專(zhuān)利名稱(chēng)：基板清洗裝置、涂覆顯影裝置以及基板清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶圓、平板顯示器用的玻璃基板(FPD用基板)等基板進(jìn)行清洗的基板清洗裝置、具有該基板清洗裝置的涂覆顯影裝置以及基板清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路、FPD的制造工藝中，將用作蝕刻掩膜的光致抗蝕劑圖案形成在基板上的光刻法不可或缺。在光刻法中，具體而言，通過(guò)在例如半導(dǎo)體晶圓、FPD用基板等基板上涂覆光致抗蝕劑液而形成光致抗蝕劑膜，采用規(guī)定的圖案的光掩模(掩模)來(lái)對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的光致抗蝕劑膜進(jìn)行顯影，從而形成光致抗蝕劑圖案。對(duì)于這樣的處理，一般使用將曝光裝置與進(jìn)行光致抗蝕劑液的涂覆和顯影的涂覆顯影裝置連接而構(gòu)成的光致抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)?？墒牵?，在半導(dǎo)體晶圓(下面稱(chēng)為晶圓)的周緣部形成有從晶圓表面(以及背面)朝向側(cè)面傾斜的傾斜面。具有這樣的形狀的周緣部被稱(chēng)為倒角部(bevel)。由于倒角部，涂覆到晶圓表面的光致抗蝕劑液不會(huì)在周緣部附近隆起，因而，能夠在晶圓的表面上形成具有大致均勻的膜厚的光致抗蝕劑膜。然而，在光致抗蝕劑液蔓延到倒角部時(shí)，有時(shí)在倒角部也殘留有抗蝕劑膜。這樣的抗蝕劑膜往往利用在蝕刻之后進(jìn)行的灰化也不能除去，從而作為污染源而成為問(wèn)題。為了解決這樣的問(wèn)題，人們提出將用于研磨倒角部的倒角研磨機(jī)構(gòu)設(shè)在基板清洗單元中(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。該倒角研磨機(jī)構(gòu)配置在基板清洗單元中的被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)保持的晶圓的倒角部的側(cè)方。倒角研磨機(jī)構(gòu)的清洗部通過(guò)與被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)保持而旋轉(zhuǎn)的晶圓的倒角部接觸，從而機(jī)械清洗倒角部。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2008-288447號(hào)公報(bào)然而，在上述那樣將倒角研磨機(jī)構(gòu)設(shè)在基板清洗單元中的情況下，因?yàn)樵诨迩逑磫卧獌?nèi)需要用于設(shè)置倒角研磨機(jī)構(gòu)的空間，所以基板清洗單元有大型化的傾向。因此，具有基板清洗單元的涂覆顯影裝置的占有面積也變大。另外，由于倒角研磨機(jī)構(gòu)的工作需要規(guī)定的時(shí)間，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體集成電路等的制造生產(chǎn)率的下降。另外，因?yàn)樾枰菇茄心C(jī)構(gòu)的制造成本，所以基板清洗單元以及具有該基板清洗單元的涂覆顯影裝置的制造成本上升，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體集成電路等的制造成本的上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情況而做成的，其目的在于提供一種能夠簡(jiǎn)便且有效地清洗基板的倒角部、還有利于節(jié)省空間的基板清洗裝置、具有該基板清洗裝置的涂覆顯影裝置以及基板清洗方法。為了實(shí)現(xiàn)上述的課題，本發(fā)明的第1技術(shù)方案提供一種基板清洗裝置，其包括基板保持旋轉(zhuǎn)部，其用于保持基板的背面中心部，并使該基板旋轉(zhuǎn)；清洗構(gòu)件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周?chē)牡?清洗部、以及用于安裝上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其用于使上述基板保持旋轉(zhuǎn)部和上述清洗構(gòu)件相對(duì)地升降，以使上述第1清洗部和上述第2清洗部能夠與被保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)部的上述基板的背面接觸；驅(qū)動(dòng)部，其用于在沿著上述基板的背面的方向上相對(duì)地驅(qū)動(dòng)上述基板和上述清洗構(gòu)件，以使上述第2清洗部的一部分能夠露出到上述基板的外側(cè)。本發(fā)明的第2技術(shù)方案提供一種涂覆顯影裝置，其包括光致抗蝕劑膜形成單元， 其用于在基板上形成光致抗蝕劑膜；技術(shù)方案1至9中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其用于對(duì)形成有上述光致抗蝕劑膜的上述基板進(jìn)行清洗；顯影單元，其用于在上述光致抗蝕劑膜被曝光之后對(duì)該光致抗蝕劑膜進(jìn)行顯影。本發(fā)明的第3技術(shù)方案提供一種基板清洗方法，其包括保持基板的背面并使上述基板旋轉(zhuǎn)的步驟；使清洗構(gòu)件的第1清洗部、第2清洗部與被保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)部的上述基板的背面接觸的步驟，該清洗構(gòu)件包含上述第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周?chē)纳鲜龅?清洗部、以及用于安裝上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；使上述基板和上述清洗構(gòu)件在沿著上述基板的背面的方向上相對(duì)移動(dòng)，使上述第2清洗部的一部分露出到上述基板的外側(cè)的步驟。采用本發(fā)明的實(shí)施方式，提供一種能夠簡(jiǎn)便且有效地清洗基板的倒角部、還有利于節(jié)省空間的基板清洗裝置、具有該基板清洗裝置的涂覆顯影裝置以及基板清洗方法。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆顯影裝置的俯視圖。圖2是圖1的涂覆顯影裝置的立體圖。圖3是表示設(shè)在圖1的涂覆顯影裝置中的本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗裝置的立體圖。圖4是圖3的基板清洗裝置的俯視圖。圖5是圖3的基板清洗裝置的側(cè)視圖。圖6是用于說(shuō)明圖3的基板清洗裝置所具有的干燥部(吹拂器)的說(shuō)明圖。圖7是用于說(shuō)明圖3的基板清洗裝置所具有的清洗頭的說(shuō)明圖。圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗方法的說(shuō)明圖。圖9是用于接著圖8說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗方法的說(shuō)明圖。圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗方法的說(shuō)明圖。圖11是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗方法的說(shuō)明圖。圖12A是示意性地表示利用圖7的清洗頭對(duì)晶圓的倒角部進(jìn)行清洗的狀態(tài)的俯視圖。圖12B是示意性地表示利用圖7的清洗頭對(duì)晶圓的倒角部進(jìn)行清洗的狀態(tài)的剖視圖。圖13是表示為了確認(rèn)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗方法的效果而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖14是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的變形例的說(shuō)明圖。圖15是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。圖16是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。
