專利名稱：形成接觸窗的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器的制造流程，且特別是有關(guān)于一種形成接觸窗 (contact hole)的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今市售的液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)中，晶體管數(shù)組基板 (transistor array substrate)是不可或缺的重要組件。在現(xiàn)有已制造完成的晶體管數(shù)組基板中，透過多個(gè)接觸窗，多個(gè)晶體管的汲極(drain)能分別電性連接多個(gè)畫素電極(pixel electrode)，而多條訊號線(例如掃描線或數(shù)據(jù)線)能電性連接驅(qū)動芯片(driver)。現(xiàn)有晶體管數(shù)組基板包括二層絕緣層，而這些接觸窗皆為多個(gè)位在這些絕緣層內(nèi)的孔洞，其中這些接觸窗是貫穿這些絕緣層至少其中一者而形成。也就是說，有的接觸窗是貫穿所有絕緣層而形成，而有的接觸窗是只貫穿其中一層絕緣層而形成。因此，在同一塊晶體管數(shù)組基板中，所有接觸窗的深度不完全相同。一般而言，這些接觸窗是透過蝕刻(etching)而形成。然而，由于所有接觸窗的深度不完全相同，因此在進(jìn)行蝕刻的過程中，可能會因?yàn)檫^蝕刻(overetching)的影響而造成汲極或訊號線被破壞，以至于晶體管數(shù)組基板可能須要重工(rework)或是被迫報(bào)廢 (scraping)，從而增加晶體管數(shù)組基板的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種形成接觸窗的方法，其能降低發(fā)生上述過蝕刻的可能性。本發(fā)明提出一種形成接觸窗的方法，其用于一晶體管數(shù)組基板。此晶體管數(shù)組基板包括一基板、一第一金屬圖案層、一第一絕緣層、一第二金屬圖案層與一第二絕緣層，其中第一金屬圖案層位在基板上，并包括多個(gè)第一接觸墊，而第一絕緣層覆蓋基板與第一金屬圖案層。第二金屬圖案層位在第一絕緣層上，并包括多個(gè)第二接觸墊，而第二絕緣層覆蓋第二金屬圖案層與第一絕緣層。在上述形成接觸窗的方法中，首先，在第二絕緣層上形成一光阻圖案層。光阻圖案層具有多個(gè)凹槽與多個(gè)第一開口，其中這些第一開口局部暴露第二絕緣層，而這些凹槽未暴露第二絕緣層。這些第一開口分別位在這些第一接觸墊的正上方， 而這些凹槽分別位在這些第二接觸墊的正上方。接著，以光阻圖案層為屏蔽，移除位在這些第一開口內(nèi)的部分第二絕緣層與部分第一絕緣層，以暴露這些第一接觸墊。接著，減少光阻圖案層的厚度，以使這些凹槽形成多個(gè)第二開口，其中這些第二開口局部暴露第二絕緣層。 接著，以厚度減少后的光阻圖案層為屏蔽，移除位在這些第二開口內(nèi)的部分第二絕緣層，以暴露這些第二接觸墊。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成光阻圖案層的方法包括，在第二絕緣層上形成一初始光阻層。接著，以一半透光式光罩為屏蔽，曝光初始光阻層，其中半透光式光罩具有多個(gè)半透光區(qū)，而這些半透光區(qū)對準(zhǔn)這些第二接觸墊。在曝光初始光阻層之后，顯影初始光阻層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述半透光式光罩更具有多個(gè)透光區(qū)，而這些透光區(qū)對準(zhǔn)這些第一接觸墊。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述減少光阻圖案層的厚度的步驟包括令一電漿灰化光阻
