專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種能改善電流聚集的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode,以下皆簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED)具有高亮度、體積小、重量輕、不易破損、低耗電量和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用各式顯示產(chǎn)品中，其發(fā)光原理為，當(dāng)施予二極管順向偏壓時(shí)，P型區(qū)的多數(shù)載子電洞會(huì)往η型區(qū)移動(dòng)，而η型區(qū)的多數(shù)載子電子則往P型區(qū)移動(dòng)，最后電子與電洞兩載子會(huì)在P-n接面的空乏區(qū)復(fù)合，此時(shí)因電子 由傳導(dǎo)帶移轉(zhuǎn)至價(jià)帶后喪失能階，同時(shí)以光子的模式釋放出能量而產(chǎn)生光。在傳統(tǒng)的水平式LED裝置中，接觸電極設(shè)計(jì)為水平位向，容易產(chǎn)生電流聚集的問(wèn)題。例如，電子在η型外延層和P型外延層中橫向流動(dòng)不等的距離，而導(dǎo)致LED的發(fā)光不均。此外，LED的接觸電極勢(shì)必要覆蓋在發(fā)光面上，損失了發(fā)光面積，僅有約65%的發(fā)光面積可被利用。使用垂直式LED裝置可改善水平式LED裝置所遭遇的上述問(wèn)題。在垂直式LED結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)電極分別位于LED的η型外延層和P型外延層的兩側(cè)，由于全部的P型外延層皆可作第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過(guò)LED外延層，極少橫向流動(dòng)的電流，可以改善平面結(jié)構(gòu)的電流分布問(wèn)題，提高發(fā)光效率，同時(shí)也可解決P型接觸電極的遮光問(wèn)題，提升LED結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積。一般的垂直式LED結(jié)構(gòu)的η型接觸電極設(shè)置于LED芯片的上表面上。一般而言，越多的金屬接觸電極設(shè)置于LED芯片表面上，可讓LED芯片的電流分布更均勻。然而，設(shè)置于垂直式LED結(jié)構(gòu)的芯片表面上的金屬接觸電極會(huì)有吸光及阻擋光萃取的問(wèn)題。再者，由于電子載子及電洞載子會(huì)相互吸引的關(guān)系，亦容易在η型接觸電極附近發(fā)生電流聚集，導(dǎo)致LED芯片發(fā)光不均?；谏鲜?，為克服上述問(wèn)題，業(yè)界亟需一種創(chuàng)新的發(fā)光二極管制程與封裝結(jié)構(gòu)來(lái)解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括一基板，其上具有一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層及該第一半導(dǎo)體層依序堆棧于該第二半導(dǎo)體層上，且該第一及該第二半導(dǎo)體層具有相反的導(dǎo)電型態(tài)，且其中該第一半導(dǎo)體層包含一第一層及一第二層，該第一層的導(dǎo)電性較該第二層高；一第一接觸電極，位于第二半導(dǎo)體層與該基板之間，并具有一突出部分延伸至該第一半導(dǎo)體層中；一阻障層，順應(yīng)性覆蓋于該第一接觸電極上，但暴露出該突出部分的頂部；以及一第二接觸電極，位于該第二半導(dǎo)體層及該第一接觸電極之間，與第二半導(dǎo)體層直接接觸，且藉由該阻障層與該第一接觸電極電性隔離。
本發(fā)明實(shí)施例亦提供了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一第一基板；依序形成一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二半導(dǎo)體層于該第一基板上，其中該第一及該第二半導(dǎo)體層具有相反的摻雜型態(tài)，且其中該第一半導(dǎo)體層包含一第一層及一第二層，該第一層的導(dǎo)電性較該第二層高；形成一第一開(kāi)口穿透該第二半導(dǎo)體層及該發(fā)光層并延伸至該第一半導(dǎo)體層中；形成一第一接觸電極于該第二半導(dǎo)體層的上表面上；形成一阻障層，覆蓋該第一接觸電極及內(nèi)襯于該第一開(kāi)口中；形成一第二接觸電極，覆蓋該阻障層且填滿該第一開(kāi)口 ；以及形成一第二基板于該第二接觸電極上，并移除該第一基板。