圖17是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。圖18是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。圖19是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。圖20是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的清洗頭的其他變形例的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照添附的附圖對(duì)本發(fā)明的非限定的例示的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在添附的所有附圖中，對(duì)于相同或者相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件或者零件標(biāo)注相同或者相對(duì)應(yīng)的參照附圖標(biāo)記而省略重復(fù)說(shuō)明。另外，附圖的目的不在于表示構(gòu)件或者零件之間的相對(duì)比例，因而，具體的尺寸應(yīng)該由本領(lǐng)域技術(shù)者參照下面的非限定的實(shí)施方式來(lái)決定。首先，參照?qǐng)D1以及圖2說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆顯影裝置。參照?qǐng)D1，本實(shí)施方式的涂覆顯影裝置1具有承載區(qū)Bi、處理區(qū)B2、轉(zhuǎn)接 (interface)區(qū)B3。另外，在涂覆顯影裝置1的轉(zhuǎn)接區(qū)B3連接有曝光裝置B4。曝光裝置 B4可以是例如液浸曝光裝置。在承載區(qū)Bl中設(shè)有能夠分別載置晶圓承載件Cl的多個(gè)(在圖示的例子中是五個(gè))載置臺(tái)120 ；設(shè)在載置臺(tái)120的背后的壁上的開(kāi)閉門(mén)121 ；將晶圓W經(jīng)由開(kāi)閉門(mén)121從晶圓承載件Cl中取出、將晶圓W收容到晶圓承載件Cl中的輸送機(jī)構(gòu)Al。該輸送機(jī)構(gòu)Al構(gòu)成為升降自如、繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)自如、在晶圓承載件Cl的排列方向(Y方向)上移動(dòng)自如、 在晶圓承載件Cl的方向(X方向)上伸縮自如，以能夠在晶圓承載件Cl與后述的處理區(qū)B2 的架單元Ul之間交接晶圓W。處理區(qū)B2與承載區(qū)Bl的背面(與設(shè)有開(kāi)閉門(mén)121的壁相反的一側(cè)的面)連接。 在處理區(qū)B2中設(shè)有包含各種處理單元的處理單元組U4以及TO ；隔開(kāi)規(guī)定的間隔而在X 方向上排列的架區(qū)U1、U2、U3 ；以被處理單元組U4、架區(qū)U1、架區(qū)U2包圍的方式配置的輸送機(jī)構(gòu)A2 ；以被處理單元組TO、架區(qū)U2、架區(qū)U3包圍的方式配置的輸送機(jī)構(gòu)A3。參照?qǐng)D2，在處理單元組U4中層疊有三個(gè)光致抗蝕劑涂覆單元COT、兩個(gè)下層反射防止膜涂覆單元BARC。另外，在處理單元TO中層疊有兩個(gè)上層反射防止膜涂覆單元TC、三個(gè)顯影單元DEV。光致抗蝕劑涂覆單元COT包括旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)，其保持晶圓W并旋轉(zhuǎn)；分配器， 其向被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)保持的晶圓W滴下光致抗蝕劑液；罩部，光致抗蝕劑液從分配器滴下到晶圓W上，由于晶圓W隨著旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，使光致抗蝕劑液從晶圓W的表面甩出，該罩部對(duì)甩出的光致抗蝕劑液進(jìn)行接收。由此，光致抗蝕劑膜被形成在晶圓W上。下層反射防止膜涂覆單元BARC以及上層反射防止膜涂覆單元TC具有與光致抗蝕劑涂覆單元COT大致相同的結(jié)構(gòu)，作為光致抗蝕劑液的替代，向晶圓W上滴下反射防止膜用的藥液。由此，反射防止膜被形成在晶圓W上。另外，在反射防止膜中具有作為光致抗蝕劑膜的基底層而形成的下層反射防止膜、在光致抗蝕劑膜上形成的上層反射防止膜。顯影單元DEV也具有與光致抗蝕劑涂覆單元COT大致相同的結(jié)構(gòu)，作為光致抗蝕劑液的替代，向晶圓W上滴下顯影液。由此，曝光后的光致抗蝕劑膜被顯影，從而形成具有規(guī)定的圖案的光致抗蝕劑掩模。另外，在架單元Ul U3(圖1)中層疊有用于進(jìn)行相對(duì)于在處理單元組4以及TO 中進(jìn)行的各處理而言為前置處理以及后置處理的單元。上述的單元也可以是用于使晶圓W疏水化的疏水化處理單元、加熱(烘烤)晶圓W的加熱單元、冷卻晶圓W的冷卻單元等。再次參照?qǐng)D1，轉(zhuǎn)接區(qū)B3包括第1輸送室1 和第2輸送室127。第1輸送室126 以及第2輸送室127沿著從處理區(qū)B2朝向曝光裝置B4的方向(X方向)依次配置。在第 1輸送室126中設(shè)有輸送臂A4、在第2輸送室127中設(shè)有輸送臂A5。輸送臂A4以及輸送臂A5能夠升降、能夠繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)、在X方向上伸縮自如。另外，輸送臂A5能夠在Y方向上移動(dòng)。另外，在第1輸送室126中設(shè)有架單元TO、緩沖盒CO、基板清洗裝置100(后述)。 架單元TO也可以包括加熱單元、溫度調(diào)整單元、輸送單元等。輸送臂A5用于向基板清洗裝置100中輸入晶圓W、從基板清洗裝置100中輸出晶圓W。下面，參照?qǐng)D3至圖7說(shuō)明配置在轉(zhuǎn)接區(qū)B3中的基板清洗裝置100。如圖3所示， 基板清洗裝置100包括下罩(under cup) 43，其呈箱狀，具有上部開(kāi)口 ；兩個(gè)吸盤(pán)2，其從轉(zhuǎn)接區(qū)B3的輸送臂A5 (圖1)接收晶圓W，作為保持晶圓W的第1基板保持部；旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3，其從吸盤(pán)2接收晶圓W，作為吸附晶圓W而水平地保持晶圓W的第2基板保持部；清洗頭5，對(duì)晶圓W的背面以及倒角部進(jìn)行清洗的清洗頭5。如圖4所示，為了保持晶圓W的背面周緣部，兩個(gè)吸盤(pán)2隔開(kāi)規(guī)定的間隔而互相平行地配置。在兩個(gè)吸盤(pán)2上分別形成有吸附孔2a，吸附孔加與吸附管以及真空排氣裝置 (未圖示)相連通。由此，吸盤(pán)2作為經(jīng)由吸附孔加利用吸附來(lái)保持晶圓W的真空吸盤(pán)而發(fā)揮作用。另外，如圖4所示，吸盤(pán)2被安裝在所對(duì)應(yīng)的吸盤(pán)支承部21的大致中心部。吸盤(pán)支承部21具有細(xì)長(zhǎng)的桿形狀。吸盤(pán)支承部21的兩端被安裝在兩個(gè)橋桁部22上，橋桁部 22構(gòu)成井字形部20。兩個(gè)橋桁部22的+Y方向的端部被安裝在皮帶23上，該皮帶23卷繞在一對(duì)皮帶輪M上，橋桁部22的-Y方向的端部也被安裝在皮帶23上，該皮帶23卷繞在一對(duì)皮帶輪 24上。這兩組皮帶輪24分別可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在側(cè)板沈上，該側(cè)板沈與下罩43的側(cè)壁相對(duì)設(shè)置。在一對(duì)皮帶輪M中的一個(gè)上結(jié)合有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)25。采用這樣的結(jié)構(gòu)，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)25的作用下皮帶輪M向一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于皮帶輪M的作用而使皮帶23沿著皮帶輪M的旋轉(zhuǎn)方向移動(dòng)，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)25的作用下皮帶輪M向反方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于皮帶輪M的作用而使皮帶23沿反方向移動(dòng)。結(jié)果，橋桁部22進(jìn)而井字形部20能夠在X方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。 由此，安裝在橋桁部22上的吸盤(pán)支承部21、安裝在吸盤(pán)支承部21上的吸盤(pán)2、被吸盤(pán)2保持的晶圓W也能夠在X方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。另外，如圖3所示，各側(cè)板沈分別在其底面位置被一組升降機(jī)構(gòu)27支承，該升降機(jī)構(gòu)27由滑塊27a和引導(dǎo)件27b構(gòu)成。升降機(jī)構(gòu)27安裝在基板清洗裝置100的殼體底面 (未圖示)。為了使滑塊27a沿著引導(dǎo)件27b上下移動(dòng)，在升降機(jī)構(gòu)27中的一個(gè)上結(jié)合有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)，井字形部20利用該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠在圖3的Z方向(上下方向)移動(dòng)。 由此，安裝在橋桁部22上的吸盤(pán)支承部21、安裝在吸盤(pán)支承部21上的吸盤(pán)2、被吸盤(pán)2保持的晶圓W也能夠在Z方向上移動(dòng)。另外，在井字形部20上設(shè)有大致環(huán)狀的上罩41。設(shè)置上罩41的目的在于防止清洗液的霧沫或者液滴飛散。上罩41具有比晶圓W的直徑還大的開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口在輸送臂 A5與吸盤(pán)2之間交接晶圓W。如圖3所示，設(shè)在井字形部20上的上罩41能夠與井字形部 20 —起在X方向以及Z方向上移動(dòng)。