圖案層。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述電漿移除位在這些第一開口內(nèi)的部分第二絕緣層與部分第一絕緣層，以及位在這些第二開口內(nèi)的部分第二絕緣層。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述電漿包括氧離子與氟離子。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述晶體管數(shù)組基板更包括多個(gè)半導(dǎo)體層。這些半導(dǎo)體層位在第一金屬圖案層與第二金屬圖案層之間，而這些半導(dǎo)體層、第一金屬圖案層、第一絕緣層以及第二金屬圖案層形成多個(gè)晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中，各個(gè)晶體管具有一汲極，而這些汲極為多個(gè)第二接觸墊。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第二金屬圖案層更包括多條數(shù)據(jù)線，而部分這些第二接觸墊連接這些數(shù)據(jù)線。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第一金屬圖案層更包括多條掃描線，而基板具有一顯示區(qū)以及一非顯示區(qū)。非顯示區(qū)位在顯示區(qū)旁，而這些第一接觸墊連接這些掃描線，并位在非顯示區(qū)內(nèi)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第二金屬圖案層更包括多條端子線，而這些端子線位在非顯示區(qū)內(nèi)。部分這些第二接觸墊連接這些端子線，并位在非顯示區(qū)內(nèi)?；谏鲜?，藉由光阻圖案層所具有的凹槽以及第一開口，在移除部分第二絕緣層與部分第一絕緣層的過程中，凹槽底部的光阻圖案層能保護(hù)凹槽下方的第二絕緣層，以使暴露第二接觸墊的接觸窗，其開始形成的時(shí)間得以延后。如此，本發(fā)明能降低發(fā)生過蝕刻的可能性，從而減少晶體管數(shù)組基板的制造成本。為讓本發(fā)明之上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式， 作詳細(xì)說明如下。


圖IA是本發(fā)明一實(shí)施例的形成接觸窗的方法所實(shí)施的晶體管數(shù)組基板的俯視示意圖。圖IB是圖IA中沿線I-I剖面所繪制的剖面示意圖。圖2A至圖2E是本發(fā)明一實(shí)施例的形成接觸窗的方法的剖面流程示意圖。主要組件符號說明
100,102晶體管數(shù)組基板110第一金屬圖案層112p第一接觸墊118s掃描線120第二金屬圖案層122p、124p、126p第二接觸墊128d資料線128t端子線130第一絕緣層140第二絕緣層150半導(dǎo)體層160基板162顯示區(qū)164非顯示區(qū)168平面170f、170f，光阻圖案層170i初始光阻層182畫素電極184跳線200半透光式光210半透光區(qū)220透光區(qū)230遮光區(qū)C1、C2接觸窗D1、D2深度Gl閘極Hl第一開口H2第二開口Ll光線Pl電漿Rl凹槽Sl源極Tl晶體管
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下將通過具體實(shí)施例和相關(guān)附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖IA是本發(fā)明一實(shí)施例的形成接觸窗的方法所實(shí)施的晶體管數(shù)組基板的俯視示意圖，而圖IB是圖IA中沿線I-I剖面所繪制的剖面示意圖。請參閱圖IA與圖1B，本實(shí)施例的形成接觸窗的方法應(yīng)用于一晶體管數(shù)組基板100，并且能在晶體管數(shù)組基板100上形成多個(gè)接觸窗。晶體管數(shù)組基板100為一般晶體管數(shù)組基板的半成品，而在進(jìn)行上述形成接觸窗的方法以前，晶體管數(shù)組基板100并不包括任何接觸窗、畫素電極182以及跳線184。晶體管數(shù)組基板100包括一第一金屬圖案層110、一第二金屬圖案層120、一第一絕緣層130、一第二絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體層150與一基板160，其中第一金屬圖案層110、 第二金屬圖案層120、第一絕緣層130、第二絕緣層140及半導(dǎo)體層150皆位在基板160的平面168上方。
