專利名稱：具有減小的rf損耗的射頻封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種射頻封裝方法及裝置。
技術(shù)背景
射頻(RF)器件廣泛用于通信系統(tǒng)。運行在高頻率(比如，在GHz頻率范圍內(nèi))的各種RF器件需要與其他器件相結(jié)合形成系統(tǒng)。因此，需要將RF器件封裝在封裝結(jié)構(gòu)中。
有許多類型的傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)可以用于封裝RF器件。在第一封裝結(jié)構(gòu)中，RF器件形成在器件管芯中，該器件管芯堆疊在封裝基板上。封裝基板進(jìn)一步通過倒裝接合法接合到印刷電路板(PCB)。接合線用于將直流(DC)電源提供到器件管芯，并且用于在器件管芯和封裝基板之間傳輸RF信號。RF信號進(jìn)一步通過封裝通孔傳輸?shù)絇CB，該封裝通孔形成在封裝基板中。在這些封裝結(jié)構(gòu)中，通常，接合線相比于RF信號的波長而言非常長，接合線上的RF損耗非常大。而且，接合線的形成會導(dǎo)致靜電放電(ESD)，靜電放電(ESD)會損壞RF 器件。器件管芯和封裝基板還可能存在熱膨脹系數(shù)(CTE)的高失配，從而可能會在器件管芯中產(chǎn)生高應(yīng)力。
在另一種傳統(tǒng)基板中，RF器件形成在器件管芯中，其中，器件管芯通過倒裝封裝接合到中介層。中介層堆疊在封裝基板上。封裝基板進(jìn)一步通過倒裝接合法接合到PCB。接合線用于將中介層接合到封裝基板。接合線用于將DC電源通過中介層提供到器件管芯，并且用于在器件管芯和封裝基板之間傳輸RF信號。RF信號進(jìn)一步通過形成在封裝基板中的封裝通孔傳輸?shù)絇CB。此外，在這些封裝結(jié)構(gòu)中，接合線相比于RF信號的波長而言較長，并且接合線上的RF損耗較大。而且，封裝線的形成還會導(dǎo)致ESD，ESD會損壞RF器件。發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種一種器件， 包括中介層，所述中介層包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中，所述中介層中不包括中介層通孔；第一無源器件，位于所述中介層的所述第一側(cè)上；以及第二無源器件，位于所述中介層的所述第二側(cè)上，其中，所述第一無源器件和所述第二無源器件配置為在所述第一無源器件和所述第二無源器件之間無線傳輸信號；以及射頻(RF)器件，接合到所述中介層的所述第一側(cè)，并且電連接到所述第一無源器件。
在該器件中，所述中介層進(jìn)一步包括第一基板、第二基板、以及粘合劑層，所述粘合劑層將所述第一基板接合到所述第二基板，其中，所述第一無源器件和所述粘合劑層位于所述第一基板的相對側(cè)，所述第二無源器件和所述粘合劑層位于所述第二基板的相對側(cè)；或者其中，所述RF器件選自基本上由低噪聲放大器(LNA)、混頻器、振蕩器、功率放大器、以及上述的組合所構(gòu)成的組。
在該器件中，所述第一無源器件和所述第二無源器件包括無線信號傳輸器件，所述無線信號傳輸器件選自基本上由電容器和變壓器構(gòu)成的組，所述電容器極板是所述第二無源器件的一部分，并且所述變壓器包括第一電感器和第二電感器， 所述第一電感器是所述第一無源器件的一部分，所述第二電感器是所述第二無源器件的一部分，所述無線信號傳輸器件包括電容器，或者所述無線信號傳輸器件包括變壓器。
該器件進(jìn)一步包括封裝基板，接合到所述中介層的所述第二側(cè)；以及印刷電路板(PCB)，接合到所述封裝基板，其中，所述中介層和所述PCB位于所述封裝基板的相對側(cè)上。
該器件進(jìn)一步包括接合線，接合到所述中介層的所述第一側(cè)以及所述封裝基板； 或者其中，沒有接合線接合到所述封裝基板上，并且沒有接合線被配置為傳輸連接到RF器件的RF信號。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種器件，包括第一中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)；第一無源器件，位于所述第一中介層的所述第一側(cè)， 并且是所述第一中介側(cè)的一部分；第二中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中，所述第一中介層的第二側(cè)面向并且接合到所述第二中介層的第二側(cè)，其中，在所述第一中介層和所述第二中介層中沒有設(shè)置金屬部件；第二無源器件，位于所述第二中介層的所述第一側(cè)上，并且是所述第二中介層的一部分；
