專利名稱：絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法。
背景技術(shù)：
絕緣柵雙極晶體管(InsulateGate Bipolar Transistor, IGBT),是新型的大功率器件，它集場效應晶體管(MOSFET)柵極電壓控制特性和雙極型晶體管低導通電阻特性于一身，改善了器件耐壓和導通電阻相互牽制的情況，具有高電壓、大電流、高頻率、功率集成密度高、輸入阻抗大、導通電阻小、開關(guān)損耗低等優(yōu)點，在 變頻家電、工業(yè)控制、電動及混合動力汽車、新能源、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域獲得了廣泛的應用空間。IGBT具有高電壓特性的一個重要前提條件是需要具有優(yōu)良的終端保護結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有的終端保護結(jié)構(gòu)包括場板結(jié)構(gòu)、場限環(huán)(FLR)結(jié)構(gòu)、場限環(huán)結(jié)合場板結(jié)構(gòu)、結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)和橫向變摻雜(VLD)結(jié)構(gòu)。目前廣泛用于中高壓(2500V及其以上)IGBT終端保護結(jié)構(gòu)的主要是場限環(huán)(FLR)和結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的場限環(huán)(FLR)結(jié)構(gòu)如圖I所示，由圖可知，該IGBT的終端保護結(jié)構(gòu)包括內(nèi)圈的分壓保護區(qū)101和外圈的截止保護環(huán)102。當偏壓加在集電極103上時，隨著所加偏壓的增大，耗盡層沿著主結(jié)104向第一場限環(huán)105(或第二場限環(huán)106)的方向向外延伸。主結(jié)104和第一場限環(huán)105之間的距離可以這樣設置在主結(jié)104雪崩擊穿之前，第一場限環(huán)105穿通，這樣就減小了主結(jié)104附近的最大電場，偏壓的繼續(xù)增加由第一場限環(huán)105承擔，直到耗盡層穿通了第二場限環(huán)106。但是，在由場限環(huán)作為終端保護結(jié)構(gòu)的IGBT器件中，場限環(huán)面積占芯片總面積的比例較大，從而使得芯片總面積較大，增加了芯片的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法，該終端保護結(jié)構(gòu)在保證擊穿電壓和可靠性的同時，占芯片總面積的比例較小，從而可減小芯片的面積，降低芯片的制造成本。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案—種絕緣柵雙極晶體管終端,該絕緣柵雙極晶體管終端包括漂移區(qū)；位于漂移區(qū)內(nèi)的終端保護結(jié)構(gòu)；其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。優(yōu)選的，上述終端還包括位于所述漂移區(qū)上、覆蓋分壓溝槽的場板。優(yōu)選的，所述場板為半絕緣多晶硅層。優(yōu)選的，所述場板包括下層的氧化硅層；上層的金屬層或半絕緣多晶硅層。
優(yōu)選的，所述分壓溝槽內(nèi)包括通過離子注入工藝在分壓溝槽的底部及側(cè)壁形成的輕摻雜區(qū)；位于所述輕摻雜區(qū)上、溝槽內(nèi)部的絕緣層。優(yōu)選的，在絕緣柵雙極晶體管終端中，與主結(jié)相鄰的分壓溝槽的深度大于所述主結(jié)的深度。優(yōu)選的，所述分壓溝槽的數(shù)量為多個，且沿著主結(jié)指向截止環(huán)的方向所述多個分壓溝槽的深度逐漸變淺、寬度逐漸變窄。本發(fā)明還提供了一種絕緣柵雙極晶體管終端制作方法，該方法包括
