專利名稱：有機電致發(fā)光顯示器件及其制造方法和電子設備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及有機EL顯示器件、制造有機EL顯示器件的方法和電子設備，并且具體地說涉及通過將具有包含電容性元件的電路配置的驅(qū)動電路單元安裝到與像素陣列部分相同的襯底上而獲得的有機EL顯示器件、制造其的方法和電子設備。
背景技術(shù)：
近年來，在執(zhí)行圖像顯示的顯示器件領(lǐng)域中，以矩陣形狀排列像素(像素電路)的扁平型(平板型)顯示器件已經(jīng)迅速地變得普遍。作為扁平型顯示器件之一，存在使用所謂的電流驅(qū)動型電光元件(其中，發(fā)光亮度根據(jù)流經(jīng)該器件的電流值而改變)作為像素的發(fā)光元件的顯示器件。作為電流驅(qū)動型電光元件，存在使用有機電致發(fā)光(EL)材料的有機 EL元件，其中當將電場施加于有機薄膜上時發(fā)光。使用有機EL元件作為像素的發(fā)光元件的有機EL顯示器件具有如下特性。具體來說，由于有機EL元件可以由等于或低于IOV的電壓驅(qū)動，因此它具有低功耗。由于有機EL 元件是自發(fā)光元件，因此與液晶顯示器件相比，圖像可見度(visibility)出色。此外，由于不需要諸如背光單元之類的照明部件，因此促進了輕重量和薄厚度。此外，由于有機EL元件具有非常快速的響應時間(如，幾微秒)，因此當顯示運動畫面時不會產(chǎn)生余像。與液晶顯示器件類似，考慮驅(qū)動方法，可以將有機EL顯示器件分類為無源矩陣型和有源矩陣型。這里，無源矩陣型顯示器件具有簡單的結(jié)構(gòu)，但是隨著掃描線(即，像素數(shù)量)增大，有機EL元件的發(fā)光時段減小。因此，無源矩陣型顯示器件具有諸如難以實現(xiàn)大尺寸和高精度顯示器件之類的問題。為此，近年來，繼續(xù)開發(fā)了有源矩陣型顯示器件，其中由與電光元件一起在同一像素中提供的有源元件(例如，絕緣柵場效應晶體管)來控制流經(jīng)電光元件的電流。一般地， 薄膜晶體管(TFT)用作絕緣柵場效應晶體管。通過使用有源矩陣型顯示器件，由于電光元件跨越單個顯示幀時段持續(xù)發(fā)光，因此易于實現(xiàn)大尺寸和高精度有機EL顯示器件。一般而言，可以理解，有機EL元件的電流I對電壓V的特性隨著時間經(jīng)過而惡化 (所謂的，時間惡化)。特別地，當N溝道TFT用作驅(qū)動有機EL元件的晶體管(在下文中， 稱為“驅(qū)動晶體管”)時，當由于時間經(jīng)過而使得有機EL元件的I-V特性惡化時，驅(qū)動晶體管的柵-源電壓Vgs改變。因此，有機EL元件所發(fā)光的亮度改變。另外，驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth或遷移率μ可能隨時間改變，或者可能由于制造工藝的偏差而在每一個像素中不同。當在每一個像素中閾值電壓Vth或遷移率μ不同時， 在每一個像素中流經(jīng)驅(qū)動晶體管的電流值偏移。結(jié)果，即使當將均勻的電壓施加到各像素的驅(qū)動晶體管的柵極之間，從有機EL元件發(fā)出的光的亮度也在各像素之間偏移。因此，顯示均勻性惡化。在這一點上，向像素電路提供各種校正(補償)功能性，以便恒定地保持從有機EL 元件發(fā)出的光的亮度，而沒有來自有機EL元件的I-V特性的時間惡化或驅(qū)動晶體管的晶體管特性的時間改變的影響(例如，參照日本待審專利申請公開No. 2008-083272)。

發(fā)明內(nèi)容
在上述有源矩陣型有機EL顯示器件中，像素陣列部分周圍的驅(qū)動電路部分(例如，用于順序地選擇每一像素的掃描電路)基本上包括移位寄存器電路作為主要組件。另外，掃描電路在移位寄存器電路的每一個傳送級(transfer stage)具有緩沖器電路以與像素陣列部分的每一行匹配。另外，移位寄存器電路或緩沖器電路一般包括反相器電路。然而，為了降低成本的目的，驅(qū)動電路部分通常使用單溝道晶體管來配置。這里， 單溝道晶體管僅指N溝道晶體管或僅指P溝道晶體管。另外，當移位寄存器電路或緩沖器電路中包括的反相器電路使用單溝道晶體管來配置時，采用通過將晶體管與電容性元件組合而獲得的電路配置，以便保證反相器電路的可靠操作(如下面將詳細描述的那樣)。以這種方式，如果驅(qū)動電路部分使用具有與電容性元件組合的單溝道晶體管的反相器電路來配置，則在全部驅(qū)動電路部分中使用的電容性元件的數(shù)量顯著增大。另外，當通過將具有這種配置的驅(qū)動電路部分安裝到與像素陣列部分相同的襯底上來配置顯示面板時，在驅(qū)動電路部分內(nèi)由電容性元件占據(jù)的布局區(qū)域增大。因此，可能存在這樣的問題像素陣列部分的周邊部分(所謂的邊框(bezel))可能擴大。期望提供一種有機EL顯示器件，當將具有包括電容性元件的電路配置的反相器電路的驅(qū)動電路部分安裝到顯示面板上時能夠縮窄顯示面板的邊框，以及制造所述EL顯示器件的方法和具有所述EL顯示器件的電子設備。根據(jù)本公開的實施例，提供了有機電致發(fā)光EL顯示器件，包括像素陣列部分，其中排列具有有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在與所述像素陣列部分相同的襯底上，將所述驅(qū)動電路部分提供在所述像素陣列部分的周圍部分中，所述驅(qū)動電路部分具有包括電容性元件的電路配置，其中所述電容性元件使用通過與所述有機EL元件的有機層的處理相同的處理、在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。在具有前述配置的有機EL顯示器件中，即使當在像素陣列部分的周圍部分中形成用作電容性元件的介電部件的有機層時，通過與有機EL元件的有機層的處理相同的處理來形成有機層。因此，制造處理的數(shù)量不會增大。另外，由于像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層用作電容性元件的介電部件，因此可以自由地使用有機層之下的區(qū)域以形成其他電路部分。結(jié)果，由于不需要單獨地準備用于形成其他電路部分的區(qū)域，因此可以將驅(qū)動電路部分占據(jù)的布局區(qū)域以及進一步將像素陣列部分的周圍部分的區(qū)域(即，顯示面板的邊框)減小到這種程度。根據(jù)本公開的實施例，當將具有包括電容性元件的電路配置的驅(qū)動電路部分安裝到顯示面板上時，可以縮窄顯示面板的邊框。


圖1是圖示根據(jù)本公開實施例的有源矩陣型有機EL顯示器件的示意性配置的系統(tǒng)配置圖。圖2是詳細圖示像素(像素電路)的電路配置的示例的電路示意圖。圖3是用于描述根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件的基本電路操作的定時波形圖。
圖4A到圖4D是用于描述根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件的基本電路操作的(第一)圖。圖5A到圖5D是用于描述根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件的基本電路操作的(第二)圖。圖6A和圖6B分別是用于描述驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth的偏移所引起的問題以及用于描述驅(qū)動晶體管的遷移率μ的偏移所引起的問題的特性圖。圖7是圖示寫掃描電路的示例性配置的框圖。圖8Α到圖8C是用于描述作為寫掃描電路的主要部分的移位寄存器電路的操作的圖。圖9是用于描述移位寄存器的操作的定時波形圖。圖IOA和圖IOB是用于描述通過組合單溝道晶體管和電容性元件而獲得的反相器電路的圖，其中圖IOA圖示了示例性電路配置，而圖IOB圖示了輸入脈沖信號INVin和輸出脈沖信號INV。ut的波形。圖11是圖示根據(jù)參考示例的顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)的截面圖。圖12是圖示電容性元件的示意性安裝狀態(tài)的放大的平面視圖。圖13是圖示根據(jù)本公開實施例的顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖14是圖示根據(jù)本公開實施例的電視機的外觀的透視圖。圖15A和圖15B是圖示根據(jù)本公開實施例的數(shù)碼相機的外觀的透視圖，其中圖15A 是前透視圖，而圖15B是后透視圖。圖16是圖示根據(jù)本公開實施例的膝上型計算機的外觀的透視圖。圖17是圖示根據(jù)本公開實施例的攝像機的外觀的透視圖。圖18A到圖18G是圖示根據(jù)本公開實施例的移動電話的外觀視圖，其中圖18A是打開狀態(tài)的前視圖，圖18B是其側(cè)視圖，圖18C是關(guān)閉狀態(tài)的前視圖，圖18D是左側(cè)視圖，圖 18E是右側(cè)視圖，圖18F是頂視圖，且圖18G是底視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖描述本公開的實施例(在下文中稱為“實施例”)。將以如下順序進行描述。1.本公開實施例中的有機EL顯示器件1-1.系統(tǒng)配置1-2.基本電路操作1-3.驅(qū)動電路部分的配置示例2.實施例的描述2-1.本公開的實施例中顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)2-2.本公開的實施例中制造顯示面板的方法3.修改4.應用(電子設備)1.本公開的實施例中的有機EL顯示器件1-1.系統(tǒng)配置
