專利名稱：半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子器件制備領(lǐng)域，具體涉及采用MgO作為掩膜制備金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
GaN半導(dǎo)體是典型的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導(dǎo)率大、載流子遷移率高、抗輻射能力強等特點，在微電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。GaN基半導(dǎo)體可以形成固溶體，通過調(diào)節(jié)III族元素如Al的組分配比可實現(xiàn)固溶體禁帶寬度在1. 9-6. 2eV 范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。GaN基半導(dǎo)體具有一定的壓電極化和自發(fā)極化，在形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)時能在界面處形成二維電子氣ODEG)。如MGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中能夠在不摻雜的情況下形成面密度高達IO13CnT2的二維電子氣，其遷移率可達1500cm2/(V 。因此，GaN基半導(dǎo)體在高頻、高速、大功率電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。盡管GaN基半導(dǎo)體具有優(yōu)良的電學性能，但仍有眾多物理機制需要進一步研究。最顯著的問題之一就是GaN基場效應(yīng)器件的柵泄漏電流。研究發(fā)現(xiàn)，采用MOSFET結(jié)構(gòu)可以顯著降低GaN基場效應(yīng)器件的柵泄漏電流，對改善器件的性能起著十分重要的作用。目前常用的氧化物介質(zhì)材料多為Si02、Al2O3, HfO2等介電常數(shù)小于20的低k材料。隨著器件體積的不斷縮小，要求柵介質(zhì)層等效氧化層厚度(EOT) 越來越小，采用的柵介質(zhì)材料k值更高。鐵電氧化物材料是一類具有廣闊應(yīng)用前景的氧化物材料。常用的鐵電氧化物材料主要有鈣鈦礦型鐵電體、層狀鈣鈦礦型鐵電體和鈮酸鋰型鐵電體。鈣鈦礦型鐵電體通式為ABO3，其中A元素通常為Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Bi或La等，B元素通常為Ti、Zr、Fe、Ru 或M等。層狀鈣鈦礦型鐵電體是Bi層與類鈣鈦礦層交替形成的復(fù)合氧化物，其通式為 (Bi2O2)2+(AnriBmO3lrt)2-,其中 A 元素通常為 Bi、Ba、Sr、Ca、Pb、K 或 Na 等，B 元素通常為 Ti、 他、1^、110、1或!^等。鈮酸鋰型鐵電體主要有LiNbOjP LiI^aO3等。鐵電氧化物材料具有高的介電常數(shù)，能夠滿足器件小型化對柵介質(zhì)層等效氧化物層厚度的要求。鐵電氧化物材料還具有鐵電、壓電、熱釋電等豐富的物理特性。將鐵電氧化物材料作為GaN基半導(dǎo)體MOSFET 器件的柵介質(zhì)層形成MFSFET結(jié)構(gòu)，鐵電氧化物材料可翻轉(zhuǎn)的鐵電極化能夠?qū)aN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二維電子氣輸運特性產(chǎn)生影響。更進一步，鐵電氧化物材料的壓電、熱釋電等特性在MFSFET結(jié)構(gòu)中所產(chǎn)生的界面電荷可能通過界面的傳遞作用改變GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二維電子氣濃度，使之隨外加應(yīng)力、溫度等參數(shù)的變化而變化。這些耦合效應(yīng)可用作制備壓敏傳感器、溫度傳感器等器件，也可能增強GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的性能。因此，采用鐵電氧化物材料作為GaN基半導(dǎo)體MOSFET器件的柵介質(zhì)層在電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。采用鐵電氧化物材料作為GaN基半導(dǎo)體MOSFET器件的柵介質(zhì)層需要對鐵電氧化物薄膜進行微圖形化。鐵電氧化物薄膜的微圖形化一般采用干法刻蝕的方法。但是將這些鐵電氧化物材料與GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成后，采用干法刻蝕對鐵電氧化物材料進行微圖形化時，難以掌握合適的刻蝕條件，容易對GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)造成損傷，從而降低器
