置進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。即，在該處理裝置中，使用在圖4中說(shuō)明的設(shè)有副頂板92B、蓋構(gòu)件94B、罩構(gòu)件110等而消除了晶圓舟皿的上下端部的較大空間部的支承體構(gòu)造38和如圖3所示那樣將上下方向的長(zhǎng)度延長(zhǎng)了的狹縫狀的排氣口 52這兩種構(gòu)造。圖7的(C)表示此時(shí)膜厚的面內(nèi)均勻性的結(jié)果。在圖7的(C)中，頂部表示載置在支承體構(gòu)造的上部的晶圓，中央表示載置在中央部的晶圓，底部表示載置在下部的晶圓。 另外，作為比較實(shí)驗(yàn)，對(duì)于圖12及圖13所示的以往的處理裝置也進(jìn)行了同樣的實(shí)驗(yàn)，因此， 也一并記載其結(jié)果。如圖7的(C)所示，相對(duì)于以往的處理裝置，在本發(fā)明的處理裝置中，膜厚的面內(nèi)均勻性整體得到了改善，特別是從中央到頂部改善的程度逐漸變大，在頂部大幅度提高，可明確本發(fā)明的處理裝置顯示良好的結(jié)果。狹縫狀的排氣口的開(kāi)口面積與排氣通路的截面積的關(guān)系及排氣口寬度的評(píng)價(jià)接著，對(duì)狹縫狀的排氣口 52的開(kāi)口面積與設(shè)有真空泵90的排氣通路86的截面積的關(guān)系及相對(duì)于狹縫狀的排氣口的寬度的氣體流速進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，因此，對(duì)其評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。在此，通過(guò)模擬對(duì)排氣口 52的開(kāi)口面積和排氣通路86的截面積之比[(排氣口的開(kāi)口面積)/(排氣通路的截面積)]進(jìn)行各種變更，求出此時(shí)膜厚的面內(nèi)均勻性。另外，狹縫狀的排氣口的寬度變化為2. 5、5.0、10. 0mm。圖8是表示本發(fā)明的評(píng)價(jià)結(jié)果的曲線圖。圖8的(A)是表示排氣口的開(kāi)口面積和排氣通路的截面積之比與膜厚的面內(nèi)均勻性的關(guān)系的曲線圖，圖8的⑶是表示排氣口的長(zhǎng)度方向的氣體流速相對(duì)于排氣口的寬度的曲線圖。如圖8的(A)所示，排氣口的寬度越寬、上述面積比越大，處理容器44內(nèi)的壓力就越低，大致接近lTorr，在這種情況下，曲線圖中雖未表示，但處于膜厚的面內(nèi)均勻性得到改善的方向。在圖8的(A)中，為了參考，表示了未設(shè)置處理容器44而僅設(shè)有罩容器46時(shí)的內(nèi)部壓力。處理壓力也可以是1. 5Τοπ·左右，因此，可明確上述面積比優(yōu)選為0. 5以上，更優(yōu)選上述面積比為處理壓力的降低達(dá)到飽和的1以上。另外，狹縫狀的排氣口 52的寬度L 1如上所述那樣優(yōu)選在1 6mm的范圍內(nèi)，例如，如圖8的(B)所示，在排氣口的寬度為10. Omm的情況下，排氣口下部的氣體流速過(guò)大， 由此導(dǎo)致膜厚的面內(nèi)均勻性變差。相對(duì)于此，在排氣口的寬度為5. Omm和2. 5mm的情況下， 能夠相當(dāng)程度地抑制排氣口下部的氣體流速，而且，排氣口的長(zhǎng)度方向上的各部的氣體流速大致均勻，能夠改善膜厚的面內(nèi)均勻性。因而，可明確在排氣口的寬度為2. 5 5. Omm的情況下更加理想。第2實(shí)施例接著，說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例。圖9是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2實(shí)施例的俯視圖。另外，對(duì)與圖4所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。在該第2實(shí)施例中，支承體構(gòu)造38的頂板部92側(cè)使用與在圖4中說(shuō)明的構(gòu)造相同的構(gòu)造，底部94側(cè)采用與上述頂板部92的構(gòu)造相同的構(gòu)造、即將頂板部92的構(gòu)造上下顛倒而成的構(gòu)造。具體地講，作為底部94的主底板，使用在中央未設(shè)置孔104(參照?qǐng)D4)的板狀的主底板94C，在底部94的背面?zhèn)仍O(shè)置可卡合支柱74的突部74A的凹部120。因而， 由于不存在上述孔104，因此，未設(shè)置蓋構(gòu)件94B(參照?qǐng)D4)，取而代之，以規(guī)定的間距P 3 設(shè)置與之前的副頂板92B相同構(gòu)造的1張或者多張副底板94D。對(duì)于該間距P3，被設(shè)定為與在之前的副頂板92B中說(shuō)明的間距P2的內(nèi)容相同。在該第2實(shí)施例的情況下，也能夠發(fā)揮與之前說(shuō)明的第1實(shí)施例的情況同樣的作用效果。第3實(shí)施例接著，說(shuō)明本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3實(shí)施例。圖10是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3實(shí)施例的俯視圖。