下面，說(shuō)明作為第2基板支承部的旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3。旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3呈圓盤(pán)形狀，用于保持晶圓W的背面中央部。旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3配置在互相平行地排列的兩個(gè)吸盤(pán)2之間。因此，被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持的背面中央部不會(huì)與被吸盤(pán)2保持的背面周緣部相重疊。如圖5所示，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3借助軸北與驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)電動(dòng)機(jī))33相結(jié)合，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)33的作用下，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3能夠繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)、升降。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持的晶圓W相對(duì)于清洗頭5上下移動(dòng)，從而通過(guò)調(diào)整旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的上下方向位置，能夠調(diào)整清洗頭5對(duì)于晶圓W背面的壓力。另外，與吸盤(pán)2與吸附管(未圖示)相連接的情況相同，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3與吸附管(未圖示)相連接。由此，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3作為利用經(jīng)由吸附孔3a(圖4)產(chǎn)生的抽吸對(duì)晶圓W進(jìn)行保持的真空吸盤(pán)而發(fā)揮作用。另外，支承銷(xiāo)32以包圍旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的方式配置。支承銷(xiāo)32 與升降機(jī)構(gòu)32a(圖幻相連接，由此，支承銷(xiāo)32支承晶圓W的背面，從而能夠使晶圓W上下移動(dòng)。支承銷(xiāo)32與基板清洗裝置100的外部的輸送機(jī)構(gòu)(輸送臂A5)協(xié)作，能夠?qū)⒕AW 從輸送機(jī)構(gòu)輸送到吸盤(pán)2、從吸盤(pán)2輸送到旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3，并且，能夠與此相反地進(jìn)行輸送。參照?qǐng)D3至圖5，具有圓筒形狀的吹拂器31圍繞著旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3以及支承銷(xiāo)32。如圖6所示，吹拂器31例如由雙重圓筒構(gòu)成，雙重圓筒的上端被封堵。在其上端沿周向隔開(kāi)規(guī)定的間隔地形成有多個(gè)噴射口 31a。吹拂器31自未圖示的供給部經(jīng)由雙重圓筒的中空部將氣體(例如氮?dú)?N2)或者清潔空氣)從噴射口 31a噴出。S卩、吹拂器31能夠作為使旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的表面、與該旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3相接觸的晶圓W的背面中央部干燥的干燥器而發(fā)揮作用。下面，參照?qǐng)D7說(shuō)明作為清洗晶圓W的背面以及倒角部的清洗構(gòu)件的清洗頭5。圖 7的(a)是清洗頭5的俯視圖、圖7的(b)是圖7的(a)的I-I的剖視圖、圖7的(c)是圖 7的(a)的II-II的剖視圖。如圖所示，清洗頭5具有大致圓柱狀的外觀形狀，其包括中央部5a，其配置在大致中央位置；圓環(huán)部恥，其具有圓環(huán)狀的外觀形狀，配置在中央部fe 的周?chē)?；底?c，其用于安裝中央部fe以及圓環(huán)部恥。中央部fe的外徑例如可以是大約 55mm 大約75mm，圓環(huán)部恥的外徑例如可以是大約65mm 大約85mm。另外，中央部以及圓環(huán)部恥的高度在圖示的例子中大致相等，例如可以是大約3mm 大約7mm。在本實(shí)施方式中，中央部fe以及圓環(huán)部恥由例如聚乙烯醇(PVA)制的海綿形成。 因此，中央部fe以及圓環(huán)部恥具有柔軟性，被與底座5c相連接的支承部51 (后述)按壓到被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持的晶圓W的背面時(shí)，中央部fe以及圓環(huán)部恥收縮，從而用適度的壓力與晶圓W的背面接觸。另外，如圖7的(b)以及圖7的(c)所示，圓環(huán)部恥具有大致三角形狀的截面。換言之，在圓環(huán)部恥中，與中央部fe的側(cè)周面相面對(duì)的內(nèi)周面傾斜，從而在中央部fe與圓環(huán)部恥之間形成有隨著朝向上方而變大的空間S。另外，圓環(huán)部恥的外周面相對(duì)于底座5c大致直立。另外，在圖示的例子中，圓環(huán)部恥在其下端與中央部fe的側(cè)周面接觸，但在其他實(shí)施方式中也可以分開(kāi)。另外，在中央部如設(shè)有開(kāi)口部5ο，其位于中央部fe的中央，具有圓形的上表面形狀(俯視)；四個(gè)缺口部5d，其從中央部fe的由該開(kāi)口部5ο形成的內(nèi)周面沿中央部如的徑向延伸。利用缺口部5d而在中央部如的上端形成有角(邊緣)。因此，能夠提高在中央部fe與晶圓W的背面相接觸(或者被按壓)并旋轉(zhuǎn)時(shí)的清洗效果。另外，如圖7的(a)以及圖7的(c)所示，在底座5c上，在中央部fe和圓環(huán)部恥之間的交界附近且與缺口部5d相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有通孔證。例如，在清洗晶圓W的倒角部時(shí)，能夠?qū)⒐┙o到晶圓W的背面的清洗液(例如去離子水(DIW)或者純水)經(jīng)由通孔證從中央部fe和圓環(huán)部恥之間排出到底座5c的下方的空間。另外，參照?qǐng)D3至圖5，清洗頭5的底座5c安裝在支承軸5S上，該支承軸5S安裝在支承部51的頂端。支承部51具有如柄勺那樣的形狀，以使支承部51不阻礙晶圓W、橋桁部22的移動(dòng)。在沿下罩43的Y方向延伸的側(cè)壁中的一個(gè)側(cè)壁上可旋轉(zhuǎn)地設(shè)有軸(或者滑輪)53，皮帶52被卷繞在軸53上。上述的支承部51的基端被安裝在皮帶52上。軸53的一方與驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)M(圖3和圖4)相連接，由此，軸53向順時(shí)針?lè)较蚧蛘吣鏁r(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)而使皮帶52往復(fù)運(yùn)動(dòng)。這樣一來(lái)，支承部51進(jìn)而清洗頭5能夠在Y方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。另外，支承部51的頂端的支承軸5S能夠在未圖示的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)，從而能夠使清洗頭5旋轉(zhuǎn)。由此，清洗頭5在與晶圓W的背面接觸或者被按壓到晶圓W的背面時(shí)能夠旋轉(zhuǎn)，由此，促進(jìn)對(duì)附著在晶圓的背面的微粒的除去。另外，如圖4所示，在支承部51 的頂端設(shè)有清洗液噴嘴51a和吹氣噴嘴51b。為了沖走由清洗頭5從晶圓W背面除去的微粒，從清洗液噴嘴51a供給清洗液(例如DIW或者純水)。從吹氣噴嘴51b噴出例如氮?dú)饣蛘咔鍧嵖諝獾葰怏w，該氣體用于促進(jìn)在清洗完了之后附著在晶圓W背面的清洗液的干燥。