圖1是圖示根據(jù)本公開實施例的有源矩陣型有機EL顯示器件的示意性配置的系統(tǒng)配置圖。有源矩陣型有機EL顯示器件是這樣的顯示器件其中，由與有機EL元件的像素相同的像素中提供的有源元件(如絕緣柵場效應晶體管)來控制流經(jīng)作為電流驅(qū)動型電光元件的有機EL元件的電流。一般地，使用TFT (薄膜晶體管)作為絕緣柵場效應晶體管。參照圖1，根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件10包括多個像素20，具有有機 EL元件；像素陣列部分30，在其中像素20以矩陣形狀在二維空間中排列；以及驅(qū)動電路部分，排列在像素陣列部分30周圍。驅(qū)動電路部分包括寫掃描電路40、電源掃描電路50、信號輸出電路60等，以驅(qū)動像素陣列部分30的每一像素20。這里，在有機EL顯示器件10具有彩色顯示對應性(color displaycorrespondence)的情況下，單個像素(單元像素)包括多個子像素，并且每一子像素對應于圖1的像素20。更具體地說，在彩色顯示對應性顯示器件的情況下，單個像素包括例如三個子像素，包括發(fā)射紅光(R)的子像素、發(fā)射綠光(G)的子像素和發(fā)射藍光(B)的子像素。然而，單個像素中包括的子像素的結(jié)構(gòu)不限于三原色RGB，并且除了三原色的子像素之外，還可以是單個顏色或多個顏色的單個像素。更具體地說，例如，可以將發(fā)射白光(W) 的子像素添加到單個像素中，以便提高亮度。替代地，可以將發(fā)射補色光的至少一個子像素添加到單個像素中，以便擴大彩色再現(xiàn)范圍。 在像素陣列部分30中，在m行η列的像素20的陣列中，沿著行方向(像素行的像素的排列方向)在每一像素行中排列掃描線到電源線3 到32m。另外，沿著列方向(像素列的像素的排列方向)在每一像素列中排列信號線33i到33n。每一掃描線到31m連接到寫掃描電路40的對應行的輸出端。每一電源線32i 到3 連接到電源掃描電路50的對應行的輸出端。每一信號線33i到3 連接到信號輸出電路60的對應列的輸出端。像素陣列部分30—般形成在透明絕緣襯底(如，玻璃襯底)上。結(jié)果，有機EL元件10具有扁平型面板結(jié)構(gòu)。像素陣列部分30的每一像素20的驅(qū)動電路可以由非晶硅TFT 或低溫多晶硅TFT形成。在使用低溫多晶硅TFT的情況下，如圖1所示，寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號輸出電路60也可以安裝在用以形成像素陣列部分30的顯示面板(襯底)70中。寫掃描電路40包括移位寄存器電路等，用于與時鐘脈沖ck同步地依次移位(傳送)開始脈沖sp (將在下面詳細描述寫掃描電路40的具體配置)。當將圖像信號寫到像素陣列部分30的每一像素20時，寫掃描電路40通過將寫掃描信號WS (WS1到WSm)依次提供到掃描線31 (Sl1到31m)(逐行掃描)，來以行為單位順序地掃描像素陣列部分30的每一像素20。電源掃描電路50包括移位寄存器電路等，其與時鐘脈沖ck同步地順序地移位開始脈沖sp。電源掃描電路50向電源線32 (32!到32m)提供電源電位DS (DS1到，其能夠與寫掃描電路40的逐行掃描同步地切換到第一電源電位V。。p和第二電源電位Vini (其低于第一電源電位V。。p)。如下所述，基于從電源電位DS切換到V。。p/Vini來控制像素20的發(fā)光/ 不發(fā)光。
信號輸出電路60選擇性地輸出與從信號供應源(未示出)輸出的亮度信息對應的圖像信號的信號電壓Vsig(在下文中也稱為信號電壓)和基準電位v。fs。這里，基準電位 Vtrfs是用作圖像信號的信號電壓Vsig的基準的電位(例如，與圖像信號的黑電平對應的電位)，并且用在閾值校正處理中，這將在下面描述。將從信號輸出電路60輸出的信號電壓Vsig/基準電位V。fs經(jīng)由信號線33(33i到 33n)，以通過寫掃描電路40的掃描所選擇的像素行為單位，寫到像素陣列部分30的每一像素20。即，信號輸出電路60采用以行(線)為單位寫信號電壓Vsig的逐行寫型驅(qū)動模式。像素電路圖2是詳細圖示了像素(像素電路)20的示例性電路配置的電路示意圖。像素20 的發(fā)光部分包括有機EL元件21作為電流驅(qū)動型電光元件，在該元件中發(fā)光亮度根據(jù)流經(jīng)該器件的電流值而改變。參照圖2，像素20包括有機EL元件21和用于通過將電流流經(jīng)有機EL元件21來驅(qū)動有機EL元件21的驅(qū)動電路。有機EL元件21的陰極連接到對于所有像素20公共地布線(所謂的β布線)的公共電源線34。用于驅(qū)動有機EL元件21的驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管22、寫晶體管23、存儲電容器對和輔助電容器25。N溝道型TFT可以用作驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23。然而，這里所述的驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23的傳導類型只是示例性的，并且并非意在限制本公開的范圍。在驅(qū)動晶體管22中，一個電極(源極/漏極電極)連接到有機EL元件21的陽極， 并且另一電極(漏極/源極電極)連接到電源線32(3 到32m)。在寫晶體管23中，一個電極(源極/漏極電極)連接到信號線33(331到33 )，并且另一電極(漏極/源極電極)連接到驅(qū)動晶體管22的柵極電極。另外，寫晶體管23的柵極電極連接到掃描線31 (Sl1到31m)。在驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23中，一個電極是指電連接到源極/漏極區(qū)的金屬布線，并且另一電極是指電連接到漏極/源極區(qū)的金屬布線。另外，基于一個電極與另一電極之間的電位關(guān)系，如果一個電極還用作源極電極，則它可以用作漏極電極。如果另一電極用作漏極電極，則它可以用作源極電極。在存儲電容器M中，一個電極連接到驅(qū)動晶體管22的柵極電極，而另一電極連接到驅(qū)動晶體管22的另一電極以及有機EL元件21的陽極。在輔助電容器25中，一個電極連接到有機EL元件21的陽極，而另一電極連接到公共電源線34。如果需要的話，提供輔助電容器25，以便補充有機EL元件21的電容的不足并增大存儲電容M的圖像信號的寫增益。即，輔助電容25不是必不可少的元件，如果有機EL元件21的等效電容足夠高，則可以省略。盡管這里已經(jīng)描述了輔助電容器25的另一電極連接到公共電源線34，但是如果具有恒定電位而沒有對于公共電源線34的限制，則另一電極可以連接到任何其他電極。由于輔助電容器25的另一電極連接到具有恒定電位的節(jié)點，因此可以實現(xiàn)期望的優(yōu)點，如補充有機EL元件21的電容的不足和增大存儲電容器M的圖像信號的寫增益。在具有上述配置的像素20中，響應于從寫掃描電路40經(jīng)由掃描線31施加到柵極電極的高有效寫掃描信號WS而導通寫晶體管23。結(jié)果，寫晶體管23采樣基準電位V。fs或經(jīng)由信號線33從信號輸出電路60提供的亮度信息所對應的圖像信號的信號電壓Vsig，并將其寫入像素20。將寫入的信號電壓Vsig或基準電位Vrfs施加到驅(qū)動晶體管22的柵極電極， 并且還將其存儲在存儲電容器M中。當將電源線32(3 到32m)的電源電位DS維持在第一電源電位V。。p時，驅(qū)動晶體管22的一個電極用作漏極電極，而另一電極用作源極電極，以便驅(qū)動晶體管22在飽和區(qū)操作。結(jié)果，驅(qū)動晶體管22接收從電源線32提供的電流，并以電流驅(qū)動有機EL元件21以發(fā)光。更具體地說，通過在飽和區(qū)操作驅(qū)動晶體管22，驅(qū)動晶體管22向有機EL元件21提供具有與存儲電容器M中存儲的信號電壓Vsig的電壓值對應的電流值的驅(qū)動電流，并以電流驅(qū)動有機EL元件21以發(fā)光。此外，當電源電位DS從第一電源電位V。。p改變到第二電源電位Vini時，驅(qū)動晶體管 22的一個電極用作源極電極，而另一電極用作漏極電極，以便驅(qū)動晶體管22作為切換晶體管而操作。結(jié)果，驅(qū)動晶體管22停止向有機EL元件21提供驅(qū)動電流，以便有機EL元件21 處于不發(fā)光狀態(tài)下。即，驅(qū)動晶體管22還用作控制有機EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管。由于驅(qū)動晶體管22的切換操作，提供有機EL元件21維持在不發(fā)光狀態(tài)之下的時段(不發(fā)光時段)，以便可以控制有機EL元件21的發(fā)光時段和不發(fā)光時段之間的(占空) 比。通過控制占空比，可以消除由單個顯示幀時段的像素發(fā)射的光所引起的余像閃爍，并且特別地，提高運動畫面的圖像質(zhì)量。在經(jīng)由電源線32選擇性地從電源掃描電路50提供的第一和第二電源電位V。。p和 Vini之中，第一電源電位V。。p是用于向驅(qū)動晶體管22提供用于驅(qū)動有機EL元件21發(fā)光的驅(qū)動電流的電源電位。另外，第二電源電位Vini是用于向有機EL元件21施加反向偏置的電源電位。將第二電源電位Vini設置為低于基準電位Vrfs的電位，例如，低于V。fs-Vth的電位， 并且優(yōu)選地，充分低于V。fs-Vth，其中Vth表示驅(qū)動晶體管22的閾值電壓。1-2.基本電路操作接下來，將參照圖3的定時波形圖以及圖4A到圖4D以及圖5A到圖5D的操作說明圖來描述具有前述配置的有機EL顯示器件10的基本電路操作。另外，在圖4A到圖4D 以及圖5A到圖5D的操作說明圖中，為了簡化圖示的目的，將寫晶體管23圖示為開關(guān)符號。圖3的定時波形圖示出了掃描線31的電位WS (寫掃描信號)、電源線32的電位 DS(電源電位)、信號線的電位(Vsig/V。fs)、驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg以及源極電位Vs。 另外，為了進行區(qū)別，柵極電位Vg的波形由點劃線表示，并且源極電位Vs的波形由虛線表示。
