專利名稱：相變存儲器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，更具體地，本發(fā)明涉及一種相變存儲器的制造方法。
背景技術：
相變存儲器(PhaseChange Random Access Memory, PCRAM)作為一種新興的非易失性存儲技術，在讀寫速度、讀寫次數、數據保持時間、單元面積、多值實現等諸多方面對快閃存儲器都具有較大的優(yōu)越性。美國專利US6531373公開了一種相變存儲器結構。如圖I所示為相變存儲器的結 構示意圖，所述相變存儲器位于由X軸、Y軸、Z軸兩兩正交形成的空間內。具體地，所述相變存儲器包括襯底001，所述襯底001表面形成有若干數目的字線105，所述若干數目的字線105沿X軸方向進行排布，字線和與其相鄰的字線之間通過絕緣材料進行電隔離。每條字線105均沿Y軸方向進行延伸。其中沿Z軸方向上，所述每條字線105表面均形成有若干數目的存儲單元101，且所述若干數目的存儲單元101按陣列排布，每個所述存儲單元101包含有串聯連接的相變電阻102與選通二極管103。繼續(xù)參考圖1，位于所述存儲單元101表面形成有位線104，所述位線104沿Y軸方向進行排布。且每條位線104沿X軸延伸，將位于不同字線105的存儲單元101進行連接，每條位線104分別將位于每條字線上的一個存儲單元101進行連接。繼續(xù)參考圖I，在X軸和Z軸構成的平面內，所述字線和與其相鄰字線，所述存儲單元和與其相鄰的存儲單元之間形成有深溝槽隔離區(qū)201，所述深溝槽隔離區(qū)201內填充有隔離材料(未圖示)。所述深溝槽隔離區(qū)201將字線與字線，存儲器件和與其不共字線的存儲器件進行隔離。所述深溝槽隔離區(qū)201嵌入部分的所述襯底001內。繼續(xù)參考圖I，在Y軸和Z軸構成的平面內，所述位線和與其相鄰位線，所述存儲單元和與其相鄰的存儲單元之間形成有淺溝槽隔離區(qū)203，所述深溝槽隔離區(qū)201內填充有隔離材料(未圖示)。所述淺溝槽隔離區(qū)203將位線與位線，存儲器件和與其共字線的存儲器件進行隔離。繼續(xù)參考圖1，所述aa'方向和bb'方向沿位線延伸方向，所述cc'方向為沿字線延伸方向。其中，沿所述aa'方向所得剖視圖為沿所述淺溝槽隔離區(qū)203所得剖視圖；沿所述bb'方向所得剖視圖為沿位線104所得剖視圖。如圖2所示為圖I的等效結構圖，所述相變存儲器的每一存儲單元101中均包含有串聯連接的相變電阻102與選通二極管103。結合圖I和圖2，在對所述相變存儲器進行寫入操作時，對應于某一待選存儲單元101的位線104與字線105上形成了較大的電勢差，所述電勢差使得選通二極管103正向導通，進而在相變電阻102上形成較大的寫入電流，所述寫入電流使得相變電阻102狀態(tài)發(fā)生變化，數據也得以記錄。圖3是圖I所示相變存儲器的俯視示意圖，如圖3所示，所述相變存儲器包含有多個嵌入襯底內的深溝槽隔離區(qū)201，且所述多個深溝槽隔離區(qū)201相互平行；而所述淺溝槽隔離區(qū)203的延展方向與深溝槽隔離區(qū)201相垂直。所述相互垂直的深溝槽隔離區(qū)201與淺溝槽隔離區(qū)203將襯底劃分為相互絕緣的網格狀區(qū)域，而每一網格即對應了一個存儲單
J Li ο現有技術相變存儲器的制造方法包括深溝槽(De印Trench, DT)形成階段、淺溝槽隔離區(qū)形成階段。其中，所述深溝槽形成階段通常采用HARP工藝完成(此處HARP工藝特指一種CVD工藝，用于對大的深寬比的溝槽進行填充的工藝)，具體地，大致包括以下步驟采用刻蝕工藝在襯底中形成深溝槽；形成覆蓋所述深溝槽內表面的襯墊層，所述襯墊層為絕緣材料；向所述深溝槽中依次填充多晶硅、二氧化硅介電材料以形成深溝槽隔離區(qū)。而淺溝槽隔離區(qū)形成階段大致包括以下步驟在與深溝槽隔離區(qū)垂直方向上，對襯底進行各向異性的干法刻蝕，形成淺溝槽開口 ；最后，在所述淺溝槽開口中填充材料以形成淺溝槽隔離區(qū)。理想情況下，深溝槽的側壁垂直于襯底表面。如圖4所示，實際工藝中通過刻蝕形 成的深溝槽呈倒梯形，使得填充于深溝槽中的多晶硅和二氧化硅也形成倒梯形的輪廓。其中圖4示出的剖面所沿截線方向與圖I示出的aa'方向相同。