專利名稱：絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件領(lǐng)域，特別涉及ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
隨著半導體技術(shù)的發(fā)展和器件特征尺寸(⑶，Critical Dimension)的不斷減小，常規(guī)的MOS場效應晶體管所面對的挑戰(zhàn)也越來越嚴峻。對于常規(guī)的MOS場效應晶體管，載流子在溝道中的運動方式主要包括漂移、擴散和散射。為了提高載流子遷移率，當前一大主流技術(shù)是應變硅技術(shù)，主要是對MOS晶體管的溝道區(qū)域引入應力，如張應カ或壓應力，從而改變溝道區(qū)域的晶格結(jié)構(gòu)，改善載流子輸運效率。
但是，隨著器件尺寸的進ー步減小，MOS場效應晶體管的溝道長度變得非常的小，載流子在短距離的溝道晶格中的彈射運動越來越顯著，使得應變硅技術(shù)也將遭遇到瓶頸，無論是載流子的遷移率還是電流密度都將受到顯著的影響。因此，需要一種新的半導體器件結(jié)構(gòu)以滿足エ藝發(fā)展的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管及其驅(qū)動方法，以滿足半導體エ藝發(fā)展的需要。為解決上述問題，本發(fā)明提供了ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，包括第一柵介質(zhì)層，具有相對的第一表面和第二表面；第一柵電極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第一表面上；收集極和發(fā)射極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第二表面上、所述第一柵電極的兩側(cè)，所述收集極和發(fā)射極彼此絕緣且二者之間具有空隙?？蛇x地，所述發(fā)射極和收集極之間的間距為0. Inm至lOOnm?？蛇x地，所述第一柵介質(zhì)層的厚度為0. Inm至50nm?？蛇x地，所述第一柵介質(zhì)層的材料為Si02、SiON, Si3N4, ZrO2, HfO2, A1203、HfSiO、HfAlO、HfSiON、HfAlSiO、HfTaSiO其中之一或它們的任意組合?？蛇x地，所述絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管還包括第二柵介質(zhì)層和第二柵電極，所述收集極和發(fā)射極位于所述第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層之間，所述第二柵電極位于所述第二柵介質(zhì)層的相對于所述收集極和發(fā)射極的另一側(cè)上并位于所述收集極和發(fā)射極之間?？蛇x地，所述第二柵介質(zhì)層的厚度為0. Inm至50nm?？蛇x地，所述第二介質(zhì)層的材料為Si02、SiON, Si3N4, ZrO2, HfO2, A1203、HfSiO、HfAlO、HfSiON、HfAlSiO、HfTaSiO 或其組合?？蛇x地，所述第一柵電極嵌于半導體襯底內(nèi)?？蛇x地，所述收集極和發(fā)射極嵌于半導體襯底內(nèi)?？蛇x地，所述收集極和發(fā)射極的材料為金屬、半導體材料或?qū)щ姷募{米材料。
可選地，所述收集極和發(fā)射極的材料為鑰(Mo)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、氧化銦錫(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、硅(Si)、鍺(Ge)、硅鍺(SiGe)、碳納米管(CNT)或石墨烯(wapheneノ?？蛇x地，所述發(fā)射極靠近所述收集極一端的形狀為針尖形或多個并聯(lián)的針尖形?？蛇x地，所述收集極靠近所述發(fā)射極一端的形狀為針尖形、多個并聯(lián)的針尖形、長方形或凹槽形。可選地，所述空隙中填充有空氣或者為真空。本發(fā)明還提供了上述任ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的驅(qū)動方法，包括在所述發(fā)射極和收集極之間施加驅(qū)動電壓，以產(chǎn)生所述發(fā)射極和收集極之間的場發(fā)射電流； 在所述第一柵電極或第二柵電極上施加柵極電壓，改變所述發(fā)射極與收集極之間的等效電場，以調(diào)節(jié)所述場發(fā)射電流的開關(guān)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實施例有如下優(yōu)點本發(fā)明實施例提供了ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，包括第一柵介質(zhì)層、第一柵電極、收集極和發(fā)射極，其中第一柵電極位于第一柵介質(zhì)層的第一表面上，收集極和發(fā)射極位于第一柵介質(zhì)層的第二表面上、第一柵電極的兩側(cè)，收集極和發(fā)射極彼此絕緣且二者之間具有空隙。