專利名稱：半導(dǎo)體元件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，特別是涉及半導(dǎo)體元件的電極構(gòu)造。
背景技術(shù)：
目前，就半導(dǎo)體元件而言，為了保護(hù)半導(dǎo)體層不受外部環(huán)境影響，往往由SiO2等透光性材料構(gòu)成的絕緣層被覆。更具體而言，如圖6所示，在設(shè)于半導(dǎo)體層120上的電極130 的上面周緣設(shè)有使與絕緣層160的密接性提高的金屬層140，且從該金屬層140的上面連續(xù)至半導(dǎo)體層120由絕緣層160被覆(覆蓋)。(參照專利文獻(xiàn)1)專利文獻(xiàn)1 日本特開平11-150301號(hào)公報(bào)但是，在安裝半導(dǎo)體元件時(shí)，因?yàn)橛葾u等金屬材料構(gòu)成的接合部件在與金屬層相接的狀態(tài)下被加熱，所以特別是在使用高溫的共晶接合時(shí)，接合部件容易向金屬層擴(kuò)散，從而金屬層的密接性降低。由此，絕緣層從電極剝離，最壞的情況下，從剝離的部分有接合部件浸入，由此，半導(dǎo)體元件可能出現(xiàn)不良。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是鑒于這樣的情況而作成的，其課題在于，提供一種半導(dǎo)體元件，能夠?qū)⒃诎雽?dǎo)體元件安裝時(shí)所使用的接合部件向密接層擴(kuò)散減輕。根據(jù)本發(fā)明，上述課題通過(guò)以下發(fā)明解決。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，其具備半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且具有第一上面和比第一上面更突出的第二上面的電極、設(shè)于所述電極的第一上面且其上面位于比所述電極的第二上面更靠所述半導(dǎo)體層側(cè)的密接層、從所述密接層的上面至所述半導(dǎo)體層為止被覆的絕緣層。由此，由于密接層從與接合部件相接的第二上面隔離開地設(shè)于第一上面，因此，能夠?qū)⒔雍喜考蛎芙訉訑U(kuò)散減輕。另外，優(yōu)選所述電極的第二上面以露出的方式使其周圍由所述絕緣層被覆。由此， 可以使電極的第二上面為與接合部件的主要的接面。因此，能夠使接合部件從第一上面向電極內(nèi)部擴(kuò)散、且進(jìn)而擴(kuò)散到附近的密接層得以防止。另外，優(yōu)選所述電極至少由從第二上面至第一上面為止連續(xù)的同一部件構(gòu)成。由此，即使接合部件從第二上面向電極內(nèi)部擴(kuò)散，也能夠防止比第一上面更突出的第二上面?zhèn)鹊碾姌O從第一上面?zhèn)鹊碾姌O剝離。另外，所述電極按照在上面視下所述第一上面包圍所述第二上面的周圍的方式配置，能夠防止絕緣層從電極剝離。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法中，所述半導(dǎo)體元件具備半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的電極、設(shè)于所述電極的第一上面的密接層、被覆所述密接層及所述半導(dǎo)體層的絕緣層，其中，所述半導(dǎo)體元件的制造方法至少具有以下工序?qū)⒃陔姌O的上面依次層疊的密接層及絕緣層按照所述電極
3的上面局部地露出的方式除去；在通過(guò)除去所形成的開口部?jī)?nèi)進(jìn)一步層疊所述電極。由此，由于從除去密接層及絕緣層到進(jìn)一步層疊電極為止在連續(xù)的工序下進(jìn)行， 因此，能夠容易地構(gòu)成具有比第一上面更突出的第二上面的電極。另外，優(yōu)選上述所露出的電極和在上述開口部?jī)?nèi)層疊的電極由同一材料構(gòu)成。因此，可以容易地使電極由第一上面和比該第一上面更突出的第二上面連續(xù)的同一材料構(gòu)成。另外，作為所述本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法，還可以如下實(shí)現(xiàn)，即具有將設(shè)于半導(dǎo)體層的電極的上面周緣除去而形成第一面的工序。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體元件及其制造方法，可以提供一種能夠使在半導(dǎo)體元件安裝時(shí)使用的接合部件向密接層擴(kuò)散得以減輕的半導(dǎo)體元件。


