專利名稱：照射式圖像傳感器的濾光片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種照射式圖像傳感器的濾光片及其制造方法，尤其涉及一種照射式圖像傳感器的濾光片的遮光部分及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖1為公知照射式圖像傳感器的濾光片102的俯視圖。公知濾光片102包括一感測部分106和一遮光部分104。上述感測部分106由多個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案102R、 多個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案102G和多個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案102B構(gòu)成。公知濾光片102的遮光部分104通常由一鉻層或一黑樹脂層102M構(gòu)成。然而，在公知濾光片的工藝中，因?yàn)楦袦y部分106和遮光部分104的材質(zhì)不同，所以會(huì)于兩者之間產(chǎn)生一熱應(yīng)力問題。 前述的熱應(yīng)力會(huì)降低照射式圖像傳感器的性能。在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種照射式圖像傳感器的濾光片及其制造方法，以改善上述缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種照射式圖像傳感器的濾光片，包括一遮光部分，由格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，其中上述遮光部分覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法，包括形成格狀光致抗蝕劑圖案，覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。本發(fā)明的濾光片可具有一遮光部分，其由多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成。并且，格狀光致抗蝕劑圖案可由其間具有空隙的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，以進(jìn)一步改善照射式圖像傳感器的性能。


圖1為公知照射式圖像傳感器的濾光片的俯視圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片的俯視圖；圖3a至圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法的工藝剖面圖；圖如為本發(fā)明另一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片的俯視圖；圖4b至圖如為圖如圖的放大圖，其顯示本發(fā)明不同實(shí)施例的格狀光致抗蝕劑圖案；圖如至圖5d為公知照射式圖像傳感器的濾光片以及本發(fā)明不同實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片做成的測試樣品；圖6a至圖6c為圖fe至圖5d的公知照射式圖像傳感器的濾光片以及本發(fā)明不同實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片做成的測試樣品的暗電流測試結(jié)果。
其中，附圖標(biāo)記說明如下102、202、502a、502b、502c、502d 濾光片；102M 鉻層/黑樹脂層；104、204、504a、504b、504c、504d 遮光部分；106、206 感測部分；200 照射式圖像傳感器芯片；202a、202b、502 格狀光致抗蝕劑圖案；202R,202R1,202R3 紅色格狀光致抗蝕劑圖案；2026,2026^20263 綠色格狀光致抗蝕劑圖案；2026,2026^20262 藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案；210 硅晶片；212 光二極管；214 金屬層；216 層間介電層；217 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；218 金屬線；220 背面；222 正面；224 微透鏡；250、508a、508b、508c、508d 區(qū)域；300 載板；304 周圍區(qū)域；306 感測區(qū)域；500 照射式圖像傳感器；602aa>602ba>602ca>602da>602ab>602bb>602cb>602db>602ac>602bc>602cc> 602dc 數(shù)據(jù)點(diǎn)d 間隙；L 尺寸。
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，作為本發(fā)明的參考依據(jù)。在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的符號(hào)。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明的， 值得注意的是，圖中未示出或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式，另夕卜，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片202的俯視圖。如圖2所示，本發(fā)明一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片202可包括一遮光部分204和一感測部分206。濾光片202的遮光部分204覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。另外， 濾光片202的感測部分206覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一感測區(qū)域。在本發(fā)明一實(shí)施例中，周圍區(qū)域?yàn)樘峁├邕壿嬰娐?logic circuit)的周圍電路設(shè)置于其中的區(qū)域，而感測區(qū)域?yàn)樘峁┕舛O管(photo diode)設(shè)置于其中以感光的區(qū)域。