所述填充物一般包括第一填充物208及位于所述第一填充物208表面的第二填充物209。在后續(xù)對襯底進行干法刻蝕，以形成淺溝槽隔離區(qū)時，所述深溝槽隔離區(qū)兩側與淺溝槽隔離區(qū)深度相同的襯底材料不能完全移除，從而在會深溝槽隔離區(qū)兩側形成楔形殘留物。如圖5示出的標記205位置即為所述楔形殘留物，所述楔形殘留物容易使得位于同一字線上的不同的存儲單元間形成導電通路，從而使得器件漏電，良率也相應降低。為了解決上述問題，現有技術首先形成深溝槽隔離區(qū)；接著在與所述深溝槽隔離區(qū)垂直方向上，先第一刻蝕掉部分的深溝槽內的填充物，如圖6所示形成凹陷207 ;然后圖7所示，接著第二刻蝕去除所述凹陷207兩側的襯底材料，即減薄襯底的厚度，以形成淺溝槽，后續(xù)對所述淺溝槽進行填充形成淺溝槽隔離區(qū)。參考圖4和圖6，所述深溝槽內填充物一般包括第一填充物208及位于所述第一填充物208表面的第二填充物209，所述第一填充物208主要用于填充深溝槽底部。因為所述凹陷兩側的襯底材料的刻蝕工藝會同時刻蝕掉所述第一填充物208。所以如圖6所示，第一刻蝕掉部分的深溝槽內的填充物后，所述第一填充物208表面還形成有殘留的第二填充物209'，以避免后續(xù)所述凹陷兩側的襯底材料的刻蝕工藝會同時刻蝕所述第一填充物208。如圖7所示，形成的淺溝槽深度將不大于刻蝕掉的凹陷兩側的襯底材料厚度，而刻蝕掉的凹陷兩側的襯底材料的高度受限于第一刻蝕殘留的第二填充物20V的高度。進一步地，殘留的第二填充物209'又受到第一填充物208厚度的影響。上述對應關系對第一刻蝕提出了較高的要求，并且隨著特征尺寸的下降，會減小第一刻蝕的工藝處理空間，進一步增加了工藝難度。所以通過形成殘留的第二填充物209'以避免第一填充物208暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，會減小第一刻蝕和第二刻蝕的工藝處理空間，且厚度尺寸比較難以控制。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的技術問題是提供一種相變存儲器的制造方法，提高深溝槽刻蝕和淺溝槽刻蝕的工藝處理空間。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種相變存儲器的制造方法，包括提供半導體基底，所述半導體基底至少包含有襯底，依次位于襯底上的阱區(qū)、外延層；圖案化刻蝕所述阱區(qū)、外延層，形成深溝槽；依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)，所述第二填充層位于所述第一填充層表面；其中，采用第二填充層填充深溝槽前，還包括對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層。可選的，所述對所述第一填充層表面進行處理，包括對所述第一填充層進行氧化工藝或氮化工藝，所述阻擋層為氧化硅或氮化硅。 可選的，所述第一填充層的材料為多晶硅?？蛇x的，所述第二填充層的材料為無定形碳?？蛇x的，所述依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充包括首先采用第一填充層對深溝槽進行填充，所述第一填充層的高度位于外延層的上表面和下表面之間；對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層；接著采用第二填充層對深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)?？蛇x的，所述首先采用第一填充層對深溝槽進行填充包括采用第一填充層的填充材料填充深溝槽，所述高度不小于所述外延層的高度；接著采用回刻蝕，形成第一填充層，所述第一填充層的高度位于外延層的上表面和下表面之間?？蛇x的，所述依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充前，還包括在所述深溝槽表面形成襯墊層?？蛇x的，形成所述深溝槽隔離區(qū)后，還包括在與所述深溝槽隔離區(qū)方向垂直的方向上，形成所述淺溝槽隔離區(qū)?？