專利名稱：發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種用于將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體器件。與諸如熒光燈和白熾燈泡等的現(xiàn)有技術(shù)光源相比，LED具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如低功耗、半永久使用壽命、響應(yīng)時(shí)間快、安全且環(huán)保。正在進(jìn)行許多研究以利用LED替代現(xiàn)有光源。而且，隨著該趨勢，正越來越多地使用LED作為在室內(nèi)和室外場所使用的各種燈及照明裝置(例如液晶顯示器、記分板和街燈)的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例涉及一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。實(shí)施例提供了如下一種發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)，該發(fā)光器件包括絕緣膜，該絕緣膜用于支撐多個(gè)金屬層，每個(gè)金屬層均具有彎曲的外側(cè)部分；以及發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片電連接到所述多個(gè)金屬層。實(shí)施例提供了如下一種發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)，在該發(fā)光器件中，引導(dǎo)構(gòu)件布置在發(fā)光芯片周圍，并且，樹脂層布置在所述弓丨導(dǎo)構(gòu)件中。在一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括多個(gè)金屬層，所述多個(gè)金屬層包括彼此間隔開的第一金屬層和第二金屬層；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜布置在所述多個(gè)金屬層的頂表面上，所述第一絕緣膜的寬度比所述多個(gè)金屬層之間的間距寬；發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片布置在所述多個(gè)金屬層中的第一金屬層上；以及樹脂層，所述樹脂層布置在第一金屬層、第一絕緣膜和發(fā)光芯片上，其中，所述第一金屬層包括第一基部，該第一基部布置在發(fā)光芯片上；以及第一側(cè)部，該第一側(cè)部在第一基部的外側(cè)部上從所述第一基部彎曲。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括多個(gè)金屬層，所述多個(gè)金屬層包括彼此間隔開的第一金屬層和第二金屬層；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜布置在所述多個(gè)金屬層上， 所述第一絕緣膜的寬度比所述多個(gè)金屬層之間的間距寬；第二絕緣膜，所述第二絕緣膜圍繞所述多個(gè)金屬層的頂表面布置，所述第二絕緣膜連接到所述第一絕緣膜；發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片布置在所述多個(gè)金屬層中的至少一個(gè)上，所述發(fā)光芯片電連接到第一金屬層和第二金屬層；以及樹脂層，該樹脂層布置在所述多個(gè)金屬層中的至少一個(gè)金屬層和所述發(fā)光芯片上，其中，所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)內(nèi)側(cè)部均具有空腔，該空腔的深度比所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)外側(cè)部的深度淺。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括多個(gè)金屬層，所述多個(gè)金屬層包括彼此間隔開的第一金屬層和第二金屬層；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜布置在所述多個(gè)金屬層上， 所述第一絕緣膜的寬度比所述多個(gè)金屬層之間的間距寬；第二絕緣膜，所述第二絕緣膜圍繞所述多個(gè)金屬層的頂表面并連接到第一絕緣膜，所述第二絕緣膜具有敞口區(qū)域，在該敞口區(qū)域中，所述多個(gè)金屬層的一部分被露出；引導(dǎo)構(gòu)件，所述引導(dǎo)構(gòu)件布置在第二絕緣膜上；發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片布置在所述多個(gè)金屬層中的至少一個(gè)上，所述發(fā)光芯片電連接到第一金屬層和第二金屬層；以及樹脂層，所述樹脂層布置在所述引導(dǎo)構(gòu)件內(nèi)，其中，所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)內(nèi)側(cè)部均具有空腔，該空腔的深度比所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)外側(cè)部的深度淺。在附圖和以下描述中論述了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。從該描述、附圖以及權(quán)利要求中，其它特征將是顯而易見的。


圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側(cè)剖視圖。圖3至圖7是圖示了用于制造圖1的發(fā)光器件的過程的視圖。圖8和圖9是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖和側(cè)視截面圖。圖10是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖11是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖12是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。圖13是圖12的發(fā)光器件中的金屬層的透視圖。圖14是根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。圖15是沿著圖14的線B-B截取的側(cè)剖視圖。圖16是根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖17是根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖18是根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖19是根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。圖20是圖19的發(fā)光器件的平面圖。圖21是根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖22和圖23是圖示了根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光芯片的示例的視圖。圖M是圖示了根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的一個(gè)示例的透視圖。圖25是圖示了根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的另一個(gè)示例的透視圖。圖沈是根據(jù)實(shí)施例的燈單元的透視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案“上”或“下”時(shí)，該用語“上”和“下”包括“直接”和“間接”兩種含義。此外，關(guān)于每一層“上”和“下”的參考將基于附圖進(jìn)行。在各個(gè)圖中，為了便于說明和清楚起見，每一個(gè)層的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性地圖示。在各個(gè)圖中，為了便于說明和清楚起見，每一個(gè)層的厚度或尺寸可以被夸大、省略或概略地示意。在下文中，將參考附圖來描述實(shí)施例。圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側(cè)剖視圖。
參見圖1和圖2，發(fā)光器件100包括多個(gè)金屬層111和113，所述多個(gè)金屬層111 和113限定了空腔Al ；絕緣膜121，該絕緣膜121布置在所述多個(gè)金屬層111和113之間的界面上；發(fā)光芯片145，該發(fā)光芯片145布置在所述多個(gè)金屬層111和113中的一個(gè)金屬層 111上；以及樹脂層161，該樹脂層161對發(fā)光芯片145進(jìn)行成型固定。所述多個(gè)金屬層111和113可以包括至少兩個(gè)金屬層。該至少兩個(gè)金屬層111和 113彼此可以物理地隔開?？梢允褂弥T如引線框架的金屬板來實(shí)現(xiàn)金屬層111和113。所述多個(gè)金屬層111和113可以由Fe、Cu、諸如 ^-Ni等的含有!^e的合金、Al、含有Al的合金、或者諸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。而且，每個(gè)金屬層111 和113均可以設(shè)置為單層或多層。而且，在金屬層111和113的頂表面和/或下表面上可以布置有由Al、Ag或Au形成的反射層或結(jié)合層。當(dāng)使用引線框架來形成金屬層111和113時(shí)，則其機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)熱性可以很優(yōu)異。 另外，其熱膨脹系數(shù)可以較大，可以提高機(jī)械加工性能，在重復(fù)進(jìn)行彎曲操作時(shí)僅存在很小的損失，并且，可以容易地執(zhí)行鍍覆或焊接處理。在第一金屬層111和第二金屬層113的表面上可以布置有防氧化涂層，但其不限于此。每個(gè)金屬層111和113均可以具有大約15 μ m至大約300 μ m的厚度，并且該厚度優(yōu)選是大約15μπι至大約50μπι。而且，金屬層111和113可以用作支撐框架，該支撐框架用于支撐整個(gè)發(fā)光器件；以及散熱構(gòu)件，該散熱構(gòu)件用于傳遞由發(fā)光芯片41產(chǎn)生的熱量。多個(gè)金屬層111和113具有彼此相同的厚度。