專(zhuān)利名稱(chēng)：切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造工藝，更具體地，涉及切割半導(dǎo)體襯底的方法。
背景技術(shù)：
在通常的集成電路形成工藝中，首先制造的是半導(dǎo)體晶圓，每個(gè)半導(dǎo)體晶圓包括多個(gè)相同的半導(dǎo)體芯片(也稱(chēng)作管芯)。在制造半導(dǎo)體晶圓之后，將其切割以使半導(dǎo)體芯片分離，從而每個(gè)半導(dǎo)體芯片均可被單獨(dú)封裝。然而，傳統(tǒng)的晶圓切割工藝有諸多缺點(diǎn)。例如，在工藝進(jìn)行過(guò)程中，半導(dǎo)體襯底上的上層金屬層可能開(kāi)裂，導(dǎo)致污染物或濕氣能夠滲透進(jìn)芯片。由此，增加了整體組件的不合格率。于是，需要一種改進(jìn)的方法，以將半導(dǎo)體晶圓切割成具有穩(wěn)定電性能的單個(gè)晶圓。

發(fā)明內(nèi)容
未解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種方法，包括在半導(dǎo)體襯底上方提供器件層， 器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域、以及位于第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域之間的劃線區(qū)域；在器件層上方形成保護(hù)層；對(duì)劃線區(qū)域上的保護(hù)層進(jìn)行激光切割，以形成切口 (123)，切口延伸至襯底中，并且由保護(hù)層的一部分填充；穿過(guò)保護(hù)層的一部分和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行機(jī)械切割，以將第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域分離。該方法進(jìn)一步包括在激光切割過(guò)程中，加熱保護(hù)層，以使保護(hù)層可流動(dòng)。其中，保護(hù)層在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)可流動(dòng)。該方法進(jìn)一步包括在激光切割之后，將保護(hù)層固化。其中，保護(hù)層在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)固化。其中，在保護(hù)層的一部分填充切口之后，保護(hù)層覆蓋器件層和半導(dǎo)體襯底的分界面。其中，保護(hù)層包括可流動(dòng)復(fù)合樹(shù)脂。其中，切口從劃線區(qū)域的一端向劃線區(qū)域的相對(duì)端延伸。其中，器件層包括多個(gè)互連層。其中，切口延伸至襯底中約5μπι至ΙΟμπι的深度。此外，本發(fā)明還提供了一種方法，包括在半導(dǎo)體襯底上方形成器件層，器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域、以及位于第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域之間的劃線區(qū)域；在劃線區(qū)域中的器件層中蝕刻多個(gè)開(kāi)口 ；在多個(gè)開(kāi)口中填充激光可流動(dòng)材料；以及對(duì)劃線區(qū)域上的器件層進(jìn)行激光切割，以形成切口，切口延伸至半導(dǎo)體襯底中，并且切口的一部分由激光可流動(dòng)材料覆蓋；以及穿過(guò)切口進(jìn)行機(jī)械切割，以將第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域分離。其中，填充激光可流動(dòng)材料進(jìn)一步包括通過(guò)激光切割軟化激光可流動(dòng)材料，從而使激光可流動(dòng)材料流動(dòng)到多個(gè)開(kāi)口的外部，并且覆蓋切口的一部分；以及將軟化的激光可流動(dòng)材料固化。其中，激光可流動(dòng)材料包括在激光切割過(guò)程中可流動(dòng)的焊料或金屬合金。其中，激光可流動(dòng)材料在約2000°C的溫度下可流動(dòng)。其中，在激光切割之后，激光可流動(dòng)材料覆蓋器件層和半導(dǎo)體襯底的分界面。其中，器件層包括多個(gè)互連層，并且激光可流動(dòng)材料填充在多個(gè)互連層的至少一個(gè)中。該方法進(jìn)一步包括使密封環(huán)環(huán)繞第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域的每一個(gè)，并且由激光可流動(dòng)材料填充的開(kāi)口位于密封環(huán)的相對(duì)于環(huán)繞的第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域的相對(duì)側(cè)。其中，由激光可流動(dòng)材料填充的開(kāi)口從劃線區(qū)域的一端延伸至劃線區(qū)域的相對(duì)端。其中，器件層包括低k介電層。其中，將激光可流動(dòng)材料填充的開(kāi)口排列為從劃線區(qū)域的一端延伸至劃線區(qū)域的相對(duì)端的分離段。