預顯示幀的發(fā)光時段在圖3的定時波形圖中，時間tn之前的時段對應于前一顯示幀中有機EL元件21 的發(fā)光時段。在前一顯示幀的發(fā)光時段中，電源線32的電位DS是第一電源電位V。。p (在下文中稱為“高電位”)，并且寫晶體管23截止。在這種情況下，驅(qū)動晶體管22設計為在飽和區(qū)操作。結(jié)果，如圖4A所示，將與驅(qū)動晶體管22的柵-源電壓Vgs對應的驅(qū)動電流(漏-源電流)Ids經(jīng)由驅(qū)動晶體管22從電源線32提供到有機EL元件21。結(jié)果，有機EL元件21以與驅(qū)動電流Ids的電流值對應的亮度發(fā)光。
閾值校正準備時段在時間tn，啟動用于逐行掃描的新的顯示幀(當前顯示幀)。然后，如圖4B所示， 電源線32的電位DS從高電位V。。p切換到相對于信號線33的基準電位V。fs充分低于V。fs-Vth 的第二電源電位(在下文中，稱為“低電位”)Vini。這里，有機EL元件21的閾值電壓稱為Vthel,并且公共電源線34的電位(陰極電位)稱為v。ath。在這種情況下，如果低電位Vini設置為Vini < Vthel+Vcath,則驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs變得約等于低電位Vini。因此，有機EL元件21被反向偏置，并且關(guān)閉光。接著，在時間tl2，掃描線31的電位WS從低電位改變到高電位，并且如圖4C所示， 寫晶體管23導通。在這種情況下，由于已經(jīng)將基準電位V。fs從信號輸出電路60提供到信號線33，因此驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg處于基準電位V。fs。另外，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs處于充分低于基準電位Vrfs的電位Vini。在這種情況下，驅(qū)動晶體管22的柵-源電位Vgs變?yōu)閂。fs_Vini。這里，如果電壓 Vofs-Vini不高于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，則不可能執(zhí)行閾值校正處理，這將在下面描述。因此，必須將電位關(guān)系設置為V。fs-Vini > Vtho以這種方式，通過將驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg固定到基準電位V。fs并將源極電位固定(穩(wěn)定)到低電位Vini來執(zhí)行初始化的處理是閾值校正處理(閾值校正操作)之前的準備處理(閾值校正準備)，這將在下面描述。因此，基準電位V。fs和低電位Vini分別變?yōu)轵?qū)動晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs的初始化電位。閾值校正時段接著，在時間t13，如圖4D所示，當電源線32的電位DS從低電位Vini切換到高電位 V。。p時，在驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg維持在基準電位V。fs時，啟動閾值校正處理。即，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs開始升高到通過從柵極電位Vg減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓 Vth而獲得的電位。這里，為了簡化的目的，閾值校正處理是指將源極電位Vs相對于驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg的初始化電位V。fs改變到通過從初始化電位V。fs減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電位的處理。隨著閾值校正處理進行，驅(qū)動晶體管22的柵-源電壓Vgs達到驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。將與閾值電壓Vth對應的這種電壓存儲在存儲電容器M 中。另外，在用于執(zhí)行閾值校正處理的時段(閾值校正時段)期間，設置公共電源線34 的電位Veath以使得有機EL元件21具有截止狀態(tài)，以便僅將電流流到存儲電容器M側(cè)并禁止電流流到有機EL元件21側(cè)。接著，在時間t14，當掃描線31的電位WS改變到低電位時，寫晶體管23截止，如圖 5A所示。在這種情況下，驅(qū)動晶體管22的柵極電極從信號線33電斷開，從而處于浮置狀態(tài)。然而，由于柵-源電壓Vgs等于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，因此驅(qū)動晶體管22處于截止狀態(tài)。因此，漏源電流Ids不流到驅(qū)動晶體管22。信號寫和遷移率校正時段接著，在時間t15，如圖5B所示，信號線33的電位從基準電位V。fs改變到圖像信號的信號電壓Vsig。接下來，在時間t16，當掃描線31的電位WS改變到高電位時，寫晶體管23 如圖5C所示那樣導通，并且采樣圖像信號的信號電壓Vsig并將其寫到像素20。
當由寫晶體管23寫入信號電壓Vsig時，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg變?yōu)樾盘栯妷篤sig。當由圖像信號的信號電壓Vsig驅(qū)動驅(qū)動晶體管22時，通過與存儲電容器M中存儲的閾值電壓Vth對應的電壓來抵消驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。閾值抵消的原理將在下面詳細描述。在這種情況下，有機EL元件21具有截止狀態(tài)(高阻抗狀態(tài))。因此，響應于圖像信號的信號電壓Vsig從電源線32流到驅(qū)動晶體管22的電流(漏-源電流Ids)還流到輔助電容器25和有機EL元件21的等效電容器，這觸發(fā)了那些電容的充電。當輔助電容器25和有機EL元件21的等效電容器被充電時，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs隨著時間經(jīng)過而逐漸地增大。在這種情況下，由于各像素之間的驅(qū)動晶體管22 的閾值電壓Vth的偏移已經(jīng)抵消，因此驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids取決于驅(qū)動晶體管 22的遷移率μ。另外，驅(qū)動晶體管22的遷移率μ由驅(qū)動晶體管22的溝道中包括的半導體薄膜的遷移率確定。這里，假設存儲電容M的存儲電壓Vgs相對于圖像信號的信號電壓Vsig的比(即， 寫增益)設置為1 (理想值)。然后，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs升高到電位V。fs-Vth+ Δ V。 因此，驅(qū)動晶體管的柵-源電壓Vgs變?yōu)閂sig-V。fs+Vth_A V。S卩，從存儲電容M中存儲的電壓(Vsig_V。fs+Vth)中減去驅(qū)動晶體管22的源極電位 Vs的增量Δ V，即用以放電存儲電容器M的電荷，以便可以向存儲電容器M施加負反饋。 因此，源極電位Vs的增量△ V對應于負反饋的反饋量。以這種方式，由于以與流經(jīng)驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids對應的反饋量AV將負反饋施加于柵源電壓Vgs，因此可以消除對于驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids的遷移率μ 的依賴性。該消除處理是用于校正每一像素的驅(qū)動晶體管22的遷移率μ的偏移的遷移率校正處理。更具體地說，隨著寫到驅(qū)動晶體管22的柵極電極的圖像信號的信號幅度Vin(= Vsig-V。fs)增大，漏-源電流Ids增大。因此，負反饋的反饋量Δν的絕對值增大。因此，執(zhí)行根據(jù)發(fā)光亮度級別的遷移率校正處理。