專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
概括地說，這里所述的實施例涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體芯片)的制造工序大致分為在半導(dǎo)體晶片的表面按照芯片區(qū)域形成具有半導(dǎo)體電路和布線層等的半導(dǎo)體元件部的工序，和按照芯片區(qū)域(芯片形狀)切斷半導(dǎo)體晶片的工序(單片化工序)。作為在加工半導(dǎo)體晶片時兼有晶片的薄厚化和芯片的單片化的加工工序，適用稱為先切割(Dicing Before Grinding :先切割后研磨)的工序。先切割工序中，首先從在半導(dǎo)體晶片形成有半導(dǎo)體元件部的表面?zhèn)刃纬杀染穸葴\、比芯片完成厚度深的槽。接著，在半導(dǎo)體晶片表面粘貼保護膜之后，研磨半導(dǎo)體晶片的背面，將半導(dǎo)體晶片單片化為各芯片。然后，在用表面保護膜維持整體形狀的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼片狀的粘接劑膜和支持膜。粘接劑膜因為作為各芯片的粘接劑層發(fā)揮功能，所以按照各芯片形狀被切斷(單片化)。粘接劑膜例如在剝離了表面保護膜之后，從半導(dǎo)體晶片表面?zhèn)妊刂懈畈壅丈浼す?，由此被切斷。還提出了如下方法通過在水平方向拉伸粘貼有半導(dǎo)體晶片的支持膜，選擇地對在芯片間存在的粘接劑膜重整，切斷粘接劑膜。關(guān)于用激光切斷粘接劑膜的方法，因為在重復(fù)半導(dǎo)體晶片的粘貼中芯片的排列性容易下降，所以粘接劑膜的切斷速度下降，切斷工時容易增大。并且，存在用激光切斷粘接劑膜時產(chǎn)生的碎屑污染半導(dǎo)體芯片的可能。關(guān)于選擇地重整粘接劑膜的方法，重整需要的成本容易增大切斷成本，根據(jù)重整方法存在不能充分地提高粘接劑膜的切斷性的可能。于是，在通過先切割等被單片化為芯片形狀的半導(dǎo)體晶片的背面形成粘接劑層時，要求提高粘接劑層的切斷性并且抑制在粘接劑層切斷時半導(dǎo)體芯片的污染等。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個實施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準備具有按照切割槽被單片化后的多個芯片區(qū)域，通過在第I面粘貼的表面粘貼的保護膜維持晶片形狀的半導(dǎo)體晶片的工序；將液狀粘接劑在切割槽的至少一部分填充，并在半導(dǎo)體晶片的與上述第I面相反側(cè)的第2面涂覆而形成粘接劑層的工序；在半導(dǎo)體晶片的第2面經(jīng)由粘接劑層粘貼具有能夠降低粘接力的粘接層的支持片的工序；從半導(dǎo)體晶片剝離表面保護膜的工序；拉伸在半導(dǎo)體晶片粘貼的上述支持片，包含在切割槽內(nèi)填充的粘接劑而分斷粘接劑層的工序；和維持拉伸支持片的狀態(tài)，并洗滌半導(dǎo)體晶片的第I面和切割槽內(nèi)的工序。在實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在洗滌上述半導(dǎo)體晶片之前，選擇地降低上述粘接層的與切割槽相對應(yīng)的部分的粘接力。


圖IA至圖ID是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。圖2A至圖2C是表示在實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中半導(dǎo)體晶片的先切割工序的截面圖。圖3A至圖3C是表示在實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中粘接劑層的形成工序的截面圖。圖4A至圖4C是表示在實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中粘接劑層的分斷工序的第I例的截面圖。圖5A至圖5B是表示在實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中粘接劑層的分斷工序的第2例的截面圖。圖6是表示在實施方式中支持片的拉伸量和切割槽寬的擴大量的關(guān)系的圖。圖7是表示在實施方式中切割槽寬的擴大量和粘接劑層的分斷成功率的關(guān)系的圖。圖8是表示使用實施方式的制造方法制造的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的一個例子的截面圖。