以下將通過(guò)參考補(bǔ)充的附圖而對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行描述。應(yīng)該理解，附圖是以說(shuō)明性為目的，因此未按比例繪制。圖1是包括多個(gè)芯片區(qū)域的晶圓的頂視圖。圖2是圖1所描述的晶圓的放大圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。圖4至圖7是按照?qǐng)D3的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出了在結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一種方法的流程圖。圖9至圖11是按照?qǐng)D8的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出了結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)討論說(shuō)明性實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在多種具體情況下實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明的概念。所討論的具體實(shí)施例僅是說(shuō)明性的，并不用于限定本發(fā)明的范圍。圖1和圖2中示出的是包括多個(gè)芯片區(qū)域的晶圓的頂視圖。圖3和圖8示出的是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法10和方法20的流程圖。圖4至圖7是按照?qǐng)D3的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面視圖。 圖9至圖11是按照?qǐng)D8的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面圖。圖1是制造在半導(dǎo)體襯底101上的包括多個(gè)芯片區(qū)域103的晶圓100的頂視圖。 通過(guò)芯片區(qū)域103之間的劃線105劃分出多個(gè)芯片區(qū)域103。圖2是圖1中描述的晶圓100 的一部分的放大圖。這里的術(shù)語(yǔ)“晶圓”通常是指在其上形成有多個(gè)層和器件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底101。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底101包括硅或化合物半導(dǎo)體，諸如GaASJnP、Si/ Ge、或SiC。上述的層的示例包括介電層、摻雜層、和/或多晶硅層。器件結(jié)構(gòu)的示例包括晶體管、電阻和/或電容，這些晶體管、電阻和/電容可以通過(guò)互連層互連到附加的有源電路， 或者可以不通過(guò)互連層互連到附加的有源電路。以下工藝步驟將在襯底表面上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片區(qū)域上實(shí)施。現(xiàn)參考圖3，方法10開(kāi)始于框11，其中，在半導(dǎo)體襯底上提供了器件層。器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域。劃線區(qū)域形成在第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域之間。方法10繼續(xù)至框12，其中，保護(hù)層形成在器件層上方，從而位于半導(dǎo)體襯底的上方。方法10 繼續(xù)至框13，其中，將劃線區(qū)域之上的保護(hù)層激光切割，以形成切口。切口延伸至半導(dǎo)體襯底中，并由保護(hù)層的部分填充。方法10繼續(xù)至框14，其中，穿過(guò)保護(hù)層的部分和襯底執(zhí)行機(jī)械切割，以將第一芯片區(qū)域、第二芯片區(qū)域及其下的襯底分離。圖4至圖7是按照?qǐng)D3的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面圖。圖4至圖7是橫截面圖，通過(guò)圖2中的垂直平面交叉線A-A'獲得。圖4提供了僅包括半導(dǎo)體襯底101(其上形成有兩個(gè)芯片區(qū)域103/103')的一部分的結(jié)構(gòu)200。半導(dǎo)體襯底101的其余部分以及其他芯片區(qū)域在圖4-7中省略。結(jié)構(gòu)200包括半導(dǎo)體襯底101，器件層109形成在半導(dǎo)體襯底101上方，接合焊盤(pán)111形成在器件層109 的上方，鈍化層113形成在接合焊盤(pán)111的上方，UBM 115形成在鈍化層113的上方，并且導(dǎo)電部件117形成在UBM 115的上方。器件層109具有第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域 103'。第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'中的每個(gè)都由密封環(huán)107環(huán)繞。劃線區(qū)域 105限定在第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'的密封環(huán)107之間。以下描述結(jié)構(gòu)200的制造工藝。提供了具有頂表面102的半導(dǎo)體襯底101。在半導(dǎo)體襯底101的頂表面102的上方形成器件層109。器件層109包括多個(gè)互連層?；ミB層包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層。導(dǎo)電層與集成電路元件電連接，并且將電連接從集成電路提供至上層。在一些實(shí)施例中，互連層中的介電層由介電常數(shù)(k值) 介于約2. 