第一金屬圖案層110位在基板160上，并接觸平面168，而第一絕緣層130覆蓋基板160的平面168以及第一金屬圖案層110。第二金屬圖案層120位在第一絕緣層130上， 而第二絕緣層140覆蓋第二金屬圖案層120以及第一絕緣層130。因此，第一金屬圖案層 110位在第一絕緣層130以及基板160之間，而第二金屬圖案層120位在第一絕緣層130以及第二絕緣層140之間，其中第一金屬圖案層110位在第二金屬圖案層120的下方。第一金屬圖案層110與第二金屬圖案層120 二者的材料可以是鉬或鉬合金，而第一絕緣層130與第二絕緣層140 二者的材料例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或高分子材料，其中氧化硅可以是二氧化硅(Si02)?；?60為一種透明板，其例如是玻璃板或藍(lán)寶 ^Sl&Csapphire substrate) SIS. 160 ^W^M/^IS (display area)162
區(qū)(non-display area) 164，其中非顯示區(qū)164位在顯示區(qū)162旁，如圖IA所示。第一金屬圖案層110包括多個(gè)第一接觸墊112p，而第二金屬圖案層120包括多個(gè)第二接觸墊122p、124p與U6p，其中這些第一接觸墊112p、這些第二接觸墊122p與124p 皆位在非顯示區(qū)164內(nèi)，而這些第二接觸墊126p皆位在顯示區(qū)162內(nèi)。此外，這些第一接觸墊112p不重迭于這些第二接觸墊122p、124p及126p。第一金屬圖案層110更包括多條掃描線118s，而第二金屬圖案層120更包括多條數(shù)據(jù)線128d。這些掃描線118s彼此并列，而這些數(shù)據(jù)線128d彼此并列，其中掃描線118s 與數(shù)據(jù)線128d彼此交錯(cuò)，以至于這些掃描線118s與這些資料線128d呈網(wǎng)狀排列，如圖IA 所示。此外，這些第一接觸墊112p連接這些掃描線118s，而這些第二接觸墊122p連接這些數(shù)據(jù)線128d。這些半導(dǎo)體層150位在第一金屬圖案層110與第二金屬圖案層120之間，并且位在第一絕緣層130上。半導(dǎo)體層150的材料可以是多晶硅(polycrystalline silicon)、非晶硅(amorphous silicon)或金屬氧化物半導(dǎo)體，其中此金屬氧化物半導(dǎo)體例如是銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體(In-Ga-Si-O，IGZ0)或銦錫鋅氧化物半導(dǎo)體(In-Sn-Zn-O，ΙΤΖ0)。這些半導(dǎo)體層150、第一金屬圖案層110、第一絕緣層130以及第二金屬圖案層120 能形成多個(gè)晶體管Tl，而這些晶體管Tl皆可為場效型晶體管(Field-Effect Transistor, FET)。因此，各個(gè)晶體管Tl可以具有一源極(sourCe)Sl、一閘極(gate)Gl、一半導(dǎo)體層150 與一汲極，其中這些汲極皆為這些第二接觸墊126p。這些閘極Gl連接這些掃描線118s，而這些源極Sl連接這些數(shù)據(jù)線U8d，所以這些掃描線118s能控制這些晶體管Tl開啟與關(guān)閉，而這些數(shù)據(jù)線128d能傳遞訊號(例如畫素電壓)至這些晶體管Tl。閘極G1、第一接觸墊112p與掃描線118s皆可由單一金屬層經(jīng)微影 (photolithography)與蝕刻而形成，而源極Si、第二接觸墊122p、IMp、126p以及數(shù)據(jù)線 128d皆可由另一金屬層經(jīng)微影與蝕刻而形成。因此，閘極G1、第一接觸墊112p與掃描線 118s可為一體成形，而源極Si、第二接觸墊122p、IMp、126p與資料線128d可為一體成形。 由此可知，第一金屬圖案層110更包括這些間極G1，而第二金屬圖案層120更包括這些源極 Si。