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖I 16顯示為依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法于各種中間階段的剖面圖。附圖標(biāo)記·102:生長(zhǎng)基板104 :緩沖層106 :第一半導(dǎo)體層106a :外延層106b :外延層108:開(kāi)口110:犧牲組件112:發(fā)光層114:第二半導(dǎo)體層116:圖案化光阻層118:開(kāi)口120 :填充材料122:接觸電極124:阻障層126:接觸電極130:金屬結(jié)合層140 :承載基板144:導(dǎo)電墊
具體實(shí)施例方式本發(fā)明接下來(lái)將會(huì)提供許多不同的實(shí)施例以實(shí)施本發(fā)明中不同的特征。各特定實(shí)施例中的組成及配置將會(huì)在以下作描述以簡(jiǎn)化本發(fā)明。這些為實(shí)施例并非用于限定本發(fā)明。此外，在本說(shuō)明書(shū)的各種例子中可能會(huì)出現(xiàn)重復(fù)的組件符號(hào)以便簡(jiǎn)化描述，但這不代表在各個(gè)實(shí)施例和/或圖示之間有何特定的關(guān)聯(lián)。此外，一第一組件形成于一第二組件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含實(shí)施例中的該第一組件與第二組件直接接觸，或也可包含該第一組件與第二組件之間還有其它額外組件使該第一組件與第二組件無(wú)直接接觸。本發(fā)明實(shí)施例系提供高發(fā)光效率的發(fā)光二極管裝置及其制造方法。在此LED裝置中，可有效改善電流聚集的問(wèn)題，且避免接觸電極設(shè)置于LED芯片表面上來(lái)吸光或阻擋光萃取。參見(jiàn)圖I 16，其顯示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法于各種中間制程的剖面圖，以下將以這些圖示為參考，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。參見(jiàn)圖1，首先為提供一生長(zhǎng)基板102，其可為任何適合一發(fā)光二極管半導(dǎo)體層生長(zhǎng)的基板，例如氧化鋁基板(藍(lán)寶石基板)、碳化硅基板、或砷化鎵基板等。生長(zhǎng)基板102上配置有緩沖層104及第一半導(dǎo)體層106。緩沖層104的材質(zhì)可為GaN、AlN、AlGaN或前述
的組合，其可提供于其上形成的第一半導(dǎo)體層106在生長(zhǎng)時(shí)具有良好的緩沖效果而不易破m
ο參見(jiàn)圖2，形成第一半導(dǎo)體層106于生長(zhǎng)基板102上，其中第一半導(dǎo)體層106包含導(dǎo)電性不同的外延層106a及外延層106b。外延層106a及外延層106b可例如為η型外延層，具有η型摻質(zhì)摻于其中。在一實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層的外延層106a及外延層106b可由不同材質(zhì)形成，且外延層106a的組成材料相較于外延層106b的組成材料具有較高的導(dǎo)電性(即電阻值較低)。例如，外延層106a可包含GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述的組合。外延層106b可包含GaN、AlGaN、GaP、GaAsP或前述的組合、或前述的組合。在另一實(shí)施例中，外延層106a及外延層106b可由相同材質(zhì)形成， 但具有不同的摻雜濃度。例如，外延層106a及外延層106b皆由例如GaN、AlGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP或前述的組合形成，且外延層106a的摻雜濃度為1E18至5E19，外延層106b的摻雜濃度為約1E17至5E19。外延層106a的摻雜濃度可較外延層106b高。在外延層106a及外延層106b由不同材質(zhì)形成的實(shí)施例中，夕卜延層106a及外延層106b可分別依序由任意合適的外延方法形成發(fā)光層112上，隨后再進(jìn)行一摻雜程序?qū)ν庋訉?06a及外延層106b作相同濃度的摻雜，以使外延層106a及外延層106b具有實(shí)質(zhì)上相同的摻雜濃度。在外延層106a及外延層106b由相同材質(zhì)形成的實(shí)施例中，可直接形成一相對(duì)較厚的外延層于發(fā)光層112上，再以不同的布植濃度及強(qiáng)度分別對(duì)外延層106a及外延層106b作摻雜。或者，可對(duì)此相對(duì)較厚的外延層進(jìn)行作梯度式的布植。在一實(shí)施例中，夕卜延層106a的厚度可為約O. I 5. O μ m,外延層106b的厚度可為約O. 01