采用輕摻雜的硅襯底作為漂移區(qū)；在所述漂移區(qū)內(nèi)形成終端保護結(jié)構(gòu)；其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。優(yōu)選的，上述方法還包括在所述漂移區(qū)上形成覆蓋分壓溝槽的場板。優(yōu)選的，在所述漂移區(qū)內(nèi)形成分壓溝槽采用干法刻蝕工藝。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管終端包括漂移區(qū)；位于漂移區(qū)內(nèi)的終端保護結(jié)構(gòu)；其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管終端，在主結(jié)與截止環(huán)之間設置有分壓溝槽，所述分壓溝槽截斷主結(jié)曲面的結(jié)彎曲，消除電場集中，提高擊穿電壓。同時由于分壓溝槽以溝槽的形式存在于漂移區(qū)內(nèi)，因此，這種結(jié)構(gòu)相比場限環(huán)結(jié)構(gòu)來說，可大大減小終端保護結(jié)構(gòu)的面積，進而可減小芯片的總面積，降低芯片的制造成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的一種場限環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例所提供的一種絕緣柵雙極晶體管終端的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的一種結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為本發(fā)明實施例所提供的另一種絕緣柵雙極晶體管終端的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例所提供的一種絕緣柵雙極晶體管終端制作方法的流程示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
實施例一參考圖2，圖2為本發(fā)明實施例所提供的一種絕緣柵雙極晶體管終端的結(jié)構(gòu)示意圖，該絕緣柵雙極晶體管終端包括漂移區(qū)302 ;位于漂移區(qū)302正面內(nèi)的終端保護結(jié)構(gòu)309 ;位于漂移區(qū)302背面內(nèi)的集電極區(qū)303。所述漂移區(qū)302是輕摻雜的第一導電類型的半導體，所述集電極區(qū)303是重摻雜的第二導電類型的半導體。本實施例中所述第一導電類型的半導體與第二導電類型的半導體的摻雜類型相反。所述終端保護結(jié)構(gòu)309包括內(nèi)圈的分壓保護區(qū)305和外圈的截止環(huán)306 ;其中，所述內(nèi)圈的分壓保護區(qū)305包括主結(jié)307和分壓溝槽310，所述分壓溝槽310位于主結(jié)307朝向截止環(huán)306方向的一側(cè)；所述主結(jié)307為重摻雜的第二導電類型的半導體，所述截止環(huán)306為重摻雜的第一導電類型的半導體。所述分壓溝槽310的數(shù)量可以為一個，也可以為多個；當分壓溝槽310的數(shù)量為多個時，通過設置可以使得沿著主結(jié)307指向截止環(huán)306方向的所述多個分壓溝槽的深度逐漸變淺、寬度逐漸變窄，圖2中示出了三個分壓溝槽310，且這三個分壓溝槽310自左向右深 度和寬度均依次減小。對于與主結(jié)307相鄰的分壓溝槽310，應保證其深度大于所述主結(jié)307的深度，這樣，與主結(jié)307相鄰的分壓溝槽310可截斷主結(jié)307曲面的結(jié)彎曲，從而可消除電場集中，提高擊穿電壓。本發(fā)明實施例中所述分壓溝槽310可通過干法刻蝕工藝來形成，分壓溝槽310形成后，首先通過離子注入工藝在分壓溝槽310的底部及側(cè)壁形成輕摻雜區(qū)304，所述輕摻雜區(qū)304為第二導電類型的半導體，且所述輕摻雜區(qū)304的厚度較薄，約為2 y m，輕摻雜區(qū)304的形狀猶如一個縱向的結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)；之后在所述分壓溝槽310內(nèi)的輕摻雜區(qū)304上形成絕緣層308，該絕緣層308填充滿整個分壓溝槽310，所述絕緣層308可以為二氧化硅或低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)。通過在分壓溝槽310內(nèi)形成輕摻雜區(qū)304及絕緣層308，使得該分壓溝槽310比硅材料能承受更大的峰值電場，從而可以大大提高器件的擊穿電壓。