專利名稱：半導體晶片、芯片、具有該芯片的半導體封裝件及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體封裝件及其制法，尤指一種具有溝槽的半導體芯片及具有該芯片的半導體封裝件及其制法。
背景技術：
現(xiàn)有的半導體封裝結構產品中，有些產品在封裝完成后必須將半導體芯片的表面裸露于封裝膠體外，之后，再接置散熱片于該半導體芯片的裸露表面上以達到散熱的效果，然而，封裝的過程可能會造成封裝膠體溢膠的問題。參閱圖IA及圖1B，其為現(xiàn)有半導體封裝件I的剖面示意圖。如圖IA所示，其以半導體芯片12的主動面121以導電組件15電性連接于基板11上。接著，如圖IB所示，以封裝膠體13進行半導體芯片12的封裝。當進行封裝制程時，由于半導體芯片12的非主動面 122為一平面，因此，封裝膠體13會有少部分溢膠(Resin bleeding)至半導體芯片12非主動面122的部分表面上。而半導體封裝件I對于封裝膠體13的溢膠面積范圍有一定的規(guī)范，最佳狀況為封裝膠體13表面與該半導體芯片12的非主動面122齊平。因此，若溢膠范圍超過規(guī)范的范圍標準時，例如封裝膠體13溢出至該半導體芯片12的非主動面122上時，則除了后續(xù)接置散熱件14時會有平整性問題外，也會有散熱件14的散熱效率下降的問題發(fā)生。因此，如何控制封裝膠體溢流的范圍實為當前急需解決的問題。

發(fā)明內容
有鑒于現(xiàn)有技術的種種缺失，本案主要目的在于提供一種半導體晶片、芯片、具有該芯片的半導體封裝件及其制法，以提升半導體封裝件的品質。據(jù)此，本發(fā)明提供一種半導體封裝件，包括基板；設置并電性連接于該基板上的半導體芯片，其中，該半導體芯片的頂面具有溝槽；以及形成于該基板上的封裝膠體，且包覆該半導體芯片側面并外露出該半導體芯片頂面。本發(fā)明還提供一種半導體封裝件的制法，包括設置并電性連接一半導體芯片于基板上，其中，該半導體芯片的頂面具有溝槽；以及于該基板上形成封裝膠體，以包覆該半導體芯片側面并外露出該半導體芯片的頂面。本發(fā)明還提供一種半導體晶片，包括彼此相連以形成一片體的多個半導體芯片，其中，各該半導體芯片的頂面形成有溝槽。本發(fā)明還提供一種半導體芯片，其具有溝槽，形成于該半導體芯片的頂面。由上可知，本發(fā)明的半導體封裝件及其制法，借由該半導體芯片的溝槽的設置，使得封裝膠體于封裝該半導體芯片時，即使因溢漏封裝膠體而覆蓋該半導體芯片的非主動面時，以借由溝槽的隔離而保護后續(xù)所設置的散熱件區(qū)域不被封裝膠體覆蓋，也就是，避免現(xiàn)有設置散熱片于半導體芯片的非主動面上，因溢漏封裝膠體而覆蓋于該散熱片的設置區(qū)域時，造成散熱片的平整性以及散熱效率下降的問題，因此得以提升半導體封裝件的品質。


圖IA及圖IB為現(xiàn)有半導體封裝件的剖面示意圖；圖2A及圖2B為本發(fā)明半導體封裝件的剖面示意圖；圖3A至圖3D為本發(fā)明半導體封裝件制法的剖面示意圖；以及圖4A至圖4C為說明半導體晶片及半導體芯片的結構不意圖。主要組件符號說明I、2、3半導體封裝件11、21、31 基板
12、22、32、42 半導體芯片121、221、321 主動面122、222、322 非主動面223、323、423 溝槽224、324 側面13、23、33 封裝膠體14,24,34 散熱件15,25,35 導電組件40晶片。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“頂”、“側”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，也當視為本發(fā)明可實施的范疇。請參閱圖2A及圖2B，其為本發(fā)明半導體封裝件2的剖面示意圖。該半導體封裝件2包括基板21、半導體芯片22以及封裝膠體23?；?1上設置并電性連接半導體芯片22，該半導體芯片22的頂面形成有溝槽223，于圖式中，該半導體芯片22的頂面即非主動面222，而于此實施例中，該半導體芯片22透過導電組件25覆晶于該基板21上。封裝膠體23形成于該基板21上，且包覆該半導體芯片22側面224并外露出該半導體芯片22頂面。而于完成上述半導體封裝件2結構之后，該半導體芯片22的頂面接置散熱件24以逸散及傳導該半導體芯片22產生的熱量。于此實施例中，半導體芯片22頂面形成的溝槽223可為環(huán)形，并形成于靠近該半導體芯片22的頂面?zhèn)冗吿?，該散熱?4即接置于為該環(huán)形溝槽223所圈圍出的該半導體芯片22頂面上。由于實際封裝半導體芯片22時，部分封裝膠體23可能會溢流至半導體芯片22的非主動面222 (即頂面)上，造成接置散熱件24平整性不佳的問題，因此，本發(fā)明借由該圍繞的溝槽223隔絕溢至該半導體芯片22非主動面222的封裝膠體23，使得部分封裝膠體23填入至該溝槽223中，以解決接置散熱件24平整性不佳的問題。接著，請參閱圖3A至圖3D，其用以舉例說明本發(fā)明半導體封裝件制法的剖面示意圖。如圖3A所示，提供一作承載之用的基板31。
