專利名稱：背金濺射方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種背金濺射方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的厚度越來越薄，對工藝條件要求也越來越苛刻。在器件背面金屬淀積工藝中，目前主要采用蒸發(fā)和濺射(物理氣相淀積，簡稱PVD)兩種方式，相對于蒸發(fā)的方式，濺射方式具有多種優(yōu)點(diǎn)，如形成的金屬層的黏附性更強(qiáng)，而且在背金形成過程中不易被污染，便于進(jìn)行單片作業(yè)，對于不合格的器件易于返工等。但是，隨著器件厚度越來越薄，在實(shí)際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，采用濺射方式淀積的背金往往會(huì)出現(xiàn)金屬原子聚集狀缺陷，如在厚度為185 μ m的DMOS器件背面淀積金屬銀，淀積之后往往會(huì)出現(xiàn)聚集狀的銀原子團(tuán)黑點(diǎn)，當(dāng)銀原子團(tuán)黑點(diǎn)數(shù)量較多時(shí)，就會(huì)影響器件的導(dǎo)電性能，嚴(yán)重時(shí)甚至導(dǎo)致器件報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種背金濺射方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，減少了在較薄的器件背面，采用濺射方式淀積背金時(shí)的金屬原子聚集狀缺陷。為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案一種背金濺射方法，包括獲取晶片的厚度與分步作業(yè)次數(shù)間的第一對應(yīng)關(guān)系；獲取晶片的厚度與濺射設(shè)備工作功率間的第二對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)所述第一對應(yīng)關(guān)系，按照與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的作業(yè)次數(shù)，將整個(gè)濺射過程劃分為幾個(gè)濺射步驟；根據(jù)所述第二對應(yīng)關(guān)系以及對濺射步驟的劃分，選取與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的工作功率，對所述產(chǎn)品晶片進(jìn)行背金的濺射，在選擇的工作功率下，濺射過程出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許范圍內(nèi)；在完成一個(gè)濺射步驟后，停止濺射過程，采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，直至完成整個(gè)濺射過程；其中，所述產(chǎn)品晶片的厚度越薄，與其厚度相對應(yīng)的不會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的工作功率越小。優(yōu)選的，所述第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同；在每組試驗(yàn)晶片中，采用相同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分不同次數(shù)的濺射步驟；檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建。優(yōu)選的，所述第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括
提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同；在每組試驗(yàn)晶片中，采用多組不同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分相同次數(shù)的濺射步驟；檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第二對應(yīng)關(guān)系的 創(chuàng)建。優(yōu)選的，所述冷卻水為循環(huán)使用的冷卻水，所述冷卻水的溫度保持在50°C以下。優(yōu)選的，在濺射過程中，采用外接的換熱裝置對所述冷卻水進(jìn)行降溫。優(yōu)選的，所述背金濺射過程為在晶片背面濺射金屬銀的過程。優(yōu)選的，所述廣品晶片的厚度大于或等于180 μ m,且小于230 μ m。優(yōu)選的，所述產(chǎn)品晶片的厚度為185 μ m時(shí)，將背金的濺射過程分為2個(gè)濺射步驟，濺射設(shè)備的功率設(shè)定為O. 9kw-2. lkw。優(yōu)選的，所述冷卻水的溫度小于21°C。優(yōu)選的，所述產(chǎn)品晶片的厚度為180 μ m時(shí)，將背金的濺射過程分為6個(gè)濺射步驟，濺射設(shè)備的功率設(shè)定為O. 9kw-2. lkw。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，根據(jù)產(chǎn)品晶片的厚度，將背金濺射過程分為幾個(gè)濺射步驟，同時(shí)選擇與產(chǎn)品晶片厚度相適配的濺射設(shè)備的工作功率，而且在各個(gè)濺射步驟之間采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，濺射設(shè)備的工作功率越小，濺射過程產(chǎn)生的熱量越低，從而在每一步驟的背金的濺射過程中，降低了濺射腔體內(nèi)部的溫度，并且，由于分步作業(yè)，使得每一個(gè)濺射步驟中，腔體內(nèi)部的溫度都不至于過高，又由于冷卻水的吸熱降溫，進(jìn)一步的將濺射腔體內(nèi)部的溫度降低到了工藝允許的范圍內(nèi)，從而使背金濺射過程中出現(xiàn)的金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許的范圍內(nèi)，即較現(xiàn)有技術(shù)減少了在較薄的器件背面，采用濺射方式淀積背金時(shí)的金屬原子聚集狀缺陷。