在其驅(qū)動方法中，在收集極和發(fā)射極之間施加驅(qū)動電壓，使得發(fā)射極向收集極發(fā)射電子，產(chǎn)生場發(fā)射電流，并在第一柵電極上施加柵極電壓，控制發(fā)射極到收集極的電子發(fā)射方向，以調(diào)節(jié)場發(fā)射電流的開關(guān)或者大小，從而實現(xiàn)類似于常規(guī)MOS場效應晶體管的功能。本實施例利用第一柵電極來控制發(fā)射極至收集極的橫向場發(fā)射，擺脫了常規(guī)MOS場效應晶體管中溝道區(qū)域的晶格結(jié)構(gòu)對載流子輸運的限制，能夠滿足エ藝發(fā)展的需要，而且具有更快的響應速度。進ー步的，本實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管還包括第二柵介質(zhì)層和第二柵電極，所述收集極和發(fā)射極位于第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層之間，第一柵電極和第二柵電極共同控制橫向的場發(fā)射，從而提高了器件的可控性。此外，所述發(fā)射極靠近收集極一端的形狀可以是針尖形或多個并聯(lián)的針尖形，有利于提高發(fā)射極至收集極的電流密度。


圖I是本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的一種俯視示意圖；圖3是本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的電流密度-柵極電壓曲線圖；圖4是本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的電流密度-發(fā)射極電壓曲線圖；圖5是本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的另ー種俯視示意圖；圖6是本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的再一種俯視示意圖；圖7是本發(fā)明第二實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖8是本發(fā)明第三實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的MOS場效應晶體管的性能受到載流子在溝道區(qū)域的晶格中的輸運特性的限制，難以滿足エ藝不斷發(fā)展的需求。本發(fā)明實施例提供了ー種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，包括第一柵介質(zhì)層、第一柵電極、收集極和發(fā)射極，其中第一柵電極位于第一柵介質(zhì)層的第一表面上，收集極和發(fā)射極位于第一柵介質(zhì)層的第二表面上、第一柵電極的兩側(cè)，收集極和發(fā)射極彼此絕緣且二者之間具有空隙。在對其進行驅(qū)動時，在收集極和發(fā)射極之間施加驅(qū)動電壓，使得發(fā)射極向收集極發(fā)射電子，產(chǎn)生場發(fā)射電流，并在第一柵電極上施加柵極電壓，控制發(fā)射極到收集極的電子發(fā)射方向，以調(diào)節(jié)場發(fā)射電流的開關(guān)或大小，從而實現(xiàn)類似于常規(guī)MOS場效應晶體管的功能。本實施例利用第一柵電極來控制發(fā)射極至收集極的橫向場發(fā)射，擺脫了常規(guī)MOS場效應晶體管中溝道區(qū)域的晶格結(jié)構(gòu)對載流子輸運的限制，能夠滿足エ藝發(fā)展的需要，而且具有更快的響應速度。 進ー步的，本實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管還包括第二柵介質(zhì)層和第二柵電極，所述收集極和發(fā)射極位于第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層之間，第一柵電極和第二柵電極共同控制橫向的場發(fā)射，從而提高了器件的可控性。此外，所述發(fā)射極靠近收集極一端的形狀可以是針尖形或多個并聯(lián)的針尖形，有利于提高發(fā)射極至收集極的電流密度。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖I示出了本發(fā)明第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2示出了第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的俯視圖，其中，圖I具體是圖2沿AA'方向的剖面結(jié)構(gòu)圖，下面結(jié)合圖I和圖2進行詳細說明。