射頻(RF)器件，接合到所述第一中介層的所述第一側(cè)；以及封裝基板，通過倒裝接合法接合到所述第二中介層的所述第一側(cè)，其中，所述RF器件以信號的方式連接到所述封裝基板。
在該器件中，所述第一中介層包括第一基板，所述第二中介層包括第二基板，并且，所述器件進(jìn)一步包括粘合劑層，位于所述第一基板和所述第二基板之間，并且粘合到所述第一基板和所述第二基板12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，在所述第一基板和所述第二基板中沒有形成中介層通孔；或者該器件進(jìn)一步包括接合線，將所述第一中介層的第一側(cè)接合到所述封裝基板，其中，沒有接合線接合到所述封裝基板，并且沒有接合線被配置為在所述封裝基板和所述第一中介層的所述第一側(cè)之間傳輸RF信號。
該器件進(jìn)一步包括RF信號傳輸器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一無源器件的一部分，所述第二部分是所述第二無源器件的一部分，其中，所述RF 信號傳輸器件配置為在所述第一部分和所述第二部分之間傳輸RF信號，其中，所述RF信號傳輸器件是電容器，并且，所述第一部分是所述電容器的第一電容器極板，所述第二部分是所述電容器的第二電容器極板；或者所述RF信號傳輸器件是變壓器，并且，所述第一部分是所述變壓器的第一電感器，所述第二部分是所述變壓器的第二電感器。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種器件，包括中介層，所述中介層包括基板；第一無源器件，位于所述基板的所述第一側(cè)上；以及第二無源器件，位于所述基板的所述第二側(cè)上，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中，在所述基板中沒有形成金屬部件，并且沒有金屬部件將所述第一無源器件連接到所述第二無源器件；射頻(RF)器件管芯，接合到所述中介層的所述第一側(cè)；封裝基板，接合到所述中介層的所述第二側(cè)；接合線，接合到所述封裝基板，并且電連接到所述RF器件管芯，其中，所述RF器件管芯配置為通過所述接合線連接到DC電源，并且沒有接合線接合到所述封裝基板或者所述中介層，或者沒有接合線被配置為傳輸射頻信號；以及印刷電路板(PCB)，通過焊球接合到所述封裝基板。
該器件進(jìn)一步包括RF信號傳輸器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一無源器件的一部分，所述第二部分是所述第二無源器件的一部分，其中，所述RF 信號傳輸器件配置為在所述第一部分和所述第二部分之間傳輸RF信號，其中，所述射頻信號傳輸器件是電容器，并且，所述第一部分是所述電容器的第一電容器極板，所述第二部分是所述電容器的第二電容器極板；或者所述射頻信號傳輸器件是變壓器，并且，所述第一部分是所述變壓器的第一電感器，所述第二部分是所述變壓器的第二電感器。


為了全面理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中
圖1示出了根據(jù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖，其中，兩個中介層粘合在一起，無源器件形成在每個中介層的一側(cè)上；
圖2示出了根據(jù)各個其他實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖，其中，多個射頻(RF)器件接合到兩個中介層之一；以及
圖3示出了根據(jù)其他實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖，其中，無源器件形成在中介層的相對側(cè)上。
