專利名稱：一種陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD, Thin Film Transistor-LiquidCrystal Disp)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，TFT-IXD的陣列基板的制作方法主要包括應(yīng)用于TN模式時(shí)的四次或五次光刻工藝，應(yīng)用于廣視角模式時(shí)的五次或六次光刻工藝；其中，有源層與數(shù)據(jù)層不是在同一次光刻工藝中形成的，由于曝光設(shè)備光路的扭曲很容易導(dǎo)致顯示區(qū)域內(nèi)圖層的局部位置偏移，圖I是有源層圖形與數(shù)據(jù)層圖形的位置相對(duì)偏移的示意圖，圖2是有源層圖形與數(shù)據(jù)層 圖形的正常位置示意圖，如圖I和圖2所示，這種偏移將會(huì)導(dǎo)致TFT-IXD的特性出現(xiàn)異常，從而引起顯示器的亮度不均勻(mura)。由于陣列基板的測(cè)試(Array Test)是加載直流信號(hào)進(jìn)行測(cè)試的，因而無法檢測(cè)出這種偏移導(dǎo)致的特性異常?，F(xiàn)有技術(shù)中，避免此問題的方法是在每一次光刻工藝后，在顯示區(qū)外圍進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，圖3是現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)外圍的偏移測(cè)試的示意圖，如圖3所示，通過關(guān)鍵尺寸測(cè)試設(shè)備，測(cè)試出中間的各層圖形(如數(shù)據(jù)線圖形31)與周圍一圈柵金屬層圖形32的相對(duì)位置，從而測(cè)試出有源層圖形33是否發(fā)生相對(duì)偏移，但是，目前由于曝光設(shè)備光路的扭曲導(dǎo)致的像素內(nèi)部的有源層圖形的偏移，仍然無法測(cè)試出。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，能夠測(cè)試出像素內(nèi)部的有源層圖形的偏移。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試。上述方法中，該方法還包括進(jìn)行第四次構(gòu)圖工藝，形成過孔圖形；進(jìn)行第五次構(gòu)圖工藝，形成像素電極圖形。上述方法中，所述在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧ぃM(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝為在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，并在所述柵金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的柵金屬層薄膜，并在刻蝕處理后將光刻膠剝離。上述方法中，所述進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形為連續(xù)沉積柵極絕緣層薄膜、非晶硅薄膜和η型硅薄膜，并在沉積的三層薄膜上涂覆一層光刻膠，并利用具有標(biāo)記圖案的掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的柵極絕緣層薄膜、非晶硅薄膜和η型硅薄膜，并在刻蝕處理后將光刻膠剝離。上述方法中，所述根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試為測(cè)試儀器對(duì)錯(cuò)位標(biāo)記與柵線圖形的之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行 分析，并根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形是否偏移，當(dāng)存在偏移時(shí)，進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正。上述方法中，所述進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形為沉積一層數(shù)據(jù)金屬層薄膜，在所述數(shù)據(jù)金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜，在刻蝕處理后將光刻膠剝離。上述方法中，所述根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試為測(cè)試儀器對(duì)錯(cuò)位標(biāo)記與數(shù)據(jù)層圖形之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，并根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形是否偏移，當(dāng)存在偏移時(shí)，進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正。上述方法中，所述錯(cuò)位標(biāo)記位于柵線圖形的上層或數(shù)據(jù)層圖形的下層。本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括在第一次構(gòu)圖工藝中形成的柵線圖形和公共電極線圖形，在第二次構(gòu)圖工藝中形成的錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，在第三次構(gòu)圖工藝中形成的數(shù)據(jù)層圖形，在第四次構(gòu)圖工藝中形成的過孔圖形，和在第五次構(gòu)圖工藝中形成的像素電極圖形。上述陣列基板中，所述錯(cuò)位標(biāo)記位于柵線圖形的上層或數(shù)據(jù)層圖形的下層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法，在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試，利用上述方案，在形成有源層圖形和數(shù)據(jù)層圖形后，立即對(duì)像素內(nèi)部的有源層圖形是否發(fā)生偏移進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)存在偏移時(shí)能夠立即進(jìn)行調(diào)整，從而避免顯示區(qū)域的局部位置偏移，進(jìn)而避免由于有源層圖形和數(shù)據(jù)層圖形的錯(cuò)位導(dǎo)致的TFT特性引起的mura，提高產(chǎn)品的良率。