第一實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管包括第一柵介質(zhì)層11，具有相對的第一表面和第二表面；第一柵電極12,位于所述第一柵介質(zhì)層11的第一表面上；收集極13和發(fā)射極14，位于所述第一柵介質(zhì)層11的第二表面上、所述第一柵電極12的兩側(cè)，所述收集極13和發(fā)射極14彼此絕緣且二者之間具有空隙。在本實施例中，第一柵電極12嵌于半導體襯底10內(nèi)，第一柵介質(zhì)層11位于半導體襯底10上，即第一柵介質(zhì)層11的第一表面與半導體襯底10的表面相接。具體的，所述半導體襯底10可以是硅襯底、鍺硅襯底、III-V族元素化合物襯底、碳化硅襯底或其疊層結(jié)構(gòu)，或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他半導體材料襯底，本實施例中為硅襯底。所述第一柵介質(zhì)層11的材料可以是常規(guī)絕緣材料、高K介電常數(shù)材料或低K介電常數(shù)材料，例如 Si02、Si0N、Si3N4、Zr02、Hf02、Al203、HfSi0、HfA10、HfSi0N、HfAlSi0、HfTaSi0等或它們?nèi)我饨M合的混合物、或它們?nèi)我饨M合的多層結(jié)構(gòu)，本實施例中為氧化硅。所述第一柵電極12的材料為多晶硅、摻雜的多晶硅、或金屬等導電材料。所述收集極13和發(fā)射極14的材料可以是金屬，如Mo、Au、Ni、Pt等；也可以是半導體材料，如ITO、IZO、Si、Ge、SiGe等；還可以是導電的納米材料，如CNT、Graphene等。所述發(fā)射極14和收集極13之間的間距(即二者之間的空隙的寬度)L為0. Inm至IOOnm,所述第一柵介質(zhì)層11的厚度T為0. Inm至50nm,其中L和T的具體數(shù)值可以根據(jù)器件尺寸和所需要的器件參數(shù)來進行調(diào)節(jié)。在本實施例中，如圖2所示，收集極13靠近發(fā)射極14的一端的形狀為針尖形，發(fā)射極14靠近收集極13的一端的形狀也為針尖形，有利于增大二者之間的橫向場強，提高電
流密度。此外，參考圖5，在其他具體實施例中，收集極13靠近發(fā)射極14的一端的形狀可以是長方形；參考圖6，收集極13靠近發(fā)射極14的一端的形狀可以是多個并聯(lián)的針尖形，發(fā)射極14靠近收集極13的一端的形狀可以是多個并聯(lián)的針尖形，以進ー步提高橫向場強，增大電流密度。當然，在另外的具體實施例中，所述發(fā)射極14和收集極13的形狀還可以是其 他形狀，如凹槽形等。仍然參考圖1，在對其進行驅(qū)動時，可以在發(fā)射極14和收集極13之間施加驅(qū)動電壓，本實施例中具體為發(fā)射極14接電源正極VD，收集極13接電源地GND，使得發(fā)射極14至收集極13產(chǎn)生橫向電場,產(chǎn)生橫向的場發(fā)射電流；之后,通過在第一柵電極12上施加柵極電壓，本實施例中具體為柵電壓VG，使得發(fā)射極14和收集極13之間的橫向電場的方向產(chǎn)生偏移，即使得發(fā)射極14發(fā)出的電子的運動軌跡發(fā)生改變，從而能夠通過調(diào)節(jié)柵電壓VG來調(diào)節(jié)發(fā)射極14至收集極13之間的電流大小或開關(guān)，實現(xiàn)常規(guī)MOS場效應晶體管的功能。具體的，用EM來表示發(fā)射極14和收集極13之間的空間電場，Ex表示空間電場的橫向分量，Ey表示空間電場的縱向分量,則近似的，Ex = VD/L, Ey = VG/T。根據(jù)Fowler-Nordheim遂穿電流公式^l^M￡^.eXpH.83xI0^M3^5xl0^)]
￠E^其中，E =入EM，為場發(fā)射有效電場；入為電場增強因子，與發(fā)射極14和收集極13的材料形狀等有關(guān)；J為場發(fā)射電流密度；の為發(fā)射極14的逸出功函數(shù)；V為常數(shù)系數(shù)，一般可以取值為1，可以對發(fā)射極14和收集極13之間的電流密度進行仿真計算。假定發(fā)射極14和收集極13之間的間距L為10nm，第一柵介質(zhì)層11的厚度T為2nm，逸出功函數(shù)為2.0eV，電場增強因子為10，仿真結(jié)果如圖3和圖4所示，其亞閾值斜率SS = A log(Id)/A VG,小于60mV/dec，其中ID是發(fā)射極14與收集極13之間的場發(fā)射電流。此外，發(fā)射極14和收集極13之間可以是真空(く Ixl(T5Pa),也可以填充有空氣，即為低壓或者常壓狀態(tài)，此外，還可以填充有其他適合場發(fā)射的導電材料。