具體實施方式
下面，詳細(xì)討論本發(fā)明各實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。
根據(jù)實施例，提供了一種新式2. 5維(2. 5D)封裝結(jié)構(gòu)。然后，論述了實施例的各種變化。在各個附圖和所示出的實施例中，相似的參考標(biāo)號用于表示相似的部件。
圖1示出了根據(jù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖。提供了印刷電路板(PCB)20。封裝基板26接合到PCB 20上，例如，通過倒裝接合，利用焊料凸塊22 (還被稱為球柵陣列(BGA) 焊球)接合封裝基板26和PCB 20，并且在封裝基板沈和PCB 20之間傳輸信號和DC電源。 在實施例中，封裝基板26由諸如有機(jī)材料、陶瓷等等的材料形成。封裝通孔觀形成在封裝基板沈中。金屬層四可以形成在封裝基板沈的頂側(cè)，該金屬層四可以包括金屬線和通孔，其中，DC電源和RF信號通過該金屬層四傳輸。
進(jìn)一步將中介層100和中介層200堆疊在封裝基板沈上。進(jìn)一步將器件管芯46 設(shè)置在中介層200上方，并且通過倒裝接合法接合到該中介層200。器件管芯46中可以包括RF器件，比如低噪聲放大器(LNA)、壓控振蕩器(VCO)、混頻器、功率放大器(PA)、天線。中介層100面朝下，并且包括基板110、介電層112、以及金屬線和通孔114。金屬線和通孔114 用于傳輸電信號。在實施例中，無源器件包括一個或者多個電感器116、電容器極板118，并且其他無源器件120形成在介電層112中。無源器件120可以選自基本上由電阻器、不平衡變壓器(Balim)、濾波器(比如低通濾波器、高通濾波器、和/或帶通濾波器)、雙工器、電容器、變壓器、以及上述的組合所構(gòu)成的組。無源器件116、無源器件118、和無源器件120 也可以電連接到焊料凸塊30，該焊料凸塊30將中介層100接合到封裝基板沈。另外，器件 116、器件118、和器件120也可以由介電層112中的金屬線和通孔構(gòu)成。
中介層200面朝上，并且包括基板210、介電層212、以及介電層212中的金屬線和通孔214。金屬線和通孔214用于傳輸信號和DC電源。無源器件形成在介電層212中。在實施例中，形成在中介層200中的無源器件包括一個或者多個電感器216、電容器極板218、 以及無源器件220，其中，無源器件220可以選自基本上由電阻器、不平衡變壓器(Balim)、 濾波器(比如低通濾波器、高通濾波器、和/或帶通濾波器)、雙工器、電容器、變壓器、以及上述的組合所構(gòu)成的組。另外，器件216、器件218、和器件220也可以由介電層112中的金屬線和通孔構(gòu)成。
中介層100的基板110和中介層200的基板210可以由諸如晶體硅的半導(dǎo)體材料， 或者諸如陶瓷、玻璃、有機(jī)材料等等的介電材料形成。另外，基板Iio和基板210的熱膨脹系數(shù)(CTE)可以比封裝基板沈的CTE更接近于覆蓋器件管芯46的CTE。因此，中介層100 和中介層200具有減小器件管芯46中所產(chǎn)生的應(yīng)力的效果。
中介層100和中介層200可以使用，例如，粘合劑層(adhesive)62相接合，其中， 粘合劑層62可以接觸基板110和基板210。在實施例中，在基板110中沒有形成從基板110 的頂面延伸到底面的界面通孔。類似地，在基板210中沒有形成從基板210的頂面延伸到底面的界面通孔。而且，在實施例中，沒有金屬部件設(shè)置在基板110和基板210之間(例如， 在粘合劑層62中)。
中介層200中的電感器216可以與中介層100中的電感器116相結(jié)合形成變壓器 50，其中，電感器216基本上在垂直方向上重疊電感器116。電容器極板218與電容器極板 118相結(jié)合形成電容器52，其中，電容器極板218基本上在垂直方向上重疊電容器極板118。 由于RF信號可以在電感器116和電感器216之間以及電容器極板118和電容器極板218之間傳輸，因此，變壓器50和電容器52稱為RF信號傳輸器件。因此，使用電容器52和/或變壓器50，RF信號可以無線傳輸。例如，RF信號可以通過電容器52和/或變壓器50，在器件管芯46和封裝通孔觀之間傳輸。由于可以無線傳輸，因此，不再需要使用接合線來傳輸 RF信號。因此，消除了由于使用接合線而產(chǎn)生的RF損耗。還消除了由于接合線的接合而導(dǎo)致的靜電放電(ESD)，從而使得RF器件免于相應(yīng)的ESD損壞。而且，由于可以無線傳輸，因此，不再需要在中介層100和中介層200中形成中介層通孔，從而節(jié)省了在中介層100和中介層200中形成中介層通孔的成本。