本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，其可以承受2500V及其以上的電壓，因此，也可稱此器件為中高壓IGBT。本發(fā)明所提供的中高壓IGBT終端，由于采用了分壓溝槽來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的場限環(huán)(FLR)結(jié)構(gòu)，而所述分壓溝槽是以在漂移區(qū)內(nèi)形成溝槽為前提條件的，因此，分壓溝槽結(jié)構(gòu)比場限環(huán)(FLR)結(jié)構(gòu)在器件橫向上所占面積要小，從而可減小中高壓IGBT的終端保護結(jié)構(gòu)的面積，減小終端保護結(jié)構(gòu)占芯片總面積的比重，因此，芯片的面積得以減小，芯片的制造成本得以降低。而且，通過在分壓溝槽內(nèi)形成輕摻雜區(qū)及絕緣層，可使得該中高壓IGBT具有較聞的擊穿電壓。實施例背景技術(shù)：
中對IGBT終端保護結(jié)構(gòu)為場限環(huán)(FLR)的結(jié)構(gòu)進行了詳細描述，所述場限環(huán)結(jié)構(gòu)除了具有占芯片總面積的比重較大的缺點外，其還極易受界面不穩(wěn)定性和氧化層(圖I中場限環(huán)上的部分)界面電荷的影響，進而影響器件的擊穿電壓及高壓下的可靠性。而且，除了所述場限環(huán)結(jié)構(gòu)易受表面電荷的影響外，結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)也有此缺點。參考圖3，圖3為傳統(tǒng)的IGBT器件中結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)的示意圖，圖中示出了重摻雜的主結(jié)201，以及位于所述主結(jié)201附近通過離子注入或擴散工藝而形成的輕摻雜的分壓區(qū)202。當IGBT器件耐壓工作時全部耗盡，耗盡層沿著結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)表面向外擴展，大大提高了擊穿電壓。但是，JTE結(jié)構(gòu)仍然存在容易受表面電荷影響的缺點，因此，所述JTE結(jié)構(gòu)也會影響IGBT器件的擊穿電壓和可靠性?；诖?，本實施例提供一種絕緣柵雙極晶體管終端，以解決傳統(tǒng)的FLR和JTE結(jié)構(gòu)易受表面電荷影響的問題，從而提高IGBT器件的擊穿電壓和可靠性。參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例所提供的另一種絕緣柵雙極晶體管終端的結(jié)構(gòu)示意圖，該絕緣柵雙極晶體管終端在實施例一中所述結(jié)構(gòu)(參見圖2)的基礎(chǔ)上，還包括位于所述漂移區(qū)302上、覆蓋分壓溝槽310的場板301。所述場板301的長度應滿足能夠覆蓋所有的分壓溝槽310，對于其是否覆蓋截止環(huán)306，并無特別限制。所述場板可以為單級場板，也可以為多級場板。本實施例中所述場板301為單級場板，其可以包括半絕緣多晶硅層(SIPOS);或者下層的氧化硅層，上層的金屬層或半絕緣 多晶硅層。所述半絕緣多晶硅層是采用低壓增強型化學氣相沉積(PECVD)方法通過摻氧或摻氮而制成的，其厚度可以控制在I U m 2 y m之間。由于SIPOS具有高阻性，SIPOS場板可以屏蔽界面電荷，改善表面電場，同時起到鈍化作用，在保證IGBT器件高擊穿電壓的同時，提高了器件的可靠性。當所述場板為多級場板時，其可以包括下層的多晶硅層；上層的金屬層；中間用于隔離多晶硅層與金屬層的絕緣層；而且，所述多晶硅層與器件終端保護結(jié)構(gòu)表面也應該以絕緣層來隔開；各氧化層的厚度以及多晶硅層和金屬層的長度都需要根據(jù)制造工藝優(yōu)化以達到高擊穿電壓和高可靠性的要求。多級場板結(jié)構(gòu)可以改善器件表面電場集中的現(xiàn)象。本發(fā)明實施例所提供的IGBT終端，由于設置有場板，所述場板可以屏蔽終端保護結(jié)構(gòu)表面的電荷，進而改善表面電場，同時起到鈍化作用，因此，在保證IGBT器件高擊穿電壓的同時，提高了器件的可靠性。故，相比傳統(tǒng)的場限環(huán)結(jié)構(gòu)或結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)來說，本發(fā)明所提供的IGBT終端，不易受界面電荷的影響，因此能夠在保證IGBT器件高擊穿電壓的同時，提高器件的可靠性。