蛇x的，形成所述淺溝槽隔離區(qū)包括去除位于所述深溝槽內的第二填充物；對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕，形成淺溝槽；接著對所述淺溝槽進行填充，形成淺溝槽隔離區(qū)?？蛇x的，形成所述淺溝槽隔離區(qū)包括去除位于所述深溝槽內的部分第二填充物，形成殘留第二填充物；對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕，形成淺溝槽；接著對所述淺溝槽進行填充，形成淺溝槽隔離區(qū)?？蛇x的，所述對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕后，還保留有部分厚度的外延層。與現有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用第一填充物和第二填充物對深溝槽進行填充形成深溝槽隔離區(qū)，并對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層，通過所述阻擋層可避免第一填充物暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，可以減小后續(xù)殘余的第二填充層厚度或不需要保留殘余的第二填充層，進一步提高深溝槽和淺溝槽的工藝處理空間。通過直接對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層，工藝簡單。


圖I和圖2是現有技術相變存儲器結構的不意圖。圖3為圖I相變存儲器結構的俯視結構示意圖。
圖4 圖7為現有技術相變存儲器結構的剖面示意圖。圖8 圖29為本發(fā)明一個實施例的對應相變存儲器的制造方法的結構示意圖。
具體實施例方式如圖7所示，現有技術形成的淺溝槽深度將不大于刻蝕掉的凹陷兩側的襯底材料厚度，而刻蝕掉的凹陷兩側的襯底材料的高度受限于第一刻蝕殘留的第二填充物20V的高度。進一步地，殘留的第二填充物209'又受到第一填充物208厚度的影響。上述對應關系對第一刻蝕提出了較高的要求，并且隨著特征尺寸的下降，會減小第一刻蝕的工藝處理空間，進一步增加了工藝難度。所以通過形成殘留的第二填充物209'以避免第一填充物208暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，會減小第一刻蝕和第二刻蝕的工藝處理空間，且厚度尺寸比較難以控制。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種相變存儲器的制造方法，包括，提供半導體基 底，所述半導體基底至少包含有襯底，依次位于襯底上的阱區(qū)、外延層；圖案化刻蝕所述阱區(qū)、外延層，形成深溝槽；依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)，所述第二填充層位于所述第一填充層表面；其中，采用第二填充層填充深溝槽前，還包括對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層。通過采用第一填充物和第二填充物對深溝槽進行填充形成深溝槽隔離區(qū)，并對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層，通過所述阻擋層可避免第一填充物暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，可以減小后續(xù)殘余的第二填充層或不需要保留殘余的第二填充層，進一步提高深溝槽和淺溝槽的工藝處理空間。為了使本領域技術人員更好的理解本發(fā)明，下面結合附圖以及具體實施例詳細說明本發(fā)明一個實施例的相變存儲器制造方法的形成方法。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。下面結合附圖和具體實施例進一步描述本發(fā)明的技術方案。參考圖8 圖29示出了本發(fā)明一個實施例的對應的相變存儲器的制造方法的結構示意圖。參考圖8，提供半導體基底，所述半導體基底包含有襯底301，依次位于襯底301上的阱區(qū)302、外延層303、第二硬掩模層304和第一硬掩模層305。