具體實施例方式參照

實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖IA至圖ID是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。首先，如圖IA所示，準備具有按照切割槽I被單片化后的多個芯片區(qū)域2，2的...半導(dǎo)體晶片3。在作為半導(dǎo)體晶片3的元件形成面的第I面3a粘貼表面保護膜4。半導(dǎo)體晶片3被單片化為各芯片區(qū)域2，但通過在第I面3a粘貼的表面保護膜4維持晶片形狀。這樣的半導(dǎo)體晶片3，例如通過先切割工序制作。關(guān)于半導(dǎo)體晶片3的先切割工序，參照圖2A至圖2C敘述。如圖2A所示，準備形成了具有半導(dǎo)體電路和線路層等的半導(dǎo)體元件部的半導(dǎo)體晶片3A。半導(dǎo)體晶片3A具有作為元件形成面的第I面(表面)3a和與此相反側(cè)的第2面(背面)3b。半導(dǎo)體晶片3A具有多個芯片區(qū)域2，2...。在各芯片區(qū)域2的第I面3a側(cè)形成具有半導(dǎo)體電路和線路層等的半導(dǎo)體元件部。在多個芯片區(qū)域2之間，設(shè)置切割區(qū)域5。通過沿著切割區(qū)域5，切斷半導(dǎo)體晶片3A，分別使多個芯片區(qū)域2，2...單片化而制造半導(dǎo)體芯片。在切斷半導(dǎo)體晶片3A時，首先如圖2A所示，在半導(dǎo)體晶片3A從第I面3a側(cè)沿著切割區(qū)域5形成槽I。半導(dǎo)體晶片3A的槽1，例如使用具有對應(yīng)于切割區(qū)域5的寬度的刃厚的刀片6形成。槽I的深度設(shè)定為比半導(dǎo)體晶片3A的厚度淺且比半導(dǎo)體芯片完成時的厚度深。槽I也可以用蝕刻法等形成。通過在半導(dǎo)體晶片3A形成這樣的深度的槽(切割槽)1，多個芯片區(qū)域2，2...分別區(qū)分為與半導(dǎo)體芯片的完成厚度相應(yīng)的狀態(tài)。
接著，如圖2B所示，在形成了切割槽I的半導(dǎo)體晶片3A的第I面3a粘貼表面保護膜4。表面保護膜4在以后工序中磨削半導(dǎo)體晶片3A的第2面(背面)3b時，保護在芯片區(qū)域2設(shè)置的半導(dǎo)體元件部，并且在第2面3b的磨削工序中維持使芯片區(qū)域2單片化之后的半導(dǎo)體晶片3A的形狀。作為表面保護膜4，例如能采用具有粘接層的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜那樣的樹脂膜。然后，如圖2C所示，磨削和研磨粘貼了表面保護膜4的半導(dǎo)體晶片3A的第2面(背面)3b。半導(dǎo)體晶片3A的第2面3b，例如采用打磨平臺被機械地磨削，繼續(xù)采用研磨平臺研磨(例如干拋光)。實施半導(dǎo)體晶片3A的第2面3b的磨削 研磨工序，以達到從第I面3a側(cè)形成的切割槽I。這樣，通過磨削半導(dǎo)體晶片3A的第2面3b，各芯片區(qū)域2分別被單片化。在這個階段，各芯片區(qū)域2被單片化，但通過表面保護膜4保持，所以整體地維持晶片形狀。即，如圖2C所示，制造具有按 照切割槽I被單片化的多個芯片區(qū)域2，2...，用在第I面3a粘貼的表面保護膜4維持晶片形狀的半導(dǎo)體晶片3。在單片化后的芯片區(qū)域2之間，存在相當于切割槽I的寬度的間隙。半導(dǎo)體晶片3的制作工序不限于先切割工序，可以適用由激光進行的切割工序等。其次，如圖IB所示，在通過表面保護膜4維持整體形狀的半導(dǎo)體晶片3的第2面3b，涂覆液狀粘接劑形成粘接劑層7。