另外，對(duì)與圖4及圖9所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。在之前的第2實(shí)施例中，支承體構(gòu)造38的頂板部92側(cè)使用副頂板92B，底部94側(cè)使用副底板94D，但并不限定于此，也可以如圖10所示，在設(shè)有副頂板92B、副底板94D的部分分別形成作為支承部100的支承槽101A，能夠在此載置晶圓W。在這種情況下，頂板部92 僅由主頂板92A構(gòu)成，底部94僅由主底板94C構(gòu)成。而且，設(shè)定為上述主頂板92A與最上層的晶圓W之間為間距P2，上述主底板94C與最下層的晶圓W之間為間距P3。在該第3實(shí)施例的情況下，也能夠發(fā)揮與之前說(shuō)明的第1及第2實(shí)施例的情況同樣的作用效果。第4實(shí)施例在之前的各實(shí)施例中，作為處理容器構(gòu)造，以?xún)?nèi)側(cè)的處理容器44和包圍該處理容器44外側(cè)的罩容器46的雙重管構(gòu)造為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，例如，如日本特開(kāi) 2008-227460號(hào)公報(bào)所示，也可以將處理容器構(gòu)造做成單管構(gòu)造，將本發(fā)明應(yīng)用于該單管構(gòu)造。圖11是表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的處理容器構(gòu)造的示意圖。在圖11中，僅記載了處理容器構(gòu)造，其他部分的記載省略。在此，在作為處理容器構(gòu)造成為單管構(gòu)造的處理容器44的一側(cè)設(shè)置沿上下方向延伸的開(kāi)口 122和覆蓋該開(kāi)口 122的劃分壁124，形成噴嘴收納區(qū)域48。另外，在與上述噴嘴收納區(qū)域48相對(duì)的相反側(cè)的容器側(cè)壁形成狹縫狀的排氣口 52，并且，覆蓋該排氣口 52地設(shè)置排氣罩構(gòu)件126。于是，將氣體從形成在該排氣罩構(gòu)件 126上方的氣體出口 82排出到系統(tǒng)外。在此，在單管構(gòu)造的處理容器構(gòu)造的情況下，也可以不使用歧管54而使用整體由石英制的處理容器構(gòu)成的形狀的構(gòu)件。將之前說(shuō)明的本發(fā)明應(yīng)用于這樣構(gòu)成的處理容器構(gòu)造，也能夠發(fā)揮與上述相同的作用效果。另外，在以上說(shuō)明的各實(shí)施例中，以&0X膜的成膜處理為例進(jìn)行了說(shuō)明，但無(wú)論要成膜的膜種如何，都能夠應(yīng)用本發(fā)明。另外，在上述各實(shí)施例中，以使用ALD法成膜的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，不言而喻，在同時(shí)流入原料氣體以及與其反應(yīng)的氣體等而利用CVD法成膜的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。另外，在上述各實(shí)施例中，對(duì)不使用等離子體進(jìn)行的成膜處理進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，在使用等離子體進(jìn)行的成膜處理的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。在這種情況下， 例如在劃分噴嘴收納區(qū)域48的凸部50的劃分壁的外側(cè)，沿著其長(zhǎng)度方向設(shè)置用于施加等離子體產(chǎn)生用的高頻電力的電極板來(lái)產(chǎn)生等離子體。另外，在上述各實(shí)施例中，作為被處理體以半導(dǎo)體晶圓為例進(jìn)行了說(shuō)明，在該半導(dǎo)體晶圓中也包含硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物的半導(dǎo)體基板，并不限定于這些基板，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置所采用的玻璃基板、陶瓷基板等。下面，說(shuō)明作為比較例的處理裝置。在此，對(duì)比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。圖12是表示比較例的分批式處理裝置的一個(gè)例子的概略結(jié)構(gòu)圖，圖13是表示晶圓舟皿的一個(gè)例子的主視圖。如圖 12所示，該分批式的處理裝置具有處理容器構(gòu)造6，該處理容器構(gòu)造6由有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?和呈同芯狀覆蓋該處理容器2的周?chē)挠许數(shù)氖⒅频恼秩萜?構(gòu)成。該處理容器構(gòu)造6的下端開(kāi)口部能夠利用蓋部8氣密地開(kāi)閉。呈多層地支承在石英制的晶圓舟皿10 上的晶圓W能夠從處理容器構(gòu)造6的下方相對(duì)于上述處理容器2插拔地收容在該處理容器 2內(nèi)。另外，在上述處理容器2內(nèi)，從其下方插入有氣體噴嘴12、14，能夠控制必要的氣體流量地從沿著各氣體噴嘴12、14的長(zhǎng)度方向設(shè)置在其上的許多個(gè)氣體孔12A、14A朝向水平方向地供給必要的氣體。