專利名稱：垂直式二極管元件及二極管陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，且特別涉及一種垂直式二極管元件與二極管陣列。
背景技術(shù)：
存儲器元件的研發(fā)趨勢都是往小尺寸發(fā)展。有些存儲器元件可清楚分成存儲器本身與選擇器(selector)，而有些存儲器元件則將兩者合并在一起。一般而言，若兩者分開，較容易最佳化存儲器元件。而兩者合并，則容易縮小元件尺寸。可利用二極管元件作為存儲器元件的選擇器。要達(dá)成最小面積，二極管元件必須 是共基極的結(jié)構(gòu)，但共基極結(jié)構(gòu)最大的缺點(diǎn)就是大的基極串聯(lián)電阻。當(dāng)存儲器陣列太大時(shí)，基極串聯(lián)電阻會產(chǎn)生大的電壓降，可能導(dǎo)致陣列尾端的存儲器元件因電壓過低而無法工作。要克服這個(gè)問題，可減小存儲器陣列的大小，但如此一來整個(gè)存儲器晶片尺寸會大大的增加。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種垂直式二極管元件及此種二極管元件構(gòu)成的二極管陣列，可減小基極串聯(lián)電阻，其一方面可達(dá)成小的存儲器元件尺寸，另一方面可保有大的存儲器陣列。本發(fā)明提出一種垂直式二極管元件，包括具有第一導(dǎo)電型的基底、埋入式金屬線、絕緣層、接點(diǎn)、具有第二導(dǎo)電型的第一摻雜區(qū)及具有第一導(dǎo)電型的第二摻雜區(qū)。埋入式金屬線配置于基底中。絕緣層配置于基底與埋入式金屬線之間，且曝露埋入式金屬線的側(cè)壁的一部分。接點(diǎn)配置于基底中，且位于埋入式金屬線的經(jīng)絕緣層曝露的側(cè)壁的部分上。第一摻雜區(qū)配置于基底中且位于埋入式金屬線的一側(cè)，其中第一摻雜區(qū)與接點(diǎn)接觸，且接點(diǎn)的阻值低于第一摻雜區(qū)的阻值。第二摻雜區(qū)配置于第一摻雜區(qū)中，其中第二摻雜區(qū)未與接點(diǎn)接觸。本發(fā)明還提出一種二極管陣列，包括基底、多條埋入式金屬線、多個(gè)條狀的第一摻雜區(qū)、多個(gè)絕緣層、多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)塊狀的第二摻雜區(qū)。埋入式金屬線配置于基底中。第一摻雜區(qū)分別配置于埋入式金屬線之間的基底中。絕緣層分別配置于第一摻雜區(qū)與埋入式金屬線之間，其中各絕緣層曝露對應(yīng)的埋入式金屬線的一側(cè)壁的多個(gè)部份，且第一摻雜區(qū)的底部要高于絕緣層的底部。接點(diǎn)配置于基底中，其中各埋入式金屬線的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層曝露的側(cè)壁的每個(gè)部份上配置有一個(gè)接點(diǎn)。第二摻雜區(qū)分別對應(yīng)接點(diǎn)而配置于第一摻雜區(qū)中，且第二摻雜區(qū)未與接點(diǎn)接觸。此外，第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電型不同于第二摻雜區(qū)的導(dǎo)電型，且接點(diǎn)的阻值低于第一摻雜區(qū)的阻值?；谏鲜觯谟杀景l(fā)明的垂直式二極管元件構(gòu)成的二極管陣列中，由于埋入式金屬線與條狀式第一摻雜區(qū)并聯(lián)，且利用低電阻接點(diǎn)達(dá)到引流效果，由此可減少二極管陣列的第一摻雜區(qū)的串聯(lián)電阻過大的問題，提升元件性能。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的二極管陣列的俯視圖。圖2是圖I中沿Ι-Γ線的剖面示意圖。圖2A至2F為本發(fā)明一實(shí)施例的二極管陣列的形成方法的剖面示意圖。圖2A'至2D'為本發(fā)明另一實(shí)施例的低阻值接點(diǎn)的形成方法的剖面示意圖。
圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的二極管陣列的俯視圖。圖4為依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的二極管陣列的俯視圖。圖5是圖4中沿Ι-Γ線的剖面示意圖。圖6為依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例所繪示的二極管陣列的俯視圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下100 :二極管陣列100':垂直二極管元件102 :基底104:埋入式金屬線105 :頂覆層106 :第一摻雜區(qū)108 :絕緣層110、110':接點(diǎn)112:第二摻雜區(qū)114:下部金屬線114a:第一金屬層114b:第一阻障層116:上部金屬線116a:第二金屬層116b:第二阻障層120 :金屬層202:圖案化罩幕層204 :溝渠206 :絕緣層208:多晶硅層210 :傾斜性離子植入工藝212:介電層214:間隙壁
具體實(shí)施例方式圖I為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的二極管陣列的俯視圖。圖2是圖I中沿Ι-Γ線的剖面示意圖。為清楚說明起見，本發(fā)明的俯視圖未示出埋入式金屬線的上方的頂覆層。
請參照圖I及圖2，本發(fā)明的二極管陣列100包括基底102、多條埋入式金屬線104、多個(gè)頂覆層105、多個(gè)條狀的第一摻雜區(qū)106、多個(gè)絕緣層108、多個(gè)接點(diǎn)110及多個(gè)塊狀的第二摻雜區(qū)112。基底102可以是P型硅基底。埋入式金屬線104平行配置于基底102中。在此實(shí)施例中，各埋入式金屬線104包括下部金屬線114與上部金屬線116。下部金屬線114包括第一金屬層114a與位于第一金屬層的側(cè)壁與底部的第一阻障層114b。上部金屬線116位于下部金屬線114上。上部金屬線116包括第二金屬層116a與位于第二金屬層116a的側(cè)壁與底部的第二阻障層116b。此外,第一金屬層114a與第二金屬層116a的材料例如是鶴(W)，且第一阻障層114b與第二阻障層116b的材料例如是鈦/氮化鈦(Ti/TiN)。
頂覆層105分別配置于基底102中且位于上部金屬線116上。頂覆層105的材料例如是氧化娃或高密度等離子氧化物(high density plasma oxide ；HDP oxide)。第一摻雜區(qū)106例如是N型重?fù)诫s區(qū)。第一摻雜區(qū)106分別配置于埋入式金屬線104之間的基底102中。此外，第一摻雜區(qū)106的底面高于埋入式金屬線104的底面。絕緣層108分別配置于基底102與埋入式金屬線104之間，其中各絕緣層108曝露對應(yīng)的埋入式金屬線104的一側(cè)壁的多個(gè)部份。絕緣層108的材料例如是氧化硅。此外，第一摻雜區(qū)106的底部要高于絕緣層108的底部。各埋入式金屬線104的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層108曝露的側(cè)壁的每個(gè)部份上配置有一個(gè)接點(diǎn)110。在一實(shí)施例中，位于各埋入式金屬線104的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層108曝露的同一側(cè)壁的多個(gè)部份上的接點(diǎn)110彼此分開，如圖I的俯視圖所示。在另一實(shí)施例中，位于各埋入式金屬線104的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層108曝露的同一側(cè)壁的多個(gè)部份上的接點(diǎn)110彼此連接，如圖3的俯視圖所示。特別要注意的是，接點(diǎn)110的阻值低于第一摻雜區(qū)106的阻值。在一實(shí)施例中，接點(diǎn)HO的材料例如是娃化鈦(titanium silicide ;TiSix)、娃化鎳(NiSix)或娃化鈷(CoSix)等金屬硅化物。此外，接點(diǎn)110的上端低于基底102的表面，且接點(diǎn)110的下端高于第一摻雜區(qū)106的底面。在一實(shí)施例中，接點(diǎn)110位于第二阻障層116b與第一摻雜區(qū)106之間，如圖2所示。在另一實(shí)施例中(未圖示)，接點(diǎn)110的下端可延伸至第一阻障層114b與第一摻雜區(qū)106之間。第二摻雜區(qū)112例如是P型重?fù)诫s區(qū)。第二摻雜區(qū)112分別對應(yīng)接點(diǎn)110而配置于第一摻雜區(qū)106中。此外，第一摻雜區(qū)106與接點(diǎn)110接觸，但第二摻雜區(qū)112未與接點(diǎn)110接觸。