專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置，尤其涉及視角得到改善的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示裝置可利用低電壓來驅(qū)動，屬于輕量薄型，由于具有不僅視角寬、對比度優(yōu)異，且響應(yīng)速度也快的優(yōu)點，有機發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置而受到矚目。有機發(fā)光顯示裝置通過在陽極與陰極之間施加電壓，從而在位于陽極與陰極之間的有機發(fā)光層內(nèi)使電子和空穴再結(jié)合而生成激子，并且隨著激子從激發(fā) 狀態(tài)變至基態(tài)而發(fā)光。這種有機發(fā)光顯示裝置具有較寬的發(fā)光波長，據(jù)此發(fā)光效率被降低且色純度變 低。并且，從有機發(fā)光層發(fā)出的光沒有特定的方向性，因此朝任意方向發(fā)射的光子中相當數(shù)量的光子由于有機發(fā)光元件的內(nèi)部的全反射而不能到達至實際觀測者，從而使有機發(fā)光元件的光提取效率降低。由此，在有機發(fā)光顯示裝置內(nèi)裝入分布布拉格反射鏡(DBR，distributed bragg reflector),或者通過調(diào)節(jié)有機層的厚度來形成了諧振結(jié)構(gòu)。但是,雖然通過導(dǎo)入這種諧振結(jié)構(gòu)而能夠使光效率得到提高，但是存在視角變窄的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供通過應(yīng)用光學(xué)補償部件而使視角得到改善的有機發(fā)光顯示裝置。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的有機發(fā)光顯示裝置，包括有機發(fā)光元件，具有像素電極、面對像素電極而布置的對向電扱、夾設(shè)于像素電極與所述對向電極之間的有機發(fā)光層；第二偏光板，面對第一偏光板而布置，第一偏光板布置于有機發(fā)光兀件執(zhí)行發(fā)光的ー側(cè)；以及光學(xué)補償部件，夾設(shè)于第一偏光板與第二偏光板之間。在本發(fā)明中，第一偏光板的吸收軸和第二偏光板的吸收軸可以一致。在本發(fā)明中，還可具備夾設(shè)于有機發(fā)光元件與第一偏光板之間的相位延遲層。在本發(fā)明中，相位延遲層可具備ー個1/4波長板。在本發(fā)明中，相位延遲層可具備ー個1/4波長板和ー個1/2波長板。在本發(fā)明中，還可具備夾設(shè)于有機發(fā)光元件與相位延遲層之間的包封単元。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件由從A-板、C-板以及雙軸性相位差板組成的組中所選擇的某ー個構(gòu)成，或者由這些板的組合而構(gòu)成。A-板為滿足nxデny = nz, C-板為滿足nx = nyデnz,雙軸性相位差板為滿足nxデnyデnz的光學(xué)補償部件，nx和ny為朝面上的x方向和y方向的折射率，nz為厚度方向z的折射率，d表示板的厚度。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為兩個A-板。在本發(fā)明中，兩個A-板相互垂直相交，且面內(nèi)相位延遲值Rin可以為150nm至300nmo
面內(nèi)相位延遲值Rin可根據(jù)下述式而定義。Rin= (nx-ny) X d在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為ー個A-板。在本發(fā)明中，A-板的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為500nm至700nm。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為ー個C-板。在本發(fā)明中，C-板的厚度方向相位延遲值Rth可以為150nm至250nm。厚度方向相位延遲值Rth根據(jù)下述式而定義。
Rth = [ {(nx+ny) /2} -nz] X d在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為ー個雙軸性相位差板。在本發(fā)明中，一個雙軸性相位差板的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為IOOnm至150nm。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為兩個雙軸性相位差板。在本發(fā)明中，兩個雙軸性相位差板相互垂直相交，且面內(nèi)相位延遲值Rin可以為50nm 至 300nm。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為從有機發(fā)光兀件依次布置的ー個A-板和ー個C-板。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為從有機發(fā)光元件依次布置的一個雙軸性相位差板和ー個C-板。在本發(fā)明中，光學(xué)補償部件可以為從有機發(fā)光兀件依次布置的ー個A-板和ー個雙軸性相位差板。如上所述的多個實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置，利用光學(xué)補償部件來補償基于視角的色偏移(color shift),由此能夠改善視角。