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的背金濺射方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程的流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，在較薄的器件背面采用減少工藝淀積金屬時(shí)會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀的缺陷，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)這種問題的原因是，濺射過程中，濺射設(shè)備內(nèi)部以及晶片表面溫度過高導(dǎo)致的。具體說來，由于濺射過程是采用高速的帶點(diǎn)粒子轟擊靶材，使靶材表面因發(fā)生原子碰撞而產(chǎn)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，靶材原子從表面逸出并淀積在襯底上的過程。濺射過程中消耗的能量大部分以熱能的形式在靶材中消耗掉，或者由靶材發(fā)射的二次電子和光子耗散掉，因此在濺射過程中，濺射設(shè)備內(nèi)部的溫度會(huì)隨著濺射過程的進(jìn)行而逐漸升高。另外，除了被濺射的原子被轟擊外，還有其他核素會(huì)淀積在晶片上，這些核素會(huì)給晶片加熱，對于厚度較薄的晶片，這種熱效應(yīng)更明顯，由于晶片溫度升高，從而導(dǎo)致淀積的金屬薄膜不均勻。并且，在背金濺射過程中，腔體內(nèi)的高溫還容易使金屬氧化，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，由于厚度較薄，晶片表面熱效應(yīng)很明顯，濺射出的金屬原子沉積到晶片表面時(shí)，很容易受高溫環(huán)境的影響而氧化，從而形成金屬原子聚集狀缺陷，如厚度為185 μ m的DMOS器件背面淀積金屬銀時(shí)，出現(xiàn)的銀原子黑點(diǎn)就是在高溫下氧化形成的氧化銀，氧化銀的存在嚴(yán)重影響了器件性能?；诖?，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種背金濺射方法，如圖I所示，包括以下步驟步驟Sll :獲取晶片的厚度與分步作業(yè)次數(shù)間的第一對應(yīng)關(guān)系；本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，將一次完整的濺射過程劃分為幾個(gè)濺射步驟，也就是縮短了每個(gè)濺射步驟的工藝時(shí)間，在每一個(gè)濺射步驟完成后，腔體內(nèi)部的溫度都不至于過高，即較現(xiàn)有技術(shù)中的連續(xù)濺射工藝，分步濺射中每一濺射步驟產(chǎn)生的熱量大大減少了，這也為降低濺射腔體內(nèi)的溫度提供了便利。步驟S12 :獲取晶片的厚度與濺射設(shè)備工作功率間的第二對應(yīng)關(guān)系；具體的，產(chǎn)品晶片的厚度越薄，與其厚度相對應(yīng)的不會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的工作功率越小。眾所周知，設(shè)備的工作功率越低，在同樣的工作時(shí)間內(nèi)，產(chǎn)生的熱量就越少，而產(chǎn)品晶片越薄，越容易產(chǎn)生金屬聚集狀缺陷，因此，與其對應(yīng)的不會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的工作功率越小，即產(chǎn)品晶片越薄，在要求濺射過程出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許范圍內(nèi)的情況下，所對應(yīng)的設(shè)備的工作功率越低。步驟S13 :根據(jù)所述第一對應(yīng)關(guān)系，按照與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的作業(yè)次數(shù)，將整個(gè)濺射過程劃分為幾個(gè)濺射步驟；也就是說，結(jié)合步驟Sll中確定的第一對應(yīng)關(guān)系，查找出于產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的作業(yè)次數(shù)，即在一個(gè)產(chǎn)品晶片的背金濺射過程中，需要分幾次進(jìn)行濺射，中間需要停頓幾次，中間停頓的次數(shù)為作業(yè)次數(shù)減一，往往晶片的厚度越薄，中間需要停頓的次數(shù)越多。本實(shí)施例中所述產(chǎn)品晶片的厚度大于或等于180 μ m，且小于230 μ m，對于230 μ m的晶片來說，采用正常工藝進(jìn)行背金濺射也是可以的，本實(shí)施例中優(yōu)選為對200 μ m以下厚·度的晶片，更優(yōu)選為185μπι或180μπι厚度的晶片。步驟S14 :根據(jù)所述第二對應(yīng)關(guān)系以及對濺射步驟的劃分，選取與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的工作功率，對所述產(chǎn)品晶片進(jìn)行背金的濺射，在選擇的工作功率下，濺射過程出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許范圍內(nèi)的；本實(shí)施例中，濺射過程出現(xiàn)金屬聚集裝缺陷的個(gè)數(shù)小于或等于5ea(個(gè))，即可認(rèn)為滿足工藝需求，當(dāng)然也可為其他要求，具體可根據(jù)對器件的性能的要求和使用環(huán)境而定。步驟S15 :在完成一個(gè)濺 射步驟后，停止濺射過程，采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，直至完成整個(gè)濺射過程。