本發(fā)明的二極管陣列100是由多個(gè)垂直式二極管元件10(V所構(gòu)成，每一個(gè)垂直式二極管元件100'包括P型基底102、埋入式金屬線104、絕緣層108、接點(diǎn)110、作為基極(base)的N型第一摻雜區(qū)106及作為射極(emitter)的P型第二摻雜區(qū)112。埋入式金屬線104配置于基底102中。絕緣層108配置于第一摻雜區(qū)106與埋入式金屬線104之間，且曝露埋入式金屬線104的側(cè)壁的一部分。接點(diǎn)110配置于基底102中，且位于埋入式金屬線104的經(jīng)絕緣層108曝露的側(cè)壁的部分上。第一摻雜區(qū)106配置于基底102中且位于埋入式金屬線104的一側(cè)，其中第一摻雜區(qū)106與接點(diǎn)110接觸，且接點(diǎn)110的阻值低于第一摻雜區(qū)106的阻值。第二摻雜區(qū)112配置于第一摻雜區(qū)106中，其中第二摻雜區(qū)112未與接點(diǎn)110接觸。
特別要注意的是，通過埋入式金屬線104與條狀式第一摻雜區(qū)106并聯(lián)，且利用低電阻接點(diǎn)110達(dá)到引流效果，由此可減少二極管陣列100的第一摻雜區(qū)106的串聯(lián)電阻過大的問題。在上述實(shí)施例中，各第二摻雜區(qū)112的中心112'位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)106的中線106'上，如圖I 3所示。然而 ，本發(fā)明并不以此為限。在另一實(shí)施例中，各第二摻雜區(qū)112的中心112'也可以位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)106的中線106'的遠(yuǎn)離接點(diǎn)110的一側(cè)，如圖4 6所示。特別說明的是，為了避免于形成第二摻雜區(qū)112的工藝中由于對準(zhǔn)不良而導(dǎo)致第二摻雜區(qū)112與接點(diǎn)110的接觸，使各第二摻雜區(qū)112的中心112'位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)106的中線106'的遠(yuǎn)離接點(diǎn)110的一側(cè)是有利的。在以上的實(shí)施例中，是以P型基底、N型基極(即第一摻雜區(qū))與P型射極(即第二摻雜區(qū))為例來說明的，但本發(fā)明并不以此為限。本領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)了解，以可以形成N型基底、P型基極與N型射極的組態(tài)。以下將以圖2的結(jié)構(gòu)為例來說明本發(fā)明的二極管陣列的形成方法。圖2A至2E為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的二極管陣列的形成方法的剖面示意圖。請參照圖2A，于基底102中形成摻雜區(qū)。接著，于基底102上形成圖案化罩幕層202。圖案化罩幕層202的材料例如是氮化硅，且其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，以圖案化罩幕層202為蝕刻罩幕，于基底102中形成多個(gè)溝渠204。溝渠204將摻雜區(qū)劃分為多個(gè)第一摻雜區(qū)106。之后，于圖案化罩幕層202及溝渠204的表面上形成絕緣層206。絕緣層206的材料例如是氧化硅，且其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。繼之，于溝渠204中形成下部金屬線114。下部金屬線114包括第一金屬層114a與位于第一金屬層的側(cè)壁與底部的第一阻障層114b。第一金屬層114a的材料例如是鎢(W)，且第一阻障層114b的材料例如是鈦/氮化鈦(Ti/TiN)。形成第一金屬層114a與第一阻障層114b的方法例如是先進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，再進(jìn)行回蝕刻工藝。此外，下部金屬線114的表面低于基底102的表面。接著，于絕緣層206及下部金屬線114上順應(yīng)性地形成多晶硅層208。然后，請參照圖2B，對基底102進(jìn)行傾斜性離子植入工藝210，以使溝渠204的一側(cè)(如圖2B的右側(cè))受到離子摻雜，但其另一側(cè)(如圖2B的左側(cè))未受到離子摻雜。摻質(zhì)例如是硼或氟化硼離子(BF2+)，植入角度例如是10 30度。