液狀粘接劑填充在切割槽I的至少一部分，并且涂覆在半導(dǎo)體晶片3的第2面3b。作為液狀粘接劑，采用例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂那樣的熱硬化型樹脂的液狀組成物。此外，也可以使用光以及熱硬化型樹脂、通過水分蒸發(fā)和再濕而可逆硬化的(再生粘接)樹脂的液狀組成物等。作為在半導(dǎo)體晶片3的第2面3b涂覆液狀粘接劑的方法，適用例如噴墨式法、噴涂法、滾涂法、網(wǎng)板印刷法等。其中，更優(yōu)選適用能夠與半導(dǎo)體晶片3以非接觸的狀態(tài)涂覆液狀粘接劑的噴墨式法、噴涂法。并且，根據(jù)噴墨式法，能夠比較均一地形成膜厚薄的液狀粘接劑的涂覆層，所以優(yōu)選噴墨式法作為向半導(dǎo)體晶片3的液狀粘接劑的涂覆方法。粘接劑層7，在線路基板和其他的半導(dǎo)體芯片上安裝單片化后的半導(dǎo)體芯片(芯片區(qū)域2)時作為粘接層發(fā)揮作用，按照半導(dǎo)體芯片的外形切斷(單片化)。粘接劑層7的厚度優(yōu)選在I 20 y m的范圍。優(yōu)選粘接劑層7設(shè)為在下一工序前在室溫下不顯示粘接力(粘著力)的狀態(tài)。例如，作為液狀粘接劑采用熱硬化型樹脂的液狀組成物(A階段)的情況下，優(yōu)選對于粘接劑層7，以預(yù)定的溫度干燥液狀粘接劑的涂覆層，預(yù)先設(shè)為半硬化狀態(tài)(B階段)。優(yōu)選在使用熱硬化型以外的樹脂的情況下，也預(yù)先實施與硬化形態(tài)相應(yīng)的處理。另外，在預(yù)先形成有切割槽I的半導(dǎo)體晶片3的第2面3b涂覆液狀粘接劑而形成粘接劑層7時，如果僅僅在半導(dǎo)體晶片3的全面涂覆液狀粘接劑，則液狀粘接劑會流入切割槽I內(nèi)，難以使各芯片區(qū)域2上的粘接劑層7的膜厚均一化。例如，在形成膜厚為
10Pm的粘接劑層7時，如果僅在半導(dǎo)體晶片3的全面涂覆液狀粘接劑，則芯片區(qū)域(尺寸
11X 13mm) 2的中央部的厚度成為20 y m程度，并且距端部50 y m的位置的厚度成為I 2pm程度。如果粘接劑層7的膜厚不均一，則在以后工序的晶片接合工序中變得容易產(chǎn)生粘接不良。對于這點，優(yōu)選適用包括在切割槽I內(nèi)填充液狀粘接劑的第I工序和在半導(dǎo)體晶片3的第2面3b涂覆液狀粘接劑的第2工序的粘接劑層7的形成工序。關(guān)于粘接劑層7的形成工序，參照圖3A至圖3C敘述。首先，如圖3A所示，在寬度為30 40 iim程度的切割槽I內(nèi)填充液狀粘接劑7A。這時，各芯片區(qū)域2在半導(dǎo)體晶片3 (3A)的切割時具有排列性下降(切割槽I偏離)的可能，優(yōu)選地通過涂覆切割槽I的寬度以上(例如槽寬的1.5倍以上3倍以下)，在切割槽I內(nèi)填充液狀粘接劑7A。
其次，如圖3B所示，對在切割槽I內(nèi)填充了液狀粘接劑7A的半導(dǎo)體晶片3的第2面3b的整體，涂覆液狀粘接劑7A。在此階段，與僅僅在半導(dǎo)體晶片3的全面涂覆液狀粘接劑7A的情況相比，能夠使各芯片區(qū)域2內(nèi)的粘接劑層7的I旲厚的面內(nèi)均一性大幅提聞。但是，存在如下情況由于在切割槽I內(nèi)填充液狀粘接劑7A時向第2面3b的隆起、在填充時液狀粘接劑7A從切割槽I偏離等，局部上粘接劑層7的膜厚變得不均一。在那樣的情況下，如圖3C所示，優(yōu)選地搖動涂覆了液狀粘接劑7A的半導(dǎo)體晶片3整體，使液狀粘接劑7A的涂覆厚度均一化。即，優(yōu)選地使液狀粘接劑7A的涂覆層的凹凸部分平坦化。作為搖動半導(dǎo)體晶片3的方法，例如，前后左右機械地搖動半導(dǎo)體晶片3、向半導(dǎo)體晶片3施加旋進運動、向半導(dǎo)體晶片3施加超聲波等。通過用這樣的方法搖動半導(dǎo)體晶片3，能夠使液狀粘接劑7A的涂覆層的凹凸部分平坦化，進一步能提高粘接劑層7的膜厚的面內(nèi)均一性。例如可以將粘接劑層7的膜厚的面內(nèi)不均設(shè)為30%以下。膜厚的面內(nèi)不均，通過測量芯片區(qū)域2內(nèi)的粘接劑層7的膜厚，求出最大值和最小值，根據(jù)[{(最大值-最小值)/(最大值+最小值)} X100(% )]的式子求出。