器件管芯46可能需要DC連接，以接收DC電源，例如，電源電壓VCC，并且還可能需要VSS連接(可以接地)。DC電源可以通過一個或者多個接合線48提供到器件管芯46和 /或從器件管芯46提供，其中，接合線48的一端可以連接到中介層200，一端可以連接到封裝基板沈。在實施例中，在封裝結(jié)構(gòu)中沒有接合線用于傳輸AC信號。在另外的實施例中， 接合線48可以用于傳輸一些低頻率AC信號，例如，頻率低于大約IMHz的AC信號。然而， 在封裝結(jié)構(gòu)中，在封裝結(jié)構(gòu)中沒有接合線用于傳輸RF信號，例如，頻率高于大約IMHz的RF 信號。
在實施例中，器件管芯46中的RF信號可以通過金屬線和通孔214傳輸?shù)街薪閷?200中的無源器件216、無源器件218、和無源器件220，然后，器件管芯46中的RF信號可以無線地連接到中介層100中的無源器件116、無源器件118、和無源器件120。然后，將RF 信號通過封裝通孔28和焊料凸塊22，從中介層100中的無源器件116、無源器件118、和無源器件120傳輸?shù)絇CB 20。類似地，RF信號可以在相反方向上傳輸，S卩，通過焊料凸塊22 和封裝通孔觀，從PCB 20傳輸?shù)街薪閷?00中的無源器件116、無源器件118、和無源器件120，然后，無線地傳輸?shù)街薪閷?00中的無源器件216、無源器件218、和無源器件220。然后，器件管芯46從無源器件216、無源器件218、和無源器件220接收RF信號。因此，器件管芯46以信號方式連接到封裝基板沈和PCB 20?？梢钥闯?，在這些RF信號路徑中，沒有用到接合線。因此，消除了由接合線所導(dǎo)致的RF損耗。
圖2示出了根據(jù)可選實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖。這些實施例基本上與圖1所示的實施例相同，除了附加的RF器件66 (可以以器件管芯或者分立器件的形式出現(xiàn))處于中介層200上方，并且接合到中介層200。RF器件66可以是低噪聲放大器(LNA)、混頻器、 振蕩器、功率放大器等等。類似地，為了提供DC電源以及電接地，可以設(shè)置接合線48，并且沒有RF信號通過任意接合線傳輸。在中介層100和中介層200中可以沒有中介層通孔。
圖3示出了根據(jù)可選實施例的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖。該實施例基本上與圖1和圖 2中所示實施例相同，除了中介層300代替了圖1和圖2中的中介層100和中介層200。中介層300包括基板310、介電層112和介電層212，該介電層112和介電層212位于基板310 的相對側(cè)上。基板310可以形成為一種材料形成的單個層，在其中沒有插入由不同于該種材料的材料形成的其他層?；?10還可以由諸如硅的半導(dǎo)體材料，或者諸如玻璃、陶瓷、 有機(jī)材料等等的介電材料形成。而且，在實施例中，在基板310中沒有設(shè)置金屬，并且在基板310中沒有形成中介層通孔。無源器件116、216、118、218、120、和220可以基本上與圖1 和圖2中所示的實施例中的相同，形成在基板310的相對側(cè)上以及介電層112和介電層212 中。類似地，為了提供DC電源以及接地，可以設(shè)置接合線48，并且沒有RF信號通過電連接到中介層300、器件管芯46、和封裝基板沈中任意一個的接合線傳輸。在中介層300中可以沒有中介層通孔。