實施例三上面詳細描述了本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管終端，下面具體介紹該終端的制作方法。參考圖5，圖5為本發(fā)明實施例所提供的一種絕緣柵雙極晶體管終端制作方法的流程示意圖，該方法具體包括如下幾個步驟步驟SI :采用輕摻雜的硅襯底作為漂移區(qū)。利用現(xiàn)有的輕摻雜的硅襯底作為制作該IGBT終端的漂移區(qū)，以后的工藝步驟均是在該硅襯底內(nèi)或硅襯底上來實現(xiàn)。步驟S2 :在所述漂移區(qū)內(nèi)形成終端保護結(jié)構(gòu)；其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。該步驟由可包括如下幾個步驟步驟S21 :在所述漂移區(qū)內(nèi)形成主結(jié)。通過離子注入工藝在漂移區(qū)正面內(nèi)形成重摻雜的主結(jié)，所述主結(jié)的導電類型與漂移區(qū)的導電類型相反。所述主結(jié)位于該終端保護結(jié)構(gòu)的內(nèi)部區(qū)域。步驟S22 :在所述漂移區(qū)內(nèi)形成截止環(huán)。
通過離子注入工藝在漂移區(qū)正面內(nèi)形成重摻雜的截止環(huán)，所述截止環(huán)的導電類型與漂移區(qū)的導電類型相同。所述截止環(huán)位于該終端保護結(jié)構(gòu)的外圍區(qū)域。步驟S23 :在所述漂移區(qū)內(nèi)主結(jié)與截止環(huán)之間形成分壓溝槽。首先通過干法刻蝕工藝在漂移區(qū)內(nèi)主結(jié)與截止環(huán)之間刻蝕出溝槽，所形成的溝槽的個數(shù)可以為一個或多個，且對于多個溝槽的情況，應控制所述多個溝槽的寬度及深度沿主結(jié)向截止環(huán)的方向呈逐漸減小梯度。而且，對于與主結(jié)相鄰的溝槽，應通過控制刻蝕時間使得溝槽的深度大于所述主結(jié)的深度，這樣，該溝槽就能截斷主結(jié)曲面的結(jié)彎曲，從而可消 除電場集中，提高擊穿電壓。之后通過離子注入工藝在溝槽底部及側(cè)壁形成很薄的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的導電類型與漂移區(qū)的導電類型相反，且所述輕摻雜區(qū)的厚度約為2 ym，輕摻雜區(qū)如同一個縱向的結(jié)終端延伸(JTE)結(jié)構(gòu)。最后通過化學氣相沉積工藝在溝槽內(nèi)的輕摻雜區(qū)上形成絕緣層，所述絕緣層填充滿整個溝槽，所述絕緣層可以為二氧化硅或低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)等。最終形成的溝槽結(jié)構(gòu)比硅襯底能承受更大的峰值電場，從而可以大大提高器件的擊穿電壓，故該溝槽結(jié)構(gòu)也稱為分壓溝槽。步驟S3 :在所述漂移區(qū)上形成覆蓋分壓溝槽的場板。本步驟中所形成的覆蓋分壓溝槽的場板可以為單級場板或多級場板。單級場板可以為半絕緣多晶硅層，具體工藝可以為采用低壓增強型化學氣相沉積(PECVD)方法通過摻氧或摻氮而制成的，其厚度可以控制在I Pm 2 之間。單級場板也可以包括下層的氧化硅層；上層的金屬層或半絕緣多晶硅層。多級場板可以包括由下至上依次形成的第一絕緣層、多晶硅層、第二絕緣層和金屬層。步驟S4 :在所述漂移區(qū)背面內(nèi)形成集電極區(qū)。通過離子注入工藝在所述漂移區(qū)背面內(nèi)形成重摻雜的集電極區(qū)，所述集電極區(qū)的導電類型與漂移區(qū)的導電類型相反。所述漂移區(qū)背面是相對漂移區(qū)正面而言，所述終端保護結(jié)構(gòu)形成于漂移區(qū)正面。本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管終端制作方法，通過干法刻蝕工藝在漂移區(qū)內(nèi)形成溝槽，并在溝槽內(nèi)形成輕摻雜區(qū)及絕緣層，這種分壓溝槽結(jié)構(gòu)相對場限環(huán)結(jié)構(gòu)來說，可減小IGBT的終端保護結(jié)構(gòu)的面積，減小終端保護結(jié)構(gòu)占芯片總面積的比重，因此，可使芯片的面積減小，進而降低生產(chǎn)成本。