專利名稱：耐高低溫宇航用低頻電線電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出的是一種屬C55系列的耐高低溫宇航用低頻電線電纜，能夠適應(yīng)滿足宇航苛刻環(huán)境下航天器、空間站以及其它宇航設(shè)備上的低頻環(huán)境下電子、電器間的信號(hào)傳輸，控制傳輸和能量傳輸，具有優(yōu)異的機(jī)械性能、電性能和耐宇航空間環(huán)境性能(耐輻照、耐真空原子氧等)，在-100 +200°C范圍內(nèi)長期使用。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有產(chǎn)品是以GJB/ 773A-2000《航空航天用含氟聚合物絕緣電線電纜》為依據(jù)，同時(shí)參照了美國軍標(biāo) MIL-W-22759《MILITARY SPECIFICATION SHEET》標(biāo)準(zhǔn)和美國 Raychem55/ 單篇規(guī)范制造生產(chǎn)的，然而該產(chǎn)品缺泛了在宇航環(huán)境下的特殊空間環(huán)境性能如①耐極限低溫；②耐高溫；③耐輻照；④耐真空原子氧；⑤耐真空逸氣；⑥絕緣材料煙密度和燃燒產(chǎn)生有害氣體含量?。虎叻墙饘俨牧嫌泻怏w逸出量??；⑧絕緣切割強(qiáng)度大；⑧外徑小重量輕等性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出的是一種C55系列的耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其目的旨在克服與有產(chǎn)品所存在的上述缺陷，并根據(jù)用戶的特殊要求制定的，同時(shí)也充分考慮了其適用性和可靠性和宇航環(huán)境耐輻照、耐原子氧、以及材料有害氣體含量小等特殊要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)解決方案其特征是單芯或N芯結(jié)構(gòu)，Ν=2、3···9，每芯有一個(gè)采用多股鍍銀和鍍銀銅合金絞合的導(dǎo)體，多股鍍銀的單絲鍍銀層厚度> 1. 5 μ m，在導(dǎo)體的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)材料并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)的單層或雙層薄壁輕型絕緣層，絕緣層的外圍是采用鍍銀銅絲編織的屏蔽層，鍍銀銅絲的單絲鍍銀層厚度> 1. 5 μ m，屏蔽層的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)護(hù)套層。單層或雙層薄壁輕型絕緣層和護(hù)套層均為交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE) 材料，并經(jīng)電子輻照交聯(lián)，耐高低溫達(dá)-100°c 200°C，采用薄壁擠出工藝。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
(1)耐極限低溫電纜可以在一 100°c下正常敷設(shè)安裝，可以解決一般材料由于低溫敷設(shè)易造成硬化、脆裂等問題，從而滿足宇航低溫環(huán)境的使用要求。(2)外徑小和重量輕單層絕緣厚度最小僅為0. 13mm,雙層絕緣厚度最小僅為 0. 20mm,減小敷設(shè)空間，減輕產(chǎn)品在空間飛行器的重量。(3)耐輻照產(chǎn)品的耐輻照總劑量最高可達(dá)5MGy (5X108rad)；
(4)耐真空原子氧電線電纜在能量為MV的原子氧照射(轟擊)下，其剝蝕率Ey應(yīng)不大于 5Xl(T29m3。(5)耐真空逸氣絕緣材料的總質(zhì)量損失(TML)彡1%，可凝聚揮發(fā)物(CVCM) <0.1%。(6)非金屬材料有害氣體逸出正常大氣環(huán)境，101.325迚￡1，501，7 1，電線電纜非金屬材料排出刺激性和特殊氣味氣體的氣味等級(jí)不大于1. 5級(jí)；脫出一氧化碳不大于 25ug/g ；脫出總有機(jī)物不大于100μ g/g。(7)絕緣切割強(qiáng)度電線絕緣切割強(qiáng)度應(yīng)不小于352Mpa。(8)屏蔽電纜重量損失 重量損失不大于0. 4%。(9)絕緣材料燃燒產(chǎn)生的有毒氣體含量檢測結(jié)果符合國家要求。


附圖1是生產(chǎn)工藝流程圖。附圖2是耐高低溫宇航用低頻電線電纜單芯結(jié)構(gòu)示意圖。附圖3是耐高低溫宇航用低頻電線電纜雙芯結(jié)構(gòu)示意圖。附圖4是耐高低溫宇航用低頻電線電纜三芯結(jié)構(gòu)示意圖。附圖5是耐高低溫宇航用低頻電線電纜五芯結(jié)構(gòu)示意圖。圖中的1是導(dǎo)體；2是絕緣層；3是屏蔽層；4是護(hù)套層。
具體實(shí)施例方式