因?yàn)榻饘賹?11和113未設(shè)置成分離體，例如其不具有使用由聚鄰苯二甲酰胺 (PPA)形成的樹脂基本體來固定金屬層111和113的結(jié)構(gòu)，所以金屬層111和113的一部分可以具有彎曲形狀或以預(yù)定角度彎曲?？梢栽诙鄠€(gè)金屬層111和113的每一個(gè)中限定有空腔Al?？涨籄l可以相對于金屬層111和113的外側(cè)頂表面具有例如大約350 μ m或更深的預(yù)定深度HI。多個(gè)金屬層111和113包括第一金屬層111和第二金屬層113。通過對金屬層111 和113的母板(original plates)執(zhí)行蝕刻處理或切割處理來劃分第一金屬層111和第二金屬層113。在第一金屬層111和第二金屬層113中的每一個(gè)金屬層的內(nèi)側(cè)限定的空腔Al可以具有敞口的上側(cè)。當(dāng)從上側(cè)看時(shí)，空腔Al可以具有多邊形形狀或圓形形狀。而且，在第一金屬層111和第二金屬層113中的每一個(gè)金屬層的內(nèi)側(cè)限定的空腔Al除了敞口的上側(cè)之外、還可以具有敞口的側(cè)表面，但其不限于此。在第一金屬層111和第二金屬層113之間對應(yīng)的區(qū)域可以彼此通過分離部119物理地隔開。例如，分離部119可以具有在與ζ軸方向相同的方向上的線性形狀或多邊形形狀。分離部119可以在第一金屬層111和第二金屬層113之間具有恒定寬度或者根據(jù)區(qū)域而具有彼此不同的寬度。而且，分離部119可以具有線性形狀或彎曲形狀，但其不限于此。第一金屬層111和第二金屬層113可以彼此間隔開大約10 μ m的距離。由于該距離，可以防止兩個(gè)金屬層111和113彼此電短路。第一金屬層111或第二金屬層113可以具有多邊形外形。替代地，第一金屬層111 或第二金屬層113可以具有球狀外形。第一金屬層111包括基部111A、側(cè)部IllB和外側(cè)部分111C。第二金屬層113包
6括基部113A、側(cè)部11 和外側(cè)部分113C。每個(gè)金屬層111和113的Z軸方向上的長度均可以比X軸方向上的寬度寬。第一金屬層111的基部11IA和第二金屬層113的基部113A可以是結(jié)合到電路板的結(jié)合部?？梢韵蛎恳粋€(gè)基部IllA和113A供應(yīng)電力。發(fā)光芯片145可以安裝在第一金屬層111的基部IllA上。發(fā)光芯片145可以被芯片結(jié)合(die-bonded)到第一金屬層111的基部111A，并且電連接到第一金屬層111的基部111A。而且，發(fā)光芯片145可以通過電線 152連接到第二金屬層113。第一金屬層111的側(cè)部IllB和第二金屬層113的側(cè)部11 可以沿著空腔Al的 Z軸和X軸方向而彼此面對。第一金屬層111的側(cè)部IllB和第二金屬層113的側(cè)部11 可以相對于圍繞發(fā)光芯片145的傾斜表面而彼此對應(yīng)。第一金屬層111的Z軸方向上的兩個(gè)側(cè)部IllB可以彼此面對。而且，第二金屬層 113的Z軸方向上的兩個(gè)側(cè)部11 可以彼此面對。如圖2所示，第一金屬層111的側(cè)部IllB和第二金屬層113的側(cè)部11 能夠相對于基部11IA和113A的延長線以例如大約15°至大約90°的預(yù)定角度θ 1傾斜地延伸。第一金屬層111的外側(cè)部分11IC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C可以從各自的側(cè)部11IB和11 向外水平地延伸。第一金屬層111的外側(cè)部分11IC和第二金屬層113 的外側(cè)部分113C可以布置成與安裝在發(fā)光芯片145上的基部IllA和113A的延長線平行。 因?yàn)榈谝唤饘賹?11的外側(cè)部分IllC及第二金屬層113的外側(cè)部分113C與發(fā)光器件100 的基部IllA和113A間隔開，所以可以限定有預(yù)定的外部空間Si。該外部空間Sl可以有效釋放從側(cè)部IllB和11 傳遞的熱量。第一金屬層111的外側(cè)部分11IC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C可以從基部 11IA和113A呈階狀，以在發(fā)光器件100的外周上提供具有多邊形外周的頂表面。在本實(shí)施例中，除了多邊形形狀以外，空腔Al還可以具有圓形形狀，但其不限于此。第一金屬層111和第二金屬層113的頂表面、下表面和側(cè)表面中的至少一個(gè)可以具有非平坦結(jié)構(gòu)。由于該非平坦結(jié)構(gòu)，可以增大金屬層111和113的表面積，以提高熱效率。絕緣膜121附接到第一金屬層111的頂表面和第二金屬層113的頂表面。絕緣膜 121可以附接到第一金屬層111和第二金屬層113的在此處彼此對應(yīng)的區(qū)域的頂表面上。 例如，絕緣膜121的寬度比彼此相鄰的兩個(gè)金屬層111和113之間的分離部119的寬度寬， 并且絕緣膜121附接到金屬層111和113的頂表面。因此，絕緣膜121可以使金屬層111和 113之間的距離保持為預(yù)定值，以支撐并固定金屬層111和113。絕緣膜121覆蓋在金屬層 111和113之間布置的分離部119。在該情況下，可以在通過分離部119來形成樹脂層161 的處理中防止液體樹脂材料泄漏。絕緣膜121可以延伸到金屬層111和113的側(cè)部11IB和113B以及外側(cè)部分IllC 和 113C。第二絕緣膜121的寬度Wl可以比第一金屬層111和第二金屬層113之間的間距或者比分離部119的寬度寬。例如，絕緣膜121可以具有幾μ m或更大的寬度，并且優(yōu)選具有大約20 μ m或更大的寬度。絕緣膜121可以包括光透射膜或非光透射膜。例如，絕緣膜121可以包括聚酰亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯脂(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纖維素(TAC)膜、聚酰胺-酰亞胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及樹脂膜(PE、PP和PET)。在絕緣膜121與金屬層111、113之間可以布置有粘合層。該粘合層可以將絕緣膜 121附接到金屬層111和113。替代地，絕緣膜121可以包括粘合層，例如雙面膠帶或單面膠帶。絕緣膜121可以由具有預(yù)定的反射指數(shù)的材料形成，例如大約30%或更大的反射指數(shù)。絕緣膜121的反射特性可以提高該發(fā)光器件內(nèi)的表面反射效率。而且，每一個(gè)絕緣膜121均可以具有光學(xué)功能。在此，該光學(xué)功能可以是如下膜的功能即，具有大約50%或更大反射率的光透射膜，優(yōu)選是具有大約70%反射率的膜。絕緣膜121可以包括磷光體。該磷光體可以涂覆在絕緣膜121的每一個(gè)頂表面或下表面上或者添加到絕緣膜121內(nèi)。該磷光體可以包括YAG基磷光體、硅酸鹽基磷光體和氮化物基磷光體中的至少一種。該磷光體可以具有基于可見光的波長，例如紅光、黃光或綠光波長。而且，絕緣膜121可以實(shí)現(xiàn)為磷光體膜。該磷光體膜可以吸收從發(fā)光芯片145發(fā)射的光，以發(fā)出具有另一不同波長的光。而且，絕緣膜121可以包括防潮膜。該防潮膜可以防止?jié)駳鉂B入，以防止第一金屬層111和第二金屬層113被氧化和電短路。絕緣膜121可以使用膜系列(film series)。例如，絕緣膜121的頂表面、下表面和側(cè)表面的一部分可以具有非平坦結(jié)構(gòu)，但其不限于此。絕緣膜121的厚度可以比每個(gè)金屬層111和113的厚度厚。例如，絕緣膜121可以具有大約30 μ m至大約500 μ m的厚度，并且優(yōu)選具有大約40 μ m至大約60 μ m的厚度。發(fā)光芯片145可以布置在第一金屬層111上，并且電連接到第一金屬層111和第二金屬層113。發(fā)光芯片145可以是具有可見光波長帶并且發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的發(fā)光二極管或者具有紫外光(UV)波長帶的發(fā)光二極管，但其不限于此。發(fā)光芯片145可以實(shí)現(xiàn)為橫向型芯片或豎直型芯片，在橫向型芯片中，兩個(gè)電極彼此平行地布置，在豎直型芯片中，兩個(gè)電極布置在彼此相反的兩側(cè)。橫向型芯片可以連接到至少兩根電線，而豎直型芯片可以連接到至少一根電線152。雖然圖1和2中示出了豎直型芯片，但本公開不限于此。發(fā)光芯片145可以使用導(dǎo)電粘合劑來粘附到第一金屬層111。在此，當(dāng)發(fā)光芯片 145的下部布置有電極時(shí)，該導(dǎo)電粘合劑可以粘附并因此電連接到第一金屬層111。發(fā)光芯片145被芯片結(jié)合到第一金屬層111，并且通過電線152連接到第二金屬層113。而且，發(fā)光芯片145能夠以倒裝芯片的方式電連接到第一金屬層111和第二金屬層 113。雖然發(fā)光芯片145布置在第一金屬層111上，發(fā)光芯片145也可以布置在第二金屬層 113上，但其不限于此。在此，發(fā)光芯片145可以具有大約80 μ m或更大的厚度。電線152的最高點(diǎn)可以布置在比發(fā)光芯片145的頂表面高大約100 μ m以上的位置。 在發(fā)光芯片145的頂表面上可以涂覆有磷光體層。該磷光體層可以布置在發(fā)光芯片145的頂表面內(nèi)。 在第一金屬層111和第二金屬層113中的至少一個(gè)金屬層的上方或下方可以布置有保護(hù)裝置。諸如齊納二極管或瞬變電壓抑制器(TVS) 二極管的器件可以用作該保護(hù)裝置。而且，該保護(hù)裝置可以電連接到發(fā)光芯片145，并且在電路方面保護(hù)該發(fā)光芯片145。該保護(hù)裝置可以連接到第一金屬層111和第二金屬層113，并且與發(fā)光芯片145并聯(lián)。因此， 該保護(hù)裝置可以針對施加給發(fā)光芯片145的異常電壓來保護(hù)發(fā)光芯片145。該保護(hù)裝置也可以省略。樹脂層161可以布置在第一金屬層111和第二金屬層113的空腔Al的區(qū)域中，以密封該發(fā)光芯片145。樹脂層161可以由諸如硅或環(huán)氧樹脂等的透明樹脂基材料形成。樹脂層161可以具有大約80 μ m至大約500 μ m的厚度。樹脂層161可以設(shè)置為單層或多層。當(dāng)樹脂層161具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，最下一層可以具有小于大約80 μ m的厚度。當(dāng)樹脂層161具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，樹脂層161可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆疊而成。