如圖2所示，濾光片 202的感測部分206通常由多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案20 構(gòu)成，包括依據(jù)客戶設(shè)計(jì)而定且排列成一陣列的多個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、多個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026 和多個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi，上述格狀光致抗蝕劑圖案20 幫助下方的光二極管接受過濾之后的光。如圖2所示，在本發(fā)明一實(shí)施例中，濾光片202的遮光部分204可由類似于格狀光致抗蝕劑圖案20 的多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案202b構(gòu)成。在此并未限制格狀光致抗蝕劑圖案202b的數(shù)量且依據(jù)客戶設(shè)計(jì)而定。在本發(fā)明一實(shí)施例中，格狀光致抗蝕劑圖案202b的數(shù)量可大于1。舉例來說，格狀光致抗蝕劑圖案202b可包括排列成一陣列的多個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、多個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 和多個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2。在本發(fā)明一實(shí)施例中，格狀光致抗蝕劑圖案202b的材質(zhì)可與濾光片202的感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案20 的材質(zhì)相同。此外，照射式圖像傳感器芯片的周圍區(qū)域中的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 和藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2的尺寸可大于、等于或小于照射式圖像傳感器芯片的感測區(qū)域紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026和藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi的尺寸。舉例來說，紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、綠色格狀光致抗蝕劑圖案 202 和藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202 的尺寸可大于0.4μπι。因此，在濾光片的工藝中， 可降低因?yàn)楦袦y部分和遮光部分之間材料不匹配所造成濾光片的熱應(yīng)力問題。圖3a至圖!Be為本發(fā)明一實(shí)施例的照射式圖像傳感器500的濾光片202的制造方法的工藝剖面圖。在本發(fā)明一實(shí)施例中，照射式圖像傳感器500可為一背面照射式圖像傳感器(back side illumination (BSI) image sensor)，然而也可為一前面照射式圖像傳感器(front side illumination (FSI) image sensor)。請(qǐng)參考圖 3a，提供一照射式圖像傳感器芯片200。照射式圖像傳感器芯片200包括一硅晶片210，其具有一正面222和一背面 220。在本發(fā)明一實(shí)施例中，照射式圖像傳感器芯片200可包括相鄰的一感測區(qū)域306和一周圍區(qū)域304。如上所述，周圍區(qū)域304為提供例如邏輯電路(logic circuit)的周圍電路設(shè)置于其中的區(qū)域，而感測區(qū)域306為提供光二極管(photo diode)設(shè)置于其中以感光的區(qū)域。于硅晶片210的正面222的感測區(qū)域306中形成多個(gè)光二極管212，且于硅晶片210 的周圍區(qū)域304和感測區(qū)域306兩者中形成一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)217，其中內(nèi)連線結(jié)構(gòu)217包括至少一個(gè)層間介電層216和至少一個(gè)金屬線218。在本發(fā)明一實(shí)施例中，照射式圖像傳感器芯片200的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)217可接合至一載板300上以進(jìn)行一晶片薄化工藝。上述晶片薄化工藝可從硅晶片210的背面220移除一部分硅晶片210。因此，光二極管212可從硅晶片210 的背面220暴露出來。如圖3a所示，于硅晶片210的背面220的周圍區(qū)域304中形成一金屬層214，其中金屬層214具有遮光功能，且金屬層214可與內(nèi)連線結(jié)構(gòu)217隔開。接著，請(qǐng)參考圖北，可進(jìn)行一第一光刻工藝，以于感測區(qū)域306中形成至少一個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案202R1;并覆蓋硅晶片210。同時(shí)，第一光刻工藝可于周圍區(qū)域304中形成至少一個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 ，并覆蓋硅晶片210上的金屬層214。在本發(fā)明一實(shí)施例中，可于同一步驟或于不同步驟形成紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 和202&。 紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮和202 可具有相同或不同的形狀和尺寸。如圖北所示， 每一個(gè)紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 覆蓋一個(gè)光二極管212。