另外，如果圖像信號的信號幅度Vin恒定，則隨著驅(qū)動晶體管22的遷移率μ增大，負反饋的反饋量ΔΥ的絕對值增大。因此，可以去除各像素之間遷移率μ的偏移。因此，可以說，負反饋的反饋量△ V是遷移率校正處理的校正量。下面將詳細描述遷移率校正的原理。發(fā)光時段接著，在時間t17，當掃描線31的電位WS改變到低電位時，寫晶體管23截止，如圖 5D所示。結(jié)果，驅(qū)動晶體管22的柵極電極從信號線33電斷開，以便處于浮置狀態(tài)。這里，當驅(qū)動晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時，存儲電容器M連接在驅(qū)動晶體管22的柵極和源極之間。因此，柵極電位Vg也與驅(qū)動晶體管的源極電位Vs的變化一起改變。以這種方式，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg與源極電位Vs的變化一起改變的操作是存儲電容器M的自舉操作。當驅(qū)動晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids 開始流到有機EL元件21時，有機EL元件21的陽極電位響應于電流Ids而增大。當有機EL元件21的陽極電位高于Vthel+V。ath時，驅(qū)動電流開始流到有機EL元件21，以便有機EL元件21開始發(fā)光。另外，有機EL元件21的陽極電位的增大與驅(qū)動晶體管 22的源極電位Vs的增大沒有不同。另外，當驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs增大時，由于存儲電容器M的自舉操作，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg相應地增大。在這種情況下，假設將自舉增益設置為1 (理想值)，柵極電位Vg的增量變得等于源極電位Vs的增量。因此，在發(fā)光時段期間，驅(qū)動晶體管22的柵-源電壓Vgs在 VsigUVth-AV維持恒定。另外，在時間tl8，信號線33的電位從圖像信號的信號電壓Vsig 改變到基準電位V。fs。通過一系列前述電路操作，在單個水平掃描時段(IH)內(nèi)執(zhí)行閾值校正準備處理、 閾值校正處理、信號電壓Vsig的寫處理(信號寫)以及遷移率校正處理的操作。另外，對于時間^6到t17，并行地執(zhí)行信號寫處理和遷移率校正處理。分割閾值校正盡管這里通過示例的方式已經(jīng)描述了僅單次執(zhí)行閾值校正處理的驅(qū)動方法，但是本公開的范圍不限于這種驅(qū)動方法。例如，可以采用這樣的驅(qū)動方法(所謂的分割閾值校正)其中，除了與遷移率校正和信號寫處理一起執(zhí)行閾值校正處理的時段IH之外，倨傲在時段IH之前的多個水平掃描時段上，分割地執(zhí)行幾次閾值校正處理。在這種使用分割閾值校正的驅(qū)動方法中，盡管由于伴隨增大高清晰度的增大的像素數(shù)量的緣故，可以分配給單個水平掃描時段的時間已經(jīng)減小，但是可以在作為閾值校正時段的多個水平掃描時段之上獲得充分的時間。閾值抵消的原理這里，將描述驅(qū)動晶體管22中閾值抵消(即，閾值校正)的原理。由于驅(qū)動晶體管22設計為在飽和區(qū)操作，因此它作為恒定電流源操作。結(jié)果，從驅(qū)動晶體管22向有機EL 元件21提供恒定漏-源電流(驅(qū)動電流)Ids，如下(1)Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2……(1)，這里，W表示驅(qū)動晶體管22的溝道寬度，L表示溝道長度，并且C。x表示每單位面積的柵極電容。圖6A圖示了驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids對柵-源電壓Vgs的特性。如圖6A 的特性圖中所示，如果對于各像素之間的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的偏移不執(zhí)行抵消處理(校正處理)，則當閾值電壓Vth處于Vthl時，與柵-源電壓Vgs對應的漏-源電流Ids變?yōu)?Idsl °相比之下，當閾值電壓Vth處于Vth2時，與柵-源電壓Vgs對應的漏-源電流Ids變?yōu)镮ds2(Ids2 < Idsl)。即，如果驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth改變，則即使當柵-源電壓Vgs 維持恒定時，漏-源電流Ids也改變。同時，在具有前述配置的像素(像素電路)20中，發(fā)光期間的驅(qū)動晶體管22的柵-源電壓Vgs處于vsig-v。fs+vth- Δ V,如上所述。因此，如果將該值應用于等式(2)，則漏-源電流Ids可以表示如下Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-Δ V)2……(2).S卩，抵消了與驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth有關(guān)的項，并且從驅(qū)動晶體管22提供到有機EL元件21的漏-源電流Ids不依賴于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，即使當由于驅(qū)動晶體管22的制造工藝的偏差或老化而使得在每一像素中驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth改變時，漏-源電流Ids也不改變。因此，可以恒定地保持從有機EL元件21發(fā)射的光的亮度。遷移率校正的原理接著，將描述驅(qū)動晶體管22的遷移率校正的原理。圖6B圖示了用于將驅(qū)動晶體管22具有相對高遷移率μ的像素A與驅(qū)動晶體管22具有相對低遷移率μ的像素B進行比較的特性曲線。當驅(qū)動晶體管22由多晶硅薄膜晶體管等構(gòu)成時，遷移率μ不可避免地在像素之間偏移，如在像素A和B中那樣?？紤]這樣的情況其中，將具有相同電平的信號幅度Vin( = Vsig-Vofs)寫到兩個像素A和B的驅(qū)動晶體管22的柵極電極，同時遷移率μ在像素A和B之間偏移。在這種情況下，如果不執(zhí)行遷移率μ的校正，則在流經(jīng)具有高遷移率μ的像素A的漏-源電流Idsl' 與流經(jīng)具有低遷移率μ的像素A的漏-源電流Ids2‘之間產(chǎn)生大差異。以這種方式，如果由于每一像素中遷移率μ的偏移而在漏-源電流Ids之間產(chǎn)生大差異，則顯示的均勻性將
T^ ΨΙ^ O這里，如從上述晶體管特性等式(1)中顯而易見的那樣，漏-源電流Ids增大。因此，負反饋的反饋量ΔΥ也隨著遷移率μ增大而增大。如圖6Β所示，具有高遷移率μ的像素A的反饋量Δ V1相對地高于具有低遷移率μ的像素B的反饋量AV2。在這一點上，通過經(jīng)由遷移率校正處理利用驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids以反饋量AV將負反饋施加于柵-源電壓Vgs，隨著遷移率μ增大，更強烈地施加負反饋。結(jié)果， 可以抑制各像素之間遷移率μ的偏移。具體地說，如果在具有高遷移率μ的像素A中對于反饋量AV1進行校正，則漏-源電流Ids顯著地從Idsl'下降到Idsl。同時，由于具有低遷移率μ的像素B的反饋量 AV2低，因此漏-源電流IdsWlds2‘下降到Ids2，這是不顯著的。結(jié)果，由于像素A的漏-源電流Idsl約等于像素B的漏-源電流Ids2，因此校正了各像素之間的遷移率μ的偏移。總之，在具有不同遷移率μ的像素A和B的情況下，具有高遷移率μ的像素A的反饋量Δ V1變得相對地高于具有低遷移率μ的像素B的反饋量AV2。即，隨著像素的遷移率μ增大，反饋量ΔΥ也增大，并且漏-源電流Ids的減量也增大。因此，通過以與驅(qū)動晶體管22的漏-源電流Ids對應的反饋量Δ V將負反饋施加于柵-源電壓Vgs，均衡了具有不同遷移率μ的像素的漏-源電流Ids的電流值。結(jié)果，可以校正各像素之間的遷移率μ的偏移。即，以與流經(jīng)驅(qū)動晶體管22的電流(漏-源電流Ids) 對應的反饋量(校正量)Δν將負反饋施加于驅(qū)動晶體管22(即，存儲電容24)的柵-源電壓Vgs的處理是遷移率校正處理。1-3.驅(qū)動電路部分的配置示例這里，將描述像素陣列部分30的周圍排列的驅(qū)動電路部分的配置示例。這里，將示例性地描述用于當將信號電壓Vsig寫到驅(qū)動電路部分(例如，像素陣列部分30)的每一像素20時，以行為單位順序且選擇性地掃描每一像素20的寫掃描電路40。圖7是圖示寫掃描電路40的示例性配置的框圖?；旧希瑢憭呙桦娐?0包括移位寄存器電路41作為主要組件，用于與時鐘脈沖ck(未示出)同步地順序地移位(傳送) 開始脈沖sp。另外，對于像素陣列部分30的每一行，寫掃描電路40包括移位寄存器電路 41的每一個傳送級(單元電路Mli和41i+1中的緩沖器電路42,和42i+10