對照附圖1，導(dǎo)體為絞合導(dǎo)體，用電線電纜束絞機(jī)同心式絞合；絕緣為單層(雙層)絕緣， 絕緣采用高溫?cái)D塑機(jī)薄壁擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物交聯(lián)料，并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)；采用鍍銀銅絲編織，屏蔽層采用編織機(jī)編織，材料為鍍銀銅絲；護(hù)套采用交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物交聯(lián)料，并經(jīng)電子加速器輻照。對照附圖2，耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其結(jié)構(gòu)是單芯結(jié)構(gòu)，每芯有一個(gè)采用多股鍍銀和鍍銀銅合金絞合的導(dǎo)體1，其單絲鍍銀層厚度> 1. 5 μ m，在導(dǎo)體1的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)材料并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)的單層或雙層薄壁輕型絕緣層2，絕緣層2的外圍是采用鍍銀銅絲編織的屏蔽層3，鍍銀銅絲的單絲鍍銀層厚度> 1. 5 μ m，屏蔽層3的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)護(hù)套層4
對照附圖3，耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其結(jié)構(gòu)是雙芯結(jié)構(gòu)，其它與圖2相同。對照附圖4，耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其結(jié)構(gòu)是三芯結(jié)構(gòu)，其它與圖2相同。對照附圖5，耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其結(jié)構(gòu)是五芯結(jié)構(gòu)，其它與圖2相同。同理，耐高低溫宇航用低頻電線電纜結(jié)構(gòu)還可以是四芯、六芯、七芯、八芯、九芯結(jié)構(gòu)。單層或雙層薄壁輕型絕緣層和護(hù)套層均為交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE) 材料，并經(jīng)電子輻照交聯(lián)，耐高低溫達(dá)-100°c 200°C，采用薄壁擠出工藝。經(jīng)對電線絕緣及材料燃燒產(chǎn)生有毒氣體的試驗(yàn)，條件為21 士3°C，50士5% RH，時(shí)間大于Mh，試驗(yàn)?zāi)Ｊ綖榛鹧婺Ｊ?NF+F)，采樣時(shí)間為4分鐘，氣體檢測結(jié)果符合表1的要求。表1氣體檢測結(jié)果
4指標(biāo)氣體檢測結(jié)果最大值(PPm)astl 000. 001一氧化碳co氮氧化物 (n2o/no/no2) no1——* ^p1 ‘ 硫302氯化氫hcl氰化氫 hcn氟化氫hf3500100100150150100
權(quán)利要求
1.耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其特征是單芯結(jié)構(gòu)或N芯結(jié)構(gòu)，N=2、3…9，每芯有一個(gè)采用多股鍍銀和鍍銀銅合金絞合的導(dǎo)體(1)，多股鍍銀的單絲鍍銀層厚度> 1.5μπι，在導(dǎo)體(1)的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)材料并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)的單層或雙層薄壁輕型絕緣層(2)，絕緣層(2)的外圍是采用鍍銀銅絲編織的屏蔽層(3)，鍍銀銅絲的單絲鍍銀層厚度> 1.5 μ m，屏蔽層(3)的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)護(hù)套層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高低溫宇航用低頻電線電纜，其特征是單層或雙層薄壁輕型絕緣層(2)和護(hù)套層(4)均為交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物(X-ETFE)材料，并經(jīng)電子輻照交聯(lián)，耐高低溫達(dá)-100°C 200°C，采用薄壁擠出工藝。
全文摘要
本發(fā)明是耐高低溫宇航用低頻電線電纜其結(jié)構(gòu)是單芯或N芯(N=2、3…9)，每芯有一個(gè)采用多股鍍銀和鍍銀銅合金絞合的導(dǎo)體，在導(dǎo)體的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物材料并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)的絕緣層,絕緣層的外圍是采用鍍銀銅絲編織的屏蔽層，屏蔽層的外圍是采用高溫?cái)D出設(shè)備擠出交聯(lián)-乙烯四氟乙烯共聚物并經(jīng)電子加速器輻照交聯(lián)護(hù)套層。優(yōu)點(diǎn)具有外徑小和重量輕、耐極限低溫、耐輻照、耐真空原子氧、絕緣切割強(qiáng)度大，耐真空逸氣，絕緣和非金屬材料燃燒和逸出產(chǎn)生有害氣體含量少等，滿足宇航苛刻環(huán)境下航天器、空間站以及其它宇航設(shè)備上的低頻環(huán)境下電子、電器間的信號(hào)傳輸，控制傳輸和能量傳輸。
文檔編號(hào)H01B1/02GK102354549SQ201110230529
公開日2012年2月15日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者侯娟君, 成紹強(qiáng), 李峰, 李星星, 歐榮金, 肖妙霞, 賴洪林, 陳祥樓 申請人:南京全信傳輸科技股份有限公司