專利名稱：一種小型片式電阻的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域，尤其是指一種小型片式電阻的制造方法。
背景技術(shù)：
目前片式電阻的普遍生產(chǎn)方法是在含有分割槽(含折條槽、折粒槽)的氧化鋁陶瓷基板上先經(jīng)數(shù)道工序制成電阻陣列半成品，接著沿折條槽將塊狀產(chǎn)品分割成條狀，然后將條狀產(chǎn)品堆疊整齊并對折條分割面進(jìn)行金屬化，再將條狀產(chǎn)品沿折粒槽分割成粒狀，最后對粒狀產(chǎn)品的端頭進(jìn)行鍍鎳層、鍍錫層。制造工藝如圖1所示。以上常規(guī)的生產(chǎn)方法若用于生產(chǎn)小型化片式電阻，特別是0201、01005或更小型， 存在以下嚴(yán)重不足1、傳統(tǒng)含分割槽的基板在成形過程要經(jīng)高溫?zé)Y(jié)，存在尺寸精度差及分割槽深淺不均勻等缺陷。此基板若用于生產(chǎn)小型化電阻，由于其尺寸精度差，大大增加印刷對位難度或甚至使圖形位置偏離目標(biāo)范圍；再受折條、折粒分割槽的深淺不均勻或兩者深度比例不適當(dāng)影響，在分割時基板極容易出現(xiàn)橫斷或縱斷、分割面尖角不平等現(xiàn)象，既影響產(chǎn)品最終尺寸精度，又增加操作難度及生產(chǎn)成本。2、常規(guī)片式電阻的電阻體圖形一般設(shè)計為粒狀印刷，若小型化電阻的電阻體也采用此工藝生產(chǎn)，由于圖形尺寸很小且相鄰兩粒的間距非常窄，因此在印刷時很容易出現(xiàn)滲漿形變或相鄰兩粒發(fā)生連線，導(dǎo)致電阻體膜厚不均勻、阻值集中性差，并給后面數(shù)道工序的生產(chǎn)帶來很大影響。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足，本發(fā)明的目的在于提供一種小型片式電阻的制造方法，其制得產(chǎn)品尺寸精度高，電阻體尺寸大小一致且周邊平直、阻值集中性好。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列；(2)電阻體成形制備條狀電阻排，然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。所述步驟(1)中，折條分割槽的深度為基板總厚度的2/5 4/5，寬度為10 25um。所述步驟⑴中，折粒分割槽的深度一般為基板總厚度的1/3 3/5，寬度為10 20umo所述步驟O)中，在基板非劃槽面的相應(yīng)位置印刷條狀電阻排，優(yōu)選的印刷用漿料為氧化釕電阻漿。所述步驟O)中，先在基板非劃槽面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域印上掩膜膠并干燥，然后在此面的非掩膜區(qū)域真空濺射上條狀電阻排，優(yōu)選的真空濺射材料為合金電阻靶。
所述步驟O)中，用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體，切割線寬度為30 60um。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)為1)、通過高精密激光劃片，所得的基板尺寸精度非常高(誤差可控在3 5um)，大大提高印刷對位精度，有效解決傳統(tǒng)劃槽基板精度差問題；2)、可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例，以減少生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)的高斷片率以及分割面尖角不平導(dǎo)致產(chǎn)品尺寸精度差等問題；3)、本發(fā)明的電阻體成形工藝是先形成條狀電阻排，再根據(jù)產(chǎn)品型號采用高精密激光劃線技術(shù)將條狀電阻排切割成粒狀電阻體，所得的粒狀電阻體具備尺寸大小非常一致且周邊平直、阻值集中性好等特點(diǎn)，從而解決了常規(guī)的粒狀印刷圖形所出現(xiàn)的滲漿、連線、 阻值集中性差等缺陷。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的制造工藝流程圖；圖2是本發(fā)明中的光白基板進(jìn)行激光劃片后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明中的光白基板掰掉矩形外框以外白邊后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明中的光白基板印刷條狀電阻排后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明中的條狀電阻排被激光劃線形成粒狀電阻體后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明中的光白基板印刷掩膜膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明中的光白基板印刷掩膜膠后濺射形成條狀電阻體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為了能更清晰的理解本發(fā)明，以下將結(jié)合

闡述本發(fā)明的具體實施方式
。本發(fā)明是一種小型片式電阻的制造方法，包括以下步驟(1)高精密激光劃片根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計要求采用高精密激光劃片技術(shù)先在光白基板 1的一面劃上矩形外框11，并在矩形外框11中間部分劃上折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列(如圖2)。接著掰掉矩形外框11以外的白邊，如圖3，并將基板1清潔干凈與烘干。優(yōu)選的，折條分割槽X的深度為基板1總厚度的2/5 4/5，寬度為10 25um。優(yōu)選的，折粒分割槽Y的深度一般為基板1總厚度的1/3 3/5，寬度為10 20um。(2)電阻體121成形在基板1光白面(非劃槽面)的相應(yīng)位置制備條狀電阻排 12 (如圖4)，然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排12切割成粒狀電阻體121 (如圖5)。