例如，在尺寸為11 X 13mm的芯片區(qū)域2形成膜厚為10 y m的粘接劑層7時，首先在寬度為30 40 iim的切割槽I內(nèi)填充(填充寬度=槽寬的I. 5倍)液狀粘接劑7A之后，在半導(dǎo)體晶片3的第2面3b涂覆液狀粘接劑7A。并且，在搖動半導(dǎo)體晶片3整體的情況下，能夠?qū)⑿酒瑓^(qū)域2的中央部的厚度設(shè)為13 U m程度，進一步能夠?qū)⑿酒瑓^(qū)域2的端部的厚度設(shè)為7pm程度。如果將該情況的膜厚的面內(nèi)不均(膜厚的面內(nèi)分布)放入上式進行計算，則成為{(13-7)/(13+7)} XlOO = 30(% )0通過提高在芯片區(qū)域2內(nèi)的粘接劑層7的膜厚的面內(nèi)均一性，能夠抑制在半導(dǎo)體芯片的晶片接合工序的粘接不良。并且，通過在切割槽I內(nèi)填充粘接劑，并且提高粘接劑層7的膜厚的面內(nèi)均一性，可提高以后工序的粘接劑層7的分斷工序的成功率。因為在后述的拉伸工序中，容易在切割槽I內(nèi)填充的粘接劑產(chǎn)生分斷的起點，能提高粘接劑層7的分斷性。此外，能夠使在切割槽I內(nèi)填充的粘接劑，作為保護半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的層發(fā)揮作用。其次，如圖IC所示，經(jīng)由粘接劑層7，在半導(dǎo)體晶片3的第2面3b粘貼具有粘接層8的支持片9。支持片9以使得粘接層8與粘接劑層7相接的方式粘貼于半導(dǎo)體晶片3。粘接層8包括可降低粘接力的材料。作為這樣的粘接材料，列舉通過紫外線的照射硬化而粘接力降低的紫外線硬化型樹脂、通過激光等的照射硬化而粘接力降低的光及熱硬化型樹月旨、基于與構(gòu)成粘接劑層7的樹脂的熱膨脹差在冷卻時粘接力降低的樹脂等。作為具有粘接層8的支持片9，可以采用紫外線硬化型粘接帶等。紫外線硬化型粘接帶是在例如包括聚乙烯、聚丙烯那樣的聚烯烴樹脂、聚氯乙烯樹脂等的基材片形成有包括紫外線硬化型樹脂的粘接層的帶。如圖ID所示，在從半導(dǎo)體晶片3剝離表面保護膜4之后，在水平方向(與半導(dǎo)體晶片3的各表面3a，3b平行的方向)拉伸(延展)支持片9，包含在切割槽I內(nèi)填充的粘接劑而分斷粘接劑層7。通過根據(jù)芯片區(qū)域2的形狀分斷粘接劑層7，在各芯片區(qū)域2形成粘接劑層7。即，制造具有被單片化后的粘接劑層7的芯片區(qū)域2，換句話說具有單片形狀的粘接劑層7的半導(dǎo)體芯片。在粘接劑層7分斷工序之前，選擇地降低粘接層8的與切割槽I對應(yīng)的部分的粘接力。例如，在粘接層8包括紫外線硬化型樹脂的情況下，如圖4A所示，從半導(dǎo)體晶片3的第I面3a側(cè)照射紫外線X。關(guān)于在半導(dǎo)體晶片3的第I面3a照射的紫外線X，將各芯片區(qū)域2用作掩模遮斷紫外線X，僅透過切割槽I內(nèi)，選擇地硬化粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分。即，能夠選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力。在作為粘接層8使用光及熱硬化型的樹脂的情況下，通過例如在切割槽I內(nèi)照射激光，降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力。這時，通過將激光的焦點對準粘接層8，能夠不硬化切割槽I內(nèi)的粘接劑層7，而僅選擇地硬化粘接層8的與切割槽I對應(yīng)的部分。即，能夠選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力。通過在使用其他的樹脂的情況下也適用與粘接力的降低形態(tài)相應(yīng)的處理，由此選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力。 