值得一提的是，從圖IA與圖IB來看，由于閘極Gl位在源極Sl與汲極(即第二接觸墊126p)的下方，因此就結(jié)構(gòu)而言，晶體管Tl為底閘極型晶體管(bottom-gate transistor)，而晶體管數(shù)組基板100本質(zhì)上為底間極型晶體管數(shù)組基板。然而，本實(shí)施例的形成接觸窗的方法也可實(shí)施于頂閘極型(top-gate)晶體管數(shù)組基板。因此，本實(shí)施例的形成接觸窗的方法也適用于頂閘極型晶體管數(shù)組基板，并非僅局限適用于底閘極型晶體管數(shù)組基板。另外，第二金屬圖案層120可以更包括多條端子線U8t，而這些端子線128t位在非顯示區(qū)164內(nèi)，并且連接這些第二接觸墊IMp，如圖IA所示。這些端子線128t用于電性連接至少一個(gè)驅(qū)動芯片，以傳遞驅(qū)動芯片所輸出的電訊號，其中此驅(qū)動芯片例如是閘極驅(qū)動芯片。須說明的是，雖然圖IA中只有第二金屬圖案層120包括多條端子線U8t，而第一金屬圖案層110未包括任何端子線，但是在其它實(shí)施例中，第二金屬圖案層120不一定包括端子線U8t，而第一金屬圖案層110可以包括多條用來電性連接驅(qū)動芯片的端子線，其中此驅(qū)動芯片例如是閘極驅(qū)動芯片或源極驅(qū)動芯片。因此，圖IA所示的端子線128t僅供舉例說明，并非限定本發(fā)明。圖2A至圖2E是本發(fā)明一實(shí)施例之形成接觸窗的方法的剖面流程示意圖。請參閱圖2A至圖2C，在本實(shí)施例的形成接觸窗的方法中，首先，在第二絕緣層140上形成一光阻圖案層170f (如圖2C所示)，其中光阻圖案層170f會局部暴露第二絕緣層140，并且具有多個(gè)凹槽Rl與多個(gè)第一開口 HI。光阻圖案層170f是經(jīng)由微影而形成，而進(jìn)行微影的流程包括曝光(exposure)與顯影(development)。詳細(xì)而言，請先參閱圖2A。在形成光阻圖案層170f的方法中，首先，在第二絕緣層 140上形成一初始光阻層170i，其中初始光阻層170i全面性地覆蓋第二絕緣層140。初始光阻層170i可以是用涂布方式來形成，其中此涂布方式例如是旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating). 此外，初始光阻層170i可以是一種正向光阻(positive photoresist)。不過，在其它實(shí)施例中，初始光阻層170i也可以是一種負(fù)向光阻(negative photoresist)。請參閱圖2B，接著，以一半透光式光罩(halftone mask) 200為屏蔽，曝光初始光阻層170i。半透光式光罩200具有多個(gè)半透光區(qū)210、多個(gè)透光區(qū)220 (圖2B僅繪示一個(gè)) 與多個(gè)遮光區(qū)230。當(dāng)曝光初始光阻層170i時(shí)，光線Ll會穿透半透光區(qū)210與透光區(qū)220， 但基本上不會穿透遮光區(qū)230。當(dāng)光線Ll穿透半透光式光罩200時(shí)，光線Ll會幾乎完全穿透透光區(qū)220，但是半透光區(qū)210會遮擋部分光線Ll而僅允許部分光線Ll穿透。這些透光區(qū)220會對準(zhǔn)(aligned)這些第一接觸墊112p，而這些半透光區(qū)210對準(zhǔn)這些第二接觸墊122p、124p與126p。因此，在進(jìn)行曝光的過程中，這些透光區(qū)220基本上會分別位在這些第一接觸墊112p的正上方，而這些半透光區(qū)210基本上會分別位在這些第二接觸墊122p、124p以及126p的正上方。此外，這些半透光區(qū)210的形狀可以對應(yīng)這些第二接觸墊122ρ、1Μρ以及126p的形狀，而這些透光區(qū)220的形狀可以對應(yīng)這些第一接觸墊112p的形狀。詳細(xì)而言，這些半透光區(qū)210的形狀與這些第二接觸墊122p、124p及126p的形狀一致，而這些透光區(qū)220的形狀與這些第一接觸墊112p的形狀一致。以圖IA為例，第一接觸墊112p的形狀與第二接觸墊122p、124p的形狀皆為圓形， 而第二接觸墊126p的形狀為矩形，因此透光區(qū)220的形狀可為圓形，對準(zhǔn)第二接觸墊122p、 124p的半透光區(qū)210的形狀可為圓形，而對準(zhǔn)第二接觸墊126p的半透光區(qū)210的形狀可為矩形。