當發(fā)射極14和收集極13是真空狀態(tài)時，電子的運動速度大于Ie7cm/S，遠遠大于電子在半導體材料晶格中的移動速度(其最大為Ie7cm/S，并受到晶格、雜質(zhì)、缺陷等多種因素的散射影響)，因此，本實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管與常規(guī)的MOS場效應晶體管相比，具有更快的響應速度。需要說明的是，圖3和圖4的曲線是針對圖I和圖2所示的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管結(jié)構(gòu)仿真計算得到的。圖7示出了第二實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一柵介質(zhì)層21,具有相對的第一表面和第二表面；第一柵電極22,位于所述第一柵介質(zhì)層21的第一表面上；收集極23和發(fā)射極24，位于所述第一柵介質(zhì)層21的第二表面上、所述第一柵電極22的兩側(cè)，所述收集極23和發(fā)射極24彼此絕緣且二者之間具有空隙。與圖I所示的第一實施例不同，第二實施例中，收集極23和發(fā)射極24是嵌于半導體襯底20中的,第一柵介質(zhì)層21覆蓋半導體襯底20、收集極23、發(fā)射極24并橫跨在收集極23和發(fā)射極24之間的空隙上，第一柵電極22位于第一柵介質(zhì)層21上。關(guān)于半導體襯底20、第一柵介質(zhì)層21、第一柵電極22、收集極23和發(fā)射極24的材料、尺寸，以及發(fā)射極24、收集極23的形狀請參照第一實施例，這里不再贅述。圖8示出了第三實施例的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括第ー柵介質(zhì)層31,具有相對的第一表面和第二表面；第一柵電極32,位于所述第一柵介質(zhì)層31的第一表面上；收集極33和發(fā)射極34，位于所述第一柵介質(zhì)層31的第二表面上、所述第一柵電極32的兩側(cè)，所述收集極33和發(fā)射極34彼此絕緣且二者之間具有空隙；第二柵介質(zhì)層35，所述收集極33和發(fā)射極34位于所述第一柵介質(zhì)層31和第二柵介質(zhì)層35之間；第二柵電極36，位于所述第二柵介質(zhì)層35的相對于所述收集極33和發(fā)射極34的另ー側(cè)上并位于所述收集極33和發(fā)射極34之間。其中，第二柵電極36、第二柵介質(zhì)層35、收集極33和發(fā)射極34嵌于半導體襯底30中，第一柵介質(zhì)層31覆蓋半導體襯底30、收集極33、發(fā)射極34并橫跨收集極33和發(fā)射極34之間的空隙，第一柵電極32位于第一柵介質(zhì)層31上。第一柵介質(zhì)層31和第二柵介質(zhì)層35的厚度為0. Inm至50nm,發(fā)射極34和收集極33之間的間距為0. Inm至lOOnm。第一柵介質(zhì)層31和第二柵介質(zhì)層35的材料可以是常規(guī)絕緣材料、高K介電常數(shù)材料或低K介電常數(shù)材料，例如Si02、SiON, Si3N4, ZrO2, HfO2,Al2O3^HfSiO,HfAlO、HfSiON、HfAlSiO、HfTaSiO等或它們?nèi)我饨M合的混合物、或它們?nèi)我饨M合的多層結(jié)構(gòu)。所述半導體襯底30、發(fā)射極34和收集極33的材料以及發(fā)射極34和收集極33的形狀請參照第一實施例的描述，這里不再贅述。在對本實施例中的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管進行驅(qū)動時，可以在發(fā)射極34和收集極33之間施加驅(qū)動電壓，本實施例中收集極33連接電源地GND，發(fā)射極34連接電源正 極VD，從而在二者之間激發(fā)產(chǎn)生出場發(fā)射電流；之后在第一柵電極32上施加柵極電壓，本實施例中第一柵電極32連接柵極正電壓+VG，第二柵電極36連接柵極負電壓-VG，使用第一柵電極32和第二柵電極36來共同控制發(fā)射極34至收集極33之間的橫向發(fā)射電場，以調(diào)節(jié)場發(fā)射電流的大小或開關(guān)，增強了器件的可控性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述掲示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，包括 第一柵介質(zhì)層，具有相對的第一表面和第二表面； 第一柵電極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第一表面上； 