根據(jù)實施例，封裝結(jié)構(gòu)包括中介層和堆疊管芯，從而可以稱為2. 5維(2. 5D)封裝結(jié)構(gòu)。這些實施例相比于傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)具有減小的RF損耗。由于不使用接合線進(jìn)行RF通信，因此，基本上消除了由接合線產(chǎn)生的RF損耗。還消除了由接合線的形成導(dǎo)致的產(chǎn)量損失和ESD損壞。而且，由于在中介層中沒有TSV，因此，降低了形成封裝結(jié)構(gòu)的成本。
根據(jù)實施例的一種器件包括中介層和射頻(RF)器件，射頻(RF)器件接合到中介層的第一側(cè)。中介層包括第一側(cè)和第二側(cè)，第二側(cè)相對于第一側(cè)。中介層中沒有形成中介層通孔。第一無源器件形成在中介層的第一側(cè)上，并且電連接到RF器件。第二無源器件形成在中介層的第二側(cè)上。第一無源器件和第二無源器件配置為在第一無源器件和第二無源器件之間無線傳輸信號。
根據(jù)其他實施例的一種器件包括第一中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，第二側(cè)相對于第一側(cè)；第一無源器件，位于第一中介層的第一側(cè)，并且是第一中介層的一部分；第二中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，第二側(cè)相對于第一側(cè)。第一中介層的第二側(cè)面向并且接合到第二中介層的第二側(cè)。在第一中介層和第二中介層中沒有設(shè)置金屬部件。第二無源器件位于第二中介層的第一側(cè)并且是第二中介層的一部分。RF器件接合到第一中介層的第一側(cè)。封裝基板通過倒裝接合法接合到第二中介層的第一側(cè)。RF器件以信號的方式連接到封裝基板。
根據(jù)其他實施例的一種中介層包括基板；第一無源器件，位于基板的第一側(cè)上； 以及第二無源器件，位于基板的第二側(cè)上，第二側(cè)相對于第一側(cè)。在基板中沒有形成金屬部件，并且沒有金屬部件將第一無源器件連接到第二無源器件。RF器件接合到中介層的第一側(cè)。封裝基板接合到中介層的第二側(cè)。接合線接合到封裝基板并且電連接到RF器件管芯， 其中，RF器件管芯配置為通過接合線連接到DC電源，并且，沒有接合線接合到封裝基板，或者中介層被配置為傳輸射頻信號。PCB通過焊球接合到封裝基板。
盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種器件，包括 中介層，所述中介層包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中，所述中介層中不包括中介層通孔；第一無源器件，位于所述中介層的所述第一側(cè)上；以及第二無源器件，位于所述中介層的所述第二側(cè)上，其中，所述第一無源器件和所述第二無源器件配置為在所述第一無源器件和所述第二無源器件之間無線傳輸信號；以及射頻(RF)器件，接合到所述中介層的所述第一側(cè)，并且電連接到所述第一無源器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述中介層進(jìn)一步包括第一基板、第二基板、以及粘合劑層，所述粘合劑層將所述第一基板接合到所述第二基板，其中，所述第一無源器件和所述粘合劑層位于所述第一基板的相對側(cè)，所述第二無源器件和所述粘合劑層位于所述第二基板的相對側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一無源器件和所述第二無源器件包括無線信號傳輸器件，所述無線信號傳輸器件選自基本上由電容器和變壓器構(gòu)成的組，所述電容器包括第一電容器極板和第二電容器極板，所述第一電容器極板是所述第一無源器件的一部分，所述第二電容器極板是所述第二無源器件的一部分，并且所述變壓器包括第一電感器和第二電感器，所述第一電感器是所述第一無源器件的一部分，所述第二電感器是所述第二無源器件的一部分，其中，所述無線信號傳輸器件包括電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述RF器件選自基本上由低噪聲放大器(LNA)、 混頻器、振蕩器、功率放大器、以及上述的組合所構(gòu)成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括 封裝基板，接合到所述中介層的所述第二側(cè)；印刷電路板(PCB)，接合到所述封裝基板，其中，所述中介層和所述PCB位于所述封裝基板的相對側(cè)上；以及接合線，接合到所述中介層的所述第一側(cè)以及所述封裝基板。
