專(zhuān)利名稱(chēng)：一種測(cè)試級(jí)電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電纜，尤其涉及一種適用于射頻器件的射頻參數(shù)測(cè)量的測(cè)試級(jí)電纜。
背景技術(shù)：
隨著國(guó)內(nèi)4G移動(dòng)通信、寬帶城域網(wǎng)、無(wú)線局域網(wǎng)的大規(guī)模發(fā)展，各類(lèi)射頻器件被廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)中，射頻器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與生產(chǎn)在國(guó)內(nèi)蓬勃發(fā)展。所有射頻器件在出廠前必須進(jìn)行射頻參數(shù)的測(cè)量，以保證產(chǎn)品在高頻時(shí)的穩(wěn)定性和一致性。這使得射頻測(cè)量系統(tǒng)被通信實(shí)驗(yàn)室、射頻器件廠商大規(guī)模的需求，但直至今日，這個(gè)高端市場(chǎng)始終被國(guó)外知名的幾大廠商所壟斷。射頻測(cè)量系統(tǒng)一般由測(cè)量設(shè)備，如網(wǎng)絡(luò)分析儀，和測(cè)量電纜組件組成。測(cè)量電纜組件是測(cè)量設(shè)備和被測(cè)產(chǎn)品之間的橋梁，測(cè)試電纜如果選擇不好，容易將由測(cè)量電纜產(chǎn)生的波動(dòng)帶到被測(cè)元器件的測(cè)試數(shù)據(jù)中，其產(chǎn)生的誤差直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的精確性，導(dǎo)致射頻產(chǎn)品在實(shí)際使用當(dāng)中出現(xiàn)不穩(wěn)定、電氣性能指標(biāo)差等問(wèn)題，而目前國(guó)內(nèi)測(cè)試級(jí)電纜的性能和品質(zhì)參差不齊很多廠家采用普通的通信電纜組件充當(dāng)測(cè)試級(jí)電纜，對(duì)電纜的機(jī)械相位穩(wěn)定性、機(jī)械幅度穩(wěn)定性等重要指標(biāo)不做任何要求和規(guī)定，從根本上無(wú)法保證所測(cè)產(chǎn)品的性能指標(biāo)的一致性和穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的一致性與穩(wěn)定性等性能指標(biāo)較差、電壓駐波比較大、穩(wěn)幅穩(wěn)相性差、反復(fù)彎折性差的缺陷，提供一種性能指標(biāo)的一致性與穩(wěn)定性較好、電壓駐波比較小、穩(wěn)幅穩(wěn)相性好、反復(fù)彎折性佳的測(cè)試級(jí)電纜。本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種測(cè)試級(jí)電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體及其外部的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層通過(guò)纏繞的方式包繞在內(nèi)導(dǎo)體上面。介質(zhì)層為一種PTFE帶材，PTFE是耐高溫的聚四氟乙烯。介質(zhì)層外是鍍銀銅帶繞包，鍍銀銅帶外面再纏繞一層PTFE帶材，然后進(jìn)行鍍銀銅絲編制，最后高溫?cái)D出的護(hù)套層。護(hù)套層的材料為MFA，即氟塑料粒子。本發(fā)明的有益效果為由于本發(fā)明的特殊結(jié)構(gòu)，使用時(shí)，可以保持電纜幅度和相位的穩(wěn)定性，同時(shí)確保被測(cè)器件具有高精度和良好的一致性，而且電壓駐波比 VSWR<1. 3@40GHz，產(chǎn)品的相位變化度數(shù)Phase Mability〈士8. 0° i 40GHz，組件的插損變化<0. IdB i 40GHz。因此本發(fā)明不僅性能指標(biāo)的一致性與穩(wěn)定性較好、電壓駐波比超低，而且具有優(yōu)良的相位及幅度穩(wěn)定性。