在本實施例中，所述阱區(qū)302是通過對襯底301進行離子摻雜所形成的；所述第二硬掩模層304的材料為氮化硅，所述第一硬掩模層305的材料為氧化娃。一并參考圖8和圖9，在所述第一硬掩模層305上形成第一光刻膠圖形320，并以所述第一光刻膠圖形320刻蝕所述第一硬掩模層305，形成第一硬掩模圖形315。如圖10所示為圖9結構的俯視示意圖。其中，所述圖9為沿圖10中XX^方向的剖面示意圖。如圖10所示，所述第一光刻膠圖形320包括多個沿第一方向的相互平行的條狀圖形，刻蝕后所述第一光刻膠圖形320之間暴露出部分第二硬掩模層304。一并參考圖10和圖11，通過干刻去除第一光刻膠圖形320露出第一硬掩模圖形315 ;去除所述第一光刻膠圖形320后，以形成的第一硬掩模圖形315為掩模，圖形化所述第二硬掩模層304、外延層303、阱區(qū)302及部分襯底301，形成深溝槽306，所述深溝槽306的深度至少超過阱區(qū)302的底部，內嵌入所述襯底301內部。如圖12所示為圖11結構的俯視示意圖。其中，所述圖11為沿圖12中XX^方向的剖面不意圖。相鄰的第一硬掩模圖形315之間暴露出襯底301表面。接著，在形成所述深溝槽306之后，去除所述第一硬掩模圖形315。一并參考圖11和圖13，向所述深溝槽306中沉積襯墊層材料，形成覆蓋所述深溝槽306表面的襯墊層307。其中，所述襯墊層307用于相鄰的阱區(qū)302的隔離、相鄰的外延 層303的隔離。其中，所述阱區(qū)302對應于相變存儲器的字線，所述外延層303對應于相變存儲器的二極管。本實施例中，所述襯墊層307的材料為二氧化硅，但是本發(fā)明并不限制于此。參考圖14，向形成有襯墊層307的深溝槽內填充第一填充材料，并在填充完第一填充材料之后，通過回刻(etch back)去除部分第一填充材料，形成第一填充層308。剩余的溝槽空間將通過后續(xù)沉積的第二填充層填充。其中，與第二填充層比較，所述第一填充層308更適于填充深溝槽，且第一填充層308更加致密。因為一般地后續(xù)刻蝕外延層303以形成淺溝槽隔離區(qū)時，刻蝕外延層303的刻蝕環(huán)境也會同時刻蝕所述第一填充材料，所述第二填充層可避免暴露所述第一填充層308的表面，以避免所述第一填充層308同時被刻蝕。進一步地，所述第一填充層308的厚度需滿足不高于后續(xù)淺溝槽刻蝕工藝后剩余的外延層303的高度，即其上表面位于外延層303的上表面和下表面之間。以避免暴露所述第一填充層308的表面，進一步避免所述第一填充層308同時被刻蝕。本實施例中，所述第一填充材料為多晶硅(poly)，但是本發(fā)明并不限制于此。其中，因多晶硅填充性能及致密度較好，較佳地選擇多晶硅。參考圖15，對所述第一填充層308的表面進行處理工藝，在所述第一填充層308的表面形成阻擋層318。所述對所述第一填充層308表面進行處理，包括對所述第一填充層308進行氧化工藝或氮化工藝，所述阻擋層318為氧化硅或氮化硅。本實施例中，所述阻擋層318為直接對所述第一填充層308氧化形成的氧化硅。后續(xù)刻蝕外延層303的刻蝕環(huán)境中，所述阻擋層318可以阻擋所述第一填充層308表面暴露在所述刻蝕環(huán)境中，進一步避免所述第一填充層308同時被刻蝕。參考圖16，在所述阻擋層318上沉積第二填充材料3091，直至填滿深溝槽，所述第二填充材料3091可以使不同存儲單元之間絕緣。本實施例中，所述第二填充材料3091為無定形碳。參考圖17，通過平坦化工藝去除多余的無定形碳，直至露出第二硬掩模層304，最后形成位于第一填充層308上的第二填充層309，所述第二填充層309與第二硬掩模層304的上表面齊平。本實施例中，所述平坦化工藝為化學機械研磨(Chemical MechanicalPolishing, CMP)。
圖11 圖17示出的深溝槽的側壁為垂直于所述襯底301，實際工藝中通過刻蝕形成的深溝槽呈倒梯形，使得填充于深溝槽中的填充層也形成倒梯形的輪廓。如圖18所示，所述深溝槽呈倒梯形，使得填充于深溝槽中的第一填充層308、阻擋層318及第二填充層309也形成倒梯形的輪廓。如圖19所示為圖18的俯視圖，圖18為圖19中XX^方向的剖面示意圖。所述第二硬掩模層304沿與所述XX'方向垂直的方向延伸，各條所述第二硬掩模層304在所述XX'方向上排布，所述方向定義為第一方向。如圖20所示，在與所述第一方向垂直的第二方向，即CCT方向上形成第二光刻膠圖形321。所述第二光刻膠圖形321包括沿第二方向相互平行的條狀圖形。