收集極和發(fā)射極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第二表面上、所述第一柵電極的兩側(cè)，所述收集極和發(fā)射極彼此絕緣且二者之間具有空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述發(fā)射極和收集極之間的間距為O. Inm至lOOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述第一柵介質(zhì)層的厚度為O. Inm至50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述第一柵介質(zhì)層的材料為 Si02、Si0N、Si3N4、Zr02、Hf02、Al203、HfSi0、HfA10、HfSi0N、HfAlSi0、HfTaSiO 其中之一或它們的任意組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，還包括第二柵介質(zhì)層和第二柵電極，所述收集極和發(fā)射極位于所述第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層之間，所述第二柵電極位于所述第二柵介質(zhì)層的相對于所述收集極和發(fā)射極的另一側(cè)上并位于所述收集極和發(fā)射極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述第二柵介質(zhì)層的厚度為O. Inm至50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述第二柵介質(zhì)層的材料為 Si02、Si0N、Si3N4、Zr02、Hf02、Al203、HfSi0、HfA10、HfSi0N、HfAlSi0、HfTaSiO 其中之一或它們的任意組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述第一柵電極嵌于半導體襯底內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述收集極和發(fā)射極嵌于半導體襯底內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述收集極和發(fā)射極的材料為金屬、半導體材料或?qū)щ姷募{米材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述收集極和發(fā)射極的材料為鑰、金、鎳、鉬、氧化銦錫、銦鋅氧化物、硅、鍺、硅鍺、碳納米管或石墨烯。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述發(fā)射極靠近所述收集極一端的形狀為針尖形或多個并聯(lián)的針尖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述收集極靠近所述發(fā)射極一端的形狀為針尖形、多個并聯(lián)的針尖形、長方形或凹槽形。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管，其特征在于，所述空隙中填充有空氣或者為真空。
15.權(quán)利要求I至14中任一種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管的驅(qū)動方法，其特征在于，包括 在所述發(fā)射極和收集極之間施加驅(qū)動電壓，以產(chǎn)生所述發(fā)射極和收集極之間的場發(fā)射電流；在所述第一柵電極或第二柵電極上施加柵極電壓，改變所述發(fā)射極與收集極之間的等效電場， 以調(diào)節(jié)所述場發(fā)射電流的開關(guān)。
全文摘要
一種絕緣柵控橫向場發(fā)射晶體管及其驅(qū)動方法，包括第一柵介質(zhì)層，具有相對的第一表面和第二表面；第一柵電極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第一表面上；收集極和發(fā)射極，位于所述第一柵介質(zhì)層的第二表面上、所述第一柵電極的兩側(cè)，所述收集極和發(fā)射極彼此絕緣且二者之間具有空隙。本發(fā)明在場效應晶體管中通過發(fā)射極到收集極的場發(fā)射電流來實現(xiàn)導電，同時用第一柵電極來控制發(fā)射極至收集極的橫向場發(fā)射的電流開關(guān)，擺脫了常規(guī)MOS場效應晶體管中溝道區(qū)域的晶格結(jié)構(gòu)對載流子輸運的限制，能夠滿足工藝發(fā)展的需要，而且具有更快的響應速度。
文檔編號H01L29/417GK102856362SQ20111018169
公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者殷華湘, 董立軍, 陳大鵬 申請人:中國科學院微電子研究所