3件的性能。因此，尋找一種合適的制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的方法，對于器件的實際應(yīng)用具有十分重要的意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管柵結(jié)構(gòu)的方法，其中柵結(jié)構(gòu)包括鐵電氧化物薄膜層和金屬層。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，包括下述步驟(1)在已制作了源電極和漏電極的GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)上涂覆正性光刻膠；(2)通過曝光和顯影工藝對光刻膠進行微圖形化，留下合適的區(qū)域制作MgO掩膜；(3)沉積 MgO 薄膜；(4)剝離光刻膠，同時剝離光刻膠上的MgO薄膜，留下直接沉積在基片上的MgO薄膜作為掩膜；(5)依次沉積鐵電氧化物薄膜層和金屬層；(6)剝離MgO掩膜，同時剝離MgO掩膜上的鐵電氧化物薄膜層和金屬層，留下直接沉積在基片上的鐵電氧化物薄膜層和金屬層作為半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)。進一步的，步驟⑴中涂覆的正性光刻膠厚度為2 3μπι。步驟(3)中采用蒸發(fā)、 濺射或激光脈沖沉積的方法在室溫條件下沉積MgO薄膜，沉積過程中保持生長室真空度保持為1 X 1(Γ3 1 X l(T4Pa，沉積的MgO薄膜厚度在500 800nm。步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈣鈦礦型鐵電體、層狀鈣鈦礦型鐵電體或鈮酸鋰型鐵電體。更具體的，步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈣鈦礦型鐵電體，其通式為ABO3，其中A Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Bi La, B ^^ Ti> Zr> Fe> Ru Ni ；以A元素、B元素和氧元素摩爾比計算，化學配比滿足(A1+^+…… +An) (B^B2+......+Bn) :0=1:1:3,其中A1、A2、An表示A代表的元素中的不同的元素，Bp B2、Bn表示B代表的元素中的不同的元素?；蛘?，步驟(5)中，所述鐵電氧化物為層狀鈣鈦礦型鐵電體，通式為 (Bi2O2)2+(QnriRmO3lrt產(chǎn)，其中 Q 元素為 Bi、Ba、Sr、Ca、Pb、K 或 Na，R 元素為 Ti、Nb、Ta、Mo、W 或狗。其中m為大于1的配位數(shù)，保持離子基團的化合價為-2價或者，步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈮酸鋰型鐵電體，包括LiNbO3或LiTa03。步驟(5)中的金屬層為Ni、Au或Pt。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明首次使用MgO作為掩膜制作金屬/鐵電氧化物/GaN 基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外尚未見報道。由于一般采用干法刻蝕的方法對鐵電氧化物材料進行微圖形化，在制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管時，容易對GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)造成損傷，從而破壞器件的性能。而采用本發(fā)明的方法， 利用MgO作為掩膜來制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)，制備方法簡單，而且對GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的損傷較小，不會對器件的性能造成太大的影響。以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步的說明。


圖1為金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的器件示意圖。圖2為使用MgO作為掩膜制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管柵結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明制作的金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的器件示意圖。圖4(a)和圖4(b)分別為金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管器件的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線。
具體實施例方式圖1為根據(jù)本發(fā)明制作的金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的器件示意圖。就圖1而言，本實施方式的金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管共具有以下部分(I)Al2O3 或 SiC 襯底 10 ；(2)第一層為禁帶寬度為GaN基半導(dǎo)體薄膜11 ；(3)在上述第一層GaN基半導(dǎo)體薄膜上生長的更大帶隙的AKiaN基半導(dǎo)體薄膜 12 ；(4)在上述第二層GaN基半導(dǎo)體薄膜上形成的源電極13和漏電極14 ；(5)在上述第二層GaN基半導(dǎo)體薄膜上源電極和柵電極之間形成的柵結(jié)構(gòu)，柵結(jié)構(gòu)包括鐵電氧化物層15和柵金屬層16。進一步的說，基片為Al2O3或SiC襯底上AlGaN/GaN外延片，在AlGaN與GaN形成二維電子氣。源電極和漏電極與GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成歐姆接觸。鐵電氧化物可以為鈣鈦礦型鐵電體、層狀鈣鈦礦型鐵電體和鈮酸鋰型鐵電體。鈣鈦礦型鐵電體通式為ABO3，其中A元素代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Bi或La等，B 元素代表Ti、Zr、Fe、Ru或Ni等。