替代地，所述多個(gè)層可以按照下述順序來堆疊從具有低硬度的材料到具有高硬度的材料，或者從具有高反射指數(shù)的材料到具有低反射指數(shù)的材料。樹脂層161可以包括磷光體。該磷光體可以包括具有諸如黃光、綠光或紅光等可見光的波長帶的磷光體中的至少一個(gè)。樹脂層161可以分為透明樹脂層和磷光體層。該透明樹脂層和磷光體層可以彼此堆疊以形成樹脂層161。在樹脂層161的上方/下方可以布置有磷光體膜，例如光致發(fā)光膜(PLF)，但其不限于此。樹脂層161可以具有如圖2所示的平坦頂表面。對于另一示例來說，樹脂層161 可以具有凹透鏡形狀或凸透鏡形狀的頂表面。樹脂層161還可以布置在第一金屬層111的外側(cè)部分IllC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C上，但其不限于此。在樹脂層161上可以布置有透鏡。該透鏡可以具有凸透鏡形狀、凹透鏡形狀或凸凹透鏡形狀。而且，該透鏡可以接觸樹脂層161的頂表面或與該頂表面隔開，但其不限于此。圖3至圖8是圖示了用于制造圖1的發(fā)光器件的過程的視圖。參見圖3，金屬層110可以具有足以制造如圖1所示的一個(gè)發(fā)光器件的尺寸。替代地，金屬層110具有如下尺寸該尺寸具有條形形狀并且足以制造在第一方向(水平方向或豎直方向)上排列的多個(gè)發(fā)光器件，或者具有矩陣形式并且足以制造在水平方向和豎直方向上排列的多個(gè)發(fā)光器件。而且，在其上制造多個(gè)發(fā)光器件的金屬層可以切割為含有單個(gè)發(fā)光器件或含有兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光器件的單元。在下文中，為了描述本實(shí)施例，將把用于制造一個(gè)發(fā)光器件的金屬層作為示例來描述。例如，金屬層110可以實(shí)現(xiàn)為金屬板，例如引線框架。金屬層110可以由Fe、Cu、 諸如!^e-Ni的含有!^e的合金、含有Al的合金、或者諸如Cu-Mg-Sn的含有Cu的合金形成。 金屬層110可以形成為單層或多層。而且，在金屬層110的頂表面和/或下表面上可以形成有由Al、Ag、Au或阻焊劑形成的反射層或結(jié)合層?？梢栽谛纬山^緣膜之前或之后執(zhí)行金
屬層的鍍覆處理或涂覆處理。金屬層110可以具有均一的厚度。例如，金屬層110可以具有大約15μπι至大約 300 μ m的厚度。因此，金屬層110可以用作支撐框架，以支撐整個(gè)發(fā)光器件。在該支撐框架結(jié)構(gòu)中，諸如由聚鄰苯二甲酰胺(PPA)和金屬層110形成的樹脂基本體的分離體不是注射成型的。因此，金屬層110的一部分能夠以預(yù)設(shè)的角度彎曲。如圖3(a)所示，可以通過使用沖壓設(shè)備、在具有預(yù)定尺寸的平板上執(zhí)行沖壓處理來在金屬層110中形成圖3(b)中的空腔Al?？涨籄l可以相對于其頂側(cè)具有預(yù)定深度HI。 而且，空腔Al可以具有階梯形狀。金屬層110包括基部110A、側(cè)部IlOB和外側(cè)部分110C?；縄lOA限定了金屬層 110的空腔Al的下表面。側(cè)部IlOB從基部IlOA以預(yù)定角度傾斜延伸，以覆蓋空腔Al的周邊。外側(cè)部分IlOC從側(cè)部IlOB向外彎曲。金屬層110的側(cè)部IlOB可以覆蓋基部IlOA的所有側(cè)方向，或者可以覆蓋兩個(gè)側(cè)方向并敞開其余的方向。金屬層110可以具有多邊形形狀的空腔Al。在該情況下，空腔Al 可以具有較窄的下部寬度和較寬的上部寬度。對于另一示例來說，金屬層110可以具有圓形形狀或橢圓形狀的空腔Al，但其不限于此。金屬層110的空腔Al可以具有比外側(cè)部分相對凹陷的凹部結(jié)構(gòu)。參見圖3和圖4，在金屬層110的頂表面上形成有絕緣膜121。絕緣膜121可以沿著中心區(qū)域的第一方向附接到金屬層Iio的頂表面。而且，絕緣膜121可以沿著金屬層110 的基部110A、側(cè)部IlOB和外側(cè)部分IlOC布置。絕緣膜121可以沿著用于劃分該金屬層110 的區(qū)域的頂表面進(jìn)行附接。在粘合層被涂覆在金屬層110上之后，可以將絕緣膜121附接到金屬層110。在絕緣膜121的粘合處理中，絕緣膜121附接到金屬層110，然后，在預(yù)定溫度下執(zhí)行層疊處理， 以將絕緣膜121附接到金屬層110。在此，雖然絕緣膜121附接到金屬層110的頂表面，但金屬層110也可以附接到絕緣膜121的頂表面。所述處理的順序可以改變。絕緣膜121可以具有預(yù)定厚度，例如大約30 μ m至大約500 μ m的厚度。替代地， 絕緣膜121的厚度可以比金屬層110的厚度厚。絕緣膜121可以是具有絕緣屬性的膜。而且，絕緣膜121可以選擇性地包括具有光學(xué)功能、導(dǎo)熱功能和防潮功能的膜。絕緣膜121可以形成為具有諸如雙面膠帶或單面膠帶等的粘合層的膜。當(dāng)絕緣膜121由光透射材料形成時(shí)，絕緣膜121可以包括磷光體和/ 或分散劑。該磷光體或分散劑可以涂覆在絕緣膜121的表面上或者添加到絕緣膜121內(nèi)。 替代地，絕緣膜121可以是具有預(yù)定反射指數(shù)的膜，例如大約30%或更大的反射特性。例如，絕緣膜121可以印刷或涂覆有諸如氧化物或氮化物的絕緣材料，該氧化物例如是藍(lán)寶石(Al2O3)、SiO2, SiOx或SiOxNy。在該情況下，固化的絕緣膜121可以由柔性或具有預(yù)定粘性的材料形成。絕緣膜121可以具有至少20 μ m或更大的寬度W1。絕緣膜121可以具有足以支撐被分開的金屬層的寬度W1?？梢赃M(jìn)一步加寬該絕緣膜121的寬度Wl的一部分。絕緣膜 121可以具有與金屬層110的側(cè)面基本相同的長度，但其不限于此。參見圖4和圖5，圖4的金屬層110可以劃分為多個(gè)金屬層111和113。在此，在用于劃分金屬層110的處理中，例如，在激活引線框架的表面之后，可以涂覆光刻膠，可以執(zhí)行曝光處理，并且可以執(zhí)行顯影處理。當(dāng)完成顯影處理時(shí)，可以執(zhí)行蝕刻處理來劃分出所需要的區(qū)域，并且剝離光刻膠。之后，可以在金屬層的表面上執(zhí)行鍍Ag 處理，以將金屬層的表面處理為可結(jié)合的表面。然后，將圖4的金屬層110反轉(zhuǎn)，并且在處于與圖5所示的狀態(tài)相同的狀態(tài)下的金屬層的頂表面、即與絕緣膜121附接到其上以將金屬層110劃分為兩個(gè)金屬層111和113的表面相反的表面上執(zhí)行蝕刻處理。金屬層111和113的劃分區(qū)域可以由分離部119限定，并且與絕緣膜121的中心區(qū)域交迭。在此，絕緣膜121可以支撐被劃分的金屬層111和113 之間的界面的頂表面，并且恒定地保持該第一金屬層111和第二金屬層113之間的分離部 119。第一金屬層111和第二金屬層113之間的分離部119可以具有大約10 μ m或更大的距離。該距離可以小于絕緣膜121的寬度W1。雖然在本實(shí)施例中、絕緣膜121和分離部119中的每一個(gè)均具有線性形狀，但絕緣膜121和分離部119中的每一個(gè)也可以具有半球形形狀、多邊形形狀、對角線形狀、以及直線和曲線的混合形狀，然而其不限于此。參見圖6和圖7，發(fā)光芯片145可以安裝在第一金屬層111上并且電連接到第一金屬層111和第二金屬層113。發(fā)光芯片145可以實(shí)現(xiàn)為橫向型芯片或豎直型芯片，在橫向型芯片中，兩個(gè)電極彼此平行地布置，在豎直型芯片中，兩個(gè)電極布置在彼此相反的兩側(cè)。發(fā)光芯片145可以通過導(dǎo)電粘合劑來粘附到第一金屬層111。而且，發(fā)光芯片145可以電連接第一金屬層111并且通過電線152連接到第二金屬層113。發(fā)光芯片145可以是具有可見光波長帶并且發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的發(fā)光二極管或者具有紫外光波長帶的發(fā)光二極管，但其不限于此。在此，發(fā)光芯片145可以具有 80 μ m或更大的厚度。電線152的最高點(diǎn)可以布置在比發(fā)光芯片145的頂表面高大約40 μ m 或更大的位置。樹脂層161可以布置于在第一金屬層111和第二金屬層113的每一個(gè)中限定的空腔Al中。樹脂層161可以由諸如硅或環(huán)氧樹脂的透明樹脂基材料形成。樹脂層161可以具有大約80 μ m至大約500 μ m的厚度。樹脂層161可以設(shè)置為單層或多層。當(dāng)樹脂層161具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，最下一層可以具有小于大約SOym的厚度。當(dāng)樹脂層161具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，樹脂層161可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆疊而成。替代地，可以按照從具有低硬度的材料至具有高硬度的材料的順序來堆疊該多層，或者反過來。樹脂層161的頂表面的一部分可以高于絕緣膜121的頂表面。而且，樹脂層161 可以布置在足以覆蓋電線152的高度處，但其不限于此。樹脂層161可以包括磷光體。磷光體可以包括具有諸如黃光、綠光或紅光等可見光的波長帶的磷光體中的至少一個(gè)。樹脂層161可以分為透明樹脂層和磷光體層。該透明樹脂層和磷光體層可以彼此堆疊以形成樹脂層161。在樹脂層161的上方/下方可以布置有磷光體膜，例如光致發(fā)光膜(PLF)，但其不限于此。在樹脂層161上可以布置有透鏡。該透鏡可以具有凸透鏡形狀、凹透鏡形狀或凸凹透鏡形狀，但其不限于此。而且，該透鏡可以接觸樹脂層161的頂表面或與該頂表面隔開，但其不限于此。圖8和圖9是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖和側(cè)視截面圖。在第二實(shí)施例的說明中，將參考第一實(shí)施例來描述與第一實(shí)施例的部分相同的部分。參見圖8和圖9，在該發(fā)光器件中，第一絕緣膜122布置在彼此相鄰的第一金屬層 111和第二金屬層113所彼此對應(yīng)的區(qū)域上。而且，沿著第一金屬層111的頂表面和第二金屬層113的頂表面布置有第二絕緣膜122Α。第二絕緣膜122Α從第一絕緣膜122延伸。而