由于經(jīng)摻雜的多晶硅層208與未經(jīng)摻雜的多晶硅層208的蝕刻選擇比不同，因此可進(jìn)行蝕刻工藝，來移除未經(jīng)摻雜的多晶硅層208 (如圖2B的虛線部份所示)。之后，請參照圖2C，移除未被多晶硅層208覆蓋的絕緣層206。繼之，移除多晶硅層208。上述的移除步驟例如是進(jìn)行蝕刻工藝。接著，請參照圖2D，于溝渠204中的下部金屬線114上形成上部金屬線116。上部金屬線116包括第二金屬層116a與位于第二金屬層116a的側(cè)壁與底部的第二阻障層116b。第二金屬層116a的材料例如是鎢(W)，且第二阻障層116b的材料例如是鈦/氮化鈦(Ti/TiN)。形成第二金屬層116a與第二阻障層116b的方法例如是先進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，再進(jìn)行回蝕刻工藝。此外，上部金屬線116的表面低于基底102的表面。在此實(shí)施例中，下部金屬線114與上部金屬線116構(gòu)成埋入式金屬層104。然后，對基底102進(jìn)行一退火工藝。由于第二阻障層116b的一側(cè)(如圖2C的左側(cè))與基底102直接接觸，因此第二阻障層116b與基底102之間的接面會因退火工藝而形成金屬硅化物的接點(diǎn)110。在此實(shí)施例中，基底102的材料為硅，第二阻障層116b的材料為鈦/氮化鈦(Ti/TiN)，因此所形成的接點(diǎn)110的材料為硅化鈦(TiSix)。然而，本發(fā)明的接點(diǎn)110的材料不以此為限，其材料可依埋入式金屬線而定，只要于接點(diǎn)處形成低電阻的金
半接面即可。接下來，請參照圖2E，于溝渠204內(nèi)填滿介電層212。形成介電層212的方法例如是先進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，再進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。然后，移除圖案化罩幕層202，再于介電層212的雙側(cè)側(cè)壁上形成間隙 壁214。之后，于基底102上形成與埋入式金屬線104垂直的多條光阻層(未圖示于此一剖面)。間隙壁214與光阻層之間的間隙定義出欲形成第二摻雜區(qū)112的區(qū)域。繼之，以間隙壁214與光阻層為蝕刻罩幕，進(jìn)行離子植入工藝，以于第一摻雜區(qū)106中形成第二摻雜區(qū)112。在此實(shí)施例中，由于間隙壁214形成在介電層212的雙側(cè)側(cè)壁上，因此各第二摻雜區(qū)112的中心位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)106的中線上。特別要說明的是，間隙壁214也可以僅在介電層212的單側(cè)側(cè)壁(例如左側(cè)側(cè)壁)上形成，以使形成的第二摻雜區(qū)112的中心位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)106的中線的遠(yuǎn)離接點(diǎn)110的一側(cè)。接著，請參照圖2F，移除基底102表面上之間隙壁214、部份的介電層212與部份的絕緣層206，以留下上部金屬線116的上方的頂覆層105及留下埋入式金屬線104與基底102(或第一摻雜區(qū)106)之間的絕緣層108。至此，完成本發(fā)明的二極管陣列100的制作。在上述實(shí)施例中，如圖2D所示，是先形成上部金屬線116，再進(jìn)行退火工藝，以于第二阻障層116b與基底102之間的接面形成接點(diǎn)110為例來說明的，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實(shí)施例中，也可以先形成接點(diǎn)110'，再形成上部金屬線116。圖2A'至2D'為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所示的低阻值接點(diǎn)的形成方法的剖面示意圖。首先，提供圖2C的中間結(jié)構(gòu)。接著，請參照圖2A'，于溝渠204中的下部金屬線114上形成金屬層120。金屬層120的頂部低于基底102的表面。金屬層120例如是鎳層或鈷層。然后，請參照圖2B'，對金屬層120進(jìn)形退火工藝，以于金屬層120與基底102之間的接面形成接點(diǎn)11(V。在此實(shí)施例中，基底102的材料為硅，金屬層120的材料為鎳或鈷，因此所形成的接點(diǎn)110'的材料為硅化鎳(NiSix)或硅化鈷(CoSix)。