I.O μ m。外延層106a及外延層106b皆可由任意的外延生長(zhǎng)方法形成，例如化學(xué)氣相外延法(chemical vapor deposition, CVD)、有機(jī)金屬化學(xué)氣相外延法(metal organic chemicalvapor deposition,M0CVD)、離子增強(qiáng)化學(xué)氣相外延法(plasma enhanced chemical vapordeposition, PECVD)、分子束外延法(molecular beam epitaxy)、氫化物氣相外延法(hydride vapor phase epitaxy)、或?yàn)╁懛?sputter)。值得注意的是，雖然圖2中僅顯示的外延層106b位于外延層106a上方，然而，可了解的是，外延層106a及外延層106b的位置亦可作交換。例如，外延層106a可配置于外延層10 之上(未顯不)。參見(jiàn)圖3，于第一半導(dǎo)體層106的外延層106a及外延層106b中形成至少一開(kāi)口108。開(kāi)口 108可由微影蝕刻制程形成。在一實(shí)施例中，開(kāi)口 108可為方形、三角形、圓形、橢圓形、多邊形或其它任意形狀，其半徑可為約50 150 μ m。此外，雖然圖3中僅顯示開(kāi)口 108形成于外延層106a及外延層106b中。然而，在另一實(shí)施例中，開(kāi)口 108可僅位于第二半導(dǎo)體層114的外延層106b中，未接觸至下方的外延層106a(未顯不)。在其它實(shí)施例中，開(kāi)口 108的底部可穿透第一半導(dǎo)體層106的外延層106a而接觸至第一半導(dǎo)體層106與緩沖層104之間的界面(未顯示)。接著，參見(jiàn)圖4，于開(kāi)口 108中形成一犧牲組件110，且犧牲組件110具有一部分凸出于開(kāi)口 108及第一半導(dǎo)體層106外。犧牲組件110的材質(zhì)可包含被離子布植所形成的高阻質(zhì)區(qū)塊或氧化物、或前述的組合。在一實(shí)施例中，犧牲組件110可由沉積制程(例如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍、濺鍍)沉積后，再經(jīng)微影蝕刻制程形成。犧牲組件110可為梯形柱體、方形柱體、圓柱體、角錐形柱體或其它任意立體形狀，其高度可為I. O 10. O μ mD參見(jiàn)圖5，依序形成發(fā)光層112及第二半導(dǎo)體層114于第一半導(dǎo)體層106上。發(fā)光層112可為半導(dǎo)體發(fā)光層,且可包含有多重量子講(multiple quantum weIl7MQff)結(jié)構(gòu)。發(fā)光層112的材質(zhì)可選自III-V族的化學(xué)元素、II-VI族的化學(xué)元素、IV族的化學(xué)元素、IV-IV族的化學(xué)元素。第二半導(dǎo) 體層114可具有與第一半導(dǎo)體層106相反的導(dǎo)電型態(tài)。例如，第二半導(dǎo)體層114可為P型外延層。第二半導(dǎo)體層114的材質(zhì)亦可選自III-V族的化學(xué)元素、II-VI族的化學(xué)元素、IV族的化學(xué)元素、IV-IV族的化學(xué)元素或前述的組合，例如GaN、AlGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP或前述的組合。第二半導(dǎo)體層114可由任意的外延生長(zhǎng)方法形成，例如化學(xué)氣相外延法、有機(jī)金屬化學(xué)氣相外延法、離子增強(qiáng)化學(xué)氣相外延法、分子束外延法、氫化物氣相外延法、或?yàn)R鍍法。第二半導(dǎo)體層114的厚度可為O. I 5. O μ m。在一實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層114可外延生長(zhǎng)至超過(guò)犧牲組件110的頂部，再以例如化學(xué)機(jī)械研磨移除過(guò)剩的第二半導(dǎo)體層114，以達(dá)到所欲的第二半導(dǎo)體層114的厚度并暴露出犧牲組件110。發(fā)光層112及第二半導(dǎo)體層的外延層106a及外延層106b皆可由任意的外延方法形成，例如可與第一半導(dǎo)體層106由相同方法形成。