圖1是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的平面圖；圖2是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的圖的A-A’線的剖面圖；圖3是示意性表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的剖面圖；圖4是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的制造方法的剖面圖；圖5是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的其它制造方法的剖面圖；圖6是示意性表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件的剖面圖。標(biāo)記說(shuō)明10、110 基板20、120 半導(dǎo)體層22 η型半導(dǎo)體層24 ρ型半導(dǎo)體層26 活性層30、130 電極30a η 側(cè)電極30b ρ 側(cè)電極31b ρ側(cè)電極的延伸部32a η側(cè)電極的第一上面32b ρ側(cè)電極的第一上面34a η側(cè)電極的第二上面34b ρ側(cè)電極的第二上面40、140 密接層50透光性電極60 絕緣層70 開口部80抗蝕劑掩模
具體實(shí)施方式
下面，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體元件及實(shí)施其制造方法的方式，與圖一同進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，各圖所表示的部件的大小及位置關(guān)系有時(shí)為了明確說(shuō)明而夸張表示。另外，在以下的說(shuō)明中，對(duì)于同一名稱、符號(hào)在原則上表示相同或同質(zhì)的部件，適宜省略詳細(xì)說(shuō)明。<第一實(shí)施方式>圖1是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的平面圖。圖2是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的圖1的A-A’線的剖面線。圖4是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的制造方法的剖面圖。圖5是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的其它制造方法的剖面圖。如圖1及圖2所示，第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件至少具備基板10 ；設(shè)于基板10 的半導(dǎo)體層20 ；設(shè)于半導(dǎo)體層20上且具有第一上面32a、32b和比第一上面32a、32b更突出的第二上面;Ma、;Mb的電極30(30a、30b)；設(shè)于電極30的第一上面32a、32b且其上面位于比第二上面的34a、34b更靠半導(dǎo)體層20側(cè)的密接層40 ；從密接層40的上面至半導(dǎo)體層 20為止被覆的絕緣層60。另外，本說(shuō)明書中的“上”是指對(duì)于半導(dǎo)體層20層疊了電極30的一側(cè)，為圖2中的上方向。更具體而言，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件是發(fā)光元件，在基板10上，作為半導(dǎo)體層 20依次層疊有η型半導(dǎo)體層22、活性層26、ρ型半導(dǎo)體層Μ。另外，在半導(dǎo)體元件的上面?zhèn)仍O(shè)有一對(duì)電極30a、30b，且具備與η型半導(dǎo)體層22電連接的η側(cè)電極30a、及與ρ型半導(dǎo)體層M電連接的P側(cè)電極30b。此時(shí)，η側(cè)電極30a被設(shè)置于通過(guò)使ρ型半導(dǎo)體層M及活性層沈的一部分除去而露出的η型半導(dǎo)體層22的表面。另一方面，ρ側(cè)電極30b按照與P型半導(dǎo)體層M上的大致整個(gè)面所形成的透光性電極50的表面相接的方式設(shè)置。