接著，請(qǐng)參考圖3c，可進(jìn)行一第二光刻工藝，以于感測區(qū)域306中形成至少一個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B1;并覆蓋硅晶片210。同時(shí)，第二光刻工藝可于周圍區(qū)域304 中形成至少一個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2，并覆蓋硅晶片210上的金屬層214。類似于如圖北所示的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮和202 ，藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi 和202B2可具有相同或不同的形狀和尺寸。如圖3c所示，每一個(gè)藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案 202B,覆蓋一個(gè)光二極管212。接著，請(qǐng)參考圖3d，可進(jìn)行一第三光刻工藝，以于感測區(qū)域306中形成至少一個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案202G1;并覆蓋硅晶片210。同時(shí)，第三光刻工藝可于周圍區(qū)域304中形成至少一個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 ，并覆蓋硅晶片210上的金屬層214。類似于如圖北和圖3c所示的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮和202 和藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B1和202B2，綠色格狀光致抗蝕劑圖案202&和202 可具有相同或不同的形狀和尺寸。如圖3d所示，每一個(gè)綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026覆蓋一個(gè)光二極管212。另外，在圖3d所示的一實(shí)施例中，紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮和202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi和202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026和202 形成于同一層別中。此外，在圖3d所示的一實(shí)施例中，紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi 和綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026共同構(gòu)成濾光片202的感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案20加。并且，紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 共同構(gòu)成濾光片202的遮光部分204的格狀光致抗蝕劑圖案 202b。在本發(fā)明一實(shí)施例中，濾光片202的遮光部分204中的格狀光致抗蝕劑圖案的材質(zhì)與覆蓋照射式圖像傳感器芯片的感測區(qū)域的濾光片的感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案的材質(zhì)相同。此外，濾光片202的遮光區(qū)域中，紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 的任兩個(gè)相鄰的格狀光致抗蝕劑圖案可彼此相連。接著，請(qǐng)參考圖3e，濾光片的感測部分的于格狀光致抗蝕劑圖案20 上形成多個(gè)微透鏡224。微透鏡2M分別設(shè)置于紅色格狀光致抗蝕劑圖案202禮、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202Bi和綠色格狀光致抗蝕劑圖案2026上。濾光片202的遮光部分的格狀光致抗蝕劑圖案202b并沒有設(shè)置微透鏡224。經(jīng)過上述工藝，形成本發(fā)明實(shí)施例的照射式圖像傳感器 500。圖如為本發(fā)明另一實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片的俯視圖。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，位于濾光片202的遮光部分中的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 的任兩個(gè)相鄰的格狀光致抗蝕劑圖案可通過一間隙d彼此隔開。圖4b至圖如為圖如的區(qū)域250的放大圖，其顯示本發(fā)明不同實(shí)施例的格狀光致抗蝕劑圖案。在本發(fā)明一實(shí)施例中，位于濾光片202的遮光部分204中的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 可具有不同的形狀，例如圓形(參見圖4b)或多邊形(參見圖如)。如圖4b至圖4c所示，位于濾光片202的遮光部分204中的紅色格狀光致抗蝕劑圖案202 、藍(lán)色格狀光致抗蝕劑圖案202B2和綠色格狀光致抗蝕劑圖案202 的尺寸L可大于0. 4 μ m。本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可注意本發(fā)明實(shí)施例的濾光片202的遮光部分204(覆蓋照射式圖像傳感器的周圍區(qū)域)和感測部分206(覆蓋照射式圖像傳感器的光二極管)可使用相同的材質(zhì)。并且，濾光片202的遮光部分可利用視為一應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的一格狀光致抗蝕劑圖案來構(gòu)成。因此，可降低在濾光片的工藝中，因?yàn)楦袦y部分和遮光部分之間材料不匹配所造成濾光片的熱應(yīng)力問題。