以A元素、B元素和氧元素摩爾比計算，化學配比滿足 (A^A2+......+An) (B^B2+......+Bn) 0 = 1 1 3。若采用層狀鈣鈦礦型鐵電體(Bi層與類鈣鈦礦層交替形成的復(fù)合氧化物)，其通式為(Bi2O2)2+(QnrlRmO3lrt)2-,其中 Q 元素代表 Bi、Ba、Sr、Ca、Pb、K 或 Na 等，R 元素代表 Ti、 Nb、Ta、Mo、W 或 Fe 等。也可采用鈮酸鋰型鐵電體，主要包括LiNbO3和LiI^aO3等。前述Ap A2、An表示A代表的元素中的不同的元素，BpB^Bn表示B代表的元素中的不同的元素。例如，B1AyB^B4分別表示Ti、Zr、 Fe、Ru，以B1J2. . . Bn的形式表示各個不同的元素。A^A2. . . An的形式亦然。圖2為采用MgO作為掩膜制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管柵結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。襯底20包括生長GaN基半導(dǎo)體薄膜所需的基片(如Si、Al203、SiC、 GaN或AlN等基片)，第一層GaN基半導(dǎo)體薄膜和第二層GaN基半導(dǎo)體薄膜等部分。作為實施例1，整個工藝流程的具體過程如下(a)在襯底20上涂覆正性光刻膠21，光刻膠的厚度在2_3 μ m左右。對涂覆了光刻膠的基片進行軟烘，以去除光刻膠中的溶劑。典型的軟烘條件為在熱板上90°C到100°C 烘烤30秒。軟烘完成后，在冷板上對基片進行降溫。(b)對光刻膠進行曝光和顯影。將掩模版與涂覆了光刻膠的基片上的正確位置對準，將掩模版與基片曝光，從而將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆了光刻膠的基片上?？刹捎米贤夤馄毓饧夹g(shù)或電子束曝光技術(shù)對光刻膠進行曝光。曝光后采用顯影劑對基片進行顯影操作，在基片表面的光刻膠中產(chǎn)生圖形?；砻媪粲泄饪棠z的區(qū)域則為之后制作柵結(jié)構(gòu)的區(qū)域，即光刻膠21A。顯影完成后，將基片用去離子水(DI)沖洗后甩干，并在熱板上進行堅膜烘焙。典型的堅膜烘焙條件為熱板上100°C到120°C烘烤60s。烘焙完成后，在冷板上對基片進行降溫。(c)在基片上沉積MgO薄膜22和22A。MgO可采用蒸發(fā)(Evaporation)，激光脈沖沉積(Pulsed Laser D印osition，PLD)，濺射(Sputtering)等薄膜制備方法在室溫條件下沉積。沉積過程中保持生長室真空度保持為1 X 10 .沉積的MgO厚度在800nm。(d)采用去膠液對光刻膠21A進行去膠。在剝離掉光刻膠21A的同時，光刻膠上的 MgO薄膜22也會被剝離，從而實現(xiàn)對MgO薄膜的微圖形化?；砻媪粝碌腗gO薄膜22A 即可作為之后制作金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管柵結(jié)構(gòu)的掩膜。使用的去膠液必須滿足不會對MgO薄膜造成影響的條件。對于正性光刻膠，如AZ6112等，可以使用丙酮和N-甲基吡咯烷酮等試劑去除，并且不會影響MgO薄膜。(e)在基片上依次沉積鐵電氧化物薄膜層23和23A與金屬層M和24A。鐵電氧化物薄膜層的沉積可采用常規(guī)的氧化物薄膜制備方法來制備。金屬層采用電子束蒸發(fā)的方法來制備。(f)去除MgO薄膜22k。使用合適的溶液去除MgO薄膜22A，同時將沉積在薄膜上的鐵電氧化物薄膜層23和金屬層M剝離，從而在基片表面留下的鐵電氧化物薄膜層23A 和金屬層24A即為金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)。其中金屬層24A即為柵金屬層。去除MgO的溶液必須滿足不會對鐵電氧化物薄膜層和金屬層造成影響的條件。對MgO薄膜采用草酸、乙酸或濃氨水等來去除。這幾種溶液一般不會對鐵電氧化物薄膜造成影響。金屬/鐵電氧化物/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵金屬通常采用 Ni,Au和Pt等耐腐蝕的金屬材料，草酸、乙酸或濃氨水對這些金屬的腐蝕作用有限，因此也不會造成太大的影響。作為另一個實施例，與實施例1的區(qū)別在于，在步驟(c)中，真空度為lX10_4Pa。 沉積的MgO厚度在500nm左右。圖3為根據(jù)本發(fā)明制作的金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的器件示意圖。就圖3而言，本實施方式的金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管共具有以下部分(I)Al2O3 基片 10 ；(2)在Al2O3基片上生長的厚度為2 μ m的GaN層。GaN的晶格常數(shù)a: = 0. 3189nm， 禁帶寬度Eg1 = 3. 42eV。(3)在上述GaN層上生長的厚度為20nm的Ala3Giia7N層。Ala3Giia7N的晶格常數(shù) a2 = 0. 3166nm，禁帶寬度 Eg2 = 4. 02eV。Al。. 3Gei。. 7N 層與 GaN 形成 Al。. 3G￡i。.7N/GaN 異質(zhì)結(jié)并在界面處GaN層邊自發(fā)產(chǎn)生二維電子氣。