η側(cè)電極30a及ρ側(cè)電極30b均具有第一上面32a、32b、和比第一上面32a、32b更突出的第二上面34a、34b，以在上面視下第一上面32a、32b包圍第二上面34a、34b的周圍的方式配置。 另外，P側(cè)電極30b的第一上面的一部分31b朝向η側(cè)電極30a延伸，可以向透光性電極50 均勻供給電流。另外，在各電極的第一上面32a、32b上設(shè)置有密接層40，相比密接層40的上面，第二上面34a、34b更突出。由此，密接層40從第二上面34a、34b隔離開，設(shè)置在第一上面32a、32b上。另外，在密接層40的上面設(shè)有絕緣層60，該絕緣層60從密接層40的上面至半導(dǎo)體層20為止連續(xù)設(shè)置。第二上面34a、34b以露出的方式其周圍由絕緣層60被覆，且按照半導(dǎo)體元件安裝時(shí)使用的接合部件(未圖示)不與第一上面32a、32b直接相接的方式構(gòu)成。由此，可以防止從第二上面34a、34b向電極30的內(nèi)部擴(kuò)散的接合部件擴(kuò)散到電極30附近的密接層40。另外，第二上面34a、34b處于比密接層40上所設(shè)置的絕緣層60 的上面更低的位置。即，第二上面34a、34b構(gòu)成在絕緣層60所形成的開口部70的底面，因此，通過(guò)在開口部70內(nèi)使接合部件充分固留，可以提高接合強(qiáng)度。另外，各電極30a、30b至少由從第二上面34a、34b至第一上面32a、32b連續(xù)的同一部件構(gòu)成。由此，即使從第二上面34a、34b接合部件向電極內(nèi)部擴(kuò)散，也能夠防止比第一上面更突出的第二上面?zhèn)鹊碾姌O (突出部)從第一上面?zhèn)鹊碾姌O剝離。再有，就密接層40而言，如圖1及圖2所示，優(yōu)選在各電極的第一上面32a、32b的整面形成，但在與各電極的比第一上面32a、32b更突出且同第二上面34a、34b連結(jié)的部分相連時(shí)，在各電極的第一上面32a、32b的一部分設(shè)置也可。具有以上構(gòu)成的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件，可以減輕在安裝時(shí)使用的接合部件向密接層40擴(kuò)散。
以下，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的各構(gòu)成。(基板)基板只要是可以使氮化物外延成長(zhǎng)的部件即可，大小及厚度等沒(méi)有特別限定。作為這樣的基板的材料，列舉藍(lán)寶石(Al2O3)及尖晶石(MgAl2O4)之類的絕緣性基板、還有碳化硅(SiC)、ZnS, ZnO, Si、GaAs、金剛石、及與氮化物半導(dǎo)體晶格接合的鈮酸鋰、鎵酸釹等氧化物基板。(半導(dǎo)體層)半導(dǎo)體層至少由η型半導(dǎo)體層、活性層、ρ型半導(dǎo)體層構(gòu)成，其種類、材料沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選使用例如hxAlyGiimNa)彡X、0彡Y、X+Y彡1)等氮化稼系的半導(dǎo)體材料。(電極)電極是連接在半導(dǎo)體元件安裝時(shí)使用的焊錫等接合部件、且用于從外部向半導(dǎo)體層供給電流的部件。η側(cè)電極與η型半導(dǎo)體層電連接，ρ側(cè)電極與ρ型半導(dǎo)體層電連接。作為這樣的電極的材料，可使用Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、Cr、W、Rh、Ru、Ir、Hf、Mo、Ta等金屬材料，特別是優(yōu)選含有選自可使以Au為主成分的接合部件的擴(kuò)散減輕的Pt、Rh, Ir、Ru的至少一種。例如，電極可以使用多個(gè)這些金屬材料層疊，Pt、I h、Ir、RU等金屬材料優(yōu)選主要作為與接合部件相接的上面?zhèn)鹊膶邮褂谩Ａ硪环矫?，與半導(dǎo)體層及透光性電極的密接性優(yōu)異的Ti、Ni、Cr、W、Mo、Ta等金屬材料、及能夠高效地反射來(lái)自半導(dǎo)體層的光的Ag、Al、Pt、Rh 等金屬材料優(yōu)選作為與半導(dǎo)體層及后述的透光性電極相接的層使用。