圖I為概略地示出本發(fā)明ー實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；圖2為概略地示出本發(fā)明實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的補償視角的原理概念圖；圖3為概略地示出本發(fā)明的另ー實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；圖4、圖6、圖8、圖10、圖12至圖15為概略地示出本發(fā)明的多個實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；圖5、圖7、圖9、圖11為示出本發(fā)明的多個實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的在側(cè)面的色偏移(color shift)的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖來進一歩詳細說明本發(fā)明的多個優(yōu)選實施例。為了說明本發(fā)明的實施例而使用的諸如“45度”、“垂直”、“一致”等用于表示角度的表述不僅包括相關(guān)于所述表述的特定角度，還包括所有的認為與此實質(zhì)上相同的角度。圖I為概略地示出本發(fā)明ー實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖。參照圖1，一實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置包括有機發(fā)光元件1，在基板10上具備像素電極20和面對像素電極20而布置的對向電極40以及夾設(shè)于像素電極20與對向電極40之間的有機發(fā)光層30 ;包封單兀50,密封所述有機發(fā)光兀件I ;依次布置于所述包封單兀50上的相位延遲層60、第一偏光板70、光學(xué)補償部件80、第二偏光板90。所述基板10可由以SiO2為主要成分的玻璃材料形成?；?0并不局限于此，其可利用金屬材料或塑料材料等多種材料的基板。雖然在圖中沒有示出，但是為了基板10的平滑性和防止雜質(zhì)元素(Tramp element)的滲透，所述基板10與像素電極20之間還可具備由SiOx以及/或SiNx等形成的緩沖層。 在所述基板10上具備像素電極20。像素電極20可以是反射電極，其可具備由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及這些物質(zhì)的化合物等形成的反射膜和形成于反射膜上的透明電極層。所述透明電極層可具備從包括氧化銦錫(ΙΤ0, Indium tin oxide)、氧化銦鋅(IZO, Indium Zinc Oxide)、氧化鋒(ZnO, zinc oxide)、氧化銦(In2O3, indium oxide)、氧化銦嫁(IG0, indium gallium oxide)以及氧化招鋒(ΑΖ0, aluminium zinc oxide)的組中 所選擇的至少ー個。所述反射膜以及/或透明電極層可以是由多個堆疊的結(jié)構(gòu)。即，可應(yīng)用反射膜夾在ー對透明電極層之間的結(jié)構(gòu)。所述基板10還可具備包括薄膜晶體管的像素電路部。所述像素電路部，尤其薄膜晶體管與所述像素電極20電性連接。在像素電極20上形成有機發(fā)光層30。所述有機發(fā)光層30可以是低分子有機物或者高分子有機物。當有機發(fā)光層30為低分子有機物時，可堆疊有空穴傳輸層(HTL，hole transportlayer)、空穴注人層(HIL, hole injection layer)、發(fā)光層(EML, emission layer)、電子傳輸層(ETL, electron transport layer)以及電子汪人層(EIL, electron injectionlayer)等。除此之外，根據(jù)需要可堆疊有多祥的層。此時，作為可使用的有機材料，包括酞菁銅(CuPc, copper phthalocyanine)、N' - ニ(萘-I-基)-N(N' -Di (naphthalene-1-yl)-N) > N1 - ニ苯基聯(lián)苯胺(NPB, N' -diphenyl-benzidine)、三(8_ 輕基喧琳)招(Alq3,tris-8-hydroxyquinoline aluminum)在內(nèi)，可多樣地應(yīng)用。另外，當有機發(fā)光層30為高分子有機物吋，除了發(fā)光層之外，可包括空穴傳輸層(HTL, hole transport layer)?？昭ㄝ斔蛯涌墒褂镁郅硴违搜踵绶?PED0T ；poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)或聚苯胺(PANI, polyaniline)等。