11且，第二絕緣膜122A可以沿著第一金屬層111的外側(cè)部分IllC的頂表面和第二金屬層113 的外側(cè)部分113C的頂表面布置成環(huán)形形狀或圈狀形狀。第二絕緣膜122A的寬度可以與金屬層111的外側(cè)部分IllC及金屬層113的外側(cè)部分113C中的每一個(gè)外側(cè)部分相同，或者小于金屬層111的外側(cè)部分11IC及金屬層113的外側(cè)部分113C中的每一個(gè)外側(cè)部分。第二絕緣膜122A與第一絕緣膜122可以一起支撐并固定兩個(gè)金屬層111和113。第一絕緣膜122和第二絕緣膜122A可以在第一金屬層111和第二金屬層113之間粘附到基部IllA和113A的頂表面以及外側(cè)部分IllC和113C的頂表面，以支撐和固定這兩個(gè)金屬層111和113之間的間隙。第二絕緣膜122A可以圍繞兩個(gè)金屬層111和113的頂表面布置，以防止樹脂層 161溢出。而且，樹脂層161的外周可以低于第二絕緣膜122A的頂表面，但其不限于此。因?yàn)榻^緣膜122和122A使用絕緣膜系列來粘附，所以絕緣膜122和122A可以粘附到除了上述區(qū)域之外的其它區(qū)域。圖10是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖10，該發(fā)光器件包括在第二絕緣膜122A上的引導(dǎo)構(gòu)件131。引導(dǎo)構(gòu)件131 沿著第二絕緣膜122A的頂表面布置。例如，第二絕緣膜122A和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有環(huán)形形狀或圈狀形狀，以覆蓋樹脂層161的外周。引導(dǎo)構(gòu)件131具有比第二絕緣膜122A的寬度小的寬度，并且在第二絕緣膜122A 的厚度方向上突出。引導(dǎo)構(gòu)件131可以具有大約15 μ m至大約500 μ m的厚度。而且，引導(dǎo)構(gòu)件131可以具有與每一個(gè)絕緣膜122和122A相同或不同的厚度。在此，可以執(zhí)行印刷處理、涂覆處理或膜粘合處理之一來形成引導(dǎo)構(gòu)件131。在印刷處理中，可以在除了要印刷的區(qū)域之外的區(qū)域上執(zhí)行掩膜處理，并且可以執(zhí)行絲網(wǎng)印刷處理以形成引導(dǎo)構(gòu)件131。在涂覆處理中，可以涂覆反射性材料，以形成引導(dǎo)構(gòu)件131。在膜粘合處理中，可以粘附諸如反射片的膜以形成引導(dǎo)構(gòu)件131。在此，可以考慮到由于引線結(jié)合(wire bonding)或回流焊工藝(reflow process)引起的熱特性來選擇引導(dǎo)構(gòu)件131 和絕緣膜122、122A的材料?？梢砸杂∷⒌姆绞絹碇圃煲龑?dǎo)構(gòu)件131。引導(dǎo)構(gòu)件131可以由諸如阻焊劑的樹脂材料或諸如焊膏的導(dǎo)電材料形成。阻焊劑可以具有白顏色以有效反射入射光。而且，引導(dǎo)構(gòu)件131可以由諸如Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金或Au合金的高反射性材料形成。該反射性材料可以設(shè)置為單層或多層。而且，可以在金屬種子層上、例如在諸如Ag、Al 或Ni的材料上執(zhí)行鍍覆處理，以形成引導(dǎo)構(gòu)件131。而且，引導(dǎo)構(gòu)件131可以由非金屬材料形成。該非金屬材料可以包括白色樹脂，例如，含有T^2的樹脂材料、含有玻璃纖維的樹脂材料(例如，PPA)、或聚合材料(硅基材料或環(huán)氧樹脂基材料)。當(dāng)引導(dǎo)構(gòu)件131具有絕緣特性和反射特性時(shí)，可以不需要分離的絕緣膜，但其不限于此。引導(dǎo)構(gòu)件131可以由金屬或非金屬材料形成，該金屬或非金屬材料具有大約50% 或更大的反射特性，并且優(yōu)選具有大約90%或更大的反射特性。當(dāng)引導(dǎo)構(gòu)件131由導(dǎo)電材料形成時(shí)，引導(dǎo)構(gòu)件131可以與金屬層111、113隔開。 即，引導(dǎo)構(gòu)件131可以布置成使得引導(dǎo)構(gòu)件131不從第二絕緣膜122A的頂表面出來，以防止引導(dǎo)構(gòu)件131電短路。引導(dǎo)構(gòu)件131可以延伸到第一絕緣膜122上，但其不限于此。
引導(dǎo)構(gòu)件131可以具有環(huán)形形狀或圈狀形狀。而且，引導(dǎo)構(gòu)件131可以具有連續(xù)或不連續(xù)的形狀。在此，當(dāng)引導(dǎo)構(gòu)件131具有不連續(xù)形狀時(shí)，引導(dǎo)構(gòu)件131可以接觸第一金屬層111和第二金屬層113之一。引導(dǎo)構(gòu)件131可以是用作反射構(gòu)件或提壩的阻擋件。而且，引導(dǎo)構(gòu)件131可以由其反射特性比絕緣膜122和122A的反射特性優(yōu)良的材料形成。樹脂層161可以具有使樹脂層161接觸引導(dǎo)構(gòu)件131的內(nèi)表面的高度。而且，樹脂層161可以具有凸形表面，但其不限于此。樹脂層161可以設(shè)置為單層或多層。而且，樹脂層161可以具有如下表面在該表面上可以布置有凹形部分和/或凸形部分。圖11是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖11，在該發(fā)光器件中，在第一金屬層111的內(nèi)側(cè)限定有空腔Al。第二金屬層 113對應(yīng)于第一金屬層111的外側(cè)部分IllC的一個(gè)側(cè)表面。第一金屬層111的基部IllA 可以是結(jié)合區(qū)域。側(cè)部IllB可以從基部IllA朝向兩側(cè)、三側(cè)或四側(cè)傾斜延伸。外側(cè)部分 IllC從側(cè)部IllB延伸。第二金屬層113對應(yīng)于第一金屬層111的外側(cè)部分IllC的至少一側(cè)。第一絕緣膜122布置在位于第一金屬層111的外側(cè)部分IllC和第二金屬層113之間的區(qū)域上。第一絕緣膜122附接到位于第一金屬層111和第二金屬層113之間的界面的頂表面處，以保持這兩個(gè)金屬層111和113之間的距離并支撐這兩個(gè)金屬層111和113。第二金屬層113的另一端延伸到豎直向下彎曲的側(cè)部113F和水平基部113G。第二金屬層113的基部113G可以用作提供第二電源的端子。第二金屬層113通過電線152連接到在第一金屬層111的基部IllA上布置的發(fā)光芯片145。電線152可以與發(fā)光芯片145的頂表面具有預(yù)定的高度差，并且結(jié)合到第二金屬層113。第一絕緣膜122附接到位于第一金屬層111和第二金屬層113之間的界面，并且第二絕緣膜122A附接在第一金屬層111的外側(cè)部分11IC和第二金屬層113的頂表面周圍。 第一絕緣膜122和第二絕緣膜122A可以彼此連接。在第二絕緣膜122A上布置有引導(dǎo)構(gòu)件131。引導(dǎo)構(gòu)件131可以由反射性材料形成。引導(dǎo)構(gòu)件131可以由在上述內(nèi)容中公開的材料形成。在第一金屬層111和第二金屬層113的每一個(gè)中限定的空腔Al中可以成型有樹脂層161B。引導(dǎo)構(gòu)件131可以防止樹脂層161B溢出。樹脂層161B可以具有與引導(dǎo)構(gòu)件 131的頂表面齊平的周邊。而且，樹脂層161B可以具有平坦表面或具有凹形形狀或凸形形狀的表面。圖12是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖13是圖示了在圖12的金屬層上布置有絕緣膜的狀態(tài)的透視圖。參見圖12，在發(fā)光器件中，至少兩個(gè)金屬層111和113中的一個(gè)金屬層可以用作光泄漏阻擋層。第一金屬層111包括擋光部111H。擋光部IllH可以在與第二金屬層113對應(yīng)的側(cè)的相反側(cè)、相對于第一金屬層111的下表面以例如大約70°至大約120°的預(yù)定角度Θ2彎曲。第一金屬層111的擋光部IllH可以反射光。因此，當(dāng)如圖M所示地布置多個(gè)發(fā)光器件時(shí)，第一金屬層111的擋光部IllH可以接觸導(dǎo)光板1041的頂表面，以防止光在導(dǎo)光板1041和發(fā)光器件之間泄漏。第一金屬層111的擋光部IllA可以阻擋從發(fā)光芯片145發(fā)射的光，以防止光在圖M的背光單元中泄漏。第一絕緣膜122附接到第一金屬層111和第二金屬層113之間的頂表面。第二絕緣膜122A圍繞第一金屬層111的頂表面和第二金屬層113的頂表面布置，并因此連接到第一絕緣膜122。發(fā)光芯片145布置在第一絕緣膜122和第二絕緣膜122A之間的第一金屬層111上，并且電線152結(jié)合到第二金屬層113。引導(dǎo)構(gòu)件131布置在第二絕緣膜122A上。 樹脂層161成型于引導(dǎo)構(gòu)件131的內(nèi)部區(qū)域。第二絕緣膜122A和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有圍繞第一金屬層111的頂表面及第二金屬層113的頂表面的環(huán)形形狀。而且，第二絕緣膜122A和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有連續(xù)或不連續(xù)的形狀。而且，第二絕緣膜122A和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有帶非平坦結(jié)構(gòu)的頂表面。引導(dǎo)構(gòu)件131的上端可以比第一金屬層111的擋光部IllH的上端低。第二絕緣膜122A和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)的內(nèi)部區(qū)域可以是敞口區(qū)域，在該敞口區(qū)域中，其內(nèi)部被暴露。圖13是圖示了在圖12的金屬層上布置有絕緣膜的狀態(tài)的透視圖。參見圖12和圖13，絕緣膜122和122A附接到第一金屬層111的頂表面和第二金屬層113的頂表面。圖12的第二絕緣膜122A的內(nèi)部區(qū)域A3可以被第一絕緣膜122劃分為第一金屬層111的內(nèi)部區(qū)域All和第二金屬層113的內(nèi)部區(qū)域A12。在此，雖然每個(gè)內(nèi)部區(qū)域All和A12均具有方形形狀，但每個(gè)內(nèi)部區(qū)域All和A12也可以具有圓形形狀或多邊形形狀。而且，第一金屬層111的內(nèi)部區(qū)域All可以具有足以結(jié)合發(fā)光芯片的尺寸，例如與發(fā)光芯片間隔開幾毫米或更小距離的尺寸。第二金屬層113的內(nèi)部區(qū)域A13可以是敞口的，以允許結(jié)合電線。在擋光部IllH從第一金屬層111彎曲的部分中可以限定有至少一個(gè)孔105?？?105可以設(shè)置為多個(gè)。所述多個(gè)孔可以沿著該彎曲部分彼此隔開一段預(yù)定距離。當(dāng)擋光部 11IH從第一金屬層111彎曲時(shí)，擋光部11IH可以通過孔105容易地彎曲。對于另一個(gè)示例來說，可以在第一金屬層111和擋光部IllH之間的彎曲部分中限定有凹槽，以允許擋光部 11IH容易地彎曲。圖14是根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖15是沿著圖14的線B-B 截取的側(cè)剖視圖。參見圖14，發(fā)光器件包括擋光部11IH和113H，其中，金屬層111和113的外側(cè)部分相對于內(nèi)側(cè)部豎直地彎曲。擋光部IllH和113H可以將入射光反射到發(fā)光芯片141的兩側(cè)或所有側(cè)。例如，第一金屬層111的擋光部IllH和第二金屬層113的擋光部113H可以對應(yīng)于發(fā)光芯片141，并且擋光部11IH和113H的上部可以布置在比樹脂層163的最高點(diǎn)高的位置，以防止光在側(cè)向上泄漏。根據(jù)本實(shí)施例，第一金屬層111的外側(cè)部分和第二金屬層113的外側(cè)部分可以豎直地彎曲，因此可以用作擋光部IllH和113H。因此，這些外側(cè)部分可以接觸圖M的背光單元的導(dǎo)光板1041的頂表面和下表面。在此，該發(fā)光器件的擋光部IllH和113H可以有效阻