如圖21所示為圖20沿所述CCT方向的剖面示意圖，所述第二光刻膠圖形321位于所述第二硬掩模層304表面。如圖22所示，通過刻蝕(例如干刻)去除第二光刻膠圖形321所露出的第二硬掩模層，暴露出未被遮擋的外延層303表面，并形成位于外延層303上的第二硬掩模圖形314(如圖23所示)。如圖23所示為圖22沿第二方向，即CCi方向的剖面示意圖，形成有位于外延層303上的第二硬掩模圖形314。轉移所述第二光刻膠圖形321至所述第二硬掩模層304以形成第二硬掩模圖形314后，去除所述第二光刻膠圖形321。如圖24所示為圖22沿BB'方向的剖面示意圖，所述沿BB'方向的剖面示意圖為沿未形成有第二光刻膠圖形321的第二方向進行截面所得。同時定義AA'方向，所述沿AA'方向的剖面為沿覆蓋有第二光刻膠圖形321的第二方向進行截面所得。繼續(xù)參考圖24，同時參考圖20。所述第二硬掩模層304(及與第二硬掩模層304同層的第二填充層309)被去除。需要說明的是，為了表示本實施例可以防止形成楔形殘留物，在圖24中的深溝槽以倒梯形深溝槽為示例。一并參考圖24和圖25，去除部分第二填充層309，形成由剩余第二填充層319和外延層303圍成的凹陷。本實施例中，通過灰化去除部分第二填充層309。作為其他實施例，如圖26所示還可以全部去除所述第二填充層309，僅保留所述阻擋層318作為后續(xù)刻蝕工藝中所述第一填充層308的阻擋層。本實施例中，以全部去除為例進行說明。若全部去除，則可以使得后續(xù)形成的淺溝槽的尺度更為寬裕。如圖27所示，以所述第二硬掩模圖形為掩模去除部分的外延層303，刻蝕后剩余外延層313的上表面高于所述阻擋層318的高度，以形成淺溝槽。由于阻擋層318厚度較小，低于剩余外延層313的上表面，因此，在去除外延層303的時候，所述阻擋層318不會遮擋外延層303，從而避免了外延層303楔形殘留物的產生。如圖28所示，為圖27所示結構的俯視圖。圖27為圖28沿BBi方向的剖面示意圖。如圖29所示為圖28所示結構沿CCi方向的剖面示意圖。在去除部分外延層303后，形成由外延層303圍成的淺溝槽315。后續(xù)還包括向淺溝槽中填充絕緣材料形成隔離區(qū)，及后續(xù)形成相變電阻、位線等步驟，與現有技術相同，在此不再贅述。
需要說明的是，在上述實施例中，第二填充層的材料為無定形碳，但是本發(fā)明并不限制于此，還可以是諸如聚合物、光阻、抗反射層(Anti-Reflective-Coating ARC)等其他介質材料，只要所述第二填充層材料可以通過灰化方法以及平坦化工藝去除即可，本領域技術人員可以根據上述實施例對本發(fā)明進行修改、替換和變形。與現有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用第一填充物和第二填充物對深溝槽進行填充形成深溝槽隔離區(qū)，并對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層，通過所述阻擋層可避免第一填充物暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，可以減小后續(xù)殘余的第二填充層厚度或不需要保留殘余的第二填充層，進一步提高深溝槽和淺溝槽的工藝處理空間。通過直接對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層， 工藝簡單。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種相變存儲器的制造方法，其特征在于，包括提供半導體基底，所述半導體基底至少包含有襯底，依次位于襯底上的阱區(qū)、外延層； 圖案化刻蝕所述阱區(qū)、外延層，形成深溝槽； 依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)，所述第二填充層位于所述第一填充層表面； 其中，采用第二填充層填充深溝槽前，還包括對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層。