此時，作為可使用的有機材料，可使用聚對苯撐こ烯撐(PPV, poly-phenylenevinylene)類以及聚荷(Polyfluorene)類等的高分子有機物。在有機發(fā)光層30上布置有對向電極40。對于本實施例所提供的有機發(fā)光顯不裝置而言，像素電極20使用為陽極,對向電極40使用為陰極。但是，可以相反地應(yīng)用電極的極性。當像素電極20為反射電極時，對向電極40可以為透明電極。此時，可通過利用功函數(shù)小的金屬，即Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及包含這些的化合物的金屬薄膜來蒸鍍，由此形成半透過半反射型電極結(jié)構(gòu)。或者，可利用ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或者In2O3等用于形成透明電極的物質(zhì)，在所述金屬薄膜上進ー步形成輔助電極層或匯流電極(bus electrode)?？赏ㄟ^在發(fā)光區(qū)域之外的區(qū)域中較厚地形成導(dǎo)電性較好的金屬，由此進一歩形成總線線路(bus line)。所述包封単元50可以為能夠使光透過的有機基板或者塑料基板。所述包封単元50可以為由有機物形成的薄膜和由無機物形成的薄膜堆疊的堆疊體。上述的結(jié)構(gòu)涉及從有機發(fā)光層30發(fā)出的光朝對向電極40方向發(fā)出的前面發(fā)光型。在圖I的實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置中，包封単元50上布置有相位延遲層60,相位延遲層60上布置有第一偏光板70。所述第一偏光板70為如下所述的光學(xué)部件，即，在被入射的光中僅使特定方向，即透光軸方向的光透過而變成線偏振光。相位延遲層60與第一偏光板70相互物理接觸,所述相位延遲層60與第一偏光板70的組合起到抑制外部光的反射的功能。相位延遲層60可以是ー個1/4波長板。1/4波長板的光軸與第一偏光板70的吸收軸所形成的角度大致呈45度。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，經(jīng)過第一偏光板70而朝一方向被線偏振的光隨著經(jīng)過1/4波長板而變?yōu)閳A偏振光，當圓偏振光被有機發(fā)光元件I等反射時，再次經(jīng)過1/4波長板而變成線偏振光。此時，從外部入射之后經(jīng)過第一偏光板70而被線偏振的光與再次經(jīng)過1/4波長板而被線偏振的光相互垂直，因此被反射的光不能透過所述第一偏振板70，由此防止從外部入射的光被反射而再次發(fā)射到外部。如上所述用于防止外部光的反射的結(jié)構(gòu)并不局限于此，可以有多祥的形態(tài)。例如，相位延遲層60可包括布置于第一偏光板70下部的ー個1/2波長板和布置于1/2波長板下部的ー個1/4波長板。此時，1/2波長板的慢軸(slow axis)可以與第一偏光板70的透光軸(Θ)呈θ+15+α、θ-15+α、Θ+75+α、Θ-75+α的角度，對應(yīng)于此，1/4波長板的慢軸(slow axis)可以與第一偏光板70的透光軸(Θ )呈θ+75+α、θ-75+α、θ+15+α、θ-15+α的角度。1/2波長板的上述四個角度與1/4波長板的所述四個角度依次分別對應(yīng)。在此，α表示±10度。在所述第一偏光板70上布置有第二偏光板90,而在第一偏光板70與第二偏光板90之間夾設(shè)有光學(xué)補償部件80。所述第二偏光板90為僅使與透光軸一致的方向的光透過，以將入射光變成線偏振光的光學(xué)部件，所述第二偏光板90布置成吸收軸與所述第一偏光板70 —致。所述光學(xué)補償部件80可以是A-板、C-板以及雙軸性相位差板中的某ー個，或者是這些板的結(jié)合。A-板(A-plate)和C-板(C-plate)以及雙軸性相位差板定義為如下。當板的表面上的相互垂直的方向的折射率中X軸方向的折射率為nx、y軸方向的折射率為ny、厚度方向的折射率為nz時,將滿足nxデny = nz的條件的定義為A-板,將滿足nx = nyデnz的條件的定義為C-板。雙軸性相位差板表示光軸為兩個的光學(xué)部件,且滿足nxデnyデnz的條件。所述多個板具有根據(jù)下述的關(guān)系式而定義的面內(nèi)相位延遲值和厚度方向相位延遲值。Rin = dX (nx-ny)... (I)Rth= [ {(nx+ny) / 2} -nz] X d ... (2)在此,d表示板的厚度,Rin表示面內(nèi)相位延遲值(in-plane retardation value),Rth表不厚度方向相位延遲值(thickness retardation value)。因此，A-板和雙軸性相位差板具有面內(nèi)相位延遲值和厚度方向相位延遲值,但是C-板僅具有厚度方向相位延遲值，其面內(nèi)相位延遲值大致為O。由于外部影響等，所述相位延遲值可具有± IOnm左右的誤差。如前所示，光學(xué)補償部件80由上述的A-板和C-板以及雙軸性相位差板中的某一個構(gòu)成，或者由這些板的組合而構(gòu)成。在此，可通過調(diào)節(jié)所述組合和構(gòu)成板的物質(zhì)以及各板的厚度d來引起通過光學(xué)補償部件80的光的相位延遲。