參照?qǐng)D3和圖5，基板清洗裝置100具有用于對(duì)被旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持的晶圓W的表面進(jìn)行清洗的表面清洗噴嘴6。表面清洗噴嘴6包括清洗液噴嘴61，其構(gòu)成為為了沖走被附著在晶圓W表面上的微粒而將清洗液(例如DIW或者純水)噴出到晶圓W的表面；氣體噴嘴62，其構(gòu)成為為了從晶圓W的表面使清洗液干燥，供給氣體(例如氮?dú)饣蛘咔鍧嵖諝?。 如圖5所示，清洗液噴嘴61以及氣體噴嘴62由共用的支承構(gòu)件63支承，在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)64的作用下能夠在沿著晶圓W的直徑的方向上移動(dòng)、能夠在上下方向上升降。清洗液噴嘴61以及氣體噴嘴62位于輸送中的晶圓W的上方，能夠使不阻礙晶圓W以及輸送機(jī)構(gòu)。如圖5所示，在下罩43的底部形成有用于將下罩43中積存的清洗液排出的排出管43a、用于將基板清洗裝置100內(nèi)的氣流排出的兩個(gè)排氣管43b。為了防止積存在下罩43 的底部的清洗液流入到排氣管43b中，排氣管4 從下罩43的底部向上突出。另外，為了防止清洗液流動(dòng)而落入排氣管4 中，環(huán)狀的內(nèi)罩42以位于排氣管43b的上方的方式安裝在吹拂器31的周?chē)?。另外，在上?1的上方設(shè)有吹氣噴嘴44。吹氣噴嘴44能夠從上方將氣體(例如氮?dú)饣蛘咔鍧嵖諝?噴到晶圓W的表面周緣部。另外，吹氣噴嘴44借助升降機(jī)構(gòu)45升降自如，能夠在將晶圓W向基板清洗裝置100輸入輸出時(shí)向上方移動(dòng)以使吹氣噴嘴44不與晶圓W、輸送臂A5(圖3)接觸。另外，如圖3和圖5所示，在下罩43的側(cè)壁之中的未設(shè)皮帶的側(cè)壁上安裝有用于收容UV燈46的燈箱47。晶圓W通過(guò)UV燈46的上方被輸入輸出到基板清洗裝置100的內(nèi)外。因此，在晶圓W被從基板清洗裝置100輸出的期間，UV燈46能夠向晶圓W的背面照射紫外區(qū)域光。在晶圓W背面殘存有源自聚合物的微粒的情況下，那樣的微粒在紫外區(qū)域光的作用下收縮而被除去。下面，參照?qǐng)D5說(shuō)明清洗液供給源和氮?dú)夤┙o源。表面清洗噴嘴6的清洗液噴嘴 61和氣體噴嘴62分別經(jīng)由供給管線61a、6h與清洗液源65和氮?dú)庠?6相連接，該清洗液噴嘴61和氣體噴嘴62分別具有流量控制單元61b、62b。另外，吹氣噴嘴44經(jīng)由具有流量控制單元44b的供給管線4 與氮?dú)庠?6相連接。流量控制單元61b、62b、44b分別具有閥和流量調(diào)整器(未圖示)，在控制器200(后述)的控制下，控制清洗液以及氮?dú)獾墓┙o的
開(kāi)始/停止并控制流量。再次參照?qǐng)D4和圖5，在基板清洗裝置100中設(shè)有控制器200?？刂破?00控制基板清洗裝置100整體的動(dòng)作?？刂破?00例如可以是連接有存儲(chǔ)裝置200a的計(jì)算機(jī)。在存儲(chǔ)裝置200a中存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序具有使基板清洗裝置100的各構(gòu)成零件或者組件進(jìn)行規(guī)定的動(dòng)作的步驟(命令)群?？刂破?00根據(jù)需要從存儲(chǔ)裝置200a中讀取計(jì)算機(jī)程序，根據(jù)該計(jì)算機(jī)程序來(lái)控制各構(gòu)成零件或者組件的動(dòng)作。具體而言，控制器200 向各構(gòu)成零件或者組件輸出命令以使其控制輸送機(jī)構(gòu)Al、A2、A3、輸送臂A4、A5、吸盤(pán)2、旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3，從而在輸送臂A5、吸盤(pán)2、旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3之間交接晶圓W并利用清洗頭5以及表面清洗噴嘴6清洗晶圓W。該計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)在例如硬盤(pán)、⑶-ROM/RAM、光磁盤(pán)、各種存儲(chǔ)卡、USB存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)介質(zhì)200c中，經(jīng)由輸入輸出裝置200b存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置200a中。在此，說(shuō)明在涂覆顯影裝置1以及曝光裝置B4內(nèi)如何處理晶圓W。首先，在收容有晶圓W的晶圓承載件Cl被載置在承載區(qū)Bl的載置臺(tái)120上時(shí)，開(kāi)閉門(mén)121與晶圓承載件Cl的蓋子一起打開(kāi)。隨后，利用輸送機(jī)構(gòu)Al將一片晶圓W從晶圓承載件Cl中取出。接下來(lái)，經(jīng)由架單元Ul的輸送單元將晶圓W交接到輸送機(jī)構(gòu)A2，然后輸送到架單元Ul的疏水化處理單元，在該處對(duì)晶圓W進(jìn)行疏水化處理。然后，將晶圓W輸送到處理單元組U4的下層反射防止膜涂覆單元BARC中，在該處反射防止膜被形成在晶圓 W上。此后，用加熱單元烘烤晶圓W。然后，將晶圓W輸送到光致抗蝕劑涂覆單元COT，在這里光致抗蝕劑膜被形成在晶圓W的表面上。然后，用加熱單元對(duì)晶圓W進(jìn)行熱處理，接下來(lái)，利用輸送機(jī)構(gòu)A3經(jīng)由架單元U3的輸送單元將晶圓W輸送到轉(zhuǎn)接區(qū)B3中。在轉(zhuǎn)接區(qū)B3中經(jīng)由架單元TO的輸送單元將晶圓W從輸送臂A4交接到輸送臂A5，然后，利用輸送臂A5將晶圓W輸送到基板清洗裝置 100 中。下面，說(shuō)明基板清洗裝置100的動(dòng)作(晶圓清洗方法)。首先，如圖8的(a)所示，輸送臂A5具有呈U字狀(或者C字狀)的上表面形狀 (參照?qǐng)D1)的臂部作為晶圓支承部，該輸送臂A5將處理對(duì)象的晶圓W輸入到基板清洗裝置100內(nèi)并維持在上罩41的開(kāi)口部41a的上方。隨后，支承銷(xiāo)32從旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的下方上升并停留在輸送臂A5的下方的位置。接下來(lái)，輸送臂A5下降而將晶圓W交接到支承銷(xiāo)32， 然后從基板清洗裝置100退出。此時(shí)，吸盤(pán)2的上表面位于比支承銷(xiāo)32所支承的晶圓W低且比清洗頭5的上端高的位置。另外，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的上表面位于比清洗頭5的上端還低的位置。然后，如圖8的(b)所示，在支承銷(xiāo)32下降時(shí)，晶圓W被載置在吸盤(pán)2上。接下來(lái)，吸盤(pán)2利用抽吸將晶圓W保持為即使清洗頭5被推壓到晶圓W的背面，晶圓W也不會(huì)被抬起。在吸盤(pán)2將晶圓W保持在比旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3、清洗頭5、吹拂器31的上端高的位置的狀態(tài)下，上罩41、吸盤(pán)2、晶圓W與井字形部20(圖4)等一起向右方移動(dòng)。如圖8 的(c)所示，在晶圓W被輸送到預(yù)先確定的位置(例如吹拂器31的左端與晶圓W的左端大致對(duì)齊那樣的位置)之后，吸盤(pán)2保持吸附著晶圓W的狀態(tài)而下降，將晶圓W的背面推壓到清洗頭5上。在這種狀況下，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3位于吸盤(pán)2的下方，吹拂器31的上表面位于晶圓 W的背面的下方。