2.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述對所述第一填充層表面進行處理，包括對所述第一填充層進行氧化工藝或氮化工藝，所述阻擋層為氧化硅或氮化硅。
3.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一填充層的材料為多晶娃。
4.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二填充層的材料為無定形碳。
5.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充包括首先采用第一填充層對深溝槽進行填充，所述第一填充層的高度位于外延層的上表面和下表面之間；對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層；接著采用第二填充層對深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)。
6.如權利要求5所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述首先采用第一填充層對深溝槽進行填充包括采用第一填充層的填充材料填充深溝槽，所述高度不小于所述外延層的高度；接著采用回刻蝕，形成第一填充層。
7.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充前，還包括在所述深溝槽表面形成襯墊層。
8.如權利要求I所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述深溝槽隔離區(qū)后，還包括在與所述深溝槽隔離區(qū)方向垂直的方向上，形成所述淺溝槽隔離區(qū)。
9.如權利要求8所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述淺溝槽隔離區(qū)包括去除位于所述深溝槽內的第二填充物，形成凹陷；對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕，形成淺溝槽；接著對所述淺溝槽進行填充，形成淺溝槽隔離區(qū)。
10.如權利要求8所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述淺溝槽隔離區(qū)包括去除位于所述深溝槽內的部分第二填充物，形成殘留第二填充物；對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕，形成淺溝槽；接著對所述淺溝槽進行填充，形成淺溝槽隔離區(qū)。
11.如權利要求9或10所述的相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述對位于所述深溝槽兩側的外延層進行刻蝕后，還保留有部分厚度的外延層。
全文摘要
一種相變存儲器的制造方法，包括提供半導體基底，所述半導體基底至少包含有襯底，依次位于襯底上的阱區(qū)、外延層；圖案化刻蝕所述阱區(qū)、外延層，形成深溝槽；依次采用第一填充層及第二填充層對所述深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離區(qū)，所述第二填充層位于所述第一填充層表面；還包括對所述第一填充層表面進行處理，形成位于所述第一填充層表面的阻擋層。本發(fā)明通過采用第一填充物和第二填充物對深溝槽進行填充形成深溝槽隔離區(qū)，并對所述第一填充物進行處理工藝形成阻擋層，通過所述阻擋層可避免第一填充物暴露在后續(xù)刻蝕環(huán)境中，可以減小后續(xù)殘余的第二填充層厚度或不需要保留殘余的第二填充層，進一步提高深溝槽和淺溝槽的工藝處理空間。
文檔編號H01L45/00GK102956818SQ20111024034
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權日2011年8月19日
發(fā)明者何其旸, 張翼英 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司