更具體而言，從半導(dǎo)體層側(cè)依次如Ti/Pt、或Ti/I h/Pt、Cr/Rh/Pt, Ag/Ti/Pt等那樣層疊金屬材料，可以將最表面的Pt層作為具有第一上面及第二上面的凸?fàn)畹膶有纬?。由此，由于可通過(guò)減輕接合部件向電極內(nèi)部及密接層的擴(kuò)散的Pt層和其之外的層(Ti、Cr、他、Ag層)分離功能，所以可以根據(jù)要求選擇最佳的金屬材料。另外，在電極的第二上面，為了提高與接合部件的接合性，也可以進(jìn)一步層疊由接合部件中包含的材料構(gòu)成的接合層。例如，在使用AuSn作為接合部件的材料的情況下，優(yōu)選使用Au作為接合層的材料。(透光性電極)透光性電極是在ρ型半導(dǎo)體層的上面的大致全面上所設(shè)置的、用于使自P側(cè)電極供給的電流在P型半導(dǎo)體層的整個(gè)面內(nèi)均勻流動(dòng)的部件。透光性電極配置于半導(dǎo)體元件的光取出面一側(cè)，優(yōu)選以導(dǎo)電性氧化物作為材料使用。雖然也可以使用金屬薄膜作為透光性電極，但由于導(dǎo)電性氧化物與金屬薄膜相比透光性優(yōu)異，所以可以將半導(dǎo)體元件制成發(fā)光效率高的發(fā)光元件。作為這樣的導(dǎo)電性氧化物，列舉包含選自Zn、^uSruMg中至少一種的氧化物、具體而言&ι0、In203、SnO2, ITO等。特別是由于ITO為在可視光(可視區(qū)域)具有高的透光性、且導(dǎo)電率較高的材料，所以適合使用。(密接層)密接層是以絕緣層不從電極剝離的方式用于使絕緣層和電極的密接性提高的部件。作為這樣的密接層的材料，只要是相對(duì)于絕緣層及電極密接性優(yōu)異的材料即可，特別優(yōu)選使用包含選自Ti、Ni、Cr、W、M0、Ta中至少一種的材料，且密接層是金屬層。再有，密接層也可以使用Ti、Ni、Cr、W、Mo、Ta等氧化物。由此，與絕緣層及電極的密接性優(yōu)異，而且，能夠減輕接合部件向密接層的擴(kuò)散。
(絕緣層)絕緣層是用于主要保護(hù)半導(dǎo)體層不受外部環(huán)境影響的部件，除接合部件相接的第二上面外，將半導(dǎo)體元件的整個(gè)上面被覆。作為這種絕緣層的材料，使用具有透光性的Si、 Ti、Ta、Zr等的氧化物、例如SiO2或ZrO2。<半導(dǎo)體元件的制造方法>關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體的制造方法，參照?qǐng)D4說(shuō)明一例。圖4是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的制造方法的剖面圖。另外，因?yàn)殛P(guān)于第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成如上述已說(shuō)明，所以省略說(shuō)明。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法至少具有在基板10上層疊半導(dǎo)體層20的第一工序(參照?qǐng)D4(a))；在半導(dǎo)體層20上層疊電極30(30a、30b)的第二工序(參照?qǐng)D4(b))； 在電極30的上面層疊密接層40的第三工序(參照?qǐng)D4 (c))；以將半導(dǎo)體層20及電極30、密接層40連續(xù)被覆的方式層疊絕緣層60的第四工序(參照?qǐng)D4(d))；將在電極30的上面依次層疊的密接層40及絕緣層60以電極30的上面局部地露出的方式除去(參照?qǐng)D4 (e))， 在通過(guò)除去所形成的開口部70內(nèi)進(jìn)一步層疊電極的第五工序(參照?qǐng)D4(f))。由此，由于從除去密接層40及絕緣層60到進(jìn)一步層疊電極為止在連續(xù)的工序下進(jìn)行，所以可以容易地構(gòu)成具有比第一上面32a、32b更突出的第二上面的34a、34b的電極 30。此時(shí)，所露出的電極和在開口部?jī)?nèi)所層疊的電極優(yōu)選由相同的材料構(gòu)成，并且半導(dǎo)體元件的電極30可以由第一上面32a、32b和比該第一上面32a、32b更突出的第二上面 34a,34b連續(xù)的同一部件容易地形成。(第一工序)第一工序是在基板10上層疊由η型半導(dǎo)體層22及發(fā)光層沈、？型半導(dǎo)體層M構(gòu)成的半導(dǎo)體層20的工序。