在選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力之后，在水平方向拉伸支持片9，如圖4B所示，在粘接劑層7的從粘接層8粘接狀態(tài)被解除的部分產(chǎn)生分斷的起點A。即，在切割槽I內(nèi)與粘接劑層7的粘接層8形成界面的部分產(chǎn)生分斷的起點A。通過從這個狀態(tài)使支持片9的拉伸量(延展量)增加，如圖4C所示，能夠包含切割槽I內(nèi)的粘接劑而良好地分斷粘接劑層7。通過支持片9的拉伸提高切割槽I內(nèi)的粘接劑層7的分斷性，所以能夠提高粘接劑層7的分斷成功率。在粘接劑層7例如不透過紫外線的情況下，如圖5A所示，在水平方向拉伸支持片9而分斷粘接劑層7的一部分后，維持支持片9的拉伸狀態(tài)，并且從半導(dǎo)體晶片3的第I面3a側(cè)照射紫外線X。經(jīng)由粘接劑層7的分斷部向粘接層8照射紫外線X，選擇地硬化粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分，使之降低粘接力。據(jù)此，如圖5B所示，能良好地分斷在切割槽I內(nèi)存在的粘接劑層7的底部(與粘接層8形成界面的部分)。圖6示出支持片9的拉伸(延展)量和切割槽I擴大量的關(guān)系。圖I表示切割槽I的擴大量和粘接劑層7的分斷成功率的關(guān)系。從圖6及圖7明確可知，選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力，并且使切割槽I的擴大量為30 ii m以上，由此能夠使粘接劑層7分斷成功率為100%。這不受切割槽I的最初的槽寬影響。與切割槽I的最初的槽寬無關(guān)地，使切割槽I的擴大量為30 ii m以上，由此大幅度提高粘接劑層7的分斷成功率。由此，通過選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力，能夠提高在支持片9的拉伸工序中粘接劑層7的分斷成功率。關(guān)于選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力的工序，在支持片9的拉伸工序前、拉伸工序時、或拉伸工序后都可以實施?？梢栽谡辰悠碾A段(向半導(dǎo)體晶片3粘貼前)，選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力。粘接層8的粘接力的選擇地降低的工序在后述的洗滌工序前實施即可。并且，通過選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力，能夠抑制由粘接劑層7的分斷引起的不良的發(fā)生。在不選擇地降低粘接層8的粘接力的情況下，會增加粘接劑層7的分斷時飛散的樹脂片。另外，因為在切割槽I內(nèi)容易產(chǎn)生分斷不足的部分，所以存在即使在實施以后工序的洗滌工序也不能消除在切割槽I內(nèi)飛散的樹脂片、樹脂殘渣的可能性。切割槽I內(nèi)的粘接劑層7，從例如圖5A所示的狀態(tài)強制地撕下，在分斷邊緣產(chǎn)生飛邊(微細飛邊等)，其在半導(dǎo)體芯片的拾取時脫落，污染電極墊等使之產(chǎn)生連接不良。飛散的分斷樹脂片、在分斷邊緣產(chǎn)生的飛邊等成為增加半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率的主要原因。對于這一點，通過選擇地降低粘接層8的與切割槽I相對應(yīng)的部分的粘接力，提高切割槽I內(nèi)的粘接劑層7的分斷性，所以能降低分斷時飛散的樹脂片量。并且，能夠抑制在分斷邊緣的飛邊(微細飛邊等)的產(chǎn)生。在切割槽I內(nèi)飛散的樹脂片、樹脂殘渣等，能夠在以后工序的洗滌工序中充分地除去。由此，能夠降低起因于飛散的樹脂片、樹脂殘渣、在分斷邊緣產(chǎn)生的毛邊等的半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率。