值得注意的是，第二半導(dǎo)體層與第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型態(tài)亦可交換。例如第一半導(dǎo)體層106為η型外延層，第二半導(dǎo)體層114為P型外延層。接著，參見(jiàn)圖6，形成圖案化光阻層116于第二半導(dǎo)體層上。圖案化光阻層116覆蓋整個(gè)第二半導(dǎo)體層114，并僅暴露出犧牲組件110。參見(jiàn)圖7，以蝕刻制程移除犧牲組件110，形成開(kāi)口 118。開(kāi)口 118可具有對(duì)應(yīng)于犧牲組件110的形狀。蝕刻制程可包含濕蝕刻制程或干蝕刻制程。在一實(shí)施例中，由于濕蝕刻制程會(huì)有側(cè)蝕(undercut)的現(xiàn)象產(chǎn)生，可能在移除犧牲組件110的同時(shí)，亦對(duì)開(kāi)口 118頂部附近的第二半導(dǎo)體層114有部分蝕刻，進(jìn)而擴(kuò)大開(kāi)口 118的頂部，如此亦有利于在隨后于開(kāi)口 118中沉積阻障層及接觸電極時(shí)減少氣泡或缺陷產(chǎn)生。接著，參見(jiàn)圖8，移除圖案化光阻層116。接著，參見(jiàn)圖9，于開(kāi)口 118中形成凸出于第二半導(dǎo)體層114外的填充材料120。在一實(shí)施例中，填充材料120可與犧牲組件110由相同或類似的材質(zhì)及方法形成。填充材料120的頂部與第二半導(dǎo)體層114的上表面之間可具有約O. 001 O. 5μπι的高度差，此高度差可決定隨后形成的接觸電極122的厚度。例如，參見(jiàn)圖10，接觸電極122形成于第二半導(dǎo)體層上。接觸電極122可包含奧姆接觸材料(例如鈀、鉬、鎳、金、銀、或其組合)、透明導(dǎo)電材料(例如氧化鎳、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁、或氧化鋅錫)、反射層或前述的組合。例如，接觸電極122可為奧姆接觸材料與反射層的結(jié)合，以反射由發(fā)光層112所發(fā)出來(lái)的光，增加光萃取效率。在一實(shí)施例中，接觸電極122尚可包含一絕緣保護(hù)層(未顯示)，此絕緣保護(hù)層可由氮化硅、氧化硅、其它介電材料或前述的組合。再者，在一實(shí)施例中，接觸電極122與開(kāi)口 118的頂部具有約IOym的水平間隔。亦即，接觸電極122自開(kāi)口118的位置內(nèi)縮了約10 μ m。如此，可有效減少電子載子及電洞載子在接觸電極122附近結(jié)合的機(jī)率。接著，參見(jiàn)圖11，形成阻障層124順應(yīng)性地覆蓋開(kāi)口 118的側(cè)壁、接觸電極122及第二半導(dǎo)體層114的表面。阻障層124可包含氮化硅、氧化硅、其它介電材料或前述的組合。阻障層124的厚度可為O. 01 0.5 μ m。阻障層124可在由化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等沉積方法順應(yīng)性形成于開(kāi)口 118的底部及側(cè)壁上后，再經(jīng)由微影蝕刻制程移除阻障層124的位于開(kāi)口 118底部的部分。接著，參見(jiàn)圖12，形成接觸電極126于開(kāi)口 118中。在一實(shí)施例中，接觸電極126可完全覆蓋接觸電極122及第二半導(dǎo)體層114。如此，接觸電極122可包形成于開(kāi)口 118中的突出部分及覆蓋于第二半導(dǎo)體層114及接觸電極122上的水平部分。接觸電極126的突出部分藉由阻障層124與第二半導(dǎo)體層114及發(fā)光層112電性隔離，僅經(jīng)由開(kāi)口 118底部與第一半導(dǎo)體層106電性接觸。接觸電極126的水平部分藉由阻障層124與接觸電極122電性隔離。接觸電極126可包含奧姆接觸材料(例如！、鉬、鎳、金、銀、或其組合)、透明導(dǎo)電材料(例如氧化鎳、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁、或氧化鋅錫)或前述的組合。接著，參見(jiàn)圖13，形成金屬結(jié)合層130于接觸電極126上。金屬結(jié)合層130可包含Au、Sn、In、前述的合金或前述的組合。金屬結(jié)合層130的厚度可為O. 5 10 μ m。接著，參見(jiàn)圖14，結(jié)合承載基板140于金屬結(jié)合層130上。承載基板140可為一封裝基板，其上具有 已配置好的電路，以使接觸電極126電性連結(jié)至外部電路。接著，參見(jiàn)圖15，將生長(zhǎng)基板102移除。在一實(shí)施實(shí)施例中，可以激光剝離制程將生長(zhǎng)基板剝離(lift-off)。