9和約3. 8之間的低k介電材料、k值介于約2. 5和約2. 9之間的極低k (ULK)介電材料、或一些低k介電材料的組合物形成。通常，介電層的k值越小，介電層就會(huì)變得越易碎并且易脫層和破裂?；ミB層還包括形成在芯片區(qū)域周?chē)拿芊猸h(huán)107。密封環(huán)107將劃線區(qū)域105與芯片區(qū)域分隔開(kāi)。密封環(huán)107保護(hù)芯片區(qū)域中的集成電路免受濕氣和污染物的侵襲。在切割工藝中，密封環(huán)107還保護(hù)了芯片區(qū)域免受損壞。在至少一個(gè)實(shí)施例中， 密封環(huán)107包含諸如鋁、鋁合金、銅、銅合金、或其組合物的導(dǎo)電材料。接合焊盤(pán)111形成在器件層109的上方。接合焊盤(pán)111提供了上面的焊料凸塊和下面的集成電路之間的電連接，穿過(guò)金屬通孔(未示出)至器件層109中的導(dǎo)電層，以電連接至下層的集成電路。在一個(gè)實(shí)施例中，接合焊盤(pán)111包含導(dǎo)電材料，諸如鋁、鋁合金、銅、 銅合金、或其組合物。在一些實(shí)施例中，通過(guò)物理氣相沉積(PVD)(例如使用由鋁、銅或其合金制成的濺鍍靶(sputtering target)的濺鍍沉積)使接合焊盤(pán)111沉積而成，而后通過(guò)光刻和蝕刻對(duì)沉積層進(jìn)行圖案化。接下來(lái)，鈍化層113形成在接合焊盤(pán)111的上方。鈍化層113吸收或釋放由襯底的封裝產(chǎn)生的熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力。通過(guò)諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)的可應(yīng)用的沉積技術(shù)，可將鈍化層113沉積在接合焊盤(pán)111的上方。鈍化層113包括一個(gè)或多個(gè)層，諸如氧化物、未CN 102543868 A摻雜的硅玻璃(USG)、氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiON)。鈍化層113防止或減少濕氣、機(jī)械力和/或輻射對(duì)集成電路的損壞。 凸塊底部金屬化(UBM)層115形成在鈍化層113上方，并且與接合焊盤(pán)111的一部分接觸。在一些實(shí)施例中，UBM層115包括多層導(dǎo)電材料，例如，鈦層，銅層，和/或鎳層。 優(yōu)選地，UBM層115中的每一層使用諸如電化學(xué)電鍍的電鍍工藝來(lái)形成，不過(guò)根據(jù)所需的材料可選擇使用其他形成工藝，諸如濺射、蒸發(fā)、化學(xué)鍍或PECVD工藝。
接下來(lái)，在一些實(shí)施例中，在UBM層115上方形成光刻膠(未示出)，并且進(jìn)一步形成至少暴露UBM層115的一部分的孔。光刻膠用作金屬沉積工藝的模具，以形成導(dǎo)電部件。 在一些實(shí)施例中，如圖4中所示，通過(guò)蒸發(fā)、電鍍、或絲網(wǎng)印刷(screen printing)，將導(dǎo)電材料沉積在孔中，從而在UBM層115的上方形成一列導(dǎo)電部件117。導(dǎo)電材料包括諸如焊料或銅的金屬或金屬合金中的任一種類(lèi)。在至少一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電部件117是銅柱。在另一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電部件117是焊料，其中，通過(guò)加熱將焊料回流，以形成焊料凸塊。如圖5所示，保護(hù)層119形成在器件層109上方并且覆蓋鈍化層113、UBM層115 和導(dǎo)電部件117。在至少一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層119固定在載體上。接下來(lái)，將載體翻轉(zhuǎn)，并將保護(hù)層119面朝下對(duì)著器件層109。然后，將載體朝著器件層109按下，并將保護(hù)層119 形成在器件層109上方。最后，將載體移除。保護(hù)層119包括可以在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)流動(dòng)的可流動(dòng)復(fù)合樹(shù)脂。參考圖6，將位于劃線區(qū)域105上方的保護(hù)層119和劃線區(qū)域105激光切割121，以形成切口 123。切口 123從保護(hù)層119的頂表面延伸至半導(dǎo)體襯底101中約5μπι到IOym 的深度。切口 123還沿著劃線區(qū)域105的一端向劃線區(qū)域105的相對(duì)側(cè)端延伸。保護(hù)層 119的一部分因激光產(chǎn)生的熱量而被熔化后流動(dòng)到切口 123中，并且填充切口 123。同時(shí)， 切口 123中的保護(hù)層119覆蓋了器件層109和半導(dǎo)體襯底101的分界面(interface) 126。 在一個(gè)實(shí)施例中，激光切割使用由DISCO制成的氬(Ar)基離子激光束工具。激光切割的運(yùn)行功率在激光束的溫度約2000°C時(shí)約為0. 4W至4W。在激光切割之前或激光切割過(guò)程中， 將保護(hù)層119加熱到可流動(dòng)狀態(tài)。加熱溫度為約50°C至約150°C，持續(xù)20分鐘。激光切割之后，保護(hù)層119在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)固化2小時(shí)，以使保護(hù)層119硬化。