具體而言，向由洗凈的藍(lán)寶石等構(gòu)成的異種基板的表面供給含有規(guī)定的半導(dǎo)體材料、摻雜劑等的氣體，使用MOVPE (有機(jī)金屬氣相沉積法)、HVPE (氫化物氣相外延法)、MBE (分子束外延法)、MOMBE (有機(jī)金屬分子束外延法)等氣相成長(zhǎng)裝置，使η 型半導(dǎo)體層22、發(fā)光層沈、ρ型半導(dǎo)體層M依次氣相成長(zhǎng)。(第二工序)第二工序?yàn)槭窃讦切桶雽?dǎo)體層22上層疊η側(cè)電極30a、在ρ型半導(dǎo)體層M上層疊 P側(cè)電極30b的工序。第二工序中，首先，在構(gòu)成半導(dǎo)體層20的P型半導(dǎo)體層M上形成規(guī)定形狀的抗蝕劑掩模(未圖示)。接著，從掩膜上通過(guò)RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)裝置進(jìn)行蝕刻直到η型半導(dǎo)體層的表面露出，除去抗蝕劑。其次，使用濺射裝置在半導(dǎo)體層20上成膜ITO膜。接著，以ρ型半導(dǎo)體層M上的大致全面殘留ITO膜的方式形成抗蝕劑掩模(未圖示)，之后進(jìn)行蝕刻，除去抗蝕劑。然后， 為了提高ITO膜的歐姆接觸性而進(jìn)行退火，制成透光性電極50。其次，形成將所露出的η型半導(dǎo)體層22上、及透光性電極50上的各自規(guī)定的區(qū)域空出了的抗蝕劑掩模(未圖示)。從該掩膜上利用濺射裝置成膜構(gòu)成電極30的Ti、Pt等金屬材料。此時(shí)，由于將多個(gè)金屬材料連續(xù)地成膜，所以能夠容易地構(gòu)成由多層構(gòu)成的電極 (例如Ti/Pt等)。(第三工序)
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第三工序是在層疊的電極30的上面層疊使與后述的絕緣層60的密接性提高的密接層40的工序。第三工序中，從第二工序中層疊電極時(shí)使用的掩膜上，接著利用濺射裝置將構(gòu)成密接層40的M等金屬材料成膜。然后，將抗蝕劑按其上成膜的金屬材料(Ti、Pt、 Ni等)除去。由此，在上述規(guī)定的區(qū)域?qū)盈Bη側(cè)電極30a及ρ側(cè)電極30b，且處于其上以與各電極30呈相同的平面視形狀層疊了密接層40的狀態(tài)。(第四工序)第四工序是以使半導(dǎo)體元件上的整個(gè)面被覆的方式層疊絕緣層60的工序。在第四工序中，從半導(dǎo)體元件上利用濺射裝置成膜SiA膜作為絕緣層60。(第5工序)第五工序是層疊以從第一上面32a、32b突出的方式具有第二上面34a、34b的電極 30的工序。在第五工序中，首先，將密接層40上的規(guī)定區(qū)域局部地空出的抗蝕劑掩模(未圖示)形成，對(duì)絕緣層60及密接層40進(jìn)行蝕刻，使電極30的上面露出。接著，使用相同的掩膜，在通過(guò)蝕刻形成的開口部70內(nèi)將與露出的電極30相同的金屬材料由濺射裝置成膜， 除去抗蝕劑。由此，由于從除去絕緣層60及密接層40到進(jìn)一步層疊電極為止在連續(xù)的工序下進(jìn)行，所以能夠縮短工序。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法中，為了容易理解說(shuō)明，使用一個(gè)半導(dǎo)體元件進(jìn)行了說(shuō)明，但即使是晶片(按半導(dǎo)體元件分割前)的狀態(tài)也是同樣的。例如，第四工序中，在晶片狀態(tài)下，對(duì)按半導(dǎo)體元件分割的預(yù)訂線上的半導(dǎo)體層20 進(jìn)行蝕刻，使基板10露出后，層疊壓絕緣層60。由此，與使用一個(gè)半導(dǎo)體元件的情況相同， 可以至半導(dǎo)體層20的側(cè)面為止由絕緣層60被覆。另外，不限于此，也可以在層疊絕緣體60 之后(例如第五工序之后)將晶片按半導(dǎo)體元件分割。該情況下，雖然半導(dǎo)體層的側(cè)面從絕緣層60露出，但接合部件未繞至半導(dǎo)體層的側(cè)面，能夠降低材料費(fèi)用，故而優(yōu)選。<半導(dǎo)體元件的其它制造方法>如圖5所示，也可以使用上述第三 第五工序以外的方法。另外，圖5是示意性表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的其它制造方法的剖面圖。首先，將與電極30的上面周緣對(duì)應(yīng)的區(qū)域空出了的抗蝕劑掩模80形成，從該掩膜 80上利用RIE裝置除去電極30的上面周緣(參照?qǐng)D5(a))。