另外，可使用一些測試項(xiàng)目，例如暗電流(dark current), 暗電流環(huán)(dark current ring)或藍(lán)通道尾段上升(blue channel tail up)，來分析具有本發(fā)明實(shí)施例的濾光片的照射式圖像傳感器的性能。圖fe至圖5d為公知照射式圖像傳感器的濾光片以及本發(fā)明不同實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片做成的測試樣品。特別是，圖fe顯示公知濾光片50 ，其具有由紅色 /藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案102R/B/G構(gòu)成的感測部分106和由一鉻層102M或一黑樹脂層102M構(gòu)成的遮光部分5(Ma。如圖恥至圖5d所示的濾光片502b、502c、502d的感測部分206與圖如所示的感測部分106相同，其中感測部分206由格狀光致抗蝕劑圖案20 構(gòu)成，而格狀光致抗蝕劑圖案20 具有排列成一陣列的多個(gè)紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案202R1/B1/G1。圖恥顯示本發(fā)明一實(shí)施例的濾光片502b，其中濾光片502b的遮光部分504b由格狀光致抗蝕劑圖案502構(gòu)成，其類似于感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案，不一樣的是，由紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案502R2/B2/G2構(gòu)成遮光部分504b 中的格狀光致抗蝕劑圖案502的尺寸為感測部分206中的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案202R1/B1/G1的兩倍大。圖5c顯示本發(fā)明一實(shí)施例的濾光片502c，其中濾光片502c 的遮光部分5(Mc由格狀光致抗蝕劑圖案504構(gòu)成，其類似于感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案，不一樣的是，遮光部分5(Mc中格狀光致抗蝕劑圖案504的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案504R2/B2/G2的尺寸小于感測部分206中的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案202R1/B1/G1的百分之二十。圖5d顯示本發(fā)明一實(shí)施例的濾光片502d，其中濾光片502d的遮光部分504d由格狀光致抗蝕劑圖案202b構(gòu)成，其類似于感測部分206的格狀光致抗蝕劑圖案，不一樣的是，由紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案202R2/B2/G2構(gòu)成遮光部分504d中的格狀光致抗蝕劑圖案202b的尺寸與感測部分206中的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案202R1/B1/G1相同。如圖fe所示的公知濾光片50 和如圖恥至圖5d所示的濾光片502b、502c、502d可分別設(shè)置于照射式圖像傳感器的背面，因此，可將背面照射式圖像傳感器視為測試樣品以進(jìn)一步分析照射式圖像傳感器的性能。圖6a至圖6c為圖fe至圖5d的公知照射式圖像傳感器的濾光片50 以及本發(fā)明不同實(shí)施例的照射式圖像傳感器的濾光片502b-502d做成的測試樣品的暗電流測試結(jié)果。暗電流(dark current)定義為即使沒有光子進(jìn)入例如光電倍增管(Photomultiplier Tube, PMT)、光二極管、或電荷耦合元件的感光元件時(shí)，流過感光元件的小電流。如圖6a所示的數(shù)據(jù)點(diǎn)6(^aa、602ba、602ca和602da分別顯示濾光片502b_502d的感測部分106/206 中的暗電流(以下簡稱為暗電流1)的測試結(jié)果。如圖6a所示，相較于公知濾光片50 (數(shù)據(jù)點(diǎn)602aa)，濾光片502b_502d(數(shù)據(jù)點(diǎn)602ba,602ca和602da)具有較佳的暗電流1測試結(jié)果。在濾光片502b-502d(數(shù)據(jù)點(diǎn)602ba、602ca和602da)之中，濾光片502c (數(shù)據(jù)點(diǎn) 602ca)的暗電流1最小。如圖乩所示的數(shù)據(jù)點(diǎn)602ab、602l3b、602cb和602db分別顯示濾光片50沘-502(1 在感測部分106/206與遮光部分504d之間的暗電流(以下簡稱為暗電流2)的測試結(jié)果。 如圖6b所示，相較于公知濾光片502a (數(shù)據(jù)點(diǎn)602ab)，濾光片502b_502d (數(shù)據(jù)點(diǎn)602bb、 602cb和602db)具有較佳的暗電流2測試結(jié)果。在濾光片502b-502d (數(shù)據(jù)點(diǎn)602bb、602cb和602db)之中，濾光片502c (數(shù)據(jù)點(diǎn)602cb)的暗電流2最小。如圖6c所示的數(shù)據(jù)點(diǎn)602ac、602bc、602cc和602dc分別顯示濾光片50沘-502(1 在遮光部分(在區(qū)域508a/508b/508c/508d中)中的暗電流(以下簡稱為暗電流3)的測試結(jié)果。如圖6c所示，相較于公知濾光片502a(數(shù)據(jù)點(diǎn)602ac)，濾光片502b_502d(數(shù)據(jù)點(diǎn)602bc、602cc和602dc)具有較佳的暗電流3測試結(jié)果。在濾光片502b_502d(數(shù)據(jù)點(diǎn) 602bc、602cc和602dc)之中，濾光片502c (數(shù)據(jù)點(diǎn)602cc)的暗電流3最小。表1為公知濾光片50 和濾光片502b_502d的暗電流的測試結(jié)果比較表。
暗電流1暗電流2暗電流3