圖2為概略地示出本發(fā)明實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的補償視角的原理概念圖。參照圖2，(a)示出的是自沒有光學(xué)補償部件80的有機發(fā)光顯示裝置發(fā)出的光， (b)示出的是透過光學(xué)補償部件80的光，(c)示出的是具有光學(xué)補償部件80的有機發(fā)光顯示裝置的光。對于沒有光學(xué)補償部件80的有機發(fā)光顯示裝置而言，根據(jù)為了提高效率而導(dǎo)入的諧振結(jié)構(gòu)，在相對于正面呈傾斜的角度上觀察在正面顯現(xiàn)為白色的光吋，將會發(fā)生朝藍色側(cè)偏移(shift)的現(xiàn)象。為了補償這種現(xiàn)象，在有機發(fā)光顯示裝置上布置第一偏光板70和第二偏光板90,并在第一偏光板70與第二偏光板90之間布置光學(xué)補償部件80,以用于使從側(cè)面觀察的光朝黃色(yellow)側(cè)偏移(shift)。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)而使得有機發(fā)光顯示裝置的藍色偏移(blue shift)被光學(xué)補償部件80相消，從而在相對于正面呈傾斜的角度上觀察有機發(fā)光顯示裝置時也能夠顯現(xiàn)與從正面觀察時ー樣的白色光。進ー步詳細說明，如A-板、C-板或雙軸性相位差板一祥的光學(xué)補償部件80沿著面內(nèi)以及/或厚度方向引起相位延遲。此時，朝正面發(fā)出的光和朝側(cè)面發(fā)出的光通過光學(xué)補償部件80的不同路徑來行迸。例如，當光學(xué)補償部件80的厚度為d時，朝正面發(fā)出的光將會行進相當于d的距離，但是朝相對正面朝側(cè)面傾斜相當于Φ的區(qū)域發(fā)出的光將會行進相當于d/cosO的距離，而d/οο8Φ可分解為作為面方向的距離的dXtancli和作為厚度方向的距離的d。此時，根據(jù)光學(xué)補償部件80的種類和厚度d而發(fā)生具有一定值的面內(nèi)相位延遲和厚度方向相位延遲。即，根據(jù)具有面內(nèi)相位延遲值和厚度方向相位延遲值的A-板和雙軸性位相差板以及僅具有厚度方向相位延遲值的C-板的nx、ny、nz值和厚度d以及這些值的適當?shù)慕M合，可引導(dǎo)出在側(cè)面所期望的程度的相位延遲。由于光學(xué)補償部件80的下部和上部分別布置有第一偏光板70和第二偏光板90,因此透過第一偏光板70的光會引起預(yù)定值的相位延遲，所述相位被延遲的光在再次透過第二偏光板90的同時，基于波長的光的透光率被調(diào)節(jié)，從而有可能引起在側(cè)面的色偏移(color shift)。通過將光學(xué)補償部件80的色偏移引導(dǎo)成使得在有機發(fā)光顯示裝置的側(cè)面發(fā)生的藍色偏移(blue shift)相消，由此對在有機發(fā)光顯示裝置的側(cè)面，即在相對于正面呈傾斜的角度處的偏移(shift)進行補償。據(jù)此，可改善有機發(fā)光顯示裝置的視角。圖3為概略地示出本發(fā)明的另ー實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖。參照圖3，另ー實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置包括有機發(fā)光元件Γ，在基板10'上具備像素電極20'和面對像素電極20'而布置的對向電極40'以及夾設(shè)在像素電極20'和對向電極40'之間的有機發(fā)光層30 ;包封單元50'，密封所述有機發(fā)光元件Ii ;依次布置于所述基板10'的下部的相位延遲層60'、第一偏光板70'、光學(xué)補償部件80'、第二偏光板90'。圖3與圖I的區(qū)別點僅在于構(gòu)成像素電極20'和對向電極40'的材料和布置有光學(xué)補償部件80'等的位置，而其他結(jié)構(gòu)都相同。以下，省略相同結(jié)構(gòu)的說明，重點說明所述區(qū)別點。在所述基板10'上具備像素電極20'。像素電極20'可以是透明或半透明電極。此時，像素電極20'可具備從包括氧化銦錫(ΙΤ0, Indium tin oxide)、氧化銦鋅(IZO,Indium Zinc Oxide)、氧化鋒(ZnO, zinc oxide)、氧化銦(In2O3, indium oxide)、氧化銦嫁 (IG0, indium gallium oxide)以及氧化招鋒(ΑΖ0, aluminium zinc oxide)的組中所選擇的至少ー個。在像素電極20'上形成有機發(fā)光層30'。所述有機發(fā)光層30'可以是低分子有機物或者高分子有機物。在有機發(fā)光層30'上具備對向電極40'。對向電極40'可以是反射電極，此時，將Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及包含這些的化合物全面蒸鍍到發(fā)光層上而形成。在圖3的實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置中，像素電極20'為透明電極，對向電極40'為反射電極，因此涉及從有機發(fā)光層30'發(fā)出的光通過像素點擊20'而朝基板10'方向發(fā)出的背面發(fā)光型。