在處理容器2的與上述氣體噴嘴12、14相對(duì)的側(cè)壁形成有沿上下方向延伸的狹縫狀的排氣口 16，能夠?qū)脑撆艢饪?16排出的氣體從設(shè)置在罩容器4的下部側(cè)壁的氣體出口 18排出到系統(tǒng)外。另外，在處理容器構(gòu)造6的外周側(cè)設(shè)有筒體狀的加熱器19，用于對(duì)支承在晶圓舟皿10上的晶圓W進(jìn)行加熱。上述晶圓舟皿10載置在由多根、例如4根(圖示例子中僅表示有兩根)石英制的支柱20A構(gòu)成的保溫臺(tái)20上。在此，如圖13所示，上述晶圓舟皿10具有頂板部22、底部24及將該頂板部22和底部24連結(jié)起來(lái)的多根、例如3根(在圖13中僅表示有兩根)支承支柱26。上述3根支承支柱26沿著晶圓W的大致半圓弧的軌跡等間隔地配置。而且，在該支承支柱26中，以規(guī)定的間距Pl形成有支承槽27，通過(guò)在該支承槽27 上載置晶圓W的周緣部，能夠呈多層地支承晶圓W。另外，上述頂板部22與底部24之間除了上述支承支柱26之外，還連結(jié)有石英制的加強(qiáng)支柱28。而且，上述底部24形成為在中心部形成有孔29的環(huán)狀，使保溫臺(tái)20的支柱20A的上端的凸部21卡合在該孔29的內(nèi)周側(cè)， 保持整個(gè)晶圓舟皿10。在該處理裝置中，通過(guò)自上述各氣體噴嘴12、14的氣體孔12A、14A交替地反復(fù)向水平方向噴射原料氣體和例如氧化氣體，利用ALD法在各晶圓W的表面堆積薄膜。然后，處理容器2內(nèi)的氣體從狹縫狀的排氣口 16排出，最終從設(shè)置在罩容器4的下部側(cè)壁的氣體出口 18被排出到系統(tǒng)外。但是，由于上述氣體噴嘴12、14的各氣體孔12A、14A與上下相鄰的晶圓W相對(duì)應(yīng)地形成在上下相鄰的晶圓W之間，因此，即使對(duì)于晶圓的間距Pl例如為6. 5mm左右的狹窄的晶圓之間的空間，也能夠高效地從水平方向供給各氣體。但是，如圖13所示，最上端的晶圓W與頂板部22之間的空間30A、最下層的晶圓W 與底部24之間的空間30B的上下方向?qū)挾缺辉O(shè)定得比上述間距Pl大很多，因此，在該空間部30A、30B中流動(dòng)的氣體的流速Vl與在間距Pl的晶圓W之間的空間部流動(dòng)的氣體的流速 V2之間產(chǎn)生差異，結(jié)果，會(huì)導(dǎo)致在上述空間部30A、30B中流動(dòng)的氣流產(chǎn)生湍流。特別是，由于底部24形成為環(huán)狀，因此，也會(huì)產(chǎn)生通過(guò)中央的孔29流向下方的氣流32，結(jié)果，由下方的空間部30B導(dǎo)致產(chǎn)生許多湍流。這樣產(chǎn)生氣流的湍流時(shí)，存在導(dǎo)致位于晶圓列的上端側(cè)、下端側(cè)的晶圓W的膜厚的面內(nèi)均勻性降低或者導(dǎo)致膜質(zhì)降低。另外，在以往的處理裝置中，設(shè)置在處理容器2的側(cè)壁的排氣口 16的長(zhǎng)度被設(shè)定得短于晶圓舟皿10的長(zhǎng)度。結(jié)果，在晶圓舟皿10的上端側(cè)和下端側(cè)沿水平方向流動(dòng)的氣體的氣流的流動(dòng)方向會(huì)向下方或者向上方改變，以進(jìn)行排氣，因此，此時(shí)，也會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生上述那樣的氣流的湍流。相對(duì)于此，采用本發(fā)明，能夠如上所述那樣謀求改善晶圓的膜厚的面內(nèi)均勻性和膜質(zhì)。本專(zhuān)利申請(qǐng)主張2010年6月15日提出的日本申請(qǐng)?zhí)卦傅?010-136482的優(yōu)先權(quán)。 該在先申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用而作為本說(shuō)明書(shū)的一部分。
權(quán)利要求
1.一種支承體構(gòu)造，該支承體構(gòu)造配置在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部；多個(gè)支承部中的最上層的支承部與頂板部之間的距離以及多個(gè)支承部中的最下層的支承部與底部之間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，頂板部包括最上層的板狀的主頂板和設(shè)置在主頂板的下方的至少一個(gè)板狀的副頂板；主頂板與副頂板之間的距離及/或副頂板相互間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，底部包括最下層的板狀的主底板和設(shè)置在主底板的上方的至少一個(gè)板狀的副底板； 主底板與副底板之間的距離及/或副底板相互間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下的長(zhǎng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，底部包括在中心形成有孔的環(huán)狀的主底板和設(shè)置為堵塞孔的蓋構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于， 頂板部和底部利用加強(qiáng)支柱相連結(jié)。