盡管這里圖示了級聯(lián)連接兩個傳送級Mi和41i+1作為移位寄存器電路41的配置，但是在實踐中，級聯(lián)連接與像素陣列部分30的行數(shù)對應的傳送級M1到41m。移位寄存器電路41的每一傳送級(例如，傳送級41i)通過級聯(lián)連接移位寄存器(SR)411、反相器 (INV)412、移位寄存器413和反相器414而組成了單元電路。另外，通過級聯(lián)連接反相器421、邏輯電路422和反相器423來配置緩沖器電路 42i0以這種方式，移位寄存器電路41的每一傳送級41,和41^和每一緩沖器電路42 0 和42i+1)通過使用反相器電路來配置。移位寄存器電路的電路操作這里，將參照圖8A到圖8C的操作說明圖以及圖9的定時波形圖來描述作為寫掃描電路40的主要組件的移位寄存器電路41的電路操作。這里，將示例性地描述傳送級Mi 的反相器412、移位寄存器413和反相器414的電路部分的電路操作，作為移位寄存器電路 41的電路操作。移位寄存器413包括與時鐘脈沖ck同步操作的晶體管A、與時鐘脈沖xck同步操作的晶體管( 和電容Q。另外，假設在反相器414的輸入端與移位寄存器413的輸出端之間存在寄生電容C2。圖9的定時波形示了時鐘脈沖ck、時鐘脈沖xck、反相器412的輸出電壓(b)、 電容C1的已充電電壓(c)和反相器414的輸入電壓(d)的波形。時鐘脈沖ck和xck表示具有IH周期的脈沖信號。在時鐘脈沖ck和xck 二者中，有效(高電位)時段略長于無效 (低電位)時段。另外，當時鐘脈沖ck和xck之一激活時，另一個去激活。在圖8A到圖8C的操作說明圖中，如果移位寄存器413的晶體管Gl1和％中的任意一個截止時，將符號X置于其上。假設反相器412的輸入電壓(A)的幅度(峰值)被設置為例如15V。首先，當激活時鐘脈沖ck時，具有幅值15V的反相器412的輸出電壓(b)在電容器C1中經(jīng)由具有導通狀態(tài)的晶體管A而充電。在這種情況下，由于時鐘脈沖XCk去激活， 因此晶體管( 截止，如符號X所示的那樣(參照圖8A)。另外，當時鐘Ck去激活時，晶體管仏和仏二者在短時段內(nèi)截止。結(jié)果，將15V的電壓(c)存儲在電容器C1中(參照圖8B)。接著，當時鐘脈沖xck去激活時，經(jīng)由晶體管込施加電容器C1中存儲的15V的電壓(c)，作為對于反相器414的輸入電壓(d)。在這種情況下，由于將寄生電容C2放置在移位寄存器413的輸出端與反相器414的輸入端之間，因此反相器414的輸入電壓(d)的幅值由于在電容C1和寄生電容C2之間分割的電容而減小(參照圖8C)。例如，假設將電容C1設置為4pF，并且將寄生電容C2設置為2pF，則分割電容，以便 15V X 4pFA4pF+2pF)，從而15V的幅值減小到IOV的幅值。結(jié)果，對于具有15V幅值的輸入電壓(a)，可以獲得帶有IH移位的具有IOV幅值的輸出電壓(e)。單溝道晶體管的反相器電路另一方面，對于制造驅(qū)動電路部分(如，寫掃描電路40)的處理，與雙溝道晶體管相比，如果使用單溝道(僅N溝道或P溝道)晶體管來配置驅(qū)動電路部分，則可以減小制造成本。因此，為了減小有機EL顯示器件10的制造成本，優(yōu)選的是，使用單溝道晶體管配置移位寄存器電路41或緩沖器電路42中(例如，寫掃描電路40中)包括的反相器電路。另外，當使用單溝道晶體管來配置反相器電路時，采用通過將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的電路配置以便保證反相器電路的可靠電路操作。在下文中，將描述通過將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路。電路配置圖IOA和圖IOB是圖示通過將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路的說明圖，其中圖IOA圖示了示例性電路配置，而圖IOB圖示了輸入和輸出脈沖信號INVin 和INV。ut的每一波形。根據(jù)本電路示例的反相器電路80幾乎反相經(jīng)由輸入端81輸入的脈沖信號INVin, 并且從輸出端82輸出相對于脈沖信號INVin具有反轉(zhuǎn)相位的脈沖信號INV。ut。作為電源電壓，反相器電路80使用例如四個正側(cè)的電源電壓V。" Vcc2, Vcc3和V。。4以及例如四個負側(cè)的電源電SVssl、Vss2, Vss3* Vss4。然而，這里描述的電源電壓僅為示例性的，并且并非意在限制本公開的范圍?？梢允褂酶?shù)量的電源電壓，或者可以在正側(cè)和負側(cè)的每一個中使用單一型的電源電壓。例如，反相器電路80包括7個晶體管Tr1到Tr7、5個電容性元件C1到C5和延遲電路83。7個晶體管Tr1到Tr7由同一(單一)溝道型(例如，N溝道)MOS (金屬氧化物半導體)型薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。盡管這里僅N溝道晶體管用于晶體管Tr1到Tr7，但是也可以僅使用P溝道晶體管。晶體管Tr1對應于第一晶體管，并且具有連接到正側(cè)電源V。。2的電源線L12的漏極電極以及連接到節(jié)點N1的源極電極，以便將經(jīng)由輸入端81輸入的輸入電壓(脈沖信號 INVin)所對應的電壓用作柵極輸入。晶體管Tr2具有連接到正側(cè)電源V。。3的電源線L13的漏極電極以及連接到節(jié)點隊的源極電極，以及連接到節(jié)點N1的柵極電極。晶體管Tr3具有連接到正側(cè)電源V。。4的電源線L14的漏極電極、連接到輸出端82的源極電極以及連接到節(jié)點 N2的柵極電極。延遲電路83包括例如并聯(lián)連接的兩個晶體管Tr91和Tr92。自然地，兩個晶體管 Tr91和Tr92是與晶體管Tr1到Tr7相同的N溝道MOS晶體管。晶體管Tr91和Tr92的公共連接的電極(源極電極/漏極電極)之一用作延遲電路83的電路輸入端，并且另一電極(漏極電極/源極電極)用作延遲電路83的電路輸出端。在延遲電路83中，電路輸入端連接到輸入端81。晶體管Tr91的柵極電極也連接到輸入端81。晶體管Tri32的柵極電極連接到正側(cè)電源電壓Veel的電源線Ln。晶體管Tr4具有連接到晶體管Tr1的柵極電極的漏極電極、連接到負側(cè)電源電壓 Vssl的電源線L21的源極電極以及連接到延遲電路83的電路輸出端的柵極電極。晶體管Tr5 對應于第二晶體管，并且具有連接到節(jié)點N1的漏極電極以及連接到負側(cè)電源電壓Vss2的電源線L22的源極電極。即，串聯(lián)連接晶體管Tr5，并且其柵極電極連接到輸入端81。晶體管Tr6具有連接到節(jié)點N2的漏極電極、連接到負側(cè)電源電壓Vss3的電源線L23 的源極電極。即，晶體管Tr6與晶體管Tr2串聯(lián)連接，并且具有連接到輸入端81的柵極電極。晶體管Tr7具有連接到輸出端82的漏極電極、連接到負側(cè)電源電壓Vss4的電源線L24的源極電極以及連接到輸入端81的柵極電極。電容性元件C1對應于第一電容性元件，其一個電極連接到晶體管Tr1的柵極電極， 并且另一電極連接到節(jié)點K。即，電容性元件C1連接在晶體管Tr1的柵極和源極之間。電容性元件C2對應于第二電容性元件，其一個電極連接到節(jié)點N1，而另一電極連接到輸入端81。節(jié)點N1還是晶體管Tr1和晶體管Tr5之間的公共節(jié)點。電容性元件C3的一個電極連接到晶體管Tr2的柵極電極，而另一電極連接到節(jié)點 N20電容性元件C4的一個電極連接到晶體管Tr3的柵極電極，并且另一電極連接到輸出端
82。電容性元件C5的一個電極連接到晶體管Tr4的柵極電極，而另一電極連接到負側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21。這里，包括晶體管Tri31和Tri32的延遲電路83用作連接在輸入端81和晶體管Tr4 的柵極電極之間的高阻抗元件。結(jié)果，當經(jīng)由輸入端81輸入的脈沖信號INVin通過延遲電路83時，在時間上延遲脈沖信號INVinW電位的變化，并將其發(fā)送到晶體管Tr4的柵極電極。 延遲電路83的延遲量可以通過改變正側(cè)電源電壓Vral的電壓值和電容性元件C5的電容值來控制。晶體管Tr1根據(jù)電容性元件C1的各端子之間的電壓而電連接或斷開節(jié)點N1與正側(cè)電源電壓V。。2的電源線L12。晶體管Tr2根據(jù)節(jié)點N1和N2的電位之間的差(即，電容性元件 C3的兩個端子之間的電壓)而電連接或斷開節(jié)點N2與正側(cè)電源電壓V。。3的電源線L13。晶體管Tr3根據(jù)節(jié)點隊和輸出端82的電位之間的差(即，電容性元件C4的兩個端子之間的電壓)而電連接或斷開輸出端82與正側(cè)電源電壓V。。4的電源線L14。晶體管Tr4根據(jù)延遲電路83的輸出端和負側(cè)電源電壓Vssl的電位之間的差(即， 電容性元件C5的兩個端子之間的電壓)而電連接或斷開晶體管Tr1的柵極電極與負側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21。晶體管Tr5根據(jù)輸入端81和負側(cè)電源電壓Vss2的電位之間的差而電連接或斷開節(jié)點N1與負側(cè)電源電壓Vss2的電源線L22。晶體管Tr6根據(jù)輸入端81和負側(cè)電源電壓Vss3的電位之間的差而電連接或斷開節(jié)點N2與負側(cè)電源電壓Vss3的電源線L23。晶體管Tr7根據(jù)輸入端81和負側(cè)電源電壓Vss4的電位之間的差而電連接或斷開輸出端82與負側(cè)電源電壓Vss4的電源線L24。