有利地，在后面的機(jī)械切割管芯的工藝中，保護(hù)層119具有減少芯片邊緣開(kāi)裂或破裂的效果。 同時(shí)，也不太可能在薄弱層(諸如低介電常數(shù)層)中發(fā)生開(kāi)裂、剝落或脫層。參考圖7，穿過(guò)保護(hù)層119的部分以及半導(dǎo)體襯底101實(shí)施機(jī)械切割125，以將第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'分離。將晶圓100上的多個(gè)芯片區(qū)域，以及，在一些實(shí)施例中，其下的襯底切割成單獨(dú)的芯片區(qū)域。現(xiàn)參考圖8，圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一種方法。方法20 開(kāi)始于框21，其中，提供了半導(dǎo)體襯底。方法20繼續(xù)至框22，其中，在半導(dǎo)體襯底上方形成器件層。器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域。劃線區(qū)域定義在第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域之間。方法20繼續(xù)至框23，其中，在劃線區(qū)域中的器件層中蝕刻多個(gè)開(kāi)口。方法 20繼續(xù)至框M，其中，器件層中的多個(gè)開(kāi)口利用激光可流動(dòng)材料進(jìn)行填充。方法20繼續(xù)至框25，其中，將劃線區(qū)域上的器件層激光切割，以形成切口。切口延伸至半導(dǎo)體襯底中。切口的一部分由激光可流動(dòng)材料覆蓋。方法20繼續(xù)至框沈，其中，穿過(guò)切口實(shí)施機(jī)械切割，以將第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域分離。
圖9至圖11是按照?qǐng)D8的根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中各個(gè)階段的橫截面圖。圖9示出結(jié)構(gòu)201的形成中的圖4的工藝步驟的變化。圖9中與圖4中相同的標(biāo)記代表了相同的或類(lèi)似的元件。參考圖9，示出了結(jié)構(gòu)201。器件層109形成在半導(dǎo)體襯底101的上方。器件層 109包括多個(gè)互連層?；ミB層包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層。密封環(huán)107環(huán)繞第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'中的每一個(gè)。密封環(huán)107將第一芯片區(qū)域103、第二芯片區(qū)域103'和劃線區(qū)域分隔開(kāi)。然后，在劃線區(qū)域105中的器件層109 中蝕刻一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口。利用激光可流動(dòng)材料110將開(kāi)口填充。接下來(lái)，在器件層109上方形成接合焊盤(pán)111。在接合焊盤(pán)111的上方形成鈍化層113。在鈍化層113上方形成UBM 115，并且在UBM 115上方形成導(dǎo)電部件117。在圖9中，激光可流動(dòng)材料110包括焊料，比如錫合金，或在2000°C的激光束的激光切割工作溫度下為可流動(dòng)的金屬合金。在至少一個(gè)實(shí)施例中，由激光可流動(dòng)材料110填充的開(kāi)口位于密封環(huán)107關(guān)于第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'的相對(duì)側(cè)。在至少一個(gè)實(shí)施例中，由激光可流動(dòng)材料110填充的開(kāi)口形成在至少一個(gè)互連層中。在其他實(shí)施例中，由激光可流動(dòng)材料110填充的開(kāi)口沿著劃線區(qū)域105的一端延伸至劃線105的另一相對(duì)端。在另一實(shí)施例中，由激光可流動(dòng)材料110填充的開(kāi)口排列為沿著劃線區(qū)域105的一端至劃線105的相對(duì)端延伸的分離段。參考圖10，在劃線區(qū)域105上的器件層109實(shí)施激光切割工藝121，以形成切口 123。切口 123從器件層109的頂表面延伸至半導(dǎo)體襯底101中約5 μ m到10 μ m的深度。 切口 123還沿著劃線區(qū)域105的一端向劃線區(qū)域105的相對(duì)端延伸。切口 123的一部分由激光可流動(dòng)材料110覆蓋。同時(shí)，切口 123中的激光可流動(dòng)材料110覆蓋器件層109和半導(dǎo)體襯底101的分界面126。在至少一個(gè)實(shí)施例中，激光切割使用由DISCO制成的Ar基離子激光束工具。激光切割的工作功率在約2000°C的激光束的溫度下約為0. 4W至4W。在激光切割過(guò)程中，激光可流動(dòng)材料110被軟化，成為可流動(dòng)狀態(tài)。激光可流動(dòng)材料110流至多個(gè)開(kāi)口外部并且填充切口 123的部分。然后，將軟化的激光可流動(dòng)材料110固化。有利地， 在后面的機(jī)械切割芯片的工藝中，切口 123中的激光可流動(dòng)材料110具有減少晶圓邊緣開(kāi)裂或破裂的效果。同時(shí)，也不太可能在薄弱層(諸如低介電常數(shù)層)中發(fā)生開(kāi)裂、剝落或脫層。