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接下來(lái)，從吹拂器31的噴射口 31a (圖6)噴射氣體之后，從支承部51的頂端的清洗液噴嘴51a(圖4)將清洗液供給到晶圓W的背面，并使清洗頭5旋轉(zhuǎn)而清洗晶圓W的背面中央部。此時(shí)，利用從吹拂器31的噴射口 31a噴出的氣體來(lái)防止清洗液飛濺到旋轉(zhuǎn)吸盤(pán) 3的表面，從而保持旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的表面清潔。在晶圓W的背面中央部的清洗過(guò)程中，吸盤(pán)2 與清洗頭5協(xié)作而移動(dòng)，從而使包括背面中央部在內(nèi)的較大范圍被清洗。具體而言，例如， 如圖10所示，一邊使清洗頭5在圖中的Y方向上往復(fù)移動(dòng)、一邊使清洗頭5反轉(zhuǎn)方向時(shí)，吸盤(pán)2只向+X方向移動(dòng)比清洗頭5的直徑短的距離。通過(guò)這樣的移動(dòng)，清洗頭5能夠如圖10 中的箭頭A所示那樣在晶圓W背面上沿著Z形軌跡移動(dòng)。結(jié)果，圖10中的區(qū)域Tl (包括背面中央部)被沒(méi)有遺漏地清洗。上述的區(qū)域Tl被清洗之后，吸盤(pán)2向左方向移動(dòng)以使晶圓W的中心與旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3 的中心對(duì)齊，如下所述那樣，將晶圓W從吸盤(pán)2交接到旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3。首先，在氣體被從吹拂器31的噴射口 31a噴出的狀態(tài)下，清洗頭5停止移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)，并停止來(lái)自于支承部51的頂端的清洗液噴嘴51a(圖4)的清洗液。隨后，將晶圓W從被固定在吸盤(pán)2上的狀態(tài)中解放之后，抬起旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3，利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3來(lái)支承晶圓W的背面中央部。旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3利用抽吸將晶圓W保持為即使將清洗頭5推壓到晶圓W的背面、晶圓W也不會(huì)被抬起(圖9的(a))。此后，上罩41以及吸盤(pán)2下降，從而從吸盤(pán)2到旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的晶圓W的交接結(jié)束。下面，如圖9所示，一邊利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持晶圓W，一邊清洗晶圓W的表面、背面、 倒角部，優(yōu)選同時(shí)清洗。具體而言，首先，利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3而開(kāi)始晶圓W的旋轉(zhuǎn)，晶圓W用比較慢的旋轉(zhuǎn)速度持續(xù)旋轉(zhuǎn)。另外，表面清洗噴嘴6下降到清洗液噴嘴61的頂端位于距晶圓 W的表面中心大約IOmm的上方，并從清洗液噴嘴61向晶圓W的表面中央部供給清洗液。由于晶圓W的旋轉(zhuǎn)，被供給到晶圓W的表面中央部的清洗液朝向晶圓W的外緣地在晶圓的表面上流動(dòng)。在清洗液噴嘴61 —邊供給清洗液一邊沿著晶圓W的徑向向外移動(dòng)時(shí)，氣體噴嘴 62也隨著清洗液噴嘴61 —起移動(dòng)而到達(dá)晶圓W的表面中央部的上方。由此，晶圓W的表面中央部被來(lái)自于氣體噴嘴62的氮?dú)飧稍铩＝又?，一邊從清洗液噴?1供給清洗液并從氣體噴嘴62供給氮?dú)?，一邊使清洗液噴?1和氣體噴嘴62這兩者沿晶圓W的徑向向外連續(xù)地移動(dòng)時(shí)，利用清洗液的噴出的勢(shì)頭和晶圓W的表面上的清洗液的流動(dòng)來(lái)清洗晶圓W整個(gè)表面，并利用來(lái)自于氣體噴嘴62的氮?dú)鈴膬?nèi)側(cè)干燥晶圓W表面。如上所述，在進(jìn)行晶圓W表面的清洗以及干燥的期間，對(duì)于晶圓W的背面，通過(guò)從清洗頭5的支承部51的清洗液噴嘴51a供給清洗液、用于使晶圓W旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3與沿晶圓W的徑向移動(dòng)的清洗頭5之間的協(xié)同運(yùn)動(dòng)而進(jìn)行清洗。具體而言，在清洗頭5位于吹拂器31的外側(cè)附近之后，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)33 (圖幻下降，從而晶圓W的背面被以規(guī)定的壓力推壓到清洗頭5上。在晶圓W開(kāi)始旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，從支承部51的清洗液噴嘴51a向晶圓W的背面供給清洗液，且清洗頭5開(kāi)始旋轉(zhuǎn)。然后，在晶圓W旋轉(zhuǎn)例如360°時(shí)，支承部 51以及清洗頭5只向-Y方向(圖11)移動(dòng)與清洗頭5的直徑相等或者比清洗頭5的直徑小的長(zhǎng)度。重復(fù)這樣的動(dòng)作時(shí)，清洗頭5 —邊相對(duì)于晶圓W的背面相對(duì)地沿同心圓狀的路徑移動(dòng)，一邊到達(dá)晶圓W的倒角部。如圖12A所示，在清洗頭5到達(dá)倒角部時(shí)，清洗頭5的圓環(huán)部恥的一部分露出到晶圓W的倒角部B(圖12B)的外側(cè)。如圖12B的(a)所示意性地表示那樣，在到達(dá)倒角部之前，清洗頭5的中央部5a、圓環(huán)部恥都被推壓到晶圓W的背面而被壓扁，但在清洗頭5到達(dá)倒角部B而圓環(huán)部恥露出時(shí)，圓環(huán)部恥不是從上方被壓扁，而是變成圓環(huán)部恥的內(nèi)周面與倒角部B接觸。而且，因?yàn)閳A環(huán)部恥具有柔軟性，所以莫如變成倒角部B被從橫向用適度的力推壓到圓環(huán)部恥的傾斜的內(nèi)周面上。在此狀態(tài)下，因?yàn)榫AW以及清洗頭5在旋轉(zhuǎn)，所以變成倒角部B遍及全周地與圓環(huán)部恥擦碰，從而倒角部B被有效地清洗。另外，此時(shí)，如圖12B的(a)所示，從清洗液噴嘴51a向晶圓W背面供給的清洗液積存在中央部fe 的側(cè)周面與圓環(huán)部恥的內(nèi)周面之間的空間中，如圖12B的(b)所示，該清洗液從形成在底座5c上的通孔5h排出。在清洗頭5到達(dá)晶圓W的倒角部B之后，在晶圓W至少旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)，晶圓W的背面以及倒角部B的清洗結(jié)束。由此，圖11中的用右下斜線(從右向左上升的斜線)表示的區(qū)域T2被沒(méi)有遺漏地清洗。另外，因?yàn)閺拇捣髌?1的噴射口 31a向晶圓W的背面噴出氣體，所以清洗液(DIW) 被向外吹跑，從而能夠?qū)⑴c吹拂器31相對(duì)的背面部分維持成干燥的狀態(tài)。S卩、吹拂器31防止清洗液到達(dá)旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3，因此，能夠?qū)⑿D(zhuǎn)吸盤(pán)維持成干燥的狀態(tài)。在晶圓W的表面、背面、倒角部B被如上述那樣清洗之后，表面清洗噴嘴6向上方移動(dòng)，清洗頭5停止旋轉(zhuǎn)和移動(dòng)，清洗液噴嘴51a停止清洗液的供給，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3暫時(shí)停止旋轉(zhuǎn)。然后，主要是因?yàn)榫AW的背面被清洗液浸濕，所以利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3使晶圓W高速旋轉(zhuǎn)而使晶圓W干燥。此時(shí)，隨著后退到上方的吹氣噴嘴44如圖9的(b)所示那樣向下方移動(dòng)，支承部51移動(dòng)而使清洗頭5的旁邊的吹氣噴嘴51b位于晶圓W的倒角部B的下方。由此，氣體被從上下方向噴到倒角部B，從而能夠促進(jìn)晶圓W的倒角部B的干燥。如果通過(guò)上述的動(dòng)作結(jié)束了晶圓W的清洗和干燥，就用與將晶圓W輸入到基板清洗裝置100時(shí)相反的方法將晶圓W輸送到輸送臂A5(圖3)。在輸送過(guò)程中，UV燈46 (圖3 和圖4)點(diǎn)亮而從UV燈46向被輸送臂A5(圖3)支承的晶圓W的背面照射紫外線，該輸送臂A5的晶圓支承端呈U字狀。即使在晶圓W的背面殘留有微粒，因?yàn)樽贤饩€使有機(jī)物分解，所以紫外線使例如由光致抗蝕劑引起的微粒收縮，從而能夠從背面除去微粒，能夠容易地消除散焦(defocus)的問(wèn)題。在晶圓W被輸出的期間，吸盤(pán)2、旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3移動(dòng)到例如圖8的(a)所示的初始位置而等待下一個(gè)晶圓W的輸入。輸入下一個(gè)晶圓時(shí)，重復(fù)上述的動(dòng)作，依次處理多個(gè)晶圓W。如上所述，將被基板清洗裝置100清洗的晶圓W輸送到曝光裝置B4(參照?qǐng)D1)， 在例如將純水的層形成在晶圓W的表面上的狀態(tài)下進(jìn)行液浸曝光。然后，將經(jīng)過(guò)液浸曝光的晶圓W從曝光裝置B4取出，例如，輸送到轉(zhuǎn)接區(qū)B3的基板清洗裝置100中。在這里，殘留在晶圓W的表面的純水被除去。隨后，將晶圓W輸送到相當(dāng)于架單元TO的一層的加熱單元，對(duì)晶圓W進(jìn)行曝光后烘烤(PEB)。接著，利用輸送臂A4從加熱單元取出晶圓W，并交接到輸送機(jī)構(gòu)A3，然后，利用輸送機(jī)構(gòu)A3輸送到顯影單元DEV。在顯影單元DEV中經(jīng)過(guò)規(guī)定的顯影處理之后，在加熱單元烘烤晶圓W，然后，利用輸送機(jī)構(gòu)Al輸送到承載區(qū)Bi，最終返回到原來(lái)的晶圓承載件Cl中。通過(guò)上述動(dòng)作，在涂覆顯影裝置1以及曝光裝置B4中對(duì)晶圓W進(jìn)行的一系列的處