14擋朝向該導(dǎo)光板(參見圖M的附圖標(biāo)記1041)的上側(cè)和下側(cè)泄漏的光。而且，第一絕緣膜122附接到位于第一金屬層111和第二金屬層113之間的頂表面。第二絕緣膜122A圍繞第一金屬層111和第二金屬層113的平坦頂表面布置，以支撐這兩個(gè)金屬層111和113。第二絕緣膜122A可以防止用于模制該發(fā)光芯片141的樹脂層163溢出。圖15是沿著圖14的線B-B’截取的剖視圖，并且圖示了第一金屬層111的另一側(cè)。參見圖15，第一金屬層111的另一個(gè)外側(cè)部分可以是平坦的，而未設(shè)置有諸如擋光部IllH的突出結(jié)構(gòu)。第二絕緣膜122A圍繞樹脂層153布置。在此，除了平坦結(jié)構(gòu)以外， 第一金屬層111的另一個(gè)外側(cè)部分也可以具有傾斜結(jié)構(gòu)。替代地，第一金屬層111的另一個(gè)外側(cè)部分能夠以比擋光部IllH的高度小的高度突出。第二金屬層113的另一個(gè)外側(cè)部分的描述可參考第一金屬層113的另一個(gè)外側(cè)部分的描述。圖16是根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖16，發(fā)光器件包括在第一金屬層111的外側(cè)部分和第二金屬層113的外側(cè)部分上具有三角形或半球形狀的側(cè)部結(jié)構(gòu)。外側(cè)部分IllE和113E可以分別實(shí)現(xiàn)為平板。第一金屬層111的側(cè)部IllD可以包括第一傾斜表面，該第一傾斜表面相對于安裝有發(fā)光芯片145的表面傾斜；以及第二傾斜表面，該第二傾斜表面相對于第一傾斜表面以內(nèi)角θ 3彎曲，即以大約180°或更小的角度彎曲。側(cè)部IllD的截面具有三角形形狀。 除了三角形形狀以外，側(cè)部IllD的截面也可以具有多邊形形狀或半球形形狀，但其不限于此。除了側(cè)部IllD以外，第一金屬層111的外側(cè)部分IllE可以與安裝有發(fā)光芯片145 的表面齊平。替代地，外側(cè)部分IllE可以布置在比安裝有發(fā)光芯片145的表面的位置高或低的位置。第二金屬層113的側(cè)部113D和外側(cè)部分113Ε可以具有與第一金屬層111的側(cè)部 11ID和外側(cè)部分IllE的結(jié)構(gòu)對稱的結(jié)構(gòu)。因此，第二金屬層113的描述可參考第一金屬層 111的描述。在第一金屬層111的側(cè)部IllD和第二金屬層113的側(cè)部113D中限定的內(nèi)角可以反射從發(fā)光芯片145發(fā)射的光，以實(shí)現(xiàn)具有期望的方位分布的角度。而且，第一金屬層111的側(cè)部IllD和第二金屬層113的側(cè)部113D可以提高該發(fā)光器件的強(qiáng)度。第二絕緣膜122Α和引導(dǎo)構(gòu)件123中的每一個(gè)均可以具有圍繞第一金屬層111的頂表面及第二金屬層113的頂表面的環(huán)形形狀。而且，第二絕緣膜122Α和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有連續(xù)或不連續(xù)的形狀。而且，第二絕緣膜122Α和引導(dǎo)構(gòu)件131中的每一個(gè)均可以具有帶非平坦結(jié)構(gòu)的頂表面。絕緣膜123可以連接到第一絕緣膜122，該第一絕緣膜122附接到位于第一金屬層 111和第二金屬層113之間的界面的頂表面。樹脂層162布置在第一金屬層111的內(nèi)側(cè)部及第二金屬層113的內(nèi)側(cè)部上，以密封該發(fā)光芯片145。在此，第一金屬層111的側(cè)部11ID和第二金屬層113的側(cè)部113D可以防止樹脂層162溢出?？梢砸缘瓮抗に?dispensing process)或傳遞成型工藝(transfer molding proces)來形成樹脂層162。
在樹脂層162的上部中心區(qū)域中限定有凹形部分168。凹形部分168可以在發(fā)光芯片145上朝向發(fā)光芯片145凹陷。凹形部分168可以具有向下逐漸變細(xì)的形狀，例如錐形或柱形形狀。凹形部分168的最大寬度可以比發(fā)光芯片145的寬度大。在樹脂層162的凹形部分168中可以布置有預(yù)定的反射性材料169。反射性材料169可以包括諸如TiO2 或SW2的散射劑或漫射劑。反射性材料169可以對入射到凹形部分168內(nèi)的光進(jìn)行反射， 以防止以如圖23所示的頂視圖方式在從該發(fā)光器件發(fā)射的光的分布中出現(xiàn)熱點(diǎn)形式(hot spots form)0圖17是根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖17，該發(fā)光器件具有如下結(jié)構(gòu)第一金屬層112的外側(cè)部分和第二金屬層 114的外側(cè)部分相對于安裝有發(fā)光芯片145的表面向下呈階梯狀。第一金屬層112的外側(cè)部分包括側(cè)部112A，其從第一金屬層112的內(nèi)側(cè)部、即安裝有發(fā)光芯片的部分向下豎直彎曲；以及水平外側(cè)部分112B，其從側(cè)部112A向外彎曲。因?yàn)榈诙饘賹?14的側(cè)部114A及外側(cè)部分114B與第一金屬層112的側(cè)部112A及外側(cè)部分112B對稱，所以第二金屬層114的側(cè)部114A和外側(cè)部分114B的描述可參見第一金屬層 112的描述。第一金屬層112的外側(cè)部分112B和第二金屬層114的外側(cè)部分114B布置成與安裝有發(fā)光芯片145的基部平行。第一金屬層112的側(cè)部112A和第二金屬層114的側(cè)部114A彼此對應(yīng)地布置在比發(fā)光芯片145的位置低的位置。發(fā)光芯片145布置在第一金屬層112的內(nèi)側(cè)部上。而且，發(fā)光芯片145通過電線 152連接到第二金屬層114的內(nèi)側(cè)部。金屬層112和114的內(nèi)側(cè)部之間的高度差Hl可以比發(fā)光芯片145的厚度厚。因?yàn)椋稍摳叨炔頗l產(chǎn)生的空間設(shè)置在發(fā)光芯片145之下，所以可以提高熱效率。金屬層112的外側(cè)部分112B和金屬層114的外側(cè)部分114B分別可以是結(jié)合區(qū)域。在此，金屬層112的外側(cè)部分112B和金屬層114的外側(cè)部分114B可以設(shè)置在該發(fā)光器件的兩側(cè)或所有側(cè)。因此，可以根據(jù)外側(cè)部分112B和114B的形狀來改變第二絕緣膜123的附接區(qū)域。例如，可以沿著金屬層112和114的側(cè)部112A及內(nèi)側(cè)部來附接第一絕緣膜122和第二絕緣膜123。而且，第一金屬層112的側(cè)部和第二金屬層114的側(cè)部可以從外側(cè)部分112B和 114B向上突出。因?yàn)樵诎l(fā)光芯片145周圍未設(shè)置有擋光部，所以能夠以大約180° 士 10° 的定向分布來輻射從發(fā)光芯片145發(fā)射的光。第一絕緣膜122可以附接到彼此對應(yīng)的第一金屬層112的頂表面和第二金屬層 114的頂表面。第二絕緣膜123可以附接到第一金屬層112和第二金屬層114的外側(cè)部分 112B和114B的頂表面。因此，第一絕緣膜122和第二絕緣膜123可以維持該第一金屬層 112和第二金屬層114之間的距離并支撐該發(fā)光器件。第二絕緣膜123可以具有圍繞所述多個(gè)金屬層112和114的頂表面的外側(cè)部分的環(huán)形形狀或圈狀形狀。第二絕緣膜123可以連接到第一絕緣膜122或者與第一絕緣膜122 分離，但其不限于此。樹脂層163布置在第一金屬層112和第二金屬層114上，以覆蓋發(fā)光芯片145和第一絕緣膜122、第二絕緣膜123。能夠以傳遞成型工藝來制造樹脂層163。而且，在樹脂層 163的表面上可以布置具有非平坦形狀的圖案163A。圖18是根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖18，該發(fā)光器件包括三個(gè)金屬層。這三個(gè)金屬層包括第三金屬層115、第一金屬層111和第二金屬層113，該第三金屬層115是吸熱框架。第三金屬層115在其中心區(qū)域中具有空腔Al。該空腔可以由相對于平坦的基部 115A傾斜的側(cè)部115B限定。側(cè)部115B可以布置在基部115A的兩個(gè)側(cè)表面或所有側(cè)表面上。側(cè)部115B的端部包括水平布置的外側(cè)部分115C。在第三金屬層115的兩側(cè)布置的外側(cè)部分115C可以分別對應(yīng)于第一金屬層111 和第二金屬層113。第一絕緣膜125附接到如下區(qū)域，在該區(qū)域上，第三金屬層115的外側(cè)部分115C、 第一金屬層111及第二金屬層113彼此對應(yīng)。第二絕緣膜125A能夠以框架形狀、環(huán)形形狀或圈狀形狀、圍繞第一金屬層111的周邊的頂表面及第二金屬層113的周邊的頂表面附接。 第二絕緣膜125A可以連接到第一絕緣膜125。在該情況下，第二絕緣膜125A可以從第一金屬層111的頂表面及第二金屬層113的頂表面延伸到第三金屬層115的頂表面。發(fā)光芯片141布置在第三金屬層115的基部115A上。而且，發(fā)光芯片141可以布置在空腔Al內(nèi)。第一金屬層111和第二金屬層113分別通過第一絕緣膜125和第二絕緣膜125A 之間的敞口區(qū)域A2來暴露。第一金屬層111和第二金屬層113的敞口區(qū)域A2可以布置在與空腔Al彼此相反的側(cè)。布置在敞口區(qū)域A2上的第一金屬層111和第二金屬層113可以分別通過電線151和152連接到發(fā)光芯片141。