之后，請參照圖2C'，進(jìn)行蝕刻工藝，以移除未反應(yīng)的金屬層120。繼之，于溝渠204中的下部金屬線114上形成上部金屬線116。上部金屬線116包括第二金屬層116a與位于第二金屬層116a的側(cè)壁與底部的第二阻障層116b。然后，可參照圖2E及2F，完成本發(fā)明的二極管陣列的制作。綜上所述，在本發(fā)明的二極管陣列中，由于埋入式金屬線與條狀式第一摻雜區(qū)并聯(lián)，且利用低電阻接點(diǎn)達(dá)到引流效果，由此可減少二極管陣列的第一摻雜區(qū)的串聯(lián)電阻過大的問題，以有效提升元件性能。此外，本發(fā)明的垂直式二極管元件可作為雙端存儲器(如電阻式存儲器、相變化存儲器)的選擇器，不但可將存儲器元件尺寸縮至最小可能面積4F2 (其中工藝的特征尺寸(feature size)為F),并可同時(shí)最佳化存儲器元件特性。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種垂直式二極管元件，其特征在于，包括一具有一第一導(dǎo)電型的一基底；一埋入式金屬線，配置于該基底中；一絕緣層，配置于該基底與該埋入式金屬線之間，且曝露該埋入式金屬線的一側(cè)壁的一部分；一接點(diǎn)，配置于該基底中，且位于該埋入式金屬線的經(jīng)該絕緣層曝露的該側(cè)壁的該部分上;具有一第二導(dǎo)電型的一第一摻雜區(qū)，配置于該基底中且位于該埋入式金屬線的一側(cè)，其中該第一摻雜區(qū)與該接點(diǎn)接觸，且該接點(diǎn)的阻值低于該第一摻雜區(qū)的阻值；以及具有該第一導(dǎo)電型的一第二摻雜區(qū)，配置于該第一摻雜區(qū)中，其中該第二摻雜區(qū)未與該接點(diǎn)接觸。
2.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該第二摻雜區(qū)的中心位于該第一摻雜區(qū)的中線上。
3.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該第二摻雜區(qū)的中心位于該第一摻雜區(qū)的中線的遠(yuǎn)離該接點(diǎn)的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該接點(diǎn)的材料包括金屬硅化物。
5.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該接點(diǎn)的上端低于該基底的表面，且該接點(diǎn)的下端高于該第一摻雜區(qū)的底面。
6.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該埋入式金屬線包括一下部金屬線，包括一第一金屬層與位于該第一金屬層的側(cè)壁與底部的一第一阻障層；以及一上部金屬線，位于該下部金屬線上且包括一第二金屬層與位于該第二金屬層的側(cè)壁與底部的一第二阻障層，其中該接點(diǎn)位于該第二阻障層與該第一摻雜區(qū)之間。
7.如權(quán)利要求6所述的垂直式二極管元件，其特征在于，還包括一頂覆層，配置于該基底中且位于該上部金屬線上。
8.如權(quán)利要求6所述的垂直式二極管兀件,其特征在于，該第一金屬層與該第二金屬層的材料包括鎢，且該第一阻障層與該第二阻障層的材料包括鈦/氮化鈦。
9.如權(quán)利要求I所述的垂直式二極管元件，其特征在于，該第一導(dǎo)電型為N型，該第二導(dǎo)電型為P型；或該第一導(dǎo)電型為P型，該第二導(dǎo)電型為N型。
10.一種二極管陣列，其特征在于，包括一基底；多條埋入式金屬線，配置于該基底中；多個(gè)條狀的第一摻雜區(qū)，分別配置于所述多個(gè)埋入式金屬線之間的該基底中；多個(gè)絕緣層，分別配置于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)與所述多個(gè)埋入式金屬線之間，其中各絕緣層曝露對應(yīng)的埋入式金屬線的一側(cè)壁的多個(gè)部份，且所述多個(gè)第一摻雜區(qū)的底部要高于所述多個(gè)絕緣層的底部；多個(gè)接點(diǎn)，配置于該基底中，其中各埋入式金屬線的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層曝露的該側(cè)壁的每個(gè)部份上配置有一個(gè)接點(diǎn)； 