因此,發(fā)出光的基板10'側(cè)依次布置有相位延遲層60'、第一偏光板70'、光學(xué)補償部件80'以及第二偏光板90'。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，井根據(jù)與前面發(fā)光型的情況相同的原理，可防止外部光的反射以及對在側(cè)面的色偏移(color shift)進行補償。以下，對基于上述原理的光學(xué)補償部件80的實施例進行說明。<實施例一 >圖4為概略地示出本發(fā)明的第一實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置100的剖面圖，圖5為示出在本發(fā)明的第一實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置100的側(cè)面的色偏移(color shift)的圖。參照圖4,在所述有機發(fā)光兀件101上依次堆疊有1/4波長板160、第一偏光板170、A-板180、第二偏光板190。有機發(fā)光元件101與1/4波長板160之間還可夾設(shè)有包封單元150。所述A-板180包括下部A-板181和上部A-板182。1/4波長板160的慢軸(slow axis)布置成與第一偏光板170的吸收軸呈45度角度。通過1/4波長板160和第一偏光板170來抑制外部光的反射。對此已進行了說明，因此在此省略記載。第一偏光板180的吸收軸與第二偏光板190的吸收軸布置為一致，下部A-板181的慢軸(Slow axis)相對于第一偏光板170的吸收軸和第二偏光板190的吸收軸傾斜45度,上部A-板182的慢軸(Slow axis)與下部A-板181的慢軸(Slow axis)布置為相互垂直。即，上部A-板182的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板170的吸收軸和第二偏光板190的吸收軸傾斜135度。此時,也可以是下部A-板181的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜135度，上部A-板182的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜45度。但是，A-板180與第一偏光板170形成的角度并不局限于此。所述下部以及上部A-板181、182的面內(nèi)相位延遲值Rin可分別為150nm至300nm,尤其優(yōu)選為200nm至250nm。參照圖5，示出有關(guān)于基于所述下部及上部A-板181、182的面內(nèi)相位延遲值Rin的側(cè)面色偏移(color shift)的模擬分析結(jié)果。此時，相對于正面朝側(cè)面傾斜的角度Φ為60度，兩個A-板181、182的面內(nèi)相位延遲值Rin具有150nm至250nm范圍內(nèi)的值。所述模擬分析雖然涉及兩個A-板181、182的面內(nèi)相位延遲值Rin相同的情況，但是兩個A-板181、182的面內(nèi)相位延遲值Rin可以不相同。附圖中所示的0、15、30等數(shù)字表示的是，以相當于在有機發(fā)光顯示裝置的平面上 相對于所述正面朝側(cè)面傾斜60度的角度的一區(qū)域(三點方向)與相當于正面的中心所連接的線為基準，相當于側(cè)面角60度的另一區(qū)域與中心所連接的線在平面上所形成的角度。從圓的中心以放射狀伸出的線表示相對于正面的側(cè)面的顏色變化(AV Vi )。顏色變化值隨著離中心的距離的増加而增加。在此，u'和V'表示色坐標和在色坐標空間的色差。關(guān)于所述附圖中所記載的數(shù)字等的說明將在以下其他實施例中省略其記載。根據(jù)模擬分析結(jié)果而可以確認，相比于沒有光學(xué)補償部件80的情況的值，第一實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置的在側(cè)面的顏色變化(Au, V,)顯著下降。S卩，可以知道視角根據(jù)光學(xué)補償部件80而得到了改善。<實施例ニ >圖6為概略地示出本發(fā)明的第二實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置200的剖面圖，圖7為示出本發(fā)明的第二實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置200的在側(cè)面的色偏移(color shift)的圖。參照圖6,在所述有機發(fā)光兀件201上依次堆疊有1/4波長板260、第一偏光板270、C-板281以及第二偏光板290。1/4波長板260的慢軸(slow axis)布置成與第一偏光板270的吸收軸呈45度角度。并且,第一偏光板270的吸收軸和第二偏光板290的吸收軸被布置成一致。所述C-板281的厚度方向相位延遲值Rth可以為150nm至250nm，尤其優(yōu)選為200nm 至 250nm。參照圖7，示出有關(guān)于基于C-板281的厚度方向相位延遲值Rth的側(cè)面色偏移(color shift)的模擬分析結(jié)果。