理結(jié)束。采用本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗裝置100，在利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3保持晶圓W的背面中央部、且晶圓W利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3而旋轉(zhuǎn)的期間，將清洗頭5推壓到晶圓W的背面(背面中央部除外)并旋轉(zhuǎn)，從而清洗晶圓W的背面。通過(guò)安裝有清洗頭5的支承部51的移動(dòng)，在清洗頭5到達(dá)晶圓W的倒角部B時(shí)，清洗頭5的圓環(huán)部恥的一部分露出到晶圓W的外側(cè)而與倒角部接觸。在該狀態(tài)下，因?yàn)榫AW以及清洗頭5正在旋轉(zhuǎn)，所以倒角部B通過(guò)擦碰圓環(huán)部釙而被清洗。如上所述，清洗頭5清洗晶圓W的背面、且在背面清洗的最后位于使圓環(huán)部恥的一部分露出(顯露出)到晶圓W的外側(cè)的位置，從而也能夠清洗晶圓W的倒角部B。S卩、能夠與晶圓W的背面清洗連續(xù)而簡(jiǎn)便且短時(shí)間地清洗倒角部B。因此，不需要設(shè)置用于倒角部 B的清洗的工序。因而，不會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)率的大幅下降。另外，因?yàn)槟軌蚶糜糜谇逑淳AW的背面的清洗頭5來(lái)清洗倒角部，所以不需要設(shè)置用于清洗倒角部的另外的結(jié)構(gòu)，因而，基板清洗裝置100不會(huì)大型化、也不會(huì)花費(fèi)追加的制造成本、也不需要額外的空間。另外，在具有基板清洗裝置100的涂覆顯影裝置1中， 不需要為了基板清洗裝置100而確保額外的空間，從而有助于涂覆顯影裝置1的節(jié)省空間。此外還有，在晶圓W的背面的清洗中，因?yàn)閺陌惭b有清洗頭5的支承部51的頂端的清洗液噴嘴51a供給清洗液，所以海綿制的中央部fe以及圓環(huán)部恥吸收清洗液，由此， 有效地清洗倒角部。但是，根據(jù)清洗液的供給量，有時(shí)圓環(huán)部恥不能完全吸收清洗液，從而倒角部B被過(guò)度潤(rùn)濕。在該情況下，清洗液會(huì)殘留在形成在晶圓W邊緣的缺口部N(圖12 的(a))。于是，該清洗液干燥時(shí)，或者在缺口部N形成水印，或者清洗液中所含的微粒發(fā)生殘留。但是，在清洗頭5中，圓環(huán)部恥的內(nèi)周面以隨著朝向上方而與中央部如之間的間隔擴(kuò)大的方式傾斜，在中央部fe與圓環(huán)部恥之間的交界的下方，在與缺口部5d相對(duì)應(yīng)的位置形成有貫通底座5c的通孔5h，因此，積存在中央部fe與圓環(huán)部恥之間的空間中的清洗液經(jīng)由通孔證排出。因而，圓環(huán)部恥能夠含有適量的清洗液，從而能夠使清洗液不殘留在缺口部N。由此，也能夠降低缺口部N的污染。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榍逑搭^5的圓環(huán)部恥的內(nèi)周面以上述的方式傾斜，所以能夠充分地貼緊從倒角部B的特別是下側(cè)部分(從晶圓W的背面朝向側(cè)面傾斜的部分) 到側(cè)面的部分。由于倒角部B的下側(cè)部分例如在灰化處理中難以清凈化，所以能夠更有效地清洗該部分的本例的清洗頭5是有用的。接下來(lái)，參照?qǐng)D13說(shuō)明為了確認(rèn)晶圓的背面在基板清洗裝置100中利用上述的晶圓清洗方法被清凈化而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)。準(zhǔn)備故意將晶圓的倒角部污染的實(shí)驗(yàn)用的晶圓，通過(guò)清洗該晶圓而進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)。 具體而言，首先，用輸送臂(相當(dāng)于上述的輸送臂A5)輸送沉積有氮化硅膜的晶圓，使該輸送臂的與晶圓接觸的部分(U字形狀部分)附著氮化硅膜的刮屑。這樣一來(lái)，通過(guò)用污染的輸送臂輸送裸晶圓，從而準(zhǔn)備了在倒角部附著有刮屑的實(shí)驗(yàn)用的晶圓。用目視或者光學(xué)顯微鏡對(duì)實(shí)驗(yàn)用晶圓的倒角部中的附著有刮屑的部分(下面稱(chēng)為附著部)的面積進(jìn)行估算之后，用下面的各種方法清洗倒角部，通過(guò)對(duì)清洗后的附著部的面積進(jìn)行同樣的估算，從而算出除去率。清洗的方法如下(下面的從⑴到(5)的標(biāo)題與圖13的圖表的橫軸相對(duì)應(yīng))。(1)比較例的刷子作為比較例的清洗構(gòu)件而準(zhǔn)備了清洗刷，該清洗刷是將具有圓柱形狀的海綿部安裝在底座上而制作出來(lái)的，將該清洗刷作為清洗頭5的代替物安裝在基板清洗裝置100的支承部51的頂端，然后使用該基板清洗裝置清洗了實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部。(2)清洗噴嘴通過(guò)將與后述的倒角清洗噴嘴7相同的清洗噴嘴設(shè)在基板清洗裝置中，利用該倒角清洗噴嘴7向?qū)嶒?yàn)用的晶圓的倒角部噴出清洗液(DIW)，從而清洗了實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部。(3)比較例的刷子與清洗噴嘴的組合利用上述的清洗刷進(jìn)行清洗之后，進(jìn)行了使用上述的清洗噴嘴的清洗。(4)實(shí)施例 1在具有清洗頭5的基板清洗裝置100中清洗了實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部。(5)實(shí)施例 2使用由塑料制的纖維捆扎而成的刷子替代PVA制的海綿并將清洗噴嘴5 (后述) 安裝到基板清洗裝置100中，然后使用該基板清洗裝置100清洗了實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部。參照?qǐng)D13可知，在使用比較例的刷子的情況下，只能除去大約42%的刮屑?？梢哉J(rèn)為這樣的除去率是由于比較例的刷子不具有中央部fe以及圓環(huán)部恥的緣故、由于比較例的刷子不會(huì)接觸(或者擦碰)到實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部緣故。在由清洗噴嘴向倒角部噴出清洗液的情況下，附著在倒角部的刮屑大約被除去 47%，得到了高于比較例的刷子的除去率。然而，因?yàn)槔们逑匆旱臎_擊力的清洗也是非接觸式的，除去率不充分。另外，在組合比較例的刷子與清洗噴嘴的情況下，除去率也不過(guò)是大約50%，不能認(rèn)為是大幅改善。但是，通過(guò)對(duì)由清洗噴嘴噴出清洗液的壓力進(jìn)行調(diào)整，能夠提高除去率。另一方面，在使用海綿制的清洗頭5的情況下，附著在實(shí)驗(yàn)用的晶圓的倒角部的刮屑被幾乎完全除去。另外，可知利用由塑料制的刷子制作的清洗頭5也得到大約高達(dá) 86%的除去率。認(rèn)為這些結(jié)果是由于倒角部與圓環(huán)部恥相接觸(或者擦碰)的效果而產(chǎn)生的。通過(guò)上述實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗裝置的效果、優(yōu)點(diǎn)。另外，關(guān)于實(shí)施例1以及實(shí)施例2，在清洗前后分別進(jìn)行實(shí)驗(yàn)用的晶圓的表面的微粒的測(cè)定時(shí)，沒(méi)發(fā)現(xiàn)微粒隨著倒角部清洗而增加。上面，參照若干實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不被限定于上述的實(shí)施方式，而是能夠參照添附的專(zhuān)利權(quán)利要求書(shū)而進(jìn)行多種變形。例如，清洗頭5也可以具有如下所述的形狀。參照?qǐng)D14，在該清洗頭中設(shè)有沿著中央部fe的徑向延伸的八個(gè)缺口部5d、與該八個(gè)缺口部5d相對(duì)應(yīng)地形成在底座5c上的通孔證。關(guān)于其它的結(jié)構(gòu)，與圖7所示的清洗頭5相同。采用這樣的結(jié)構(gòu)，也在清洗頭5的圓環(huán)部恥的一部分到達(dá)晶圓W的外側(cè)時(shí)，能夠利用圓環(huán)部恥清洗晶圓W的倒角部B。另外，由于缺口部5d的數(shù)量多，所以能夠期待進(jìn)一步提高由缺口部5d帶來(lái)的清洗效果。另外，由于通孔證的數(shù)量多，所以清洗液被有效地排出，因此，例如，適合從清洗液噴嘴51a供給較多量的清洗液的情況。但是，缺口部5d以及通孔證的數(shù)量不限于圖7的四個(gè)、圖14的八個(gè)， 當(dāng)然可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。另外，圖15所示的清洗頭5具有形成在中央部fe的大致中央的開(kāi)口部5ο、開(kāi)口于中央部fe的側(cè)周面且在中央部fe內(nèi)向底座5c方向彎曲的導(dǎo)管k。該導(dǎo)管k具有即使在中央部5a被推壓到晶圓W的背面而變形的情況下也不會(huì)壓扁那樣程度的直徑。