請參閱圖2B與圖2C，在曝光初始光阻層170i之后，顯影初始光阻層170i，以形成光阻圖案層170f。由于初始光阻層170i可為正向光阻，因此在進(jìn)行顯影的過程中，被光線 Ll所曝光的部分初始光阻層170i會被移除，從而形成這些凹槽Rl與這些第一開口 HI。由于半透光區(qū)210僅允許部分光線Ll穿透，而光線Ll幾乎完全穿透透光區(qū)220， 因此從半透光區(qū)210而來的光線Ll的強(qiáng)度會低于從透光區(qū)220而來的光線Ll的強(qiáng)度。如此，形成這些深度(即深度D1、D2)彼此不相同的第一開口 Hl與凹槽R1，其中第一開口 Hl的深度Dl大于凹槽Rl的深度D2。此外，這些第一開口 Hl局部暴露第二絕緣層140，而這些凹槽Rl未暴露第二絕緣層140，如圖2C所示。由此可知，凹槽Rl是透過半透光區(qū)210所形成，而第一開口 Hl是透過透光區(qū)220 所形成，因此這些第一開口 Hl分別位在這些第一接觸墊112p的正上方，而這些凹槽Rl分別位在這些第二接觸墊122p、124p及126p的正上方。換句話說，這些第一開口 Hl基本上會分別對準(zhǔn)這些第一接觸墊112p，而這些凹槽Rl基本上會分別對準(zhǔn)這些第二接觸墊122p、 124p 及 126p。須說明的是，雖然圖2A至圖2C所示的初始光阻層170i與光阻圖案層170f皆為正向光阻，但在其它實(shí)施例中，初始光阻層170i與光阻圖案層170f也皆可為負(fù)向光阻，所以在進(jìn)行顯影的過程中，未被光線Ll所曝光的部分初始光阻層170i可被移除，而被光線Ll 所曝光的部分初始光阻層170i則可被保留。因此，圖2A至圖2C所示的形成光阻圖案層 170f的方法僅供舉例說明，并非限定本發(fā)明。請參閱圖2C與圖2D，接著，以光阻圖案層170f為屏蔽，移除位在這些第一開口 Hl 內(nèi)的部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130，以暴露這些第一接觸墊112p。如此，多個(gè)暴露第一接觸墊112p的接觸窗Cl得以形成。在圖2D所示的實(shí)施例中，移除部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130的方法可以是干式蝕刻，因此第二絕緣層140與第一絕緣層130可以利用電漿Pl來移除。形成電漿Pl的方法可以是利用電子對氣體撞擊。如此，氣體的分子得以被解離，并且產(chǎn)生自由基， 從而形成電漿Pl。電漿Pl可包括氟離子，而氟離子可由六氟化硫或四氟甲烷所產(chǎn)生。因此，上述被電子撞擊的氣體可包括六氟化硫與四氟甲烷二者至少其中一者，而氟離子可以是利用電子來解離六氟化硫的分子或四氟甲烷的分子而產(chǎn)生。當(dāng)移除位在第一開口 Hl內(nèi)的部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130時(shí)，光阻圖案層170f的厚度會減少，從而形成厚度比光阻圖案層170f薄的光阻圖案層170f’(如圖 2D所示)。光阻圖案層170f’不僅具有第一開口 H1，且還具有多個(gè)第二開口 H2，其中第二開口 H2是移除位在凹槽Rl底部的光阻圖案層170f而形成，因此這些第二開口 H2是由這些凹槽Rl所形成，且局部暴露第二絕緣層140。減少光阻圖案層170f的厚度的方法可以是令電漿Pl灰化(ashing)光阻圖案層 170f。詳細(xì)而言，當(dāng)利用電漿Pl來移除部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130時(shí)，電漿Pl不僅能移除第一絕緣層130與第二絕緣層140，且還能移除部分光阻圖案層170f，從而減少光阻圖案層170f的厚度，以形成光阻圖案層170f ’。在本實(shí)施例中，光阻圖案層170f 容易被氧離子灰化，因此電漿Pl可更包括氧離子，以利于灰化光阻圖案層170f，其中氧離子可以是利用電子來解離氧氣的分子而產(chǎn)生。