對在洗漆工序前選擇地降低粘接層8的粘接力的情況(實施例)與未實施粘接層8的粘接力的選擇地降低的情況(比較例)，比較了由飛散的分斷樹脂片、拾取時的飛邊的落下等引起的半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率。兩者都實施了后面工序的洗滌工序。其結(jié)果是，在洗滌工序前選擇地降低粘接層8的粘接力的情況下，半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率是0%，與此相對，在未選擇地降低粘接層8的粘接力的情況下，半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率上升到了16%。通過半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率的降低和粘接劑層7的分斷成功率的提高，可大幅度提高半導(dǎo)體芯片和使用該半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造成品率。之后，維持支持片9的拉伸狀態(tài)，并且洗滌半導(dǎo)體晶片3的第I面3a和切割槽I內(nèi)。在洗滌工序中，優(yōu)選地適用例如雙流體洗滌、超聲波洗滌、使用高溫水的超聲波洗滌、通過冰的噴涂進行的洗滌、通過加熱水蒸氣進行的洗滌等。雙流體洗滌是使得在加速的空氣等的氣體混入純水等而產(chǎn)生的霧(液滴)在洗滌面高速沖撞而洗滌的方法。通過適用這些的洗滌方法，有效地除去飛散的樹脂片等。并且，通過在維持拉伸支持片9的狀態(tài)下實施洗滌工序，能有效地除去切割槽I內(nèi)的樹脂片和樹脂殘渣等。因此，降低半導(dǎo)體芯片的不良發(fā)生率。洗滌工序可以以除去所有在切割槽I內(nèi)存在的粘接劑的方式實施，但優(yōu)選以在芯片區(qū)域2的側(cè)面殘留的粘接劑按原樣殘留，僅除去在切割槽I內(nèi)飛散的樹脂片和樹脂殘渣的方式實施。在粘接劑層7的分斷后在芯片區(qū)域2的側(cè)面殘留的粘接劑作為半導(dǎo)體芯片的保護層發(fā)揮作用，所以優(yōu)選在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面存在。由此，能夠抑制將半導(dǎo)體芯片進行樹脂封止時填充而引起的半導(dǎo)體芯片的損傷等。通過經(jīng)過上述的各工序，制造具有單片形狀的粘接劑層7的芯片區(qū)域(半導(dǎo)體芯片)2。根據(jù)該實施方式的制造工序，提高粘接劑層7的分斷性，并且能夠有效地除去在分斷時產(chǎn)生的樹脂片和樹脂殘渣等。因此，能夠削減按照粘接劑層7的芯片區(qū)域2的形狀進行的切斷工序(單片化工序)需要的成本，并且能夠抑制在分斷時產(chǎn)生的樹脂片、樹脂殘渣、飛邊等引起的半導(dǎo)體芯片的制造成品率的降低。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)適用了先切割的半導(dǎo)體芯片的制造工序的低成本化和聞精度化等。并且，也能提聞以后工序的半導(dǎo)體芯片的安裝工序的可靠性等。與通常的半導(dǎo)體裝置的制造工序同樣，向半導(dǎo)體芯片2拾取工序傳送洗滌工序結(jié)束的半導(dǎo)體晶片3。即，具有單片形狀的粘接劑層7的半導(dǎo)體芯片2，從支持片9被拾取之后，例如圖8所示安裝在布線基板11上。半導(dǎo)體芯片2的安裝使用粘接劑層7來實施。在將半導(dǎo)體芯片2多段層疊的情況下，如圖8所示在安裝于布線基板11上的半導(dǎo)體芯片2上，通過粘接劑層7按順序?qū)盈B其他的半導(dǎo)體芯片2。在圖8中，布線基板11和半導(dǎo)體芯片2通過金屬線13電連接。半導(dǎo)體芯片2與金屬電線13等一起通過封止樹脂層14被封止。在布線基板11的下表面?zhèn)仍O(shè)置有外部電極15。圖8示出在布線基板11上階梯式層疊多個半導(dǎo)體芯片2的半導(dǎo)體裝置12。半導(dǎo)體裝置12可以適用各種公知的結(jié)構(gòu)。例如，安裝半導(dǎo)體芯片2的電路基材可以是引線框架。在半導(dǎo)體芯片2的層疊構(gòu)造中，能適用露出電極墊的交替層疊、在電極墊上還覆蓋其他的芯片的正上層疊等各種的層疊構(gòu)造。關(guān)于這些以外的結(jié)構(gòu)也同樣。