優(yōu)選的，條狀電阻排12的制備采用印刷的方式，所用的漿料為氧化釕電阻漿，并干燥；或者， 在基板1光白面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域先印上掩膜膠13 (如圖6)，并干燥，然后接著在此面的非掩膜區(qū)域131真空濺射上條狀電阻排12(如圖7)，所用材料為合金電阻靶，最后清洗掉掩膜膠并烘干，同樣得到結(jié)構(gòu)如圖4所示的產(chǎn)品。真空濺射時，真空度一般為IX 10_3 7X10—3托；時間為1 10分鐘。合金電阻靶優(yōu)選NiCrSi、NiCrAlSi或類似合金。當(dāng)然，本發(fā)明中條狀電阻排的成形工藝也包括其他相類似的方法。用高精密激光劃線將條狀電阻排12切割成粒狀電阻體121時，優(yōu)選的，切割線寬度r為30 60um。本發(fā)明的核心是通過高精密激光劃片，形成尺寸精度非常高的基板，并可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例；電阻體成形工藝是先形成條狀電阻排，再利用高精密激光劃線技術(shù)將條狀電阻排切割成形成粒狀電阻體。除上述兩道工序外，其余流程與常規(guī)片阻工藝流程基本相同，各工藝參數(shù)根據(jù)選用的材料進(jìn)行設(shè)定。實施例1光白基板劃片H只劃一面)，清洗，150°C烘干約10分鐘；在劃槽面印刷背電極， 150°C烘干約10分鐘；[以下圖形均在基板另一面(正面，即非劃槽面)印刷]印刷氧化釕條狀電阻排，150°C烘干約10分鐘；用激光將條狀電阻排切割2成粒狀電阻體，850°C燒結(jié) 10分鐘；印刷面電極，150°C烘干約10分鐘，850°C燒結(jié)10分鐘；印刷一次玻璃，150°C烘干 10分鐘，600°C燒結(jié)5分鐘；激光調(diào)阻；印刷二次玻璃，150°C烘干10分鐘；印刷標(biāo)記(可不印)，150度烘干10分鐘；200度固化30分鐘；折條；端面真空濺射金屬層；折粒；電鍍鎳層； 電鍍錫層；編帶；入庫。在本實施例中，劃片1 折條分割槽χ的深度為基板總厚度的3/5，寬度為ISum ；折粒分割槽y的深度為基板總厚度的1/2，寬度為15um。同一次劃片的槽寬、槽深精度誤差均可控制在3 5um以內(nèi)。切割2線寬度為45um。實施例2光白基板劃片(只劃一面)，清洗，150°C烘干約10分鐘；在劃槽面印刷背電極， 150°C烘干約10分鐘；[以下圖形均在基板另一面(正面，即非劃槽面)印刷]印刷面電極， 150°C烘干約10分鐘，850°C燒結(jié)10分鐘；印刷掩膜膠，150度烘干約10分鐘；真空濺射條狀電阻排，濺射的真空度4. 5X 10_3托，時間為5分鐘，合金電阻靶采用NiCrSi ；清洗掉掩膜膠，150°C烘干約10分鐘；用激光將條狀電阻排切割成粒狀電阻體；激光調(diào)阻；隨后流程同實施例1。
權(quán)利要求
1.一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列；(2)電阻體成形制備條狀電阻排，然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述步驟(1) 中，折條分割槽的深度為基板總厚度的2/5 4/5，寬度為10 25um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述步驟(1) 中，折粒分割槽的深度一般為基板總厚度的1/3 3/5，寬度為10 20um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述步驟(2) 中，在基板非劃槽面的相應(yīng)位置印刷條狀電阻排。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述印刷用的漿料為氧化釕電阻漿。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述步驟(2) 中，先在基板非劃槽面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域印上掩膜膠并干燥，然后在此面的非掩膜區(qū)域真空濺射上條狀電阻排。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述真空濺射材料為合金電阻靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法，其特征在于所述步驟(2) 中，用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體，切割線寬度為30 60um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種小型片式電阻的制造方法，其包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列；(2)電阻體成形制備條狀電阻排，然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所得的基板尺寸精度非常高，大大提高印刷對位精度，有效解決傳統(tǒng)劃槽基板精度差問題；同時可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例，以減少生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)的高斷片率以及分割面尖角不平導(dǎo)致產(chǎn)品尺寸精度差等問題；而且所得的粒狀電阻體具備尺寸大小非常一致且周邊平直、阻值集中性好等特點(diǎn)，從而解決了常規(guī)的粒狀印刷圖形所出現(xiàn)的滲漿、連線、阻值集中性差等缺陷。
文檔編號H01C17/12GK102394164SQ20111019245
公開日2012年3月28日 申請日期2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月11日
發(fā)明者蘭昌云, 張遠(yuǎn)生, 楊曉平, 楊理強(qiáng), 梁小云, 鄧進(jìn)甫 申請人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司