專(zhuān)利名稱：倒裝封裝中用于提高可靠性的蓋式設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路封裝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種倒裝封裝中用于提高可靠性的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在集成電路的封裝中，尤其是倒裝封裝中，翹曲和應(yīng)力是由不同材料和不同封裝部件之間不匹配的熱膨脹系數(shù)(CTEs)產(chǎn)生的。在封裝結(jié)構(gòu)可靠性的改進(jìn)過(guò)程中，翹曲和應(yīng)力是主要考慮的因素。目前解決翹曲的方法是在封裝部件(如，封裝基板)上接合加強(qiáng)環(huán)。金屬蓋也接合至加強(qiáng)環(huán)。盡管加強(qiáng)環(huán)能夠減少封裝基板的翹曲，但會(huì)導(dǎo)致封裝被加強(qiáng)環(huán)所限制，并造成封裝部件(如，焊料凸塊和管芯)的表面間應(yīng)力較高。在可靠性測(cè)試中，封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)受多個(gè)周期的冷卻和加熱工藝，應(yīng)力可能導(dǎo)致凸塊開(kāi)裂，這表明在封裝結(jié)構(gòu)中存在可靠性問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種封裝結(jié)構(gòu)包括第一封裝部件；加強(qiáng)環(huán)，位于第一封裝部件上方且與其頂面接合；第二封裝部件，位于第一封裝部件上方且與其頂面接合，其中，所述第二封裝部件被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞；以及金屬蓋，位于所述加強(qiáng)環(huán)上方且與其接合，其中所述金屬蓋包括貫通開(kāi)口。在該封裝結(jié)構(gòu)中，所述貫通開(kāi)口位于被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞的至少一部分區(qū)域的上方且與其垂直重疊，以及所述封裝結(jié)構(gòu)還包括熱界面材料，其中，所述第二封裝部件通過(guò)熱界面材料與所述金屬蓋接合，且沒(méi)有所述貫通開(kāi)口位于所述第二封裝部件上方并與其垂直重疊。在該封裝結(jié)構(gòu)中，所述第一封裝部件和所述第二封裝部件選自主要由器件管芯、印刷電路板(PCB)、插入件、封裝基板及其組合組成的組；或者金屬蓋具有平坦的頂面；或者金屬蓋包括多個(gè)貫通開(kāi)口 ；或者在俯視所述封裝結(jié)構(gòu)的情況下，所述金屬蓋的任何點(diǎn)與所述金屬蓋的中性應(yīng)力中心之間的距離均不大于所述金屬蓋的寬度的一半。在該封裝結(jié)構(gòu)中，所述金屬蓋具有通過(guò)去除金屬蓋的角而形成的至少一個(gè)貫通開(kāi)口，且所述至少一個(gè)貫通開(kāi)口與所述加強(qiáng)環(huán)的一部分垂直重疊，所述至少一個(gè)貫通開(kāi)口的部分基本上均不延伸至加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間的正上方。該封裝結(jié)構(gòu)還包括散熱片，位于所述金屬蓋的上方，其中，所述散熱片包括與所述金屬蓋內(nèi)的所述貫通開(kāi)口垂直重疊的貫通開(kāi)口 ；以及熱界面材料，位于所述散熱片和所述金屬蓋之間且將二者粘接。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝基板；加強(qiáng)環(huán)，位于所述封裝基板上方且與其頂面接合；器件管芯，位于所述封裝基板上方且通過(guò)倒裝焊接與其頂面接合，其中，所述器件管芯被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞；金屬蓋，具有平坦的頂面，位于所述加強(qiáng)環(huán)上方且與其接合，其中，所述金屬蓋由均質(zhì)材料制成，所述金屬蓋具有多個(gè)貫通開(kāi)口，且基本上沒(méi)有所述貫通開(kāi)口位于器件管芯的上方且與其垂直重疊；以及第一熱界面材料，位于所述器件管芯和所述金屬蓋之間且將二者接合。在該封裝結(jié)構(gòu)中，所述多個(gè)貫通開(kāi)口的中心排列成圍繞所述金屬蓋的一部分的矩形，其中，所述金屬蓋的一部分位于器件管芯的上方且與其垂直重疊；或者在俯視所述封裝結(jié)構(gòu)的情況下，所述金屬蓋的任何點(diǎn)與所述金屬蓋的中性應(yīng)力中心之間的距中性點(diǎn)距離均不大于所述金屬蓋的寬度的一半；或者所述多個(gè)貫通開(kāi)口中的一個(gè)形成在金屬蓋的一角且與所述加強(qiáng)環(huán)的一部分垂直重疊，所述多個(gè)貫通開(kāi)口中的一個(gè)的部分基本上均不延伸至加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間的正上方。