6.一種處理容器構(gòu)造，該處理容器構(gòu)造供處理氣體從一例朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)，用于收納要處理的多張被處理體，其特征在于，該處理容器構(gòu)造包括有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?，其下端部開(kāi)放，以利用支承體構(gòu)造支承多張被處理體的狀態(tài)收納該多張被處理體；噴嘴收納區(qū)域，其沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的一側(cè)，用于收納氣體噴嘴；狹縫狀的排氣口，其與噴嘴收納區(qū)域相對(duì)地沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的側(cè)壁上，該排氣口的上端延伸至與支承體構(gòu)造的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，該排氣口的下端延伸至與支承體構(gòu)造的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理容器構(gòu)造，其特征在于，氣體噴嘴沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置，并且在氣體噴嘴上沿氣體噴嘴的長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有多個(gè)氣體孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理容器構(gòu)造，其特征在于，狹縫狀的排氣口的開(kāi)口面積是連接有用于將處理容器內(nèi)的氣氛氣體排出的真空泵的排氣通路的截面積的0. 5倍以上，而且，狹縫狀的排氣口的寬度為6mm以下。
9.一種處理裝置，該處理裝置用于對(duì)多張被處理體實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于， 該處理裝置包括處理容器構(gòu)造，其下端部開(kāi)口，用于收納多張被處理體；蓋部，其用于堵塞處理容器構(gòu)造的下端部的開(kāi)口 ；支承體構(gòu)造，其用于支承多張被處理體，并能夠插入處理構(gòu)造內(nèi)或從處理構(gòu)造內(nèi)拔出；氣體導(dǎo)入部件，其具有用于向處理構(gòu)造內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體噴嘴； 排氣部件，其用于對(duì)處理構(gòu)造體內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行排氣； 加熱部件，其用于加熱被處理體；處理容器構(gòu)造供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)； 該處理容器構(gòu)造包括有頂?shù)氖⒅频奶幚砣萜?，其下端部開(kāi)放，以利用支承體構(gòu)造支承多張被處理體的狀態(tài)收納多張被處理體；噴嘴收納區(qū)域，其沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的一側(cè)，用于收納氣體噴嘴；狹縫狀的排氣口，其與噴嘴收納區(qū)域相對(duì)地沿著處理容器的長(zhǎng)度方向設(shè)置在該處理容器的側(cè)壁上，該排氣口的上端延伸至與支承體構(gòu)造的上端相對(duì)應(yīng)的位置以上的高度的位置，該排氣口的下端延伸至與支承體構(gòu)造的下端相對(duì)應(yīng)的位置以下的高度的位置； 支承體構(gòu)造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)的多個(gè)支承支柱； 在各支承支柱上，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部；多個(gè)支承部中的最上層的支承部與頂板部之間的距離以及多個(gè)支承部中的最下層的支承部與底部之間的距離被設(shè)定為支承部之間的間距以下。
全文摘要
本發(fā)明提供支承體構(gòu)造、處理容器構(gòu)造及處理裝置。該支承體構(gòu)造在供處理氣體從一側(cè)朝向另一側(cè)沿水平方向流動(dòng)的處理容器構(gòu)造內(nèi)支承要處理的多張被處理體(W)，包括頂板部(92)、底部(94)和多個(gè)支承支柱(96)，多個(gè)支承支柱(96)將頂板部和底部連結(jié)起來(lái)，沿著其長(zhǎng)度方向以規(guī)定的間距形成有用于支承被處理體的多個(gè)支承部(100)，并且，多個(gè)支承部中的最上層的支承部與頂板部(92)之間的距離以及多個(gè)支承部中的最下層的支承部與底部(94)之間的距離均被設(shè)定為支承部之間的間距以下的長(zhǎng)度。由此，抑制了在支承體構(gòu)造的上下的兩端部側(cè)產(chǎn)生氣體的湍流。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102290359SQ201110165910
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月15日
發(fā)明者兩角友一朗, 佐藤泉, 淺利伸二 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社