6.一種器件，包括第一中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)；第一無源器件，位于所述第一中介層的所述第一側(cè)，并且是所述第一中介側(cè)的一部分；第二中介層，包括第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中，所述第一中介層的第二側(cè)面向并且接合到所述第二中介層的第二側(cè)，其中，在所述第一中介層和所述第二中介層中沒有設(shè)置金屬部件；第二無源器件，位于所述第二中介層的所述第一側(cè)上，并且是所述第二中介層的一部分；射頻(RF)器件，接合到所述第一中介層的所述第一側(cè)；以及封裝基板，通過倒裝接合法接合到所述第二中介層的所述第一側(cè)，其中，所述RF器件以信號的方式連接到所述封裝基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述第一中介層包括第一基板，所述第二中介層包括第二基板，并且，所述器件進(jìn)一步包括粘合劑層，位于所述第一基板和所述第二基板之間，并且粘合到所述第一基板和所述第二基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，進(jìn)一步包括RF信號傳輸器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一無源器件的一部分，所述第二部分是所述第二無源器件的一部分，其中，所述RF信號傳輸器件配置為在所述第一部分和所述第二部分之間傳輸RF信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，進(jìn)一步包括接合線，將所述第一中介層的第一側(cè)接合到所述封裝基板，其中，沒有接合線接合到所述封裝基板，并且沒有接合線被配置為在所述封裝基板和所述第一中介層的所述第一側(cè)之間傳輸RF信號。
10.一種器件，包括中介層，所述中介層包括基板；第一無源器件，位于所述基板的所述第一側(cè)上；以及第二無源器件，位于所述基板的所述第二側(cè)上，所述第二側(cè)相對于所述第一側(cè)，其中， 在所述基板中沒有形成金屬部件，并且沒有金屬部件將所述第一無源器件連接到所述第二無源器件；射頻(RF)器件管芯，接合到所述中介層的所述第一側(cè)；封裝基板，接合到所述中介層的所述第二側(cè)；接合線，接合到所述封裝基板，并且電連接到所述RF器件管芯，其中，所述RF器件管芯配置為通過所述接合線連接到DC電源，并且沒有接合線接合到所述封裝基板或者所述中介層，或者沒有接合線被配置為傳輸射頻信號；印刷電路板(PCB)，通過焊球接合到所述封裝基板；以及RF信號傳輸器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一無源器件的一部分，所述第二部分是所述第二無源器件的一部分，其中，所述RF信號傳輸器件配置為在所述第一部分和所述第二部分之間傳輸RF信號，其中，所述射頻信號傳輸器件是電容器，并且，所述第一部分是所述電容器的第一電容器極板，所述第二部分是所述電容器的第二電容器極板。
全文摘要
一種器件，包括中介層和射頻(RF)器件，射頻(RF)器件接合到中介層的第一側(cè)。中介層包括第一側(cè)和第二側(cè)，第二側(cè)相對于第一側(cè)。中介層中沒有形成中介層通孔。第一無源器件形成在中介層的第一側(cè)上，并且電連接到RF器件。第二無源器件形成在中介層的第二側(cè)上。第一無源器件和第二無源器件配置為在第一無源器件和第二無源器件之間無線傳輸信號。本發(fā)明還提供了一種具有減小的RF損耗的射頻封裝。
文檔編號H01L23/66GK102543965SQ201110218310
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
發(fā)明者葉子禎, 金俊德, 陳美秀 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司