此時，相對于正面朝側(cè)面傾斜的角度Φ為60度，C-板281的厚度方向相位延遲值Rth具有150nm至250nm范圍內(nèi)的值?！磳嵤├祱D8為概略地示出本發(fā)明的第三實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置300的剖面圖，圖7為示出本發(fā)明的第三實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置300的在側(cè)面的色偏移(color shift)的圖。參照圖8,在所述有機發(fā)光兀件301上依次堆疊有1/4波長板360、第一偏光板370、A-板381以及第二偏光板390。1/4波長板360的慢軸(slow axis)布置成與第一偏光板370的吸收軸呈45度角度。優(yōu)選地，第一偏光板270的吸收軸和第二偏光板290的吸收軸被布置成一致,且A-板381的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板370的吸收軸和第二偏光板390的吸收軸傾斜90度。但是，所述A-板381與 第一偏光板370所形成的角度并不局限于此。所述A-板381的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為500nm至700nm，尤其優(yōu)選為600nm至 660nm。參照圖9，示出有關(guān)于基于A-板381的面內(nèi)相位延遲值Rin的側(cè)面色偏移(colorshift)的模擬分析結(jié)果。此時，相對于正面朝側(cè)面傾斜的角度Φ為60度，A-板381的面內(nèi)相位延遲值Rin具有550nm至720nm范圍內(nèi)的值。〈實施例四〉圖10為概略地示出本發(fā)明的第四實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置400的剖面圖，圖11為示出本發(fā)明的第四實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置400的在側(cè)面的色偏移(color shift)的圖。參照圖10，在所述有機發(fā)光兀件401上依次堆疊有1/4波長板460、第一偏光板470、下部雙軸性位相差板481、上部雙軸性位相差板482以及第二偏光板490。1/4波長板460的慢軸(slow axis)布置成與第一偏光板470的吸收軸呈45度角度。第一偏光板470的吸收軸和第二偏光板490的吸收軸被布置成一致，下部雙軸性相位差板481的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板470的吸收軸和第二偏光板490的吸收軸傾斜45度，上部雙軸性相位差板482的慢軸(slow axis)與下部雙軸性相位差板481的慢軸(slow axis)被布置成垂直。S卩，上部雙軸性相位差板482的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板470的吸收軸和第二偏光板490的吸收軸傾斜135度。此時，也可以是下部雙軸性相位差板481的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜135度，上部雙軸性相位差板482的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜45度。所述各雙軸性相位差板481、482與第一偏光板470形成的角度并不局限于此。所述各雙軸性相位差板481、482的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為50nm至300nm，尤其優(yōu)選為IOOnm至150nm。并且，表示雙軸性相位差板481、482的雙軸性程度的Nz值可以為I. 4至I. 8。Nz根據(jù)下述關(guān)系式而定義。Nz = Rth/Rin... (3)在此，Rin為面內(nèi)相位延遲值，Rth為厚度方向相位延遲值。參照圖11，示出有關(guān)于基于雙軸性相位差板481、482的面內(nèi)相位延遲值Rin的側(cè)面色偏移(color shift)的模擬分析結(jié)果。此時，相對于正面朝側(cè)面傾斜的角度Φ為60度，Nz為I. 6，雙軸性相位差板481、482的面內(nèi)相位延遲值Rin具有50nm至150nm范圍內(nèi)的值。〈實施例五〉
圖12為概略地示出本發(fā)明的第五實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置500的剖面圖。參照圖12,所述有機發(fā)光兀件501上依次堆疊有1/4波長板560、第一偏光板570、雙軸性相位差板581以及第二偏光板590。1/4波長板560的慢軸(slow axis)被布置成與第一偏光板570的吸收軸呈45度角度。第一偏光板570的吸收軸和第二偏光板590的吸收軸被布置成一致，雙軸性相位差板581的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板570的吸收軸和第二偏光板590的吸收軸可傾斜O(jiān)至90度，但優(yōu)選為兩個軸所形成的角度為90度。