電路操作接著，將描述當經(jīng)由輸入端81輸入的脈沖信號INVin被激活(具有高電位狀態(tài)) 和去激活(具有低電位狀態(tài))時具有前述配置的反相器電路80的電路操作?！ぎ斆}沖信號INVin被激活時當脈沖信號INVin被激活時，晶體管Τι·8的柵極電位變?yōu)楦唠娢粻顟B(tài)，并且晶體管 Τι·8導通。因此，從輸出端82輸出負側(cè)電源電壓Vss4作為脈沖信號INV。ut。同時，由于晶體管Tr6和Tr7也導通，因此將節(jié)點N1和N2的電位分別固定到負側(cè)電源電位Vss2和Vss3。結(jié)果，晶體管Tr2和Tr3 二者截止。另外，由于晶體管Tr4響應于延遲電路83延遲的輸出而導通，因此將晶體管Tr1的柵極電位固定到負側(cè)電源電壓Vssl。結(jié)果，晶體管Tr1也截止。艮卩，當激活脈沖信號INVin時，正側(cè)的所有晶體管Trp Tr2和Tr3均截止。·當脈沖信號INVin被去激活時當脈沖信號INVin被去激活時，同時，負電位側(cè)的所有晶體管Tr5、Tr6和Tr7均截止。另外，根據(jù)當脈沖信號INVin從高電位改變到低電位時的變化，由于電容性元件(2的電容耦合，節(jié)點N1的電位(S卩，晶體管Tr2的柵極電位)降低。在電位由于電容耦合而下降的時刻，由于延遲電路83中的延遲，晶體管Tr4的柵極電位仍然處于高電位狀態(tài)。因此，晶體管Tr1的柵極電位仍然處于負側(cè)電源電壓Vssl。因此，當由于節(jié)點N1的電位下降，從而晶體管Tr1的柵源電壓Vgs增大到閾值電壓之上時，晶體管Tr1導通。結(jié)果，節(jié)點N1的電位增大，直到正側(cè)電源電壓V。。lt)然后，由于晶體管Tr2的柵-源電壓Vgs也增大，因此晶體管Tr2也導通。結(jié)果，節(jié)點N2的電位增大，直到正側(cè)電源電壓V。。2，并且晶體管Tr3的柵-源電壓Vgs也增大。因此， 晶體管Tr3以及Tr2導通。另外，由于晶體管Tr3導通，因此從輸出端82輸出正側(cè)電源電壓 Vcc4，作為脈沖信號INV。ut。這里，為了在晶體管Tr2的柵極電位由于電容性元件C2的電容耦合而下降時更快速地導通晶體管Tr1，優(yōu)選的是，將電容性元件C2的電容值設置為某種程度上的高水平。另外，由于快速地導通晶體管Tr1,因此可以更精確地確定脈沖信號INVout的轉(zhuǎn)換定時(上升 /下降定時)。脈沖信號INV。ut的轉(zhuǎn)換定時確定脈沖信號INVout的脈寬。另外，當驅(qū)動電路是寫掃描電路40時，將脈沖信號INV。ut用作用于產(chǎn)生寫掃描信號WS的基準信號。因此，脈沖信號 INVout的脈寬用作確定寫掃描信號WS的脈寬的基準，并且還用作確定上述遷移率校正處理的操作時間(即，遷移率校正時間)的基準。這里，比較長和短最佳遷移率校正時間，即使當在寫掃描信號WS的脈寬中存在相同的偏移量(時間)時，在最佳遷移率校正時間較短的情況下，寫掃描信號WS的脈寬的偏移也變得相對大。另外，寫掃描信號WS的脈寬的偏移也引起了亮度的偏移，這惡化了圖像質(zhì)量。從該觀點，重要的是通過將大電容值設置給電容性元件C2以更快速地導通晶體管 Tr1，來更精確地確定用作確定遷移率校正時間的基準的脈沖信號INV。ut的轉(zhuǎn)換定時。如從電路操作的前述描述中顯而易見的那樣，為了保證包括單溝道晶體管的反相器電路80的可靠電路操作，必不可少地包括電容性元件C2，用于特別地通過使用電容耦合來減小節(jié)點N1的電位。另外，除了電容性元件C2之外，還必須包括電容性元件C”C3和C4, 用于存儲晶體管TrpTr2和Tr3的柵-源電壓Vgs。在包括雙溝道晶體管的反相器電路中這種電容性元件C1到C4不是必須的。通過將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路80可以用作圖7所示的寫掃描電路40的移位寄存器電路41中包括的反相器412或414或者緩沖器電路42 中包括的反相器421或423。由于電源掃描電路50基本上具有與寫掃描電路40的配置相同的配置，因此反相器電路80也可以用作電源掃描電路50的反相器。在顯示面板中安裝單溝道晶體管反相器電路的問題如果通過使用將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路80來配置驅(qū)動電路部分(如，寫掃描電路40)，則全部驅(qū)動電路部分中使用的電容性元件的數(shù)量顯著增大。在這一點上，將回顧這樣的情況通過將具有根據(jù)本公開實施例的配置的驅(qū)動電路部分和像素陣列部分30安裝在同一襯底上來配置顯示面板70。參考示例中顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)圖11是圖示根據(jù)參考示例的顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖11示出了像素陣列部分30和作為顯示面板70的周圍部分的邊框區(qū)域的橫截面結(jié)構(gòu)。參照圖11，在玻璃襯底71之上形成包括驅(qū)動晶體管22等的電路部分，并且在電路部分之上形成有機EL元件21。具體地說，在玻璃襯底71上順序地形成絕緣膜72、絕緣扁平膜73和纏繞絕緣膜(wind insulation film)74。然后，有機EL元件21形成在纏繞絕緣膜74的凹陷部分74A中。這里，作為有機EL元件21的下層(S卩，面對有機EL元件21的發(fā)光表面的層)中形成的像素20的電路部分(驅(qū)動電路)的代表，僅圖示了驅(qū)動晶體管 22，并且省略了其他組件。有機EL元件21包括陽極211、有機層212和陰極213。陽極211在纏繞絕緣膜74 的凹陷部分7\的底部上由金屬等材料形成。有機層212形成在陽極211上。陰極213在公共地跨越所有像素的有機層212 (即，顯示面板70的整個表面)上由透明導電膜等形成。在有機EL元件21中，通過在陽極211上順序地沉積空穴傳輸層/空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層(未全示出)來形成有機層212。另外，當使用圖2的驅(qū)動晶體管22在電流驅(qū)動之下將電流經(jīng)由陽極211從驅(qū)動晶體管22流到有機層212時，當在有機層212內(nèi)的發(fā)光層中電子和空穴復合時發(fā)光。驅(qū)動晶體管22包括鉬(Mo)等制成的柵極電極221、半導體層222的兩側(cè)中提供的源極/漏極區(qū)223和224以及面對半導體層222的柵極電極221的溝道形成區(qū)域225。源極/漏極區(qū)223經(jīng)由接觸孔電連接到有機EL元件21的陽極211。由鋁(Al)等制成的金屬布線75形成在絕緣膜72上。以這種方式，通過使用絕緣膜72、絕緣扁平膜73和纏繞絕緣膜74，以像素為單位在玻璃襯底711上形成有機EL元件 21。另外，通過使用鈍化膜76，由密封襯底(玻璃襯底)77來密封有機EL元件21。通過前述處理，形成顯示面板70。同時，在顯示面板70的周圍部分(S卩，顯示面板70的邊框區(qū)域)形成包括寫掃描電路40、電源掃描電路50等的驅(qū)動電路部分。這里，通過示例，將對于作為驅(qū)動電路部分的寫掃描電路40進行描述。通過使用由單溝道晶體管構(gòu)成的反相器電路來配置寫掃描電路 40，以便如上所述實現(xiàn)成本的降低。另外，單溝道晶體管反相器電路包括電容性元件。如上所述，與諸如晶體管之類的電路元件相比，電容性元件需要相對大的布局區(qū)域。特別地，需要大布局區(qū)域以形成大電容的電容性元件。為此，為了在同一襯底中安裝像素陣列部分30和包括寫掃描電路40的驅(qū)動電路部分，與包括驅(qū)動電路部分的晶體管等的電路部分分離地，準備專用于電容性元件的區(qū)域，并且在其上形成電容性元件。具體地說，如圖11所示，以島的形狀在玻璃襯底71上形成面對由鋁(Al)制成的現(xiàn)有金屬布線75的、由鉬(Mo)等制成的金屬布線78，以便通過使用兩條布線75和78之間的絕緣膜72作為介電部件來形成電容性元件C。這里，基于金屬布線75和78之間的面對面積、金屬布線75和78之間的距離以及作為介電部件的絕緣膜72的介電常數(shù)來確定電容性元件C的電容值。以這種方式，在顯示面板70的邊框區(qū)域中對于電容性元件專門準備的區(qū)域中形成通過使用作為介電部件的、在金屬布線75和78之間的絕緣膜72而形成的多個電容性元件C，例如以匹配圖12中所示的像素行。因此，由于當包括寫掃描電路40的驅(qū)動電路部分安裝在顯示面板70的邊框區(qū)域中時，驅(qū)動電路部分內(nèi)電容性元件占據(jù)的布局區(qū)域增大，因此擴大了顯示面板70的邊框區(qū)域。盡管在圖11中僅圖示了顯示面板70的邊框區(qū)域中形成電容性元件C的區(qū)域，但是除了用于形成其他電路部分的區(qū)域之外，用于形成電容性元件C 的區(qū)域(布局區(qū)域)是必須的。2.實施例的描述根據(jù)本公開的實施例，當在具有像素陣列部分30的顯示面板70中安裝具有包括電容性元件的電路配置的驅(qū)動電路部分時，還通過與有機EL元件21的處理相同的處理，在顯示面板70上的像素陣列部分30的周圍部分中形成有機層。另外，通過使用有機層作為介電部件來形成驅(qū)動電路部分的電容性元件。