如圖3B所示，設置并電性連接一半導體芯片32于該基板31上，其中，半導體芯片32的頂面具有溝槽323，于此實施例中，半導體芯片32透過導電組件35覆晶于該基板31上，而該半導體芯片32的頂面即為非主動面322。如圖3C所示，模壓形成封裝膠體33于該基板31上，以包覆該半導體芯片32側面324并外露出該半導體芯片32頂面。如圖3D所示，于完成上述方法步驟后，可接置散熱件34于該半導體芯片32的頂面上，用以排除半導體芯片32產生的熱量。于此實施例中，半導體芯片32頂面形成的溝槽323可為環(huán)形，并形成于靠近該半導體芯片32的頂面?zhèn)冗吿?，而溝?23可以激光切割形成。需注意的是，該溝槽323可于半導體晶片尚未切割成半導體芯片32時形成，或者在已將半導體晶片切割成半導體芯片32的后形成。當然，也可于該半導體芯片32設置并電性連接于該基板31上之后，再于該半導體芯片32的頂面上形成溝槽323。由于實際封裝半導體芯片32時，部分封裝膠體33可能會溢流至半導體芯片32的非主動面322上，造成接置散熱件34平整性不佳的問題，因此，本發(fā)明借由該圍繞的溝槽323隔絕溢至該半導體芯片32非主動面322的封裝膠體33，使得部分封裝膠體33填入至該溝槽323中，以解決接置散熱件34平整性不佳的問題。請參閱圖4A至圖4C，其用以說明半導體晶片40及半導體芯片42的結構該半導體晶片40包括多個半導體芯片42，其彼此相連以形成一片體，其中，各該半導體芯片42的頂面形成有溝槽423。此外該溝槽423通常為環(huán)形，且形成于該半導體芯片42的頂面近其側邊處。其中，前述的半導體晶片表面可以化學蝕刻方式、物理蝕刻方式(如反應式離子蝕亥IJ、電漿蝕刻等)或以激光形成溝槽423，之后還可進行晶片切割制程，以形成單一具有溝槽423的半導體芯片42。綜上所述，本發(fā)明的半導體晶片、芯片、具有該芯片的半導體封裝件及其制法，借由該溝槽隔絕溢至該半導體芯片頂面的封裝膠體，以控制封裝膠體溢流的范圍，避免該封裝膠體溢流至半導體芯片的頂面(即非主動表面)上，更確切而言，可避免部分封裝膠體溢流至該散熱片的設置區(qū)域內，以克服設置于該半導體芯片非主動面上的散熱件的平整性問題，提升半導體封裝件的品質。上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
權利要求
1.一種半導體封裝件，包括 基板； 半導體芯片，其設置并電性連接于該基板上，且該半導體芯片的頂面形成有溝槽；以及封裝膠體，其形成于該基板上，且包覆該半導體芯片的側面，并外露出該半導體芯片的頂面。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝將還包括散熱件，其接置于該半導體芯片的頂面上。
3.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體芯片透過導電組件以覆晶方式接置于該基板上，且該半導體芯片的頂面為非主動面。
4.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該溝槽為環(huán)形，且形成于該半導體芯片的頂面近其側邊處。
5.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，部分該封裝膠體填入該溝槽中。
6.一種半導體封裝件的制法，其包括 于基板上設置并電性連接一半導體芯片，其中，該半導體芯片的頂面具有溝槽；以及 于該基板上形成封裝膠體，以包覆該半導體芯片側面，并外露出該半導體芯片的頂面。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括接置一散熱件于該半導體芯片的頂面上。
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該半導體芯片透過導電組件以覆晶方式接置于該基板上，且該半導體芯片的頂面為非主動面。
9.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該溝槽為環(huán)形，且形成于該半導體芯片的頂面近其側邊處。
10.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，部分該封裝膠體填入該溝槽中。
11.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該溝槽是以激光切割形成。
12.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該溝槽是于半導體晶片尚未切割成半導體芯片時形成或已切割成半導體芯片后形成。
13.一種半導體晶片，包括 多個半導體芯片，其彼此相連以形成一片體，其中，各該半導體芯片的頂面形成有溝槽。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體晶片，其特征在于，該溝槽為環(huán)形，且形成于該半導體芯片的頂面近其側邊處。
15.一種半導體芯片，其具有溝槽形成于該半導體芯片的頂面。
16.根據(jù)權利要求15所述的半導體芯片，其特征在于，該溝槽為環(huán)形，且形成于該半導體芯片的頂面近其側邊處。
全文摘要
一種半導體晶片、芯片、具有該芯片的半導體封裝件及其制法，該半導體封裝件包括設于基板上的半導體芯片，其中，該半導體芯片的頂面形成有溝槽；以及包覆該半導體芯片側面并外露出其頂面的封裝膠體。借由該溝槽的設置，得以避免因封裝膠體溢膠超過容許范圍，使得后續(xù)接置散熱件于該半導體芯片的外露頂面上的平整性不佳，造成散熱片散熱效率下降的問題。
文檔編號H01L21/56GK102903684SQ20111026629
公開日2013年1月30日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權日2011年7月27日
發(fā)明者廖俊明, 林志男, 余國華, 蕭承旭 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司