TO 24hrs TO 24hrs TO 24hrs 公知濾光片 502a 14.11 30.12 14.59 40.46 14.65 129.78 濾光片 502b 14.06 23.09 14.53 28.60 14.15 83.70 濾光片 502c 13.91 18.73 14.40 23.22 14.20 57.13 濾光片 502d 13.92 22.2 14.48 33.45 14.45 101.63表1顯示在不同晶片級(jí)溫濕度貯存應(yīng)力條件(wafer level temperature humidity storage stress (THS))之下，公知濾光片50 和濾光片502b_502d的暗電流的測試結(jié)果比較表。條件TO為樣品在進(jìn)行晶片級(jí)THS暗電流測試之前測得的暗電流。條件24hrs為樣品在進(jìn)行M小時(shí)晶片級(jí)THS暗電流測試之后測得的暗電流。觀察到在條件 24hrs下的暗電流值(暗電流1 暗電流3)均大于在條件TO下的暗電流值。另外，相較于暗電流1和暗電流2，暗電流3顯示較大的變異量。并且，具有濾光片502c的照射式圖像傳感器顯示較佳的暗電流的測試結(jié)果。本發(fā)明實(shí)施例提供一種照射式圖像傳感器的濾光片及其制造方法。上述濾光片可具有一遮光部分，其由多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成。并且，格狀光致抗蝕劑圖案可由其間具有空隙的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，以進(jìn)一步改善照射式圖像傳感器的性能，例如暗電流。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種照射式圖像傳感器的濾光片，包括一遮光部分，由格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，其中該遮光部分覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中該照射式圖像傳感器芯片包括一金屬層，介于該遮光部分和位于該照射式圖像傳感器芯片的該周圍區(qū)域之間。
3.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案排列成一陣列，且其中所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的形狀包括圓形或多邊形。
4.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中兩個(gè)相鄰的所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案通過一間隙彼此隔開或彼此相連。
5.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的尺寸大于0.4 μ m。
6.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的任何一個(gè)的顏色為紅色、綠色或藍(lán)色。
7.如權(quán)利要求1所述的照射式圖像傳感器的濾光片，其中所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的材質(zhì)與該濾光片的一感測部分的格狀光致抗蝕劑圖案的材質(zhì)相同，且該感測部分覆蓋該照射式圖像傳感器芯片的一感測區(qū)域。
8.一種照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法，包括下列步驟形成格狀光致抗蝕劑圖案，覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法，其中該照射式圖像傳感器芯片包括形成于其上的一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，。
10.如權(quán)利要求8所述的照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法，其中形成所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案包括形成所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的至少一個(gè)，其具有一第一顏色，該第一顏色選擇自由紅色、綠色和藍(lán)色組成的族群；形成所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的至少一個(gè)，其具有一第二顏色，該第二顏色選擇自由紅色、綠色和藍(lán)色組成的族群，其中該第二顏色與該第一顏色不同。
11.如權(quán)利要求10所述的照射式圖像傳感器的濾光片的制造方法，更包括形成所述多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案的至少一個(gè)，其具有一第三顏色，該第三顏色選擇自由紅色、綠色和藍(lán)色組成的族群，其中該第三顏色與該第一顏色和該第二顏色不同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種照射式圖像傳感器的濾光片及其制造方法，上述照射式圖像傳感器的濾光片包括一遮光部分，由格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，其中上述遮光部分覆蓋一照射式圖像傳感器芯片的一周圍區(qū)域。本發(fā)明的濾光片可具有一遮光部分，其由多個(gè)格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成。并且，格狀光致抗蝕劑圖案可由其間具有空隙的紅色/藍(lán)色/綠色格狀光致抗蝕劑圖案構(gòu)成，以進(jìn)一步改善照射式圖像傳感器的性能。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102468311SQ201110227399
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
發(fā)明者張志光, 陸震偉, 陳浩民 申請(qǐng)人:采鈺科技股份有限公司