圖I是有源層圖形與數(shù)據(jù)層圖形的位置相對(duì)偏移的示意圖；圖2是有源層圖形與數(shù)據(jù)層圖形的正常位置示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)外圍的偏移測(cè)試的示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖5是本發(fā)明第一次構(gòu)圖工藝后的陣列基板的示意圖；圖6是本發(fā)明第二次構(gòu)圖工藝后的陣列基板的示意圖7是本發(fā)明第三次構(gòu)圖工藝后的陣列基板的示意圖；圖8是本發(fā)明第五次構(gòu)圖工藝后的陣列基板的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的基本思想是在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試。下面通過附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明再做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，圖4是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造方法的流程示意圖，如圖4所示，該方法包括以下步驟步驟401，在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧ぃM(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形；具體的，利用濺射或熱蒸發(fā)的方式在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧ぃ摉沤饘賹颖∧さ暮穸葹?00入 4000人,柵金屬層薄膜的材料可以是鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鑰(Mo)、鋁(Al)和銅(Cu)等，也可以是Μο、Α1和Cu的合金，還可以用多層金屬組成柵金屬層薄膜；在該柵金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，利用掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；然后利用濕法刻蝕技術(shù)對(duì)經(jīng)過上述處理的襯底基板進(jìn)行刻蝕，即利用混合酸液去除無光刻膠區(qū)域的柵金屬層薄膜；最后將光刻膠剝離，如圖5所示，形成柵線圖形51和公共電極線圖形52，得到具有柵線圖形51和公共電極線圖形52的陣列基板。步驟402，進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；具體的，在步驟401中形成的陣列基板上，利用化學(xué)汽相沉積法連續(xù)沉積三層薄膜，該三層金屬薄膜為1000A~6000A的柵極絕緣層薄膜、1000A~6000A的_ ^晶硅薄膜和200人 1000人的η型硅薄膜；其中，柵極絕緣層薄膜的材料可以是氮化硅、氧化硅和氮氧化硅等；在沉積的三層薄膜上涂覆一層光刻膠，并利用具有標(biāo)記圖案的掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；然后利用干法刻蝕技術(shù)對(duì)經(jīng)過上述處理的陣列基板進(jìn)行刻蝕，即在離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)的作用下，去除無光刻膠區(qū)域的柵極絕緣層薄膜、非晶硅薄膜和η型硅薄膜；最后將光刻膠剝離，如圖6所示，同時(shí)形成錯(cuò)位標(biāo)記61和有源層圖形62，得到具有錯(cuò)位標(biāo)記61和有源層圖形62的陣列基板；其中，錯(cuò)位標(biāo)記61位于柵線圖形51的上層內(nèi)，或位于陣列基板的空白區(qū)域，其位置是有利于自動(dòng)捕捉的特征位置；測(cè)試儀器對(duì)該錯(cuò)位標(biāo)記61與步驟401中形成的柵線圖形51的之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，然后對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形62是否偏移，如果沒有偏移，則不作處理，如果存在偏移，則需要進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正，具體方法為在測(cè)試儀器進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試后，如果存在偏移，則測(cè)試儀器將橫向偏移與豎向偏移的偏移量發(fā)送給曝光設(shè)備，曝光設(shè)備對(duì)承載陣列基板的基臺(tái)進(jìn)行調(diào)整，即通過調(diào)整基臺(tái)達(dá)到補(bǔ)償?shù)哪康模?本步驟中錯(cuò)位標(biāo)記61與有源層圖形62是同時(shí)形成的，且構(gòu)圖工藝中形成的圖形和錯(cuò)位標(biāo)記61的長度單位是納米級(jí)，整個(gè)陣列基板的長度單位是米級(jí)，因此錯(cuò)位標(biāo)記61與有源層圖形62的距離其實(shí)很近，如果錯(cuò)位標(biāo)記61發(fā)生偏移，則錯(cuò)位標(biāo)記61周圍區(qū)域中的圖形也發(fā)生偏移，從而可以根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記61與柵線圖形51之間的距離來判斷錯(cuò)位標(biāo)記61是否發(fā)生偏移，進(jìn)一步判斷有源層圖形62是否發(fā)生偏移。步驟403，進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試具體的，利用濺射或熱蒸發(fā)的方法在步驟402中形成的襯底基板上，沉積一層數(shù)據(jù)金屬層薄膜，該數(shù)據(jù)金屬層薄膜的厚度為1000人 7000人;數(shù)據(jù)金屬層薄膜的材料可以是鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鑰(Mo)、鋁(Al)和銅(Cu)等，也可以是Mo、Al和Cu的合金，還可以用多層金屬組成數(shù)據(jù)金屬層薄膜；在該數(shù)據(jù)金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，利用掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；然后利用濕法刻蝕技術(shù)對(duì)經(jīng)過上述處理的襯底基板進(jìn)行刻蝕，即利用混合酸液去除無光刻膠區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜；最后將光刻膠剝離，如圖7所示，形成數(shù)據(jù)層圖形71，得到具有數(shù)據(jù)層圖形71的陣列基板；這里，形成的數(shù)據(jù)層圖形71位于步驟402中的陣列基板的空白區(qū)域的錯(cuò)位標(biāo)記61的上層；測(cè)試儀器對(duì)錯(cuò)位標(biāo)記61與數(shù)據(jù)層圖形71之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，然后對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形62是否偏移，如果沒有偏移，將不作處理，如果存在偏移，則需要進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正，具體的曝光設(shè)備光路調(diào)整修正方法參見步驟402中的描述。