所述雙軸性相位差板581的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為IOOnm至150nm，尤其優(yōu)選 為 IOOnm 至 120nm?！磳嵤├祱D13為概略地示出本發(fā)明的第六實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置600的剖面圖。參照圖13,有機發(fā)光兀件601上依次堆疊有1/4波長板660、第一偏光板670、A_板681、C-板682以及第二偏光板690。1/4波長板660的慢軸(slow axis)被布置成與第一偏光板670的吸收軸呈45度角度。第一偏光板670的吸收軸和第二偏光板690的吸收軸被布置成一致,優(yōu)選地,A-板681的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板670的吸收軸和第二偏光板690的吸收軸傾斜90度,但并不局限于此，A-板681的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板670的吸收軸和第二偏光板690的吸收軸可形成O度至90度。此時，A-板681的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為IOOnm至300nm，尤其優(yōu)選為200nm至250nm。并且，C-板的厚度方向相位延遲值Rth可以為50nm至300nm?！磳嵤├摺祱D14為概略地示出本發(fā)明的第七實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置700的剖面圖。參照圖14，有機發(fā)光元件701上依次堆疊有1/4波長板760、第一偏光板770、雙軸性相位差板781、C-板782以及第二偏光板790。1/4波長板760的慢軸(slow axis)被布置成與第一偏光板770的吸收軸呈45度角度。第一偏光板770的吸收軸和第二偏光板790的吸收軸被布置成一致,優(yōu)選地,雙軸性相位差板781的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板770的吸收軸和第二偏光板790的吸收軸傾斜90度，但并不局限于此，雙軸性相位差板781的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板770的吸收軸和第二偏光板790的吸收軸可形成O度至90度。此時，雙軸性相位差板781的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為50nm至200nm，尤其優(yōu)選為IOOnm至120nm。并且，C-板的厚度方向相位延遲值Rth可以為50nm至300nm?！磳嵤├恕祱D15為概略地示出本發(fā)明的第八實施例所涉及的有機發(fā)光顯示裝置800的剖面圖。參照圖15，有機發(fā)光元件801上依次堆疊有1/4波長板860、第一偏光板870、A_板881、雙軸性相位差板882以及第二偏光板890。A-板881的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板870的吸收軸和第二偏光板890的吸收軸傾斜45度，雙軸性相位差板882的慢軸(slow axis)與A-板881的慢軸(slowaxis)被布置成垂直。S卩，雙軸性相位差板882的慢軸(slow axis)相對于第一偏光板870的吸收軸和第二偏光板890的吸收軸傾斜135度。此時,也可以是A-板881的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜135度,雙軸性相位差板882的慢軸(slow axis)相對于所述吸收軸傾斜45度。但是，A-板881與雙軸性位相差板882的角度并不局限于此。A-板881的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為150nm至300nm，尤其優(yōu)選為200nm至250nm。雙軸性相位差板882的面內(nèi)相位延遲值Rin可以為50nm至300nm，尤其優(yōu)選為IOOnm至120nm，Nz值可以為I至2，尤其優(yōu)選為I. 8。以上所說明的實施例雖然全部對前面發(fā)光型進行了限定，但本發(fā)明并不是必需要局限于此的，同樣也可適用于朝基板的方向發(fā)光的背面發(fā)光型。本發(fā)明參考附圖中示出的實施例進行了說明，但這僅是示例性的，對于本領(lǐng)域具有一般技術(shù)的技術(shù)人員來說應(yīng)當知道基于此可具有多祥的變形以及等同的其他實施例。因此，本發(fā)明的真正的技術(shù)保護范圍應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求書的技術(shù)思想而定義。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括 有機發(fā)光元件，具有像素電極、面對所述像素電極而布置的對向電極、夾設(shè)于所述像素電極與所述對向電極之間的有機發(fā)光層； 第一偏光板，布置于所述有機發(fā)光兀件執(zhí)行發(fā)光的一側(cè)； 第二偏光板，面對所述第一偏光板而布置；以及 光學(xué)補償部件，夾設(shè)于所述第一偏光板與所述第二偏光板之間。