(4)在上述Ala3GEia7N層上形成的源電極13和漏電極14 ；典型的Ala3Giia7NAkiN異質(zhì)結(jié)上制備的源電極和漏電極為Ti (20nm) /Al (50nm) /Ti (20nm) /Au (200nm)，并在800°C， 氮氣氛下快速退火60秒，以實現(xiàn)源電極和漏電極與Ala3Giia7NAiaN異質(zhì)結(jié)之間形成歐姆接觸。(5)在上述Ala3Giia7N層上源電極和柵電極之間形成的柵結(jié)構(gòu)，柵結(jié)構(gòu)包括LiNbO3 層15和柵金屬層16。LiNbO3采用脈沖激光沉積法制備。制備條件為生長溫度600°C，氧氣氛201^。薄膜厚度300nm。柵金屬層為Ni (20nm)/AuQOOnm)，采用電子束蒸發(fā)法制備。圖4(a)為上述制備的金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管器件的輸出特性曲線。圖4(b)為上述制備的金屬/LiNb03/GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管器件的轉(zhuǎn)移特性曲線。結(jié)果表明通過MgO掩膜法制備的器件具有良好的場效應(yīng)特征。鐵電氧化物薄膜的沉積溫度一般都在400-800°C，因此不能采用光刻膠作為對薄膜進行微圖形化的掩膜。MgO是一種無機化合物，其熔點為^52°C，在通常鐵電氧化物薄膜的沉積溫度下不會發(fā)生流動、變形、分解等現(xiàn)象。并且MgO作為一種雙性氧化物，可以很容易地被草酸、乙酸(CHCOOH)或濃氨水(NH4Cl)所腐蝕和剝離。因此MgO適合作為對鐵電薄膜進行微圖形化的掩膜。由此本發(fā)明提出采用MgO作為掩膜，制作金屬/鐵電氧化物/GaN 基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，這是本發(fā)明的發(fā)明點所在。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括下述步驟(1)在已制作了源電極和漏電極的GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)上涂覆正性光刻膠；(2)通過曝光和顯影工藝對光刻膠進行微圖形化，留下合適的區(qū)域制作MgO掩膜；(3)沉積MgO薄膜;(4)剝離光刻膠，同時剝離光刻膠上的MgO薄膜，留下直接沉積在基片上的MgO薄膜作為掩膜；(5)依次沉積鐵電氧化物薄膜層和金屬層；(6)剝離MgO掩膜，同時剝離MgO掩膜上的鐵電氧化物薄膜層和金屬層，留下直接沉積在基片上的鐵電氧化物薄膜層和金屬層作為半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(1)中涂覆的正性光刻膠厚度為2 3 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟C3)中采用蒸發(fā)、濺射或激光脈沖沉積的方法在室溫條件下沉積MgO薄膜，沉積過程中保持生長室真空度保持為1 X 10_3 1 X IO^4Pa,沉積的MgO薄膜厚度在500 800nm。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈣鈦礦型鐵電體、層狀鈣鈦礦型鐵電體或鈮酸鋰型鐵電體。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈣鈦礦型鐵電體，其通式為ABO3，其中A表示Mg、Ca、Sr、Ba、 Pb、Bi La, B ^^ Ti> Zr> Fe> Ru Ni ；以A元素、B元素和氧元素摩爾比計算，化學配比滿足(AJA2+……+An) (B^B2+…… +Bn) :0=1:1:3,其中Ap A2, An表示A代表的元素中的不同的元素，B” B2、Bn表示B代表的元素中的不同的元素。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(5)中，所述鐵電氧化物為層狀鈣鈦礦型鐵電體，通式為(Bi2O2)2+(QnriRmO3lrt)2_，其中Q 元素為Bi、Ba、Sr、Ca、Pb、K或Na，R元素為Ti、Nb、Ta、Mo、W或!^e ；其中m為大于1的配位數(shù)，保持離子基團的化合價為-2價。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(5)中，所述鐵電氧化物為鈮酸鋰型鐵電體，包括LiNbO3或1^1^03。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于， 步驟(5)中的金屬層為Ni、Au或Pt。
全文摘要
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及微電子器件制備領(lǐng)域。本發(fā)明包括下述步驟(1)在已制作了源電極和漏電極的GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)上涂覆正性光刻膠；(2)通過曝光和顯影工藝對光刻膠進行微圖形化，留下合適的區(qū)域制作MgO掩膜；(3)沉積MgO薄膜；(4)剝離光刻膠，留下直接沉積在基片上的MgO薄膜作為掩膜；(5)依次沉積鐵電氧化物薄膜層和金屬層；(6)剝離MgO掩膜，留下直接沉積在基片上的鐵電氧化物薄膜層和金屬層作為半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管的柵結(jié)構(gòu)。本發(fā)明制備方法簡單，而且對GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的損傷較小，不會對器件的性能造成太大的影響。
文檔編號H01L21/283GK102306626SQ20111026682
公開日2012年1月4日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者廖秀尉, 朱俊, 李言榮, 郝蘭眾 申請人:電子科技大學