而且，該方法中在形成終端保護結(jié)構(gòu)后，在所述終端保護結(jié)構(gòu)表面上形成了場板，所述場板的形成可減小終端保護結(jié)構(gòu)受界面電荷的影響，因此能夠在保證IGBT器件高擊穿電壓的同時，提高器件的可靠性。再有，傳統(tǒng)的具有場限環(huán)(FLR)結(jié)構(gòu)的IGBT，其擊穿電壓的大小與場限環(huán)的間距、結(jié)深、寬度及個數(shù)等都有很大的關(guān)系，因此，其在制作過程中所需考慮的因素較多，從而使得制作過程復雜。而本發(fā)明所提供的IGBT終端制作方法，無需考慮太多因素，制作過程相對簡單。本發(fā)明實施例中對絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法的描述各有側(cè)重點，各實施例之間相關(guān)、相似之處可相互參考。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一、致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，包括 漂移區(qū)； 位于漂移區(qū)內(nèi)的終端保護結(jié)構(gòu)； 其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，還包括 位于所述漂移區(qū)上、覆蓋分壓溝槽的場板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，所述場板為半絕緣多晶娃層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，所述場板包括 下層的氧化硅層； 上層的金屬層或半絕緣多晶硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，所述分壓溝槽內(nèi)包括 通過離子注入工藝在分壓溝槽的底部及側(cè)壁形成的輕摻雜區(qū)； 位于所述輕摻雜區(qū)上、溝槽內(nèi)部的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，與主結(jié)相鄰的分壓溝槽的深度大于所述主結(jié)的深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵雙極晶體管終端，其特征在于，所述分壓溝槽的數(shù)量為多個，且沿著主結(jié)指向截止環(huán)的方向所述多個分壓溝槽的深度逐漸變淺、寬度逐漸變窄。
8.—種絕緣柵雙極晶體管終端制作方法，其特征在于，包括 采用輕摻雜的硅襯底作為漂移區(qū)； 在所述漂移區(qū)內(nèi)形成終端保護結(jié)構(gòu)； 其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括 在所述漂移區(qū)上形成覆蓋分壓溝槽的場板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述漂移區(qū)內(nèi)形成分壓溝槽采用干法刻蝕工藝。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種絕緣柵雙極晶體管終端及其制作方法。該所述終端保護結(jié)構(gòu)包括漂移區(qū)；位于漂移區(qū)內(nèi)的終端保護結(jié)構(gòu)；其中，所述終端保護結(jié)構(gòu)包括主結(jié)、截止環(huán)及位于所述主結(jié)與截止環(huán)之間的分壓溝槽。本發(fā)明所提供的絕緣柵雙極晶體管終端，在主結(jié)與截止環(huán)之間設置有分壓溝槽，所述分壓溝槽截斷主結(jié)曲面的結(jié)彎曲，消除電場集中，提高擊穿電壓。同時由于分壓溝槽以溝槽的形式存在于漂移區(qū)內(nèi)，因此，這種結(jié)構(gòu)相比場限環(huán)結(jié)構(gòu)來說，可大大減小終端保護結(jié)構(gòu)的面積，進而可減小芯片的總面積，降低芯片的制造成本。
文檔編號H01L21/331GK102856352SQ20111017552
公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者朱陽軍, 田曉麗, 盧爍今, 吳振興 申請人:中國科學院微電子研究所