該封裝結(jié)構(gòu)還包括散熱片，位于所述金屬蓋上方，其中，所述散熱片包括與所述金屬蓋內(nèi)的所述多個(gè)貫通開(kāi)口垂直重疊的多個(gè)貫通開(kāi)口 ；以及第二熱界面材料，位于所述散熱片和所述金屬蓋之間且將二者粘接。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括將器件管芯接合在封裝基板的上方；將加強(qiáng)環(huán)接合在所述封裝基板的上方且圍繞所述器件管芯；以及將金屬蓋與所述器件管芯和所述加強(qiáng)環(huán)接合，其中，所述金屬蓋具有基本上平坦的頂面，且所述金屬蓋具有貫通開(kāi)口，由所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間通過(guò)貫通開(kāi)口露出。


為了更好地了解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，以下描述將結(jié)合附圖作為參考，其中圖1是包括具有貫通開(kāi)口(through-opening)的金屬蓋的封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖2和3是包括其中形成有貫通開(kāi)口的金屬蓋的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中圖2和3的貫通開(kāi)口具有不同設(shè)計(jì)。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明各實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)實(shí)施例提供了一種新型封裝結(jié)構(gòu)。描述了制造各個(gè)不同實(shí)施例的中間階段。討論了實(shí)施例的變型例和操作。貫穿不同附圖以及所描述的實(shí)施例，相同的參考標(biāo)號(hào)用于表示相同的元件。圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)100的橫截面圖。封裝結(jié)構(gòu)100包括封裝部件10及位于其上方的封裝部件12，封裝部件12接合至封裝部件10的頂面。在實(shí)施例中，封裝部件10是封裝基板(由此在下文中另稱為封裝基板10)。金屬連接線/通孔14在封裝部件10中，且將封裝基板10 —側(cè)的金屬凸塊16與封裝基板10相對(duì)側(cè)的金屬凸塊18電連接。金屬凸塊18也可以是球柵陣列(BGA)球狀物，例如，可用于將封裝基板10接合至印刷電路板(PCB，未顯示)。封裝部件10可不具有形成在其中的有源器件(例如，晶體管)，并且其中可能具有，也可能不具有無(wú)源器件(未顯示)。在可選實(shí)施例中，封裝部件10可能是印刷電路板(PCB)、插入件、器件管芯等。封裝部件12可以是包括有形成在其中的有源器件(未顯示)的器件管芯?？蛇x地，封裝部件12可能是插入件，該插入件包括從插入件的一側(cè)到相對(duì)側(cè)的金屬連接件(未顯示)。在封裝部件12是插入件的實(shí)施例中，封裝部件12可不具有其中形成的有源器件(例如，晶體管)，并且其中可能具有，也可能不具有無(wú)源器件(未顯示)。此外，當(dāng)封裝部件12是插入件時(shí)，一個(gè)或多個(gè)器件管芯(未顯示)可能接合至封裝部件12的頂面。在以下討論的示例性實(shí)施例中，封裝部件12也可以被稱為器件管芯12。在實(shí)施例中，加強(qiáng)環(huán)20位于封裝部件10之上，且通過(guò)粘合劑22接合至封裝部件10的頂面。加強(qiáng)環(huán)20可能由金屬材料構(gòu)成，但也可能由具有高楊氏模量(Young's module)的材料(例如陶瓷)構(gòu)成。此外，蓋M位于封裝部件12和/或加強(qiáng)環(huán)20上方，且接合至封裝部件12和/或加強(qiáng)環(huán)20。蓋M可具有平坦的頂面。蓋M可能整體由均質(zhì)材料構(gòu)成，即蓋M的所有部分都由相同材料構(gòu)成。在實(shí)施例中，蓋M是金屬蓋(因此在下文中稱為金屬蓋M)，比如包含銅，但也可以使用其它金屬或合金(例如鋁或鋁合金)。粘合劑沈可以用于將加強(qiáng)環(huán)20粘合至金屬蓋M，且熱界面材料(TIM)觀用于將蓋M粘合至封裝部件12。ΤΠΕ8具有高導(dǎo)熱性。因此，器件管芯12中產(chǎn)生的熱量可以散發(fā)至金屬蓋M，再向外部環(huán)境消散?？捎幸粋€(gè)或多個(gè)器件與封裝部件10接合且被加強(qiáng)環(huán)20所圍繞。