樹脂層161可以被成型以密封該發(fā)光芯片141以及電線151、152。樹脂層161可以具有凸形表面，但其不限于此。在第二絕緣膜125A的頂表面上可以進(jìn)一步布置有由反射性材料形成的引導(dǎo)構(gòu)件。該引導(dǎo)構(gòu)件可以具有環(huán)形形狀、框形形狀或圈狀形狀。該發(fā)光器件包括第三金屬層115，第三金屬層115是吸熱板且在其中心側(cè)上向下突出。而且，該發(fā)光器件包括從第三金屬層115呈階梯狀向上的第一金屬層111和第二金屬層113。因此，可以在發(fā)光模塊的要與第一金屬層111、第二金屬層113結(jié)合的電路板(PCB) 中進(jìn)一步限定有用于接納第三金屬層115的孔。圖19是根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。圖20是圖19的發(fā)光器件的平面圖。參見圖19，該發(fā)光器件通過第一金屬層111、第二金屬層113和第三金屬層115而具有空腔Al。第一金屬層111和第二金屬層113布置在第三金屬層115的兩側(cè)而彼此對應(yīng)。 如圖20所示，第一金屬層111和第二金屬層113的基部11IA和113A、側(cè)部11IB和11 以及外側(cè)部分11IC和113C布置在第三金屬層115的兩側(cè)。第三金屬層115可以沿著Z軸方向?qū)?yīng)于第一金屬層111和第二金屬層113。第一金屬層111的基部IllA和第二金屬層113的基部113A可以與第三金屬層 115的頂表面齊平。在第三金屬層115與第一金屬層111、第二金屬層113之間的頂表面上布置有絕緣膜12恥。如圖20所示，絕緣膜125B可以延伸到在Z軸方向上布置的第一金屬層111的外側(cè)部分IllC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C，并且絕緣膜125B具有環(huán)形形狀。發(fā)光芯片141安裝在第三金屬層115上。而且，第三金屬層115通過電線151和 152連接到第一金屬層111和第二金屬層113。圖19所示的結(jié)構(gòu)可以被適用于圖12和圖 14所示的結(jié)構(gòu)，因此可以提供擋光部。如圖20所示，第一金屬層111的外側(cè)部分11IC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C 可以彼此分離地布置在各個(gè)方向上，例如X軸和Z軸方向。因此，在第一金屬層111的外側(cè)部分IllC和第二金屬層113的外側(cè)部分113C之間可以布置有切除區(qū)域Cl。圖21是根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參見圖21，該發(fā)光器件的第一金屬層116和第二金屬層117可以分別包括擋光部 116A和117A。擋光部116A和117A可以相對于安裝有發(fā)光芯片145的表面豎直彎曲，并且布置成彼此面對。擋光部116A和117A可以具有在內(nèi)部區(qū)域A5中以預(yù)定角度θ 4彎曲的上端116Β和117Β。擋光部116Α和117Α的上端116Β和117Β可以具有大約100°至大約 170°的內(nèi)角θ 4。因此，由于上端116Β和117Β之間的距離D2小于擋光部116Α和117Α之間的距離 D3，所以從發(fā)光芯片145發(fā)射的光可以通過上端116Β和117Β之間的區(qū)域Α5發(fā)射到樹脂層 164的表面上。該發(fā)光器件可以將從發(fā)光芯片145發(fā)射的光的方位分布集中到中心。在該情況下，能夠以樹脂層164的表面的形狀來改變定向。樹脂層164可以具有半球形狀或平坦形狀。替代地，樹脂層164可以具有帶粗糙結(jié)構(gòu)的形狀。樹脂層164的部分164Α可以填充在第一金屬層116和第二金屬層117之間。樹脂層164的部分164Α可以布置在如下表面上以固定第一金屬層116和第二金屬層117，第一金屬層116和第二金屬層117在該表面處彼此對應(yīng)。絕緣膜125附接到在第一金屬層116和第二金屬層117之間的下表面。絕緣膜 125可以暫時(shí)附接到第一金屬層116的下表面和第二金屬層117的下表面，然后可以在形成樹脂層164之后被移除，但其不限于此。每一個(gè)實(shí)施例的特征均可以選擇性地應(yīng)用于其它實(shí)施例，并不限于該實(shí)施例?！窗l(fā)光芯片〉將參考圖22和圖23來描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光芯片。參見圖22，發(fā)光芯片141可以包括基板211、緩沖層212、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 213、有源層214、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215、第一電極216和第二電極217。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213、有源層214和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215可以定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)210。基板211 可以由 A1203、GaN、SiC、ZnO, Si、GaP、InP、Gei2O3、導(dǎo)電基板和 GaAs 形成?；?11可以是生長基板?？梢栽谠撋L基板上生長具有hxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1， 0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體。緩沖層212可以是用于減小基板211和半導(dǎo)體之間的晶格常數(shù)差的層，并且可以由II至VI族化合物半導(dǎo)體形成。在緩沖層212上還可以布置有未摻雜的III-V族化合物半導(dǎo)體層，但其不限于此。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213布置在緩沖層212上，有源層214布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213上，而第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215布置在有源層214上。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213可以由摻雜有第一導(dǎo)電型摻雜劑的、III-V族化合物半導(dǎo)體形成，例如 feiN、A1N、AlfeiN、InGaN, InN, InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 和 AlGaInP之一。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層是N型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電型摻雜劑可以包括N型摻雜劑，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215可以形成為單層或多層，但其不限于此。有源層214可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。有源層214可以具有阱層和勢壘層交替循環(huán)的結(jié)構(gòu)，例如InGaN阱層/GaN勢壘層，或者具有使用III-V族化合物半導(dǎo)體材料的^GaN阱層/AWaN勢壘層交替循環(huán)的結(jié)構(gòu)。在有源層214上方或/和下方可以布置有導(dǎo)電型覆層并且該導(dǎo)電型覆層可以由 AlGaN基半導(dǎo)體形成。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215形成在有源層214上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215可以由摻雜有第二導(dǎo)電型摻雜劑的、III-V族化合物半導(dǎo)體形成，例如GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 之一。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電型半導(dǎo)體層是P型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電型摻雜劑可以包括P型摻雜劑，例如Mg和k。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)，但其不限于此。在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215上可以布置有第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，例如N型半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)235可以具有如下結(jié)構(gòu)中的至少一種N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N 結(jié)結(jié)構(gòu)和P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)?？梢栽诘诙?dǎo)電型半導(dǎo)體層215上布置有電流擴(kuò)散層。該電流擴(kuò)散層可以由如下項(xiàng)之一形成銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物 (ATO)、以及鎵鋅氧化物(GZO)。第一電極216可以布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213上，并且第二電極217可以布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215上。第一電極216和第二電極217可以通過電線連接到圖1或圖5的金屬層。圖23是豎直型芯片結(jié)構(gòu)的視圖。參見圖23，發(fā)光芯片145包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)210下方的歐姆層221 ；在歐姆層221 下方的反射層224 ；在反射層2M下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件225 ；以及圍繞該反射層2M及發(fā)光結(jié)構(gòu)210的保護(hù)層223。