接著，利用濺射裝置將構(gòu)成密接層40的Ni等金屬材料成膜，除去抗蝕劑80 (參照?qǐng)D5(b))。由此，成為能夠形成具有第一上面32a、32b和比第一上面32a、32b更突出的第二上面的!34a、34b的電極30。進(jìn)而處于在電極30的第一上面32a、32b層疊有密接層40的狀態(tài)。其次，通過(guò)從半導(dǎo)體元件上利用濺射裝置將SW2膜作為絕緣體60成膜，以將半導(dǎo)體元件上的整個(gè)面被覆的方式層疊絕緣層60(參照?qǐng)D5(c))。最后，將與電極30的第二上面34a、34b相對(duì)應(yīng)的區(qū)域空出了的抗蝕劑掩模80形成，從該掩膜利用RIE裝置，以電極30的第二上面34a、34b露出的方式除去絕緣層60 (參照?qǐng)D5(d))。之后，除去抗蝕劑80。<第二實(shí)施方式>圖3是示意性表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的剖面圖。第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件，除電極30是具有擴(kuò)散減輕層37a、37b的多層構(gòu)造之外，具有與第一實(shí)施方式實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造。另外，對(duì)于相同的構(gòu)造，也有省略說(shuō)明的部分。
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本實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件至少具備基板10、半導(dǎo)體層20、電極30、密接層40、絕緣層60。在設(shè)于基板10上的半導(dǎo)體層20的上面設(shè)有電極30。電極30具有第一上面32a、 3 和比該第一上面32a、3^更突出的第二上面的34a、34b。在電極的第一上面32a、32b 上層疊有密接層40，進(jìn)而在密接層40的上面層疊有絕緣層60。該絕緣層60以電極的第二上面34a、34b露出的方式包圍周圍，將從密接層40的上面至半導(dǎo)體層20為止連續(xù)地被覆。 由此，與第一實(shí)施方式相同，能夠減輕在安裝時(shí)使用的接合部件向密接層40擴(kuò)散。另外，電極30由多個(gè)層構(gòu)成，具體而言從半導(dǎo)體層20側(cè)開始依次至少層疊擴(kuò)散減輕層37a、37b和具有第一上面的及第二上面的凸?fàn)畹膶?6a、36b。由此，即使接合部件從第二上面34a、34b向電極內(nèi)部擴(kuò)散，也能夠通過(guò)其下的擴(kuò)散減輕層37a、37b防止接合部件擴(kuò)散至與半導(dǎo)體層20或透光性電極50的接面。因此，能夠防止電極30、和半導(dǎo)體層20或透光性電極50的歐姆接觸性損害、或者最差的情況即電極30從半導(dǎo)體層20或透光性電極 50錄Ij離。另外，本實(shí)施方式的電極30可以在擴(kuò)散減輕層37a、37b、和半導(dǎo)體層20或透光性電極50之間層疊反光層38a、38b。作為這樣的反光層38a、38b，可以使用能夠高效地反射來(lái)自半導(dǎo)體層20的光的Ag、Al、Pt、Rh等金屬材料。另外，在電極30的第二上面34a、34b，為了提高與接合部件的接合性，也可以進(jìn)一步層疊由包含于接合部件的材料構(gòu)成的接合層(未圖示)。例如，在使用AnSn作為接合部件的材料的情況下，優(yōu)選使用Au作為接合層的材料。(擴(kuò)散減輕層)擴(kuò)散減輕層是構(gòu)成電極的一個(gè)層，且是用于以在半導(dǎo)體元件安裝時(shí)使用的接合部件在電極內(nèi)部不擴(kuò)散的方式減輕擴(kuò)散的部件。本實(shí)施方式的擴(kuò)散減輕層被層疊于比具有第一上面及第二上面的凸?fàn)畹膶痈堪雽?dǎo)體層側(cè)，但不限于此，例如也可以層疊于比凸?fàn)顚痈可厦鎮(zhèn)?。作為這樣的擴(kuò)散減輕層的材料，可以使用選自Ti、Ni、Cr、W、Mo、Ta等中至少的金屬材料。