這里，即使當在像素陣列部分30的周圍部分中形成用作電容性元件的介電部件的有機層時，由于通過與有機EL元件21的有機層212的處理相同的處理來形成該有機層， 因此制造處理的數(shù)量不增大。另外，由于像素陣列部分30的周圍部分中形成的有機層用作電容性元件的介電部件，因此在上述參考示例中可以自由地使用已經(jīng)形成了電容性元件的區(qū)域，并且可以用作形成其他電路部分的區(qū)域。結(jié)果，由于在參考示例中不需要用以形成其他電路部分的區(qū)域，因此由驅(qū)動電路部分占據(jù)的布局區(qū)域，以及進一步像素陣列部分30的周圍部分(即，顯示面板70的邊框區(qū)域)可以減小不必要的區(qū)域。即，當在顯示面板70中安裝具有包括電容性元件的電路配置的驅(qū)動電路部分時，可以獲得顯示面板70的窄邊框。在下文中，將參照附圖詳細描述本公開的實施例。2-1.在本公開的實施例中顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)圖13是圖示根據(jù)本公開實施例的顯示面板的安裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖。相同的附圖標記表示與圖11中相同的元件。參照圖13，像素陣列部分30具有與上述參考示例的顯示面板的配置(參照圖11) 相同的配置。即，在玻璃襯底71上形成包括驅(qū)動晶體管22等的電路部分(驅(qū)動電路部分)， 并且在該電路部分之上形成有機EL元件21。具體地說，絕緣膜72、絕緣扁平膜73和纏繞絕緣膜74順序地形成在玻璃襯底71上，并且在纏繞絕緣膜74的凹陷部分74a中形成有機 EL元件21。有機EL元件21包括陽極211、有機層212和陰極213。陽極211在纏繞絕緣膜74 的凹陷部分74A的底部上由金屬等形成。有機層212形成在陽極211上。陰極213在公共地跨越全部像素的有機層212(即，顯示面板70的整個表面)上由透明導電膜等形成。驅(qū)動晶體管22包括由鉬(Mo)等制成的柵極電極221、在半導體層兩側(cè)提供的源極/漏極區(qū)223和224以及面對半導體層222的柵極電極221的溝道形成區(qū)域225。源極 /漏極區(qū)223經(jīng)由接觸孔電連接到有機EL元件21的陽極205。在絕緣膜72上形成由鋁(Al)等制成的金屬布線75。以這種方式，通過使用絕緣膜72、絕緣扁平膜73和纏繞絕緣膜74，以像素為單位在玻璃襯底711上形成有機EL元件 21。另外，通過使用鈍化膜76，由密封襯底(玻璃襯底)77來密封有機EL元件21，以便通過前述處理，形成顯示面板70。同時，在像素陣列部分30的周圍部分的區(qū)域(S卩，顯示面板70的邊框區(qū)域)中， 在與有機EL元件21的層相同的層中形成電容性元件90。電容性元件90具有這樣的結(jié)構(gòu) 其中，在相同層中并且通過與有機EL元件21的有機層212的處理相同的處理形成的有機層92插入在用作介電部件的兩個電極91和93之間。與有機EL元件21的有機層212類似地，電容性元件90的有機層92可以通過形成纏繞絕緣膜74的凹陷部分(對應于凹陷部分74a)并在凹陷部分內(nèi)形成有機層92來獲得。電容性元件90的電極91和93 二者由相同的布線材料制成，并且通過與有機EL 元件21的陽極211和陰極213的處理相同的處理來形成。另外，由于與有機層212類似， 也通過在一個電極91上沉積空穴傳輸層來形成有機層92，因此通過與有機EL元件21的有機層212的處理相同的處理來形成有機層92。電容性元件90的一個電極91 (對應于陽極211)經(jīng)由接觸部分94電連接到金屬布線75。電容性元件90的另一電極93 (對應于陰極213)經(jīng)由接觸部分95和金屬布線75 電連接到金屬布線78。金屬布線75和78電連接到驅(qū)動電路部分(如，寫掃描電路40)的其他電路部分。由兩個電極91和93的面對面積、兩個電極91和93之間的距離以及作為介電部件的有機膜92的介電常數(shù)來確定電容性元件90的電容值。這里，由于通過與有機EL元件 21的有機層212的處理相同的處理來形成有機層92，因此根據(jù)有機EL元件21來固定地確定兩個電極91和93之間的距離。另外，由于發(fā)光層的材料根據(jù)發(fā)射的光的顏色而不同，因此根據(jù)發(fā)射的光的顏色來固定地確定有機層92的介電常數(shù)。因此，電容性元件90的電容值可以由兩個電極91和93之間的面對面積而任意地設置。此外，由于電容性元件90與發(fā)射的光的顏色無關(guān)，因此考慮單位電容，可以使用僅發(fā)射任意單色光的有機層來配置。即，由于有機層92的介電常數(shù)如上所述根據(jù)發(fā)光層的材料和發(fā)射光的顏色而不同，因此通過使用發(fā)射單色光的有機層來配置電容性元件90的有機層92，可以對于所有形成的電容性元件90集合地設置單位電容。在與形成其他電路部分的區(qū)域獨立的專用區(qū)域中形成電容性元件90。因此，可以獲得大區(qū)域作為形成電容性元件90的區(qū)域。結(jié)果，由于可以在電容性元件90的兩個電極 91和93之間設置大的面對面積，因此與在其他電路部分相同的區(qū)域中形成電容性元件90 的情況相比，可以對于電容性元件90設置更高的電容值。使相對高電容值成為必要的電容性元件90包括例如如上所述的反相器電路80中的電容性元件C1到C5等。在顯示面板70的邊框區(qū)域中形成多個電容性元件90，以與圖12中所示的像素行匹配。同時，除了接觸部分94和95之外，可以自由地使用電容性元件90的下層(即，與像素20的電路部分相同的層)。因此，盡管在圖13中未示出，但是電容性元件90的下層可以用作驅(qū)動電路部分中包括的電容性元件90以外的電路部分的一部分或全部，具體地說，包括單溝道晶體管的電路部分。電容性元件90以外的電路部分可以通過與用以面對有機EL 元件21的發(fā)光表面所形成的電路部分的處理相同的處理來形成。如上所述，在顯示面板70中安裝具有包括電容性元件90的電路配置的驅(qū)動電路部分，還在顯示面板70的邊框區(qū)域中形成有機層92，并且通過使用有機層92作為介電部件來形成電容性元件90。結(jié)果，可以獲得如下優(yōu)點和效果。S卩，即使當形成用作介電部件的電容性元件90的有機層92時，由于有機層92通過與有機EL元件21的有機層212的處理相同的處理來形成，因此也不會增加制造處理的數(shù)量。另外，由于在顯示面板70的邊框區(qū)域中形成的有機層92用作電容性元件90的介電部件，因此有機層92的下層的區(qū)域可以用于形成其他電路部分的區(qū)域。結(jié)果，由于不需要單獨地獲得形成其他電路部分的區(qū)域，因此將驅(qū)動電路部分占據(jù)的布局區(qū)域以及進一步像素陣列部分30的周圍部分(即，顯示面板70的邊框)減小到這種程度。即，如果在顯示面板70中安裝具有包括電容性元件90的電路配置的驅(qū)動電路部分，則可以減小顯示面板70的邊框區(qū)域，即獲得窄框。2-2.實施例中制造顯示面板的方法為了制造具有前述配置的顯示面板70，在玻璃襯底71上形成包括像素20的驅(qū)動晶體管22的電路部分的處理中，如圖13所示，還在顯示面板70的邊框區(qū)域中形成驅(qū)動電路部分(如，寫掃描電路40)的其他電路部分。要注意的是，為了簡便，在圖13中省略了其他電路部分。另外，通過與形成有機EL元件21的處理相同的處理，還在顯示面板70的邊框區(qū)域中形成一個電極91、有機層92和另一電極93，以便通過使用有機層92作為介電部件來形成電容性元件90。根據(jù)這種制造顯示面板70的方法，即制造有機EL顯示器件的方法，可以在形成有機EL元件21的處理中形成電容性元件90而不增加制造處理的數(shù)量。因此，可以以包括通過使用有機層92作為介電部件而獲得的電容性元件90的驅(qū)動電路部分來制造顯示面板 70，同時抑制制造成本。3.修改盡管已經(jīng)通過例示有機EL元件21的驅(qū)動電路具有基本上包括兩個晶體管(即， 驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23)的像素配置的情況而描述了前述實施例，但是本公開的范圍不限于這種像素配置。例如，本公開的實施例可以應用于各種像素配置，如固定電源線32 的電位，并且將發(fā)光控制晶體管串聯(lián)連接到驅(qū)動晶體管22以便由發(fā)光控制晶體管控制有機EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的像素配置。例如，在有機EL顯示器件具有包括發(fā)光控制晶體管的像素配置的情況下，需要掃描電路單獨地控制作為驅(qū)動電路部分的發(fā)光控制晶體管。在有機EL顯示器件的這種情況下，也可以將本公開的實施例應用于控制發(fā)光控制晶體管的掃描電路。4.應用根據(jù)本公開的前述實施例的有機EL顯示器件可以應用于各種領(lǐng)域中顯示輸入到電子設備或在電子設備內(nèi)創(chuàng)建的圖像信號作為圖像或視頻的電子設備的顯示部分(顯示裝置)。例如，本公開的實施例可以應用于各種電子設備，如數(shù)碼相機、膝上型計算機、移動終端(如，移動電話)和攝像機，如圖14到圖18所示。以這種方式，通過使用根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件作為各種領(lǐng)域中的電子設備的顯示部分，可以減小各種電子設備中裝置主機的尺寸。