另外， 在底座5c上以連接上述的導(dǎo)管k的方式形成有通孔證。該清洗頭5的圓環(huán)部恥具有與圖7所示的圓環(huán)部恥相同的結(jié)構(gòu)。采用這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠利用圓環(huán)部恥清洗晶圓W的倒角部B。另外，因?yàn)榭梢越?jīng)由導(dǎo)管k以及通孔證將積存在中央部fe與圓環(huán)部恥之間的空間中的清洗液排出，所以能夠使清洗液不殘留在特別是晶圓W的缺口部(圖12A)。另外，雖然在圖15中圖示有四個(gè)導(dǎo)管k和四個(gè)通孔證，但可以任意地確定它們的數(shù)量。參照?qǐng)D16，該清洗頭5具有形成在中央部fe的大致中央處的開(kāi)口部5ο、從由該開(kāi)口部5ο形成的中央部fe的內(nèi)周面起沿著中央部fe的徑向延伸的四個(gè)缺口部5d、開(kāi)口于中央部fe的外周面且與缺口部5d相連通的導(dǎo)管5f。導(dǎo)管5f具有即使在中央部fe被推壓到晶圓W的背面而變形的情況下也不會(huì)壓扁那樣程度的直徑。另外，底座5c的通孔證形成在與缺口部5d的底部相當(dāng)?shù)奈恢?。該清洗頭的圓環(huán)部恥與圖7所示的圓環(huán)部恥相同。 采用這樣的結(jié)構(gòu)，與圖7的清洗頭5同樣，能夠得到由缺口部5d帶來(lái)的清洗效果，另外，能夠經(jīng)由導(dǎo)管5f、缺口部5d、通孔證將積存在中央部fe與圓環(huán)部恥之間的空間中的清洗液排出?？梢匀我獾卮_定導(dǎo)管k以及缺口部5d的數(shù)量，另外，通孔證也可以形成在與開(kāi)口部5ο的底部相當(dāng)?shù)奈恢?。通孔證的數(shù)量可以與缺口部5d的數(shù)量不同數(shù)。圖17所示的清洗頭5與圖7的清洗頭5的不同點(diǎn)在于，圓環(huán)部恥的形狀不同，其它的結(jié)構(gòu)相同。如圖17的(b)所示，該清洗頭5的圓環(huán)部恥具有大致梯形的截面形狀，該梯形形狀的斜面面向中央部fe的外周面。采用這樣的結(jié)構(gòu)，圓環(huán)部恥的內(nèi)表面(特別是傾斜的面)也能夠與晶圓W的倒角部B接觸，從而能夠清洗倒角部B。另外，因?yàn)榉e存在中央部fe與圓環(huán)部5b之間的空間中的清洗液經(jīng)由海綿制的中央部fe以及圓環(huán)部5b而從通孔證排出，所以適合來(lái)自于清洗液噴嘴51a的清洗液是較少量的情況。圖18所示的清洗頭5具有中央部fe、配置在中央部如的周?chē)亩鄠€(gè)支柱 (pillar) 5p、安裝有該中央部fe和支柱5p的底座5c。在中央部fe中設(shè)有具有圓形的上表面形狀的開(kāi)口部5ο、四個(gè)缺口部5d。支柱5p與圖7的清洗頭5的中央部fe以及圓環(huán)部恥同樣地由PVA形成。采用這樣的結(jié)構(gòu)，也在清洗頭5位于使支柱5p的一部分露出到晶圓W 的外側(cè)的位置時(shí)，通過(guò)晶圓W的倒角部B與支柱5p接觸，能夠清洗倒角部B。另外，在此情況下，因?yàn)榍逑匆簭闹е?p之間的間隙、以及支柱5p與中央部fe之間的間隙排出，所以在底座5c中不需要通孔證。另外，因?yàn)槲葱纬捎型鬃C，所以中央部fe的缺口部5d未到達(dá)中央部的側(cè)周面。在圖19中圖示有清洗頭5的另一個(gè)其他變形例。如圖所示，該清洗頭5的圓環(huán)部 5b具有矩形的截面形狀，除這點(diǎn)之外，具有與圖7所示的清洗頭5相同的結(jié)構(gòu)。采用該結(jié)構(gòu)，也在清洗頭5的圓環(huán)部恥的一部分到達(dá)晶圓W的外側(cè)時(shí)，能夠利用圓環(huán)部恥清洗晶圓 W的倒角部B。圖20所示的清洗頭5包括具有八棱柱體的上表面形狀的中央部fe、配置在該中央部如的周?chē)亩嘟黔h(huán)部恥。與上述的例子相同，中央部如以及多角環(huán)部恥安裝在底座 5c上。多角環(huán)部恥的內(nèi)緣反映中央部fe的外緣形狀而具有八棱柱體的上表面形狀，且?guī)缀跖c中央部fe的外緣接觸。采用具有這樣的形狀的多角環(huán)部5b，因?yàn)榕c晶圓W的倒角部 B接觸時(shí)的接觸面積以及接觸力能夠沿著多角環(huán)部恥的內(nèi)緣而變化，所以能夠期待清洗效率的提高。
另外，清洗頭5也可以不是由海綿形成，而是由例如將多個(gè)塑料制的絲捆扎而成的刷子形成。塑料制的絲優(yōu)選由例如聚氯乙烯(PVC)、聚氨酯、尼龍等制成。另外，也可以將清洗頭5的中央部fe以及圓環(huán)部恥這雙方或者任意一方設(shè)為刷子。另外，即使在用刷子形成圓環(huán)部恥的情況下，也可以使面向中央部fe的側(cè)周面的內(nèi)周面以如圖7所示的方式傾斜。另外，參照?qǐng)D21的(a)和(b)，在另一個(gè)其他變形例的清洗頭5中，圓環(huán)部恥的內(nèi)周面相對(duì)于底座5c大致直立，圓環(huán)部恥的外周面向外傾斜。除了這點(diǎn)之外，該變形例的清洗頭5具有與圖7所示的清洗頭5相同的結(jié)構(gòu)。具體而言，圓環(huán)部恥的外周面傾斜為圓環(huán)部恥的外徑隨著朝向上方(沿遠(yuǎn)離底座5c的方向)而變小。采用這樣的形狀，因?yàn)閳A環(huán)部恥的上部比圓環(huán)部恥的下部薄而能夠具有適度的柔軟性，所以能夠用適度的力向倒角部B(參照?qǐng)D12B)進(jìn)行推壓。因此，能夠提高倒角部B的清洗效果。另外，如圖21的(c) 所示，對(duì)于具有這樣的形狀的清洗頭5，在清洗晶圓W的背面的情況下被推壓到該背面時(shí)， 圓環(huán)部恥被向內(nèi)壓扁。因此，在較長(zhǎng)期間地使用該清洗頭5的情況下，圓環(huán)部恥的上部附近以向內(nèi)側(cè)收縮的方式變形。這樣一來(lái)，即使長(zhǎng)期間地使用，在清洗頭5到達(dá)倒角部B而圓環(huán)部恥的一部分露出時(shí)，倒角部B也能夠被可靠地被推壓到圓環(huán)部恥的內(nèi)周面上。S卩、因?yàn)榈菇遣緽的清洗效果長(zhǎng)期間地持續(xù)，所以該變形例的清洗頭5具有壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。另外，圓環(huán)部恥也可以比中央部如高。具體而言，在圓環(huán)部恥的(距底座5c的) 高度為Hb、中央部fe的(距底座5c的)高度為Ha時(shí)，優(yōu)選0彡Hb-Ha彡大約2mm，更加優(yōu)選大約Imm彡Hb-Ha彡大約2mm。在圓環(huán)部恥比中央部fe高的情況下，即使在清洗頭5對(duì)晶圓W背面的壓力較弱時(shí)，也因?yàn)閳A環(huán)部恥能夠延伸到比晶圓W的表面高的位置，所以能夠清洗整個(gè)倒角部B。另外，用刷子形成中央部fe與/或圓環(huán)部恥的情況下，也優(yōu)選圓環(huán)部恥比中央部高。另夕卜，為了使圓環(huán)部恥的內(nèi)周面變得相對(duì)于倒角部B易于凹陷，優(yōu)選圓環(huán)部恥具有比中央部fe大的柔軟性。另外，在用海綿形成中央部fe與/或圓環(huán)部恥的情況下，當(dāng)然海綿可以不是PVA 制、而使用其他材料制的海綿。另外，清洗頭5的中央部如也可以未必具有開(kāi)口部5ο和缺口部5d。但是，因?yàn)橹醒氩咳绲闹行牟?旋轉(zhuǎn)中心軸線附近)伴隨清洗頭5的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的線速度小，所以與中央部如的周緣部、圓環(huán)部恥相比清洗效果低。因此，可以說(shuō)優(yōu)選設(shè)置開(kāi)口部5ο。另外，如上所述，因?yàn)槿笨诓?d具有提高清洗效果的優(yōu)點(diǎn)，所以也可以不設(shè)置開(kāi)口部5ο而只設(shè)置缺口部5d。在此情況下，優(yōu)選例如十字型的缺口部。另外，也可以在安裝有清洗頭5的支承部51上設(shè)置例如與側(cè)板沈(圖3)的升降機(jī)構(gòu)27相同的升降機(jī)構(gòu)，經(jīng)由支承部51來(lái)控制清洗頭5的向晶圓W背面的推壓及其壓力。 在此情況下，旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)33可以只具有使旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3旋轉(zhuǎn)的功能。但是，即使在清洗頭5的支承部51能夠升降的情況下，也可以使旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)33能夠升降， 并以支承部51與驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)33協(xié)作的方式利用支持部51來(lái)控制清洗頭5向晶圓W背面的推壓及其壓力。另外，也可以將安裝有清洗頭5的支承部51構(gòu)成為伸縮自如，從而使清洗頭5在圖4所示的X方向上移動(dòng)。由此，通過(guò)使清洗頭5在沿著晶圓W背面的方向上移動(dòng)，能夠清