例如，附加器件(如，無(wú)源器件，包括電容器、平衡-不平衡變壓器、器件管芯等(如所示為器件32))可以與封裝部件10接合，也可以被加強(qiáng)環(huán)20所圍繞。金屬蓋M內(nèi)包括一個(gè)或多個(gè)貫通開(kāi)口 30。在實(shí)施例中，貫通開(kāi)口 30位于不與器件管芯12垂直重疊的位置。因此，沒(méi)有貫通開(kāi)口 30直接位于ΤΠΕ8之上。可選擇地，散熱片40通過(guò)TIM42與金屬蓋對(duì)接合。散熱片40內(nèi)可以包括貫通開(kāi)口 44。在實(shí)施例中，貫通開(kāi)口 30和貫通開(kāi)口 44垂直重疊，使得冷空氣可以在空間34和空間34之外的外部環(huán)境之間循環(huán)，其中空間；34是由封裝基板10、加強(qiáng)環(huán)20和金屬蓋M限定的空間。圖2示出了圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中圖1所示的橫截面圖是通過(guò)圖2中的剖切平面1-1獲得的。在圖2所示的示例性實(shí)施例中，如果使用了散熱片40，其可與金屬蓋M重疊，且貫通開(kāi)口 30和貫通開(kāi)口 44可能彼此重疊，盡管可以彼此稍有錯(cuò)位。虛線用來(lái)表示加強(qiáng)環(huán)20，粘合劑22和粘合劑沈，器件管芯12和ΤΠΕ8的位置。應(yīng)該意識(shí)到，金屬蓋M具有下層材料(例如TIiCS和器件管芯1 不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)。這種CTE的不匹配使得在封裝部件10，12等內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。金屬蓋M可以具有中性應(yīng)力點(diǎn)，例如，在所示實(shí)施例中，可以是中心點(diǎn)48 (在俯視圖中)。在中性應(yīng)力點(diǎn)，應(yīng)力被各個(gè)方向的應(yīng)力所抵消。因此，處于中性應(yīng)力點(diǎn)48正下方的各個(gè)凸塊(例如圖1中的凸塊16)和其它材料都會(huì)受到小的應(yīng)力，該小的應(yīng)力可基本上是中性應(yīng)力(零應(yīng)力)。施加于封裝部件其它部分的應(yīng)力與它們和中性應(yīng)力點(diǎn)之間的距離(稱為距中性點(diǎn)距離(DNP))有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，某一點(diǎn)的DNP越大，該點(diǎn)的應(yīng)力越大。例如，如果金屬蓋M中沒(méi)有開(kāi)口30，那么角點(diǎn)50A的DNPl比50B點(diǎn)的DNP2大，角點(diǎn)50B是金屬蓋24的邊緣點(diǎn)。因此，角點(diǎn)50A處的應(yīng)力比邊緣點(diǎn)50B處的應(yīng)力大。此外，如果金屬蓋M中沒(méi)有開(kāi)口 30，那么邊緣點(diǎn)50B的DNP2比內(nèi)部點(diǎn)50C的DNP3大。因此，邊緣點(diǎn)50B處的應(yīng)力比內(nèi)部點(diǎn)50C處的應(yīng)力大。金屬蓋M的應(yīng)力也會(huì)傳導(dǎo)至下層封裝部件。因此，減小金屬蓋M處的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致下層封裝部件處的應(yīng)力減小。在實(shí)施例中，通過(guò)形成貫通開(kāi)口 30來(lái)減小金屬蓋M中的應(yīng)力。有幾種在金屬蓋中形成貫通開(kāi)口 30的方法，且貫通開(kāi)口 30可以被形成在具有顯著降低DNP作用的位置上。例如，貫通開(kāi)口 30的形成可以使所有從中性應(yīng)力點(diǎn)48到角點(diǎn)50A的應(yīng)力路徑都被切斷和縮小。此外，貫通開(kāi)口 30的形成使得沒(méi)有應(yīng)力路徑等于或大于L/2和W/2，L、W分別是金屬蓋M的長(zhǎng)和寬，其中寬W等于或小于長(zhǎng)L。通過(guò)減小DNP，封裝部件中所產(chǎn)生的應(yīng)力值降低，部分原因是由于去掉了產(chǎn)生應(yīng)力的(金屬蓋對(duì)的)材料。例如，去除用于貫通開(kāi)口 30的金屬可以減小應(yīng)力。圖2和圖3示出了兩個(gè)形成貫通開(kāi)口 30的示例性方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到利用本發(fā)明的教導(dǎo)還可以有其它多種形成貫通開(kāi)口 30的方法。在圖2和圖3中，貫通開(kāi)口 30可切斷并縮短應(yīng)力路徑60，應(yīng)力路徑60沿著從中性應(yīng)力點(diǎn)48到角點(diǎn)50A的方向延伸。