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在形成這些第二開口 H2之后，以厚度減少后的光阻圖案層170f’為屏蔽，移除位在這些第二開口 H2內(nèi)的部分第二絕緣層140，以暴露這些第二接觸墊122p、124p與U6p。 如此，多個(gè)暴露第二接觸墊122p、124p與126p的接觸窗C2得以形成。移除部分第二絕緣層140的方法也可以是干式蝕刻。例如，令電漿Pl移除位在第二開口 H2內(nèi)的部分第二絕緣層140。由于第一開口 Hl局部暴露第二絕緣層140，而凹槽Rl未暴露第二絕緣層140，因此當(dāng)電漿Pl移除部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130時(shí)，凹槽Rl底部的光阻圖案層170f可以暫時(shí)阻擋電漿Pl移除凹槽Rl下方的第二絕緣層140，以使接觸窗C2開始形成的時(shí)間能晚于接觸窗Cl開始形成的時(shí)間，從而形成深度(即深度D1、D2)不相同的接觸窗 Cl與C2。如此，可降低電漿Pl過蝕刻第二接觸墊122p、124p與126p的可能性。此外，由于電漿Pl能移除位在第一開口 Hl內(nèi)的部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130、位在第二開口 H2內(nèi)的部分第二絕緣層140以及部分光阻圖案層170f，因此在本實(shí)施例中，形成接觸窗Cl、C2以及灰化光阻圖案層170f的流程可以是在同一個(gè)反應(yīng)腔 (chamber)內(nèi)進(jìn)行。如此，可以簡化制造流程。須說明的是，在圖2D所示的實(shí)施例中，部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130 是利用電漿Pl來移除，從而形成接觸窗Cl與C2，但在其它實(shí)施例中，第二絕緣層140與第一絕緣層130也可利用蝕刻藥液來部分移除，即移除部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130的方法可為濕式蝕刻，從而形成接觸窗Cl與C2。因此，圖2D所示的電漿Pl僅供舉例說明，不限定移除部分第二絕緣層140與部分第一絕緣層130的方法。請參閱圖IA與圖2E，在形成這些接觸窗Cl與C2之后，移除光阻圖案層170f’，以暴露第二絕緣層140。之后，可以在第二絕緣層140上形成多個(gè)畫素電極182以及多條跳線184，其中畫素電極182與跳線184 二者的材料例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, IT0)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)。至此，一種包括多個(gè)接觸窗Cl與C2、多個(gè)畫素電極182以及多條跳線184的晶體管數(shù)組基板102基本上已制造完成。綜上所述，由于光阻圖案層具有多個(gè)未暴露第二絕緣層的凹槽以及多個(gè)局部暴露第二絕緣層的第一開口，因此在移除部分第二絕緣層與部分第一絕緣層的過程中，凹槽底部的光阻圖案層能保護(hù)凹槽下方的第二絕緣層，以延后暴露第二接觸墊的接觸窗開始形成的時(shí)間。因此，當(dāng)暴露第一接觸墊的接觸窗開始形成時(shí)，暴露第二接觸墊的接觸窗仍未開始形成。如此，降低發(fā)生過蝕刻的可能性，從而減少晶體管數(shù)組基板的制造成本。雖然本發(fā)明以前述實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，所作更動與潤飾的等效替換，仍為本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.