本實(shí)施例中，考慮到濺射效率，以晶片背面濺射金屬銀的過程為例，對于185μπι及其以上厚度的晶片來說，整個(gè)背金濺射過程停頓I次，即分2個(gè)濺射步驟操作，如背金厚度為IOk埃，分2次進(jìn)行濺射，則每次濺射背金厚度可為5k埃，在分步濺射的同時(shí)，結(jié)合降低工作功率以及冷卻水的方式，即可使濺射產(chǎn)品中的金屬聚集狀缺陷的數(shù)量在工藝允許的范圍內(nèi)，這種情況下，濺射設(shè)備的功率可設(shè)定為O. 9kw-2. lkw，優(yōu)選為2kw或者lkw，相比于現(xiàn)有技術(shù)中8kw的工作功率來說，本實(shí)施例中產(chǎn)品的金屬聚集狀缺陷要少很多，大部分產(chǎn)品中甚至不存著金屬聚集狀缺陷。需要說明的是，為了提高對濺射腔體的降溫效率，本實(shí)施例中采用的冷卻水為循環(huán)使用的冷卻水，所述冷卻水的溫度保持在50°C以下，由于濺射設(shè)備自帶的冷卻水系統(tǒng)的降溫能力欠佳，不能及時(shí)的提供溫度更低的冷卻水，因此，本實(shí)施例在濺射過程中，采用外接的換熱裝置對所述冷卻水進(jìn)行降溫，所述換熱裝置可為壓縮機(jī)。為了提高降溫效果，可以保持外接的換熱裝置一直為工作狀態(tài)，以便于更快的降低循環(huán)的冷卻水的溫度，提高冷卻水的吸熱能力。同樣以185 μ m晶片的背面濺射金屬銀的過程為例，可采用分2個(gè)濺射步驟，若濺射設(shè)備的功率設(shè)定為lkw，為了得到更好的濺射效果，所述冷卻水的溫度需小于21°C，實(shí)驗(yàn)中以同樣厚度的晶片作為比較例，若不采用冷卻水降溫，同樣條件下產(chǎn)品的金屬聚集狀缺陷大于5ea。本實(shí)施例中為了保持降溫效果的穩(wěn)定，在對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫時(shí)，所述冷卻水的流量可保持在6L/min-9L/min以內(nèi)，具體可根據(jù)濺射腔體的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。另外，以180μπι厚度的產(chǎn)品晶片為例，在晶片背面濺射金屬銀的過程中，由于晶片厚度更薄，因此可將背金的濺射過程分為6個(gè)濺射步驟，濺射設(shè)備的功率設(shè)定為
O.9kw-2. lkw，優(yōu)選為lkw，冷卻水的溫度可控制在10°C _20°C，優(yōu)選為控制在11°C左右，該條件下制作的產(chǎn)品晶片中不會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷，而實(shí)驗(yàn)中以同樣厚度的晶片作為比較例，若仍舊采用2個(gè)濺射步驟，其它條件相同，則產(chǎn)品中的金屬聚集狀缺陷大于5ea，因此對于更薄的晶片來說，若降低設(shè)備功率，使用冷卻水的效果不理想時(shí)，必須增加濺射步驟。本實(shí)施例以上各步驟的順序可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行互換，如步驟Sll和步驟S12對調(diào)順序等，本實(shí)施例中對此不做過多限制，只要符合實(shí)際工作情況即可。下面結(jié)合圖2和圖3對本實(shí)施例中步驟Sll中的第一對應(yīng)關(guān)系以及步驟S12中的第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程進(jìn)行說明。具體的，如圖2所示，步驟Sll中所述第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括步驟S21 :提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同；步驟S22 :在每組試驗(yàn)晶片中，采用相同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分不同次數(shù)的濺射步驟；步驟S23 :檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建。如圖3所示，所述第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括步驟S31 :提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同；
步驟S32 :在每組試驗(yàn)晶片中，采用多組不同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分相同次數(shù)的濺射步驟；步驟S33 :檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建。在產(chǎn)品晶片進(jìn)行背金濺射過程中，結(jié)合以上得出的第一對應(yīng)關(guān)系和第二對應(yīng)關(guān)系，選擇金屬聚集狀缺陷數(shù)量在工藝允許范圍內(nèi)的工作次數(shù)及工作功率即可。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，根據(jù)產(chǎn)品晶片的厚度，將背金濺射過程分為幾個(gè)濺射步驟，同時(shí)選擇與產(chǎn)品晶片厚度相適配的濺射設(shè)備的工作功率，而且在各個(gè)濺射步驟之間采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，濺射設(shè)備的工作功率越小，濺射過程產(chǎn)生的熱量越低，從而在每一步驟的背金的濺射過程中，降低了濺射腔體內(nèi)部的溫度，并且，由于分步作業(yè)，使得每一個(gè)濺射步驟中，腔體內(nèi)部的溫度都不至于過高，又由于冷卻水的吸熱降溫，進(jìn)一步的將濺射腔體內(nèi)部的溫度降低到了工藝允許的范圍內(nèi)，從而使背金濺射過程中出現(xiàn)的金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許的范圍內(nèi)，即較現(xiàn)有技術(shù)減少了在較薄的器件背面，采用濺射方式淀積背金時(shí)的金屬原子聚集狀缺陷。