專利名稱：阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 如果不能承受要求的功率，負(fù)載就會(huì)燒壞，可能導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備燒壞。目前國內(nèi)的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片都是應(yīng)用在民用通信領(lǐng)域，民用通信頻率要求為3G以及3G以內(nèi)。對(duì)于負(fù)載片來說，能夠達(dá)到應(yīng)用的要求，一是需要能夠滿足功率的要求，一是產(chǎn)品的特性也就是VSWR(駐波比)要越小越好，目前市場基礎(chǔ)需要滿足1.25 1以內(nèi).隨著頻段的增高，產(chǎn)品的VSWR 也就會(huì)越高。如果VSWR越小，與設(shè)備進(jìn)行匹配就越容易，所以達(dá)到規(guī)定的功率的同時(shí)，更小的VSWR是市場的趨勢和需求。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠承受100W 的功率，駐波需要能滿足目前3G以及3G以內(nèi)頻段的駐波比小于1.15 1的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其包括一 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線， 所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，同時(shí)使其特性達(dá)到了 3G及3G以內(nèi)1.15 1，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片包括一 5. 7*8. 9*1. Omm 的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。 電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜 5。該結(jié)構(gòu)的 阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，同時(shí)使其特性達(dá)到了 3G，在3G以內(nèi)以及3G的駐波為1.15 1以內(nèi)，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。據(jù)檢測該氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達(dá)到通信期間吸收所需要功率的要求，以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，同時(shí)使其特性達(dá)到了3G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。
文檔編號(hào)H01P1/22GK102324604SQ201110255800
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月1日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠氏電子有限公司