步驟404，進(jìn)行第四次構(gòu)圖工藝，形成過孔圖形；具體的，在步驟403中形成的襯底基板上，利用化學(xué)汽相沉積法沉積一層厚度為1000A 7000人的非金屬薄膜層，該非金屬薄膜層可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；在沉積的非金屬薄膜層上涂覆一層光刻膠，并利用掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；然后利用干法刻蝕技術(shù)對(duì)經(jīng)過上述處理的襯底基板進(jìn)行刻蝕，即在離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)的作用下，去除無光刻膠區(qū)域的非金屬薄膜；最后將光刻膠剝離，如圖8所示，形成過孔圖形81。步驟405，進(jìn)行第五次構(gòu)圖工藝，形成像素電極圖形；具體的，利用化學(xué)汽相沉積法沉積一層厚度為100人 1000人的透明金屬層薄膜，該透明金屬層薄膜可以是銦錫金屬氧化物(ΙΤ0，Indium Tin Oxides)或鋅錫金屬氧化物(IZO, Indium Zinc Oxide);在沉積的透明金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠,并利用掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；然后利用干法刻蝕技術(shù)對(duì)經(jīng)過上述處理的襯底基板進(jìn)行刻蝕，即在離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)的作用下，去除無光刻膠區(qū)域的透明金屬層薄膜 ’最后將光刻膠剝離，如圖8所示，形成像素電極圖形82。本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板包括在第一次構(gòu)圖工藝中形成的柵線圖形和公共電極線圖形，在第二次構(gòu)圖工藝中形成的錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，在第三次構(gòu)圖工藝中形成的數(shù)據(jù)層圖形，在第四次構(gòu)圖工藝中形成的過孔圖形，和在第五次構(gòu)圖工藝中形成的像素電極圖形。所述錯(cuò)位標(biāo)記位于柵線圖形的上層或數(shù)據(jù)層圖形的下層。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法包括 在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形； 進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試； 進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，該方法還包括 進(jìn)行第四次構(gòu)圖工藝，形成過孔圖形； 進(jìn)行第五次構(gòu)圖工藝，形成像素電極圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝為 在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，并在所述柵金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的柵金屬層薄膜，并在刻蝕處理后將光刻膠剝離。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形為 連續(xù)沉積柵極絕緣層薄膜、非晶硅薄膜和η型硅薄膜，并在沉積的三層薄膜上涂覆一層光刻膠，并利用具有標(biāo)記圖案的掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的柵極絕緣層薄膜、非晶硅薄膜和η型硅薄膜，并在刻蝕處理后將光刻膠剝離。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試為 測(cè)試儀器對(duì)錯(cuò)位標(biāo)記與柵線圖形的之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，并根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形是否偏移，當(dāng)存在偏移時(shí)，進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形為 沉積一層數(shù)據(jù)金屬層薄膜，在所述數(shù)據(jù)金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠，對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理；去除無光刻膠區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜，在刻蝕處理后將光刻膠剝離。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試為 測(cè)試儀器對(duì)錯(cuò)位標(biāo)記與數(shù)據(jù)層圖形之間的距離進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，并根據(jù)分析結(jié)果判斷有源層圖形是否偏移，當(dāng)存在偏移時(shí)，進(jìn)行曝光設(shè)備光路調(diào)整修正。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述錯(cuò)位標(biāo)記位于柵線圖形的上層或數(shù)據(jù)層圖形的下層。
9.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板包括在第一次構(gòu)圖工藝中形成的柵線圖形和公共電極線圖形，在第二次構(gòu)圖工藝中形成的錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，在第三次構(gòu)圖工藝中形成的數(shù)據(jù)層圖形，在第四次構(gòu)圖工藝中形成的過孔圖形，和在第五次構(gòu)圖工藝中形成的像素電極圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述錯(cuò)位標(biāo)記位于柵線圖形的上層或數(shù)據(jù)層圖形的下層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積一層?xùn)沤饘賹颖∧?，進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，形成柵線圖形和公共電極線圖形；進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，形成錯(cuò)位標(biāo)記和有源層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)層圖形，并根據(jù)錯(cuò)位標(biāo)記再次進(jìn)行有源層圖形是否偏移的測(cè)試；本發(fā)明還提供一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠測(cè)試出像素內(nèi)部的有源層圖形的偏移。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102646629SQ20111018695
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者彭志龍, 秦緯, 董云 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司