參考圖11，穿過(guò)切口 123、激光可流動(dòng)材料110和半導(dǎo)體襯底101，實(shí)施機(jī)械切割 125，以將第一芯片區(qū)域103和第二芯片區(qū)域103'，以及，在一些實(shí)施例中，其下的襯底分離。晶圓100上的芯片區(qū)域被切割成單獨(dú)的芯片區(qū)域。本申請(qǐng)文件的各個(gè)實(shí)施例可用于改善傳統(tǒng)的晶圓切割工藝中的缺陷。例如，在各個(gè)實(shí)施例中，在切口中的保護(hù)層119或激光可流動(dòng)材料110在切割工藝過(guò)程期間為芯片的邊緣部分提供剛性支撐。因此，也不太可能在薄弱層(諸如低介電常數(shù)層)中發(fā)生開(kāi)裂、剝落或脫層。封裝工藝的合格率因此會(huì)顯著提高。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括在半導(dǎo)體襯底上方提供器件層，所述器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域、以及位于所述第一芯片區(qū)域和所述第二芯片區(qū)域之間的劃線區(qū)域； 在所述器件層上方形成保護(hù)層；對(duì)所述劃線區(qū)域上的所述保護(hù)層進(jìn)行激光切割，以形成切口(123)，所述切口延伸至所述襯底中，并且由所述保護(hù)層的一部分填充；穿過(guò)所述保護(hù)層的所述一部分和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行機(jī)械切割，以將所述第一芯片區(qū)域和所述第二芯片區(qū)域分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在激光切割過(guò)程中，加熱所述保護(hù)層，以使所述保護(hù)層可流動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述保護(hù)層在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)可流動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在激光切割之后，將所述保護(hù)層固化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述保護(hù)層在約50°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)固化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述保護(hù)層的所述一部分填充所述切口之后， 所述保護(hù)層覆蓋所述器件層和所述半導(dǎo)體襯底的分界面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括可流動(dòng)復(fù)合樹(shù)脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述切口從所述劃線區(qū)域的一端向所述劃線區(qū)域的相對(duì)端延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述器件層包括多個(gè)互連層。
10.一種方法，包括在半導(dǎo)體襯底上方形成器件層，所述器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域、以及位于所述第一芯片區(qū)域和所述第二芯片區(qū)域之間的劃線區(qū)域； 在所述劃線區(qū)域中的所述器件層中蝕刻多個(gè)開(kāi)口； 在所述多個(gè)開(kāi)口中填充激光可流動(dòng)材料；以及對(duì)所述劃線區(qū)域上的所述器件層進(jìn)行激光切割，以形成切口，所述切口延伸至所述半導(dǎo)體襯底中，并且所述切口的一部分由所述激光可流動(dòng)材料覆蓋；以及穿過(guò)所述切口進(jìn)行機(jī)械切割，以將所述第一芯片區(qū)域和所述第二芯片區(qū)域分離。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例包括一種切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。在半導(dǎo)體襯底上方提供器件層。器件層具有第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域。劃線區(qū)域位于第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域之間。保護(hù)層形成在器件層上方。從而形成在半導(dǎo)體襯底的上方。對(duì)劃線區(qū)域之上的保護(hù)層進(jìn)行激光切割，以形成切口。切口延伸至半導(dǎo)體襯底中，并且將保護(hù)層形成為覆蓋部分切口。穿過(guò)保護(hù)層的部分和襯底，進(jìn)行機(jī)械切割，以將第一芯片區(qū)域和第二芯片區(qū)域分離。
文檔編號(hào)H01L21/78GK102543868SQ20111021732
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
發(fā)明者于達(dá)人, 古進(jìn)譽(yù), 林峻瑩, 游秀美, 連永昌, 邱圣翔 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司