盡管描述了某些實施例，但是這些實施例僅通過實例給出，并非用于限制本發(fā)明的范圍。當然，這里所述的新穎方法可通過各種其他形式實現(xiàn)；此外，在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下，可做出這里所述的方法形式的各種省略、替換和改變。所附的權(quán)利要求及其等同用于覆蓋這樣的形式或修改，也將落入本發(fā)明的范圍和主旨內(nèi)。權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 準備半導(dǎo)體晶片的工序，該半導(dǎo)體晶片具有按照切割槽被單片化后的多個芯片區(qū)域，通過在第I面粘貼的表面保護膜維持晶片形狀； 將液狀粘接劑在上述切割槽的至少一部分填充，并在上述半導(dǎo)體晶片的與上述第I面相反側(cè)的第2面涂覆而形成粘接劑層的工序； 在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面經(jīng)由上述粘接劑層粘貼具有能夠降低粘接力的粘接層的支持片的工序； 從上述半導(dǎo)體晶片剝離上述表面保護膜的工序； 拉伸在上述半導(dǎo)體晶片粘貼的上述支持片，包含在上述切割槽內(nèi)填充的粘接劑而分斷上述粘接劑層的工序；和 維持拉伸上述支持片的狀態(tài)，并洗滌上述半導(dǎo)體晶片的上述第I面和上述切割槽內(nèi)的工序， 在洗滌上述半導(dǎo)體晶片之前，選擇地降低上述粘接層的與上述切割槽相對應(yīng)的部分的粘接力。
2.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在拉伸上述支持片之前，選擇地降低上述粘接層的與上述切割槽相對應(yīng)的部分的粘接力。
3.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在拉伸上述支持片之后，選擇地降低上述粘接層的與上述切割槽相對應(yīng)的部分的粘接力。
4.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 上述粘接層包括通過紫外線的照射而粘接力降低的紫外線硬化型樹脂、通過光的照射而粘接力降低的光及熱硬化型樹脂、或基于與上述粘接劑層的熱膨脹率的差在冷卻時粘接力降低的樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 上述粘接層包括上述紫外線硬化型樹脂， 在上述粘接層的存在于上述切割槽內(nèi)的部分選擇地照射紫外線，選擇地降低上述粘接層的粘接力。
6.根據(jù)權(quán)利要求5記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在拉伸上述支持片之前，從上述半導(dǎo)體晶片的上述第I面?zhèn)日丈渖鲜鲎贤饩€，接著拉伸上述支持片而分斷上述粘接劑層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在拉伸上述支持片之后，從上述半導(dǎo)體晶片的上述第I面?zhèn)日丈渖鲜鲎贤饩€，進一步拉伸上述支持片而分斷上述粘接劑層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 上述粘接層包括上述光及熱硬化型樹脂， 在上述粘接層的存在于上述切割槽內(nèi)的部分選擇地照射激光，選擇地降低上述粘接層的粘接力。
9.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在上述芯片領(lǐng)域的側(cè)面殘留上述粘接劑層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 通過在上述切割槽內(nèi)填充上述液狀粘接劑，接著在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面涂覆上述液狀粘接劑，形成上述粘接劑層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面涂覆上述液狀粘接劑之后，搖動上述半導(dǎo)體晶片。