通過下述方式來形成發(fā)光芯片145 在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215上形成歐姆層 221、保護(hù)層223、反射層2M和導(dǎo)電支撐構(gòu)件225，然后移走基板211和緩沖層213，而不執(zhí)行用于使圖22的結(jié)構(gòu)中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213暴露的蝕刻處理。歐姆層221可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)210的下層(例如第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層215)歐姆接觸。歐姆層221可以由如下項(xiàng)之一形成銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物 (AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及其組合。而且，可以使用諸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO和ATO的金屬材料和光透射性導(dǎo)電材料來將歐姆層221形成為多層。例如，該多層可以包括IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZ0/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni。可以在歐姆層221內(nèi)進(jìn)一步布置有用于阻擋與電極216對應(yīng)的電流的層。保護(hù)層223可以由如下項(xiàng)之一形成銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4、A1203、和 TiO20 可以通過濺射方法或沉積方法來形成保護(hù)層223。反射層2M可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)210的各個(gè)層彼此電短路。反射層2 可以由如下項(xiàng)之一形成:Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf
及其組合，反射層2M可以具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)210的寬度寬的寬度，以提高光反射效率。例如，導(dǎo)電支撐構(gòu)件225可以用作基底基板。導(dǎo)電支撐構(gòu)件125可以由銅(Cu)、金 (Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅鎢(Cu-W)和載具晶圓(carrier wafer)(例如 Si、Ge、GaAs、&iO、 Sic等)中的至少一個(gè)形成。在導(dǎo)電支撐構(gòu)件225和反射層2M之間可以進(jìn)一步布置友粘合層。因此，這兩個(gè)層通過該粘合層而彼此粘附。圖22和圖23的上文公開的發(fā)光芯片僅是一個(gè)示例，并且不限于上面的特征。該發(fā)光芯片可以選擇性地應(yīng)用于發(fā)光器件的實(shí)施例，但是不限于此?！凑彰飨到y(tǒng)〉上面公開的實(shí)施例的發(fā)光器件具有發(fā)光芯片被封裝的結(jié)構(gòu)。而且，多個(gè)發(fā)光器件可以布置在電路板上，因此設(shè)置成諸如發(fā)光模塊或燈單元的照明系統(tǒng)。根據(jù)上面的實(shí)施例的發(fā)光器件之一可以應(yīng)用于該照明系統(tǒng)。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以應(yīng)用于燈單元。該燈單元可以具有其中排列有多個(gè)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。該燈單元可以包括如圖M和圖25所示的顯示裝置以及如圖沈所示的照明裝置。另外，該燈單元可以包括照明燈、交通燈、車輛頭燈和標(biāo)識牌。圖M是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。參見圖24，顯示單元1000可以包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031，其用于向?qū)Ч獍?041提供光；在導(dǎo)光板1041下面的反射構(gòu)件1022 ；在導(dǎo)光板1041上面的光學(xué)片1051 ； 在光學(xué)片1051上的顯示面板1061 ；以及底蓋1011，用于接納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022，但其不限于此。底蓋1011、反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以定義為一個(gè)燈單元 1050。導(dǎo)光板1041對光進(jìn)行漫射以產(chǎn)生平面光。例如，導(dǎo)光板1041可以由透明材料形成，該透明材料例如是如下材料之一諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸樹脂基材料、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚碳酸脂(PC)樹脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)樹脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。發(fā)光模塊1031布置成向?qū)Ч獍?041的至少一個(gè)側(cè)表面提供光。因此，發(fā)光模塊 1031可以用作該顯示裝置的光源。至少一個(gè)發(fā)光模塊1031布置在導(dǎo)光板1041的一個(gè)側(cè)表面上，以直接或間接提供光。發(fā)光模塊1031可以包括電路板1033和根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100。而且，發(fā)光器件 100能夠以預(yù)定的間距排列在電路板1033上。電路板1033可以是包括電路圖案的印刷電路板(PCB)。板1033可以包括金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及普通PCB，但其不限于此。當(dāng)發(fā)光器件100安裝在底蓋 1011的側(cè)表面上或吸熱板上時(shí)，可以省去該電路板1033。在此，該吸熱板的一部分可以接觸底蓋1011的頂表面。發(fā)光器件100可以安裝在電路板1033上，以允許經(jīng)由其發(fā)射光的光出射表面與導(dǎo)光板1041隔開一段預(yù)定距離，但其不限于此。發(fā)光器件100可以向光入射表面直接或間接提供光，該光入射表面是導(dǎo)光板1041的側(cè)表面，但其不限于此。反射構(gòu)件1022布置在導(dǎo)光板1041下面。因?yàn)榉瓷錁?gòu)件1022對入射到導(dǎo)光板1041 的下表面上的光進(jìn)行反射以向上提供光，所以可以提高燈單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以由PET、PC和PVC之一形成，但其不限于此。反射構(gòu)件1022可以是底蓋1011 的頂表面，但其不限于此。底蓋1011可以收容該導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022。為此，底蓋 1011可以包括具有帶敞口上側(cè)的盒子形狀的收容部1012，但其不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)聯(lián)接，但是不限于此。底蓋1011可以由金屬材料或樹脂材料形成。而且，可以使用壓制成型工藝或擠壓成型工藝來制造底蓋1011。底蓋1011可以由具有優(yōu)異導(dǎo)熱性的金屬或非金屬材料形成，但是不限于此。例如，顯示面板1061可以是液晶顯示(IXD)面板，并且包括由透明材料形成的第一基板和第二基板以及在該第一基板和第二基板之間的液晶層。偏振板可以附接到顯示面板1061的至少一個(gè)表面。本公開不限于偏振板的附接結(jié)構(gòu)。顯示面板1061可以使用從發(fā)光模塊1051發(fā)射的光來顯示信息。顯示單元1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、膝上型計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、電視機(jī)等。光學(xué)片1051布置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透射2 片。例如，光學(xué)片1051可以包括漫射片、水平棱鏡片或豎直棱鏡片、亮度增強(qiáng)片等中的至少一個(gè)。漫射片使入射光漫射，而水平棱鏡片和/或豎直棱鏡片將入射光聚集在顯示區(qū)域內(nèi)。 另外，亮度增強(qiáng)片重新利用所損耗的光來提高亮度。而且，保護(hù)片可以布置在顯示面板1061 上，但其不限于此。在此，諸如導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051的光學(xué)構(gòu)件可以布置在發(fā)光模塊1031的光學(xué)路徑上，但其不限于此。圖25是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的視圖。參見圖25，顯示裝置1100包括底蓋1152、其上排列有上述發(fā)光器件100的電路板 1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。電路板1120和發(fā)光器件100可以定義為一個(gè)發(fā)光模塊1060。底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、光學(xué)構(gòu)件IlM可以定義為一個(gè)燈單元。底蓋1152可以包括收容部1153，但其不限于此。在此，光學(xué)構(gòu)件IlM可以包括包括如下項(xiàng)中的至少一個(gè)透鏡、導(dǎo)光板、漫射片、 水平棱鏡片和豎直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片。