本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種背金濺射方法，其特征在于，包括 獲取晶片的厚度與分步作業(yè)次數(shù)間的第一對應(yīng)關(guān)系； 獲取晶片的厚度與濺射設(shè)備工作功率間的第二對應(yīng)關(guān)系； 根據(jù)所述第一對應(yīng)關(guān)系，按照與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的作業(yè)次數(shù)，將整個(gè)濺射過程劃分為幾個(gè)濺射步驟； 根據(jù)所述第二對應(yīng)關(guān)系以及對濺射步驟的劃分，選取與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的工作功率，對所述產(chǎn)品晶片進(jìn)行背金的濺射，在選擇的工作功率下，濺射過程出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許范圍內(nèi)； 在完成一個(gè)濺射步驟后，停止濺射過程，采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，直至完成整個(gè)濺射過程； 其中，所述產(chǎn)品晶片的厚度越薄，與其厚度相對應(yīng)的不會(huì)出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的工作功率越小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的背金濺射方法，其特征在于，所述第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括 提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同； 在每組試驗(yàn)晶片中，采用相同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分不同次數(shù)的濺射步驟； 檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第一對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背金濺射方法，其特征在于，所述第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建過程包括 提供多組試驗(yàn)晶片，所述多組試驗(yàn)晶片中不同組的試驗(yàn)晶片的厚度不同； 在每組試驗(yàn)晶片中，采用多組不同的功率對每組中試驗(yàn)晶片進(jìn)行背金的濺射，每組試驗(yàn)晶片的濺射過程被分相同次數(shù)的濺射步驟； 檢測并記錄每組的試驗(yàn)晶片上出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)，完成第二對應(yīng)關(guān)系的創(chuàng)建。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的背金濺射方法，其特征在于，所述冷卻水為循環(huán)使用的冷卻水，所述冷卻水的溫度保持在50°C以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背金濺射方法，其特征在于，在濺射過程中，采用外接的換熱裝置對所述冷卻水進(jìn)行降溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背金濺射方法，其特征在于，所述背金濺射過程為在晶片背面濺射金屬銀的過程。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的背金濺射方法，其特征在于，所述產(chǎn)品晶片的厚度大于或等于180 μ m,且小于230 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的背金濺射方法，其特征在于，所述產(chǎn)品晶片的厚度為185 μ m時(shí)，將背金的濺射過程分為2個(gè)濺射步驟，濺射設(shè)備的功率設(shè)定為O. 9kw-2. lkw。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背金濺射方法，其特征在于，所述冷卻水的溫度小于21°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的背金濺射方法，其特征在于，所述產(chǎn)品晶片的厚度為180 μ m時(shí)，將背金的濺射過程分為6個(gè)濺射步驟，濺射設(shè)備的功率設(shè)定為O. 9kw-2. lkw。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種背金濺射方法，包括獲取晶片的厚度與分步作業(yè)次數(shù)間的第一對應(yīng)關(guān)系；獲取晶片的厚度與濺射設(shè)備工作功率間的第二對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)所述第一對應(yīng)關(guān)系，按照與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的作業(yè)次數(shù)，將整個(gè)濺射過程劃分為幾個(gè)濺射步驟；根據(jù)所述第二對應(yīng)關(guān)系以及對濺射步驟的劃分，選取與產(chǎn)品晶片的厚度相對應(yīng)的工作功率，對所述產(chǎn)品晶片進(jìn)行背金的濺射，在選擇的工作功率下，濺射過程出現(xiàn)金屬聚集狀缺陷的個(gè)數(shù)在工藝允許范圍內(nèi)；在完成一個(gè)濺射步驟后，停止濺射過程，采用冷卻水對濺射設(shè)備進(jìn)行降溫，直至完成整個(gè)濺射過程。本發(fā)明實(shí)施例減少了在較薄的器件背面，采用濺射方式淀積背金時(shí)的金屬原子聚集狀缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/203GK102931059SQ20111022984
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月11日
發(fā)明者周軍 申請人:無錫華潤上華科技有限公司