即，如從前述實施例的描述中顯而易見的那樣，如果在顯示面板中安裝具有包括電容性元件的電路配置的驅(qū)動電路部分，則在根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件中，可以獲得顯示面板的窄邊框。因此，由于可以減小各種電子設備中顯示部分的邊框尺寸，因此可以實現(xiàn)裝置主機的小型化。根據(jù)本公開的實施例的有機EL顯示器件包括密封的模塊配置。例如，本公開的實施例可以應用于通過將表面單元(如，透明玻璃)附加到像素陣列部分30而獲得的顯示模塊。這種透明表面單元可以包括濾色鏡、保護膜、光屏蔽膜等。此外，顯示模塊可以包括用于向/從像素陣列部分輸入/輸出信號等的電路部分、柔性印刷電路(FPC)等。電子設備在下文中，將詳細描述根據(jù)本公開實施例的電子設備的示例。圖14是圖示根據(jù)本公開的原理的電視機的外觀的透視圖。根據(jù)本示例的電視機包括具有前面板102的圖像顯示屏幕單元101、濾色玻璃103等，并且使用根據(jù)本公開原理的有機EL顯示器件作為這種圖像顯示屏幕單元101來制造。圖15A和圖15B是圖示根據(jù)本公開原理的數(shù)碼相機的外觀的透視圖，其中圖15A 是前透視圖，而圖15B是后透視圖。根據(jù)本示例的數(shù)碼相機包括閃光發(fā)射單元111、顯示單元112、菜單開關(guān)113、快門按鈕114等，并且使用根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件作為這種顯示單元112來制造。圖16是圖示根據(jù)本公開實施例的膝上型計算機的外觀的透視圖。根據(jù)本示例的膝上型計算機包括操作以在主機121中鍵入字符的鍵盤122、用于顯示圖像的顯示單元123 等，并且使用根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件作為這種顯示單元134來制造。圖17是圖示根據(jù)本公開實施例的攝像機的外觀的透視圖。根據(jù)本公開實施例的攝像機包括主機單元131、在觀看前方的側(cè)面中提供的被攝體捕捉鏡頭132、圖像捕捉中使用的開始/停止開關(guān)133、顯示單元134等，并且使用根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件作為這種顯示單元123來制造。圖18A到圖18G是圖示根據(jù)本公開實施例的移動終端(例如，移動電話)的外觀視圖，其中圖18A是打開狀態(tài)下的前視圖，其中圖18B是其側(cè)視圖，圖18C是關(guān)閉狀態(tài)下的前視圖，圖18D是左側(cè)視圖，圖18E是右側(cè)視圖，圖18F是頂視圖，并且圖18G是底視圖。根據(jù)本公開實施例的移動電話包括上外殼141、下外殼142、連接器(這里，鉸鏈單元)143、顯示器144、副顯示器145、畫面燈146、相機147等，并且使用根據(jù)本公開實施例的有機EL顯示器件作為這種顯示器144或副顯示器145來制造。本公開包含與于2010年7月15日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2010-160407中公開的主題有關(guān)的主題，將其全部內(nèi)容通過引用的方式合并在此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應該理解，根據(jù)設計要求和其他因素，可能出現(xiàn)各種修改、組合、部分組合和變更，只要它們落在所附權(quán)利要求或其等價物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光EL顯示器件，包括像素陣列部分，其中排列具有有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在與所述像素陣列部分相同的襯底上、在所述像素陣列部分的周圍部分中提供，所述驅(qū)動電路部分具有包括電容性元件的電路配置，其中，所述電容性元件使用通過與所述有機EL元件的有機層的處理相同的處理在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL顯示器件，其中，所述驅(qū)動電路部分是用于順序地選擇所述像素陣列部分的每一像素的掃描電路，所述掃描電路具有通過將單溝道晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路，以及所述反相器電路的電容性元件使用在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL顯示器件，其中，所述掃描電路具有包括所述有機層之下的單溝道晶體管的電路部分，所述有機層用作所述反相器電路的電容性元件的介電部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL顯示器件，其中，所述反相器電路包括第一晶體管，接收與經(jīng)由輸入端輸入的輸入電壓對應的電壓作為柵極輸入，第二晶體管，串聯(lián)連接到所述第一晶體管，并具有連接到所述輸入端的柵極電極，第一電容性元件，連接在所述第一晶體管的柵極和源極之間，以及第二電容性元件，連接在所述第一和第二晶體管之間的公共節(jié)點與所述輸入端之間，其中，所述第二電容性元件使用所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機EL顯示器件，其中，所述第二電容性元件的電容值高于所述第一電容性元件的電容值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機EL顯示器件，其中，所述像素具有遷移率校正能力，所述遷移率校正能力用于通過以與流經(jīng)用于驅(qū)動所述有機EL元件的驅(qū)動晶體管的電流對應的校正量，將負反饋施加于所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓，來校正所述驅(qū)動晶體管的遷移率，以及所述掃描電路創(chuàng)建用于使用所述反相器電路的輸出脈沖作為基準來確定用于校正遷移率的校正時間的寫掃描信號，并基于通過所述第二電容性元件的電容耦合來確定所述輸出脈沖的轉(zhuǎn)換定時。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL顯示器件，其中，所述電容性元件的有機層由發(fā)射單一類型光顏色的有機層構(gòu)成。
8.一種顯示裝置，包括像素陣列部分，其中排列包括有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在所述像素陣列部分的周圍部分中提供，所述驅(qū)動電路部分包括電容性元件，其中，所述電容性元件使用與所述有機EL元件的有機層的相同的有機層作為介電部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動電路部分具有通過將晶體管與電容性元件組合而獲得的反相器電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述反相器電路具有在所述電容性元件的有機層之下提供的晶體管。
11.一種制造有機EL顯示器件的方法，所述有機EL顯示器件包括像素陣列部分，其中排列具有有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在與所述像素陣列部分相同的襯底上、在所述像素陣列部分的周圍部分中提供，所述驅(qū)動電路部分具有包括電容性元件的電路配置，所述方法包括通過與所述有機EL元件的有機層的處理相同的處理，在所述像素陣列部分的周圍部分中形成有機層；以及通過使用在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件來形成所述電容性元件。
12.一種包括有機EL顯示器件的電子設備，所述有機EL顯示器件包括像素陣列部分，其中排列具有有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在與所述像素陣列部分相同的襯底上、在所述像素陣列部分的周圍部分中提供，所述驅(qū)動電路部分具有包括電容性元件的電路配置，其中，所述電容性元件使用通過與所述有機EL元件的有機層的處理相同的處理在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。
全文摘要
公開了有機電致發(fā)光EL顯示器件、顯示裝置、制造有機EL顯示器件的方法和包括有機EL顯示器件的電子設備。該有機EL顯示器件包括像素陣列部分，其中排列具有有機EL元件的像素；以及驅(qū)動電路部分，在與所述像素陣列部分相同的襯底上、在所述像素陣列部分的周圍部分中提供，所述驅(qū)動電路部分具有包括電容性元件的電路配置，其中所述電容性元件使用通過與所述有機EL元件的有機層的處理相同的處理在所述像素陣列部分的周圍部分中形成的有機層作為介電部件。
文檔編號H01L51/52GK102339848SQ201110190408
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者三并徹雄, 內(nèi)野勝秀 申請人:索尼公司