該導(dǎo)光板可以由PC材料或PMMA材料形成。在該情況下，可以省去導(dǎo)光板。漫射片使入射光漫射，而水平棱鏡片和豎直棱鏡片使入射光聚集在顯示面板1155內(nèi)。亮度增強(qiáng)片重新利用所損耗的光來提高亮度。光學(xué)構(gòu)件IlM布置在發(fā)光模塊1060上，以使用從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光來產(chǎn)生平面光或者漫射并聚集從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光。圖沈是根據(jù)實(shí)施例的照明器件的透視圖。參見圖26，照明單元1500可以包括外殼1510 ；發(fā)光模塊1530，其布置在外殼 1510中；以及連接端子1520，其布置在外殼1510中，以從外部電源接收電力。外殼1510可以由具有良好散熱性的材料例如金屬材料或樹脂材料形成。發(fā)光模塊1530可以包括電路板1532和安裝在電路板1532上的發(fā)光器件100。發(fā)光器件100可以設(shè)置成多個(gè)，并且所述多個(gè)發(fā)光器件100可以排列成矩陣形狀或者彼此間隔開一段預(yù)定距離?？梢栽诮^緣體上印刷電路圖案來制造電路板1532。例如，電路板1532可以包括印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或FR-4。而且，電路板1532可以由能夠效地反射光的材料形成，或可以涂覆有能夠有效反射光的顏色，例如白色或銀色。至少一個(gè)發(fā)光器件100可以布置在電路板1532上。發(fā)光器件100可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。該LED可以包括分別發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的彩色LED; 以及發(fā)射UV光的紫外光(UV) LED。發(fā)光模塊1530可以具有幾種發(fā)光器件100的組合，以獲得所期望的顏色和亮度。 例如，白光LED、紅光LED和綠光LED可以彼此組合，以確保高顯色指數(shù)。連接端子1520可以電連接到發(fā)光模塊1530以供應(yīng)電力。連接端子1520可以旋擰聯(lián)接到插座型的外部電源，但其不限于此。例如，連接端子1520可以具有插頭形狀，并因此插入到外部電源中。替代地，連接端子1520可以通過電線連接到該外部電源。實(shí)施例可以提供膜式或帶式的發(fā)光器件。在實(shí)施例中，因?yàn)榻饘賹颖唤^緣膜支撐而不使用封裝體，所以可以改善發(fā)光器件的制造過程。此外，發(fā)光器件可以減小厚度。根據(jù)實(shí)施例，可以提供包括凹形空腔和擋光部的金屬層，以提高該發(fā)光器件的光提取光提取效率。根據(jù)實(shí)施例，可以提高該發(fā)光器件的可靠性。而且，可以改善發(fā)光器件的小型化和集成化。根據(jù)實(shí)施例，可以提高發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)中的熱效率。雖然在以上實(shí)施例中描述的特征、結(jié)構(gòu)和效果被結(jié)合到本公開的至少一個(gè)實(shí)施例內(nèi)，但其不僅僅限于一個(gè)實(shí)施例。此外，在一個(gè)實(shí)施例中例示的特征、結(jié)構(gòu)和效果可以被本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員容易地組合和修改來用于另一個(gè)實(shí)施例。因此，這些組合和修改也應(yīng)應(yīng)當(dāng)理解為落入了本公開的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參考其示意性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)出許多將落入本公開原理的精神和范圍內(nèi)的其它變型和實(shí)施例。更特別地，在本公開、 附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合布置結(jié)構(gòu)的組成部分和/或布置結(jié)構(gòu)方面的各種變化和變型都是可能的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括多個(gè)金屬層，所述多個(gè)金屬層包括彼此間隔開的第一金屬層和第二金屬層；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜布置在所述多個(gè)金屬層的頂表面上，所述第一絕緣膜的寬度比所述多個(gè)金屬層之間的間距寬；發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片布置在所述多個(gè)金屬層中的至少一個(gè)上；以及樹脂層，所述樹脂層布置在所述第一金屬層、所述第一絕緣膜和所述發(fā)光芯片上，其中，所述第一金屬層包括第一基部，所述第一基部布置在所述發(fā)光芯片上；以及第一側(cè)部，所述第一側(cè)部在所述第一基部的外側(cè)部上從所述第一基部彎曲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)金屬層中的所述第二金屬層包括 第二基部，所述第二基部對應(yīng)于所述第一金屬層的第一基部；以及第二側(cè)部，所述第二側(cè)部在所述第二基部的外側(cè)部上從所述第二基部彎曲，從而對應(yīng)于所述第一側(cè)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一金屬層的第一側(cè)部和所述第二金屬層的第二側(cè)部中的至少一個(gè)側(cè)部的一部分布置在比所述樹脂層的頂表面高的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一金屬層的第一側(cè)部和所述第二金屬層的第二側(cè)部中的至少一個(gè)側(cè)部圍繞所述發(fā)光芯片布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括第一外側(cè)部分，所述第一外側(cè)部分從所述第一金屬層的第一側(cè)部彎曲；以及第二外側(cè)部分，所述第二外側(cè)部分從所述第二金屬層的第二側(cè)部彎曲，其中，所述第一外側(cè)部分和所述第二外側(cè)部分布置成與所述第一基部及所述第二基部的延長線平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述第一金屬層的頂表面的外側(cè)部和所述第二金屬層的頂表面的外側(cè)部上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，還包括第二絕緣膜，所述第二絕緣膜布置在所述第一金屬層的第一基部的頂表面及所述第二金屬層的第二基部的頂表面的周邊部分上，所述第二絕緣膜中具有敞口區(qū)域，其中，所述第二絕緣膜連接到所述第一絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，還包括引導(dǎo)構(gòu)件，所述引導(dǎo)構(gòu)件在所述第二絕緣膜上沿著所述第二絕緣膜的厚度方向突出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件由樹脂材料或金屬材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述第一金屬層的第一側(cè)部和所述第二金屬層的第二側(cè)部布置成彼此對應(yīng)并且布置到比所述發(fā)光芯片的區(qū)域低的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)內(nèi)側(cè)部均具有空腔，所述空腔的深度比所述多個(gè)金屬層的每一個(gè)外側(cè)部的深度淺。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，圍繞所述空腔布置有相對于所述多個(gè)金屬層的內(nèi)側(cè)部傾斜的傾斜部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)金屬層包括位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的第三金屬層，并且，所述發(fā)光芯片布置在所述第三金屬層上且通過電線連接到所述第一金屬層和所述第二金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述第一絕緣膜包括如下項(xiàng)中的至少一種聚酰亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯脂(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纖維素(TAC)膜、聚酰胺-酰亞胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK) 膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPQ膜、以及樹脂膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括凹形部分，所述凹形部分在所述發(fā)光芯片的方向上從所述樹脂層的頂表面凹陷；以及反射性材料，所述反射性材料布置在所述凹形部分中。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件由以下項(xiàng)中的至少一種形成阻焊劑、焊膏、Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金、以及Au合金。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括多個(gè)金屬層，其包括彼此隔開的第一金屬層和第二金屬層；第一絕緣膜，其被布置在該多個(gè)金屬層的頂表面上，該第一絕緣膜具有比在該多個(gè)金屬層之間的距離寬的寬度；發(fā)光芯片，其被布置在該多個(gè)金屬層的該第一金屬層上；以及樹脂層，其被布置在該第一金屬層、該第一絕緣膜和該發(fā)光芯片上。該第一金屬層包括第一基部，其布置在該發(fā)光芯片上；以及第一側(cè)部，其在該第一基部的外側(cè)部上從該第一基部彎曲。
文檔編號H01L33/64GK102376853SQ201110228779
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月9日
發(fā)明者李建教 申請人:Lg伊諾特有限公司