在另一實(shí)施例中，可以濕蝕刻制程將生長(zhǎng)基板102移除。緩沖層104亦可在移除生長(zhǎng)基板102時(shí)一并予以移除。最后，參見(jiàn)圖16，于承載基板140上的靠近側(cè)邊的位置移除部分的第一半導(dǎo)體層106、發(fā)光層112及第二半導(dǎo)體層114以形成一缺口。此缺口暴露出部分的接觸電極122，于暴露的接觸電極122上形成導(dǎo)電墊144，形成如本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。在此發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，第二半導(dǎo)體層114、發(fā)光層112及第一半導(dǎo)體層106依序堆棧于承載基板140上。第一半導(dǎo)體層106包含且導(dǎo)電性不同的外延層106a及外延層106b。接觸電極126包含穿透第二半導(dǎo)體層114及發(fā)光層112，并延伸至第一半導(dǎo)體層106中的突出部分及位于第一半導(dǎo)體層106及承載基板140之間的水平部分。阻障層124順應(yīng)性覆蓋于接觸電極126上，但暴露出接觸電極126的突出部分的頂部，以使接觸電極126與第一半導(dǎo)體層106直接接觸。接觸電極122位于接觸電極126及第二半導(dǎo)體層114之間，與第二半導(dǎo)體層114直接接觸，且藉由阻障層124與接觸電極122電性隔離。接觸電極122藉由導(dǎo)電墊144與外部電路電性連接，接觸電極126貝騰由金屬結(jié)合層130及承載基板140中的電路與外部電路電性連接。由于第一半導(dǎo)體層106的外延層106a及外延層106b具有不同的導(dǎo)電性，可減少電流在接觸電極126附近聚集的程度。例如，當(dāng)外延層106a相較于外延層106b具有較佳的導(dǎo)電性時(shí)，可將電流較為迅速分散至離距離接觸電極126與第一半導(dǎo)體層106的接面的外延層106a，使電流不會(huì)聚集在接觸電極126與第一半導(dǎo)體層106的接面附近。此外，由于接觸電極126與接觸電極122的突出部分具有5. O 20. O μ m的水平間隔?？捎行p少電子載子及電洞載子在接觸電極122附近結(jié)合的機(jī)率。再者，接觸電極126配置于LED封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，亦可避免接觸電極在LED封裝結(jié)構(gòu)表面上吸光或阻擋光萃取的問(wèn)題。如上述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可有效改善電流聚集而發(fā)光不均的問(wèn)題，并可提高發(fā)光效率。雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤(rùn)飾， 而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括 一基板，其上具有一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層及該第一半導(dǎo)體層依序堆棧于該第二半導(dǎo)體層上，且該第一及該第二半導(dǎo)體層具有相反的導(dǎo)電型態(tài)，且其中該第一半導(dǎo)體層包含一第一層及一第二層，該第一層的導(dǎo)電性較該第二層高； 一第一接觸電極，位于第二半導(dǎo)體層與該基板之間，并具有一突出部分延伸至該第一半導(dǎo)體層中； 一阻障層，順應(yīng)性覆蓋于該第一接觸電極上，但暴露出該突出部分的頂部；以及一第二接觸電極，位于該第二半導(dǎo)體層及該第一接觸電極之間，與第二半導(dǎo)體層直接接觸，且藉由阻障層與該第一接觸電極電性隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一層包含GaN、AlGaN、InGaN,AlInGaN, GaP、GaAsP, GaInP, AlGaInP, AlGaAs 或前述的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二層包含GaN、AlGaN,AlInGaN,GaP、GaAsP或前述的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二層堆棧于該第一層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一層堆棧于該第二層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一層具有一第一摻雜濃度，該第二層具有一第二摻雜濃度，且該第一摻雜濃度高于該第二摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一層的摻雜濃度介于1E18至5E19之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二接觸電極與該第一接觸電極的突出部分具有至少約10 μ m的水平間隔。