此外，貫通開(kāi)口30可以切斷并縮短應(yīng)力路徑62，應(yīng)力路徑62沿著從中性應(yīng)力點(diǎn)48到垂直于金屬蓋M邊緣的方向。在圖2所示的示例性實(shí)施例中，貫通開(kāi)口 30的中心(標(biāo)示為30A)排列成矩形64。在圖3所示的可選實(shí)施例中，貫通開(kāi)口 30的中心(標(biāo)示為30B)正好處于角部，且可以與加強(qiáng)環(huán)20垂直重疊。在圖3所示的實(shí)施例中，通過(guò)去除金屬蓋M的角部而形成貫通開(kāi)口 30B。在另一些實(shí)施例中，貫通開(kāi)口 30B的全部或基本上全部與加強(qiáng)環(huán)20重疊，且貫通開(kāi)口 30B的任何一部分均未延伸至由加強(qiáng)環(huán)20圍繞的空間34正上方(參見(jiàn)圖1)。由于金屬蓋M中的貫通開(kāi)30與散熱片40中的貫通開(kāi)口 44重疊，空氣可以通過(guò)貫通開(kāi)口 30/44循環(huán)。因此，器件管芯12產(chǎn)生的熱量既可以通過(guò)傳導(dǎo)方式散發(fā)，也可以通過(guò)對(duì)流方式散發(fā)。再次參見(jiàn)圖1，對(duì)于傳導(dǎo)方式的散熱，器件12產(chǎn)生的熱量通過(guò)TIM28，金屬蓋M，TIM42散發(fā)至散熱片40。至于對(duì)流方式的散熱，空氣進(jìn)入并離開(kāi)空間34以帶走空間34內(nèi)的熱量。這尤其有益于散發(fā)由器件32產(chǎn)生的熱量，該熱量并沒(méi)有有效的傳導(dǎo)方式散熱途徑。由圖2和圖3所示，可能具有多種設(shè)計(jì)和制作貫通開(kāi)口 30的方法?？梢栽谙到y(tǒng)的層面考慮對(duì)于貫通開(kāi)口 30的位置和大小的設(shè)計(jì)，以便選擇有效的方案，且將傳導(dǎo)方式和對(duì)流方式散熱的組合效用最大化。此外，貫通開(kāi)口 30的設(shè)計(jì)也包含了降低DNP的效果，以便降低封裝部件的整體應(yīng)力。另外，通過(guò)形成貫通開(kāi)口 30，用于制作金屬蓋M的材料的量會(huì)減少。在某些實(shí)施例中，可節(jié)省材料36%。根據(jù)實(shí)施例，在封裝結(jié)構(gòu)中，加強(qiáng)環(huán)位于第一封裝部件的上方且與其頂面接合。第二封裝部件位于第一封裝部件的上方且與其頂面接合，并由加強(qiáng)環(huán)所圍繞。金屬蓋位于加強(qiáng)環(huán)的上方并與其接合。該金屬蓋具有貫通開(kāi)口。根據(jù)其它實(shí)施例，封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板；加強(qiáng)環(huán)，位于封裝基板的上方且與其頂面接合。器件管芯位于封裝基板的上方且通過(guò)倒裝焊接與其頂面接合，其中器件管芯被加強(qiáng)環(huán)所圍繞。金屬蓋具有平坦的頂面，且處于加強(qiáng)環(huán)的上方并與其接合。該金屬蓋由均質(zhì)材料制成且包括多個(gè)貫通開(kāi)口，其中基本上沒(méi)有任何貫通開(kāi)口位于器件管芯的上方并與其垂直重疊。熱界面材料位于器件管芯和金屬蓋之間并將它們接合。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu)包括第一封裝部件；加強(qiáng)環(huán)，位于第一封裝部件上方且與其頂面接合；第二封裝部件，位于第一封裝部件上方且與其頂面接合，其中，所述第二封裝部件被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞；以及金屬蓋，位于所述加強(qiáng)環(huán)上方且與其接合，其中所述金屬蓋包括貫通開(kāi)口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述貫通開(kāi)口位于被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞的至少一部分區(qū)域的上方且與其垂直重疊，以及所述封裝結(jié)構(gòu)還包括熱界面材料，其中，所述第二封裝部件通過(guò)熱界面材料與所述金屬蓋接合，且沒(méi)有所述貫通開(kāi)口位于所述第二封裝部件上方并與其垂直重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一封裝部件和所述第二封裝部件選自主要由器件管芯、印刷電路板(PCB)、插入件、封裝基板及其組合組成的組；或者金屬蓋具有平坦的頂面；或者金屬蓋包括多個(gè)貫通開(kāi)口 ；或者在俯視所述封裝結(jié)構(gòu)的情況下，所述金屬蓋的任何點(diǎn)與所述金屬蓋的中性應(yīng)力中心之間的距離均不大于所述金屬蓋的寬度的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬蓋具有通過(guò)去除金屬蓋的角而形成的至少一個(gè)貫通開(kāi)口，且所述至少一個(gè)貫通開(kāi)口與所述加強(qiáng)環(huán)的一部分垂直重疊，所述至少一個(gè)貫通開(kāi)口的部分基本上均不延伸至加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間的正上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括散熱片，位于所述金屬蓋的上方，其中，所述散熱片包括與所述金屬蓋內(nèi)的所述貫通開(kāi)口垂直重疊的貫通開(kāi)口 ；以及熱界面材料，位于所述散熱片和所述金屬蓋之間且將二者粘接。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝基板；加強(qiáng)環(huán)，位于所述封裝基板上方且與其頂面接合；器件管芯，位于所述封裝基板上方且通過(guò)倒裝焊接與其頂面接合，其中，所述器件管芯被所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞；金屬蓋，具有平坦的頂面，位于所述加強(qiáng)環(huán)上方且與其接合，其中，所述金屬蓋由均質(zhì)材料制成，所述金屬蓋具有多個(gè)貫通開(kāi)口，且基本上沒(méi)有所述貫通開(kāi)口位于器件管芯的上方且與其垂直重疊；以及第一熱界面材料，位于所述器件管芯和所述金屬蓋之間且將二者接合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)貫通開(kāi)口的中心排列成圍繞所述金屬蓋的一部分的矩形，其中，所述金屬蓋的一部分位于器件管芯的上方且與其垂直重疊；或者在俯視所述封裝結(jié)構(gòu)的情況下，所述金屬蓋的任何點(diǎn)與所述金屬蓋的中性應(yīng)力中心之間的距中性點(diǎn)距離均不大于所述金屬蓋的寬度的一半；或者所述多個(gè)貫通開(kāi)口中的一個(gè)形成在金屬蓋的一角且與所述加強(qiáng)環(huán)的一部分垂直重疊，所述多個(gè)貫通開(kāi)口中的一個(gè)的部分基本上均不延伸至加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間的正上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括散熱片，位于所述金屬蓋上方，其中，所述散熱片包括與所述金屬蓋內(nèi)的所述多個(gè)貫通開(kāi)口垂直重疊的多個(gè)貫通開(kāi)口 ；以及第二熱界面材料，位于所述散熱片和所述金屬蓋之間且將二者粘接。
9.一種方法，包括將器件管芯接合在封裝基板的上方；將加強(qiáng)環(huán)接合在所述封裝基板的上方且圍繞所述器件管芯；以及將金屬蓋與所述器件管芯和所述加強(qiáng)環(huán)接合，其中，所述金屬蓋具有基本上平坦的頂面，且所述金屬蓋具有貫通開(kāi)口，由所述加強(qiáng)環(huán)所圍繞的空間通過(guò)貫通開(kāi)口露出。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括通過(guò)熱界面材料將散熱片與所述金屬蓋接合，其中，所述散熱片包括與所述金屬蓋內(nèi)的所述貫通開(kāi)口垂直重疊的貫通開(kāi)口 ；或者沒(méi)有所述金屬蓋中的貫通開(kāi)口位于所述器件管芯且與其垂直重疊；或者所述金屬蓋通過(guò)熱界面材料與所述器件管芯接合，且所述金屬蓋通過(guò)粘合劑與所述加強(qiáng)環(huán)接合。
全文摘要
在封裝結(jié)構(gòu)中，加強(qiáng)環(huán)位于第一封裝部件的上方且與其頂面接合。第二封裝部件位于第一封裝部件的上方且與其頂面接合，且第二封裝部件被加強(qiáng)環(huán)所圍繞。金屬蓋位于加強(qiáng)環(huán)的上方且與其接合。金屬蓋具有貫通開(kāi)口。本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝封裝中用于提高可靠性的蓋式設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)H01L23/02GK102593072SQ20111024926
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月14日
發(fā)明者張國(guó)欽, 林宗澍, 林文益, 林柏堯, 王守怡 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司