2.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一偏光板的吸收軸和所述第二偏光板的吸收軸一致。
3.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，還具備夾設(shè)于所述有機發(fā)光元件與所述第一偏光板之間的相位延遲層。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述相位延遲層為一個1/4波長板。
5.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述相位延遲層為一個1/4波長板和一個1/2波長板。
6.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，還具備夾設(shè)于所述有機發(fā)光元件與所述相位延遲層之間的包封單元。
7.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件由從A-板、C-板以及雙軸性相位差板組成的組中所選擇的某一個構(gòu)成，或者由這些板的組合而構(gòu)成， 其中，A-板為滿足nx古ny = nz, C-板為滿足nx = ny古nz,雙軸性相位差板為滿足nx ^ ny ^ nz的光學(xué)補償部件，nx和ny為朝面上的x方向和y方向的折射率，nz為厚度方向的折射率。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為兩個A-板。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述兩個A-板相互垂直相交，且面內(nèi)相位延遲值為150nm至300nm, 面內(nèi)相位延遲值(Rin)根據(jù)下述關(guān)系式而定義，其中nx和ny為朝面上的X方向和y方向的折射率，d為板的厚度，Rin = dX (nx-ny)。
10.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為一個A-板。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述A-板的面內(nèi)相位延遲值為 500nm 至 700nm。
12.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為一個C-板。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述C-板的厚度方向相位延遲值為150nm至250nm 厚度方向相位延遲值(Rth)根據(jù)下述關(guān)系式而定義,其中nx和ny為朝面上的X方向和I方向的折射率，nz為厚度方向的折射率，d為板的厚度，Rth= [ {(nx+ny)/2}-nz] X d。
14.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為一個雙軸性相位差板。
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述雙軸性相位差板的面內(nèi)相位延遲值為IOOnm至150nm。
16.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為兩個雙軸性相位差板。
17.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述兩個雙軸性相位差板相互垂直相交，且面內(nèi)相位延遲值為50nm至300nm。
18.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為從所述有機發(fā)光兀件依次布置的一個A-板和一個C-板。
19.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為從所述有機發(fā)光元件依次布置的一個雙軸性相位差板和一個C-板。
20.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)補償部件為從所述有機發(fā)光元件依次布置的一個A-板和一個雙軸性相位差板。
全文摘要
本發(fā)明涉及視角經(jīng)改善的有機發(fā)光顯示裝置，且提供如下有機發(fā)光顯示裝置，即該裝置包括有機發(fā)光元件，具有布置于基板上的像素電極、面對像素電極而布置的對向電極、夾設(shè)于所述像素電極與所述對向電極之間的有機發(fā)光層；第一偏光板，布置于所述有機發(fā)光元件執(zhí)行發(fā)光的一側(cè)；第二偏光板，面對所述第一偏光板而布置；光學(xué)補償部件，夾設(shè)于所述第一偏光板與所述第二偏光板之間。
文檔編號H01L51/52GK102856341SQ201110266740
公開日2013年1月2日 申請日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月29日
發(fā)明者林載翊, 樸源祥, 安以埈, 金起范 申請人:三星顯示有限公司