多個(gè)塊狀的第二摻雜區(qū)，分別對應(yīng)所述多個(gè)接點(diǎn)而配置于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)中，且所述多個(gè)第二摻雜區(qū)未與所述多個(gè)接點(diǎn)接觸， 其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電型不同于所述多個(gè)第二摻雜區(qū)的導(dǎo)電型，且所述多個(gè)接點(diǎn)的阻值低于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)的阻值。
11.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，各第二摻雜區(qū)的中心位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)的中線上。
12.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，各第二摻雜區(qū)的中心位于對應(yīng)的第一摻雜區(qū)的中線的遠(yuǎn)離該接點(diǎn)的一側(cè)。
13.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，所述多個(gè)接點(diǎn)的材料包括金屬硅化物。
14.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，位于各埋入式金屬線的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層曝露的該側(cè)壁的多個(gè)部份上的所述多個(gè)接點(diǎn)彼此分開。
15.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，位于各埋入式金屬線的經(jīng)對應(yīng)的絕緣層曝露的該側(cè)壁的多個(gè)部份上的所述多個(gè)接點(diǎn)彼此連接。
16.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，所述多個(gè)接點(diǎn)的上端低于該基底的表面，且所述多個(gè)接點(diǎn)的下端高于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)的底面。
17.如權(quán)利要求10所述的二極管陣列，其特征在于，各埋入式金屬線包括 一下部金屬線，包括一第一金屬層與位于該第一金屬層的側(cè)壁與底部的一第一阻障層；以及 一上部金屬線，位于該下部金屬線上且包括一第二金屬層與位于該第二金屬層的側(cè)壁與底部的一第二阻障層， 其中該接點(diǎn)位于該第二阻障層與該第一摻雜區(qū)之間。
18.如權(quán)利要求17所述的二極管陣列，其特征在于，還包括多個(gè)頂覆層，分別配置于該基底中且位于所述多個(gè)上部金屬線上。
19.如權(quán)利要求17所述的二極管陣列，其特征在于，所述多個(gè)第一金屬層與所述多個(gè)第二金屬層的材料包括鎢，且所述多個(gè)第一阻障層與所述多個(gè)第二阻障層的材料包括鈦/氮化鈦。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種垂直式二極管元件及二極管陣列。埋入式金屬線配置于具有第一導(dǎo)電型的基底中。絕緣層配置于基底與埋入式金屬線之間，且曝露埋入式金屬線的側(cè)壁的一部分。接點(diǎn)配置于基底中，且位于埋入式金屬線的經(jīng)絕緣層曝露的側(cè)壁的部分上。具有第二導(dǎo)電型的第一摻雜區(qū)配置于基底中且位于埋入式金屬線的一側(cè)。第一摻雜區(qū)與接點(diǎn)接觸，且接點(diǎn)的阻值低于第一摻雜區(qū)的阻值。具有第一導(dǎo)電型的第二摻雜區(qū)配置于第一摻雜區(qū)中。第二摻雜區(qū)未與接點(diǎn)接觸。本發(fā)明提供的垂直式二極管元件及二極管陣列，可減小基極串聯(lián)電阻，其一方面可達(dá)成小的存儲器元件尺寸，另一方面可保有大的存儲器陣列。
文檔編號H01L29/861GK102956716SQ20111025201
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月26日
發(fā)明者許峻銘, 張文岳 申請人:華邦電子股份有限公司