12.根據(jù)權(quán)利要求10記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 上述粘接劑層的膜厚的面內(nèi)不均是30 %以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中 通過先切割準備上述半導(dǎo)體晶片。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 準備半導(dǎo)體晶片的工序，該半導(dǎo)體晶片具有按照切割槽被單片化后的多個芯片區(qū)域，通過在第I面粘貼的表面保護膜維持晶片形狀； 從上述半導(dǎo)體晶片的與上述第I面相反側(cè)的第2面?zhèn)仍谏鲜銮懈畈蹆?nèi)填充液狀粘接劑的工序； 在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面涂覆上述液狀粘接劑，形成具有在上述切割槽內(nèi)填充的部分的粘接劑層的工序； 在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面經(jīng)由上述粘接劑層粘貼具有粘接層的支持片的工序； 從上述半導(dǎo)體晶片剝離上述表面保護膜的工序； 拉伸在上述半導(dǎo)體晶片粘貼的上述支持片，包含在上述切割槽內(nèi)填充的部分而分斷上述粘接劑層的工序；和 維持拉伸上述支持片的狀態(tài)，并洗滌上述半導(dǎo)體晶片的第I面和上述切割槽內(nèi)的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求12記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在上述半導(dǎo)體晶片的上述第2面涂覆上述液狀粘接劑之后，搖動上述半導(dǎo)體晶片。
16.根據(jù)權(quán)利要求15記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 通過機械地搖晃上述半導(dǎo)體晶片、在上述半導(dǎo)體晶片施加旋進運動、或在上述半導(dǎo)體晶片施加超聲波，搖動上述半導(dǎo)體晶片。
17.根據(jù)權(quán)利要求12記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 以上述切割槽的寬度I. 5 3倍的寬度涂覆上述液狀粘接劑，在上述切割槽內(nèi)填充上述液狀粘接劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求12記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 上述粘接劑層的膜厚的面內(nèi)不均是30 %以下。
19.根據(jù)權(quán)利要求12記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在上述芯片區(qū)域的側(cè)面殘留上述粘接劑層。
20.—種半導(dǎo)體裝置，包括 具備半導(dǎo)體元件部的第I面和具有與上述第I面相反側(cè)的第2面的半導(dǎo)體芯片；以及 在上述半導(dǎo)體芯片的上述第2面以及側(cè)面形成的粘接劑層。
全文摘要
在一個實施方式中，在通過在第一面粘貼的表面保護膜維持晶片形狀的半導(dǎo)體晶片涂覆液狀粘接劑，形成粘接劑層。在半導(dǎo)體晶片的第二面粘貼具有粘接層的支持片。在剝離表面保護膜之后，拉伸支持片，分斷包括在切割槽內(nèi)填充的粘接劑的粘接劑層。維持支持片的拉伸狀態(tài)并洗滌。在洗滌前，選擇地降低粘接層的與切割槽相對應(yīng)的部分的粘接力。
文檔編號H01L21/78GK102629594SQ20111027323
公開日2012年8月8日 申請日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月4日
發(fā)明者巖見文宏, 芳村淳 申請人:株式會社東芝