16洗晶圓W的背面以及倒角部B。在此情況下，支承部51也可以能夠在Y方向上移動(dòng)。另外，在基板清洗裝置100中利用清洗頭5進(jìn)行倒角部B的清洗之后，也可以再使用清洗液清洗倒角部B。如圖5所示，為了該目的，也可以在上罩41上設(shè)置用于清洗倒角部 B的倒角清洗噴嘴7。倒角清洗噴嘴7構(gòu)成為噴出用于清洗倒角部B的例如DIW那樣的清洗液，從而沖走被附著在倒角部B上的微粒。詳細(xì)而言，倒角清洗噴嘴7包括從晶圓W的外側(cè)且自上方沿著傾斜方向?qū)Φ菇遣緽的上側(cè)部分噴出清洗液的上部噴嘴71、從晶圓W的外側(cè)且自下方沿著傾斜方向?qū)Φ菇遣緽的下側(cè)部分噴出清洗液的下部噴嘴72。在晶圓W利用旋轉(zhuǎn)吸盤(pán)3而旋轉(zhuǎn)的期間，從上部噴嘴71以及下部噴嘴72向倒角部B猛力地噴出清洗液， 因此，能夠利用清洗液的沖擊力除去被附著在倒角部B上的微粒。在此情況下，因?yàn)榫AW 在旋轉(zhuǎn)，所以能夠使清洗液到達(dá)整個(gè)倒角部B，利用由晶圓W的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力將清洗液從倒角部B抖落。由此，能夠?qū)⑽⒘牡菇遣緽沖走。另外，也可以在基板清洗裝置100中設(shè)置用于清洗晶圓W的背面周緣部的背面周緣清洗噴嘴8 (參照?qǐng)D3至圖幻。晶圓W的背面周緣部受到在光致抗蝕劑膜的形成之前進(jìn)行的疏水化處理所使用的疏水化劑的影響。即、在疏水化處理過(guò)程中，有時(shí)疏水化劑從晶圓 W的倒角部B向晶圓W的背面周緣部蔓延。在此情況下，背面周緣部變得具有疏水性。因而，為了將晶圓W的背面以及倒角部B維持為潤(rùn)濕狀態(tài)、并沖走被清洗頭5除去的微粒，從背面周緣清洗噴嘴8供給清洗液等是有用的。具體而言，背面周緣清洗噴嘴8優(yōu)選例如作為雙流體噴嘴而構(gòu)成。晶圓W的背面清洗用的清洗液可以是DIW和氮?dú)獾幕旌衔铩＜?、雙流體噴嘴容許液體成分(DIW)和氣體成分(氮?dú)?在雙流體噴嘴的頂端以及頂端附近進(jìn)行混合，由此，優(yōu)選將這兩者的混合物向晶圓W的背面噴出。采用此方式，能夠利用DIW和氮?dú)獍l(fā)泡的沖擊力可靠地除去微粒。另外，背面周緣清洗噴嘴8能夠利用升降機(jī)構(gòu)81進(jìn)行升降。由此，在晶圓W利用吸盤(pán)2而水平地移動(dòng)時(shí)，背面周緣清洗噴嘴8被下降，以使其不與上罩41、吹拂器31等發(fā)生干涉。另外，如圖5所示，倒角清洗噴嘴71、72可以經(jīng)由具有流量控制單元7b的供給管線7a連接到清洗液源65，背面周緣清洗噴嘴8可以經(jīng)由供給管線81a、82a分別連接到清洗液(DIW)源65和氮?dú)庠?6，該供給管線81a、8h分別具有流量控制單元81b、82b。另外，在上述的實(shí)施方式中，在轉(zhuǎn)接區(qū)B 3的第1輸送室1 中配置有基板清洗裝置100，但不限于此，例如也可以在處理區(qū)B2內(nèi)的處理單元組U4、U5、或者架單元U1、U2、U3 中配置基板清洗裝置100。另外，雖然以上以清洗半導(dǎo)體晶圓W的情況為例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明也可以應(yīng)用在清洗FPD用基板的情況。
權(quán)利要求
1.一種基板清洗裝置，其包括基板保持旋轉(zhuǎn)部，其用于保持基板的背面中心部并使該基板旋轉(zhuǎn)； 清洗構(gòu)件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周?chē)牡?清洗部、以及用于安裝上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其用于使上述基板保持旋轉(zhuǎn)部和上述清洗構(gòu)件相對(duì)地升降，以便上述第1清洗部和上述第2清洗部能夠與被保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)部的上述基板的背面接觸；驅(qū)動(dòng)部，其用于在沿著上述基板的背面的方向上相對(duì)地驅(qū)動(dòng)上述基板和上述清洗構(gòu)件，以便上述第2清洗部的一部分能夠露出到上述基板的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置，其中，上述第1清洗部具有圓柱形狀，配置在上述圓柱形狀的第1清洗部的周?chē)纳鲜龅? 清洗部具有圓環(huán)形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板清洗裝置，其中，上述圓環(huán)形狀的第2清洗部具有傾斜的內(nèi)周面，該內(nèi)周面以與上述圓柱形狀的第1清洗部的側(cè)周面之間的間隔沿著遠(yuǎn)離上述底座的方向擴(kuò)大的方式傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其中，上述第1清洗部包括形成在該第1清洗部的中心部的開(kāi)口部、和/或與該開(kāi)口部相連通的缺口部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其中， 上述底座具有貫通該底座的通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板清洗裝置，其中，上述第1清洗部包括形成在該第1清洗部的中心部的開(kāi)口部、和/或與該開(kāi)口部相連通的缺口部；上述通孔形成在上述第1清洗部和上述第2清洗部之間的交界處的下方及上述缺口部的下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其中，上述第2清洗部的始于上述底座的高度大于上述第1清洗部的始于上述底座的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其中， 基板清洗裝置還具有用于使上述清洗構(gòu)件旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其中，基板清洗裝置還具有用于向上述基板的背面供給清洗液的清洗液供給部。
10.一種涂覆顯影裝置，其包括光致抗蝕劑膜形成單元，其用于在基板上形成光致抗蝕劑膜； 權(quán)利要求1 9中的任意一項(xiàng)所述的基板清洗裝置，其用于對(duì)形成有上述光致抗蝕劑膜的上述基板進(jìn)行清洗；顯影單元，其用于在上述光致抗蝕劑膜被曝光之后對(duì)該曝光后的光致抗蝕劑膜進(jìn)行顯影。
11.一種基板清洗方法，其包括保持基板的背面中心部而使上述基板旋轉(zhuǎn)的步驟；使清洗構(gòu)件的第1清洗部、第2清洗部與被保持在基板保持旋轉(zhuǎn)部的上述基板的背面接觸的步驟，該清洗構(gòu)件包括上述第1清洗部；配置在上述第1清洗部的周?chē)纳鲜龅? 清洗部；以及用于安裝上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；使上述基板和上述清洗構(gòu)件在沿著上述基板的背面的方向上相對(duì)移動(dòng)、以便上述第2 清洗部的一部分露出到上述基板的外側(cè)的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板清洗方法，其中，該基板清洗方法還包括向上述基板的背面供給清洗液的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或者12所述的基板清洗方法，其中， 該基板清洗方法還包括使上述清洗構(gòu)件旋轉(zhuǎn)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板清洗裝置、涂覆顯影裝置以及基板清洗方法?；迩逑囱b置能夠簡(jiǎn)便且有效地清洗基板的倒角部，還有利于節(jié)省空間。本發(fā)明的實(shí)施方式的基板清洗裝置包括基板保持旋轉(zhuǎn)部，其保持基板的背面中心部并使該基板旋轉(zhuǎn)；清洗構(gòu)件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周?chē)牡?清洗部、用于安裝上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其使上述基板保持旋轉(zhuǎn)部和上述清洗構(gòu)件相對(duì)地升降，以使上述第1清洗部和上述第2清洗部能夠與被保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)部的上述基板的背面接觸；驅(qū)動(dòng)部，其在沿著上述基板的背面的方向上相對(duì)地驅(qū)動(dòng)上述基板和上述清洗構(gòu)件，以使上述第2清洗部的一部分能夠露出到上述基板的外側(cè)。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102339774SQ20111019680
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月14日
發(fā)明者久米純次, 大河內(nèi)厚 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社