9.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括 提供一第一基板； 依序形成一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二半導(dǎo)體層于該第一基板上，其中該第一及該第二半導(dǎo)體層具有相反的摻雜型態(tài)，且其中該第一半導(dǎo)體層包含一第一層及一第二層，該第一層的導(dǎo)電性較該第二層高； 形成一第一開(kāi)口穿透該第二半導(dǎo)體層及該發(fā)光層并延伸至該第一半導(dǎo)體層中； 形成一第一接觸電極于該第二半導(dǎo)體層的上表面上； 形成一阻障層，覆蓋該第一接觸電極及內(nèi)襯于該第一開(kāi)口中； 形成一第二接觸電極，覆蓋該阻障層且填滿該第一開(kāi)口 ；以及 形成一第二基板于該第二接觸電極上，并移除該第一基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一層包含GaN、AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, GaAsP, GaInP, AlGaInP, AlGaAs 或前述的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二層包含GaN、AlGaN, AlInGaN, GaP、GaAsP 或前述的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第一半導(dǎo)體層包含 外延生長(zhǎng)該第一層于該發(fā)光層上；及 外延生長(zhǎng)該第二層于該第一層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第一半導(dǎo)體層包含 外延生長(zhǎng)該第二層于該發(fā)光層上；及 外延生長(zhǎng)該第一層于該第二層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第一半導(dǎo)體層包含 形成該第一層于該發(fā)光層上； 對(duì)該第一層進(jìn)行一或多次布植步驟，以使一部分的該第一層具有一第一摻雜濃度，且 一部分的該第一層形成一具有第二摻雜濃度的該第二層，其中該第一摻雜濃度高于該第二摻雜濃度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一摻雜濃度介于1E18至5E19之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該依序形成該第一半導(dǎo)體層、該發(fā)光層及該第二半導(dǎo)體層于該第一基板上的步驟包含 形成該第一半導(dǎo)體層； 在該第一半導(dǎo)體層中形成一第二開(kāi)口； 形成一犧牲組件于該第二開(kāi)口中，且凸出于該第一半導(dǎo)體層外； 依序形成該發(fā)光層及該第二半導(dǎo)體層于該第一半導(dǎo)體層上，且至少覆蓋該犧牲組件的側(cè)壁；及 移除該犧牲組件，形成該第一開(kāi)口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括基板、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及一第二半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第一半導(dǎo)體層依序堆棧于基板上，第一半導(dǎo)體層包含一第一層及一第二層，第一層的導(dǎo)電性較第二層高；第一接觸電極，位于第一半導(dǎo)體層與基板之間，并具有一突出部分延伸至此第二半導(dǎo)體層中；阻障層，順應(yīng)性覆蓋于第一接觸電極上，但暴露出此突出部分的頂部；及第二接觸電極，位于第一半導(dǎo)體層及第一接觸電極之間，與第二半導(dǎo)體層直接接觸，且藉由阻障層與第一接觸電極電性隔離。
文檔編號(hào)H01L33/14GK102881793SQ20111024550
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月13日
發(fā)明者朱瑞溢, 李佳恩, 方國(guó)龍, 陳俊榮, 郭奇文 申請(qǐng)人:隆達(dá)電子股份有限公司