<其他實(shí)施方式>(A)在上述實(shí)施方式中，在η側(cè)電極30a的第一上面3 上設(shè)置密接層40，并且在 P側(cè)電極30b的第一上面32b上設(shè)置密接層40，但并不限定于此。密接層僅在第一上面3 及第一上面32b的一方設(shè)置也可。(B)在上述實(shí)施方式中，第二上面34a、34b位于比絕緣層60的上面更靠半導(dǎo)體層 20側(cè)，但并不限定于此。絕緣層60的上面位于比第二上面34a、34b更靠半導(dǎo)體層20側(cè)也可，是與第二上面:34a、;Mb同一面也可。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的半導(dǎo)體元件，除了用于一般照明外，還可以用于導(dǎo)航系統(tǒng)的背光燈、汽車的頭燈、信號(hào)機(jī)、大型顯示器等各種光源。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體元件，具備 半導(dǎo)體層；電極，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上密接層，其設(shè)置在所述電極的第一上面，且其上面位于比所述電極的第二上面更靠所述半導(dǎo)體層側(cè)；絕緣層，其從所述密接層的上面被覆至所述半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，所述電極的第二上面以露出的方式使其周圍由所述絕緣層被覆。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體元件，其中，所述電極至少由從第二上面至第一上面為止連續(xù)的同一部件構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件，其中，所述電極按照在上面視下所述第一上面包圍所述第二上面的周圍的方式配置。
5.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，所述半導(dǎo)體元件具備半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的電極、設(shè)于所述電極的第一上面的密接層、被覆所述密接層及所述半導(dǎo)體層的絕緣層，其中，所述半導(dǎo)體元件的制造方法具有以下工序?qū)⒃陔姌O的上面依次層疊的密接層及絕緣層按照所述電極的上面局部地露出的方式除去，在通過(guò)除去所形成的開口部?jī)?nèi)進(jìn)一步層疊所述電極。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述露出的電極及所述開口部?jī)?nèi)層疊的電極由相同的材料構(gòu)成。
7.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，所述半導(dǎo)體元件具備半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的電極、設(shè)于所述電極的第一上面的密接層、被覆所述密接層及所述半導(dǎo)體層的絕緣層，其中，所述半導(dǎo)體元件的制造方法具有將在半導(dǎo)體層所設(shè)置的電極的上面周緣除去來(lái)形成第一面的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，可以將在半導(dǎo)體元件安裝時(shí)所使用的接合部件向密接層擴(kuò)散減輕。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件具備半導(dǎo)體層；設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的電極；設(shè)于所述電極的第一上面且其上面位于比所述電極的第二上面更靠所述半導(dǎo)體層側(cè)的密接層；從密接層的上面至半導(dǎo)體層為止被覆的絕緣層。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102315351SQ20111017487
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
發(fā)明者井上史大, 榎村惠滋 申請(qǐng)人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社