圖1是本發(fā)明的一種測(cè)試級(jí)電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中內(nèi)導(dǎo)體1，介質(zhì)層2，鍍銀銅帶繞包層3，PTFE繞包層4，編織層5，外皮6。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。如圖1所示，本發(fā)明的一種測(cè)試級(jí)電纜包括內(nèi)導(dǎo)體(1)及其外部的介質(zhì)層(2)其特征在于內(nèi)導(dǎo)體(1)材料為銅鍍銀，介質(zhì)層(2 )材料為PTFE，介質(zhì)層(2 )通過(guò)繞包方式纏繞在內(nèi)導(dǎo)體(1)上面。介質(zhì)層(2 )外有一層鍍銀銅帶繞包層(3 )，繞包層(3 )材料為鍍銀扁平銅帶，通過(guò)繞包方式覆蓋在介質(zhì)層(2)上面。繞包層(3)外有一層PTFE繞包層(4)，PTFE繞包層(4)通過(guò)繞包方式纏繞于的繞包層(3)外面。繞包層(4)外有一層編織層(5)，編織層
(5)材料為鍍銀銅絲，通過(guò)編織方式覆蓋在PTFE結(jié)構(gòu)(4)上面。編織層(5)外有一層外皮
(6)，外皮(6)材料為MFA，外皮通過(guò)高溫?cái)D出的方式覆蓋于編織層(5)上面。以上實(shí)施例僅為本發(fā)明其中的一種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)， 在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)試級(jí)電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體(1)及其外部的介質(zhì)層(2)其特征在于所述內(nèi)導(dǎo)體 (1)材料為銅鍍銀，所述介質(zhì)層(2 )材料為PTFE，所述介質(zhì)層(2 )通過(guò)繞包方式纏繞在所述內(nèi)導(dǎo)體(1)上面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)試級(jí)電纜，其特征在于所述介質(zhì)層(2)外有一層鍍銀銅帶繞包層(3)，所述鍍銀銅帶繞包層(3)材料為鍍銀扁平銅帶，其通過(guò)繞包方式覆蓋在介質(zhì)層(2)上面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種測(cè)試級(jí)電纜，其特征在于所述鍍銀銅帶繞包層(3)外有一層聚四氟乙烯繞包層(4)，所述聚四氟乙烯繞包層(4)通過(guò)繞包方式纏繞于的所述鍍銀銅帶繞包層(3)外面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種測(cè)試級(jí)電纜，其特征在于所述PTFE繞包層(4)外有一層編織層(5)，所述編織層(5)材料為鍍銀銅絲，通過(guò)編織方式覆蓋在所述聚四氟乙烯繞包層⑷上面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種測(cè)試級(jí)電纜，其特征在于所述編織層(5)外有一層外皮 (6)，所述外皮(6)材料為氟塑料粒子，所述外皮(6)通過(guò)高溫?cái)D出的方式覆蓋于編織層(5) 上面。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試級(jí)電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體(1)及其外部的介質(zhì)層(2)其特征在于所述內(nèi)導(dǎo)體(1)材料為銅鍍銀，所述介質(zhì)層(2)材料為PTFE，所述介質(zhì)層(2)通過(guò)繞包方式纏繞在所述內(nèi)導(dǎo)體(1)上面。本發(fā)明的有益效果為由于本發(fā)明的特殊結(jié)構(gòu)，使用時(shí)，可以保持電纜幅度和相位的穩(wěn)定性，同時(shí)確保被測(cè)器件具有高精度和良好的一致性，而且電壓駐波比VSWR<1.3@40GHz，產(chǎn)品的相位變化度數(shù)PhaseStability<±8.0°@40GHz，組件的插損變化<0.1dB@40GHz。因此本發(fā)明不僅性能指標(biāo)的一致性與穩(wěn)定性較好、電壓駐波比超低，而且具有優(yōu)良的相位及幅度穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01B1/02GK102262931SQ20111019293
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者周赤偉, 許成利 申請(qǐng)人:昆山安勝達(dá)微波科技有限公司