在該第二絕緣層上形成一光阻圖案層，其中該光阻圖案層具有多個(gè)凹槽與多個(gè)第一開口，該些第一開口局部暴露該第二絕緣層，而該些凹槽未暴露該第二絕緣層，該些第一開口分別位在該些第一接觸墊的正上方，而該些凹槽分別位在該些第二接觸墊的正上方；以該光阻圖案層為屏蔽，移除位在該些第一開口內(nèi)的部分該第二絕緣層與部分該第一絕緣層，以暴露該些第一接觸墊；減少該光阻圖案層的厚度，以使該些凹槽形成多個(gè)第二開口，其中該些第二開口局部暴露該第二絕緣層；以及以厚度減少后的該光阻圖案層為屏蔽，移除位在該些第二開口內(nèi)的部分該第二絕緣層，以暴露該些第二接觸墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中形成該光阻圖案層的方法包括在該第二絕緣層上形成一初始光阻層；以一半透光式光罩為屏蔽，曝光該初始光阻層，其中該半透光式光罩具有多個(gè)半透光區(qū)，該些半透光區(qū)對準(zhǔn)該些第二接觸墊；以及在曝光該初始光阻層之后，顯影該初始光阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該半透光式光罩更具有多個(gè)透光區(qū)，該些透光區(qū)對準(zhǔn)該些第一接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中減少該光阻圖案層的厚度的步驟包括令一電漿灰化該光阻圖案層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該電漿移除位在該些第一開口內(nèi)的部分該第二絕緣層與部分該第一絕緣層，以及位在該些第二開口內(nèi)的部分該第二絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該電漿包括氧離子與風(fēng)1 子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該晶體管數(shù)組基板更包括多個(gè)半導(dǎo)體層，該些半導(dǎo)體層位在該第一金屬圖案層與該第二金屬圖案層之間，而該些半導(dǎo)體層、該第一金屬圖案層、該第一絕緣層以及該第二金屬圖案層形成多個(gè)晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中各該晶體管具有一汲極，而該些汲極為多個(gè)該第二接觸墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該第二金屬圖案層更包括多條數(shù)據(jù)線，而部分該些第二接觸墊連接該些數(shù)據(jù)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該第一金屬圖案層更包括多條掃描線，而該基板具有一顯示區(qū)以及一非顯示區(qū)，該非顯示區(qū)位在該顯示區(qū)旁，該些第一接觸墊連接該些掃描線，并位在該非顯示區(qū)內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成接觸窗的方法，其特征在于，其中該第二金屬圖案層更包括多條端子線，該些端子線位在該非顯示區(qū)內(nèi)，部分該些第二接觸墊連接該些端子線， 并位在該非顯示區(qū)內(nèi)。
全文摘要
一種形成接觸窗的方法，用于一晶體管數(shù)組基板，其具有多個(gè)第一接觸墊、多個(gè)位在第一接觸墊上方的第二接觸墊、一覆蓋第一接觸墊的第一絕緣層及一覆蓋第二接觸墊的第二絕緣層。在此方法中，首先，在第二絕緣層上形成一具有多個(gè)凹槽與多個(gè)第一開口的光阻圖案層。第一開口局部暴露第二絕緣層。接著，移除位在第一開口內(nèi)的部分第一絕緣層與部分第二絕緣層，以暴露第一接觸墊。接著，減少光阻圖案層的厚度，以使凹槽形成局部暴露第二絕緣層的第二開口。之后，移除位在第二開口內(nèi)的部分第二絕緣層，以暴露第二接觸墊。本發(fā)明能降低發(fā)生過蝕刻的可能性，從而減少晶體管數(shù)組基板的制造成本。
文檔編號H01L21/77GK102270606SQ20111025257
公開日2011年12月7日 申請日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者姚洋羽, 陸文正 申請人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司