專利名稱：發(fā)光二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，因此被認為是新世代綠色節(jié)能照明的最佳光源。LED通常包括基座、與基座結(jié)合的二電極、固定在基座上并連接二電極的發(fā)光芯片以及封裝芯片的封裝體。發(fā)光二極管的基座通常是通過注塑等方式成型在電極上的。然而，現(xiàn)有的LED在成型過程當(dāng)中由于制程原因容易在電極表面形成毛邊，影響到后續(xù)芯片在電極表面的打線過程，直接降低下游廠商生產(chǎn)發(fā)光二極管的良率，導(dǎo)致封 裝成本增高。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種有效防止毛邊的發(fā)光二極管的制造方法。一種發(fā)光二極管的制造方法，該制造方法包括步驟提供引腳結(jié)構(gòu)，該引腳結(jié)構(gòu)包括隔開的第一電極及第二電極，第一電極及第二電極分別包括第一凸面和第二凸面；在引腳結(jié)構(gòu)的第一凸面和第二凸面上分別覆蓋第一覆蓋層及第二覆蓋層；提供模具，該模具具有包覆該引腳結(jié)構(gòu)的腔體，該模具部分貼合于該引腳結(jié)構(gòu)；往模具所形成的腔體內(nèi)注塑流體材料形成基座，該流體材料在注塑過程中避開第一覆蓋層及第二覆蓋層；移除模具；移除該第一覆蓋層及第二覆蓋層以暴露出第一凸面及第二凸面；將發(fā)光芯片電連接至第一凸面及第二凸面；及在發(fā)光芯片上覆蓋封裝層。通過以上步驟制成的發(fā)光二極管由于搭載芯片的第一凸面、第二凸面在注塑過程中被覆蓋層所保護，因此在去除覆蓋層之后可形成光滑無毛邊的表面，能有效提高封裝過程中產(chǎn)品的良率，降低封裝成本。


圖1是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第一步驟。圖2是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第二步驟。圖3是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第三步驟。圖4是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第四步驟。圖5是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第五步驟。圖6是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第六步驟。圖7是圖6中發(fā)光二極管半成品的俯視圖。圖8是本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法的第七步驟。圖9是經(jīng)過圖1-8的步驟制造完成的發(fā)光二極管。主要元件符號說明10引腳結(jié)構(gòu)100發(fā)光二極管11第一電極12第二電極13第一凸起14第二凸起15第一凸面16第二凸面17第一覆蓋層18第二覆蓋層19覆蓋層20模具21底模22頂模23、24、27、28凹槽 230內(nèi)壁30基座40-H-· I I 心片41導(dǎo)線50封裝結(jié)構(gòu)
如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細說明。請參閱圖1-9，示出了本發(fā)明發(fā)光二極管100的制造方法，其主要包括如下各個步驟
步驟一如圖1所示，提供一引腳結(jié)構(gòu)10，該引腳結(jié)構(gòu)10由金屬或者ITO (氧化銦錫)等導(dǎo)電率高的材料制成，其包括一第一電極11以及一第二電極12。第一電極11大體呈一“匚”字型，其先由右往左水平延伸出一段位于下端的水平段，然后豎直向上延伸出一垂直段后再由左向右延伸出一位于上端的水平段，該位于上端的水平段再繼續(xù)延伸形成一第一凸起13。該第一凸起13大致呈一梯形，其向上凸伸出一水平的第一凸面15。第二電極12具有大致與第一電極11對稱的結(jié)構(gòu)，其先由左往右水平延伸的水平段，然后豎直向上延伸一垂直段后再由右向左延伸出一位于上端的水平段，該位于上方的水平段繼續(xù)延伸形成一第二凸起14。該第二凸起14向上延伸出一水平的第二凸面16。第一電極11與第二電極12垂直高度相等，且其二者延伸的第一凸起13和第二凸起14高度相等。S卩，第一凸面15與第二凸面16處于同一水平面上。第二電極12的水平寬度比第一電極11略短，第二凸面16也比第一凸面15的水平寬度略短。步驟二 如圖2所示，提供一覆蓋層19于第一凸起13和第二凸起14上。覆蓋層19可以為光阻或者高分子化合物制成。該覆蓋層19的一部分完全覆蓋第一凸面15形成第一覆蓋層17，另一部分完全覆蓋第二凸面16形成第二覆蓋層18。第一覆蓋層17和第二覆蓋層18的相對兩側(cè)順著第一凸起13及第二凸起14的從第一凸面15和第二凸面16兩側(cè)延伸的斜邊的傾斜方向而形成一梯形狀的截面。步驟三，如圖3所示，提供一模具20用以包覆該引腳結(jié)構(gòu)10。該模具20由底模21和頂模22兩部分組成，其底模21包含一凹槽23以承載該引腳結(jié)構(gòu)10的下端，該凹槽23的大小能剛好收容第一電極11以及第二電極12的下端水平部分及豎直向上延伸的部分。當(dāng)該引腳結(jié)構(gòu)10搭載在模具20的該凹槽23中，凹槽23的內(nèi)壁230與該引腳結(jié)構(gòu)10的下端及豎直向上延伸段貼合。并且，該凹槽23的內(nèi)壁230的側(cè)邊界高度與該引腳結(jié)構(gòu)10的高度相等。也即是說，該凹槽23的的凹陷深度等于第一電極11的底面到第一凸面15的頂面的垂直距離。頂模22用以覆蓋該引腳結(jié)構(gòu)10的上端，包含兩個凹槽27、28用以收容覆蓋在第一凸面15和第二凸面16上面的第一覆蓋層17和第二覆蓋層18。該兩個凹槽27、28形成的空間大于或等于該第一凸起13和第二凸起14的第一覆蓋層17及第二覆蓋層18的體積，凹槽27對應(yīng)于第一凸起13，凹槽28對應(yīng)于第二凸起14。在本實施方式中，凹槽27、28的截面形狀優(yōu)選為與第一覆蓋層17、第二覆蓋層18的截面形狀相似的梯形。凹槽27、28的截面所呈梯形的底邊和底角對應(yīng)與第一覆蓋層17、第二覆蓋層18的截面所呈梯形的底邊和底角相等。凹槽27、28的深度大于第一覆蓋層17及第二覆蓋層18的厚度。頂模22的除凹槽27、28之外還包含一環(huán)形凹槽24。該凹槽24對應(yīng)于第一電極11以及第二電極12的位于上端的水平段。該凹槽24的形狀根據(jù)發(fā)光二極管100設(shè)計的基座30的形狀設(shè)計。將模具20的頂模22和底模21扣合，將該引腳結(jié)構(gòu)10包覆于其中。模具20的凹槽24與 引腳結(jié)構(gòu)10之間還存在空隙。步驟四，如圖4所示，通過注塑一流體材料形成一基座30包覆該引腳結(jié)構(gòu)10。該流體材料填滿該引腳結(jié)構(gòu)10中間包覆的部分以及其上端避開第一凸面15和第二凸面16的外露部分以及該模具20的凹槽24。由于第一覆蓋層17和第二覆蓋層18緊密覆蓋在第一凸面15和第二凸面16上，所以該流體材料不會流到該第一凸面15和第二凸面16上。又由于模具20的設(shè)置，該流體材料基本不流入該模具20與該第一覆蓋層17以及第二覆蓋層18之間的間隙。該流體材料填滿該模具20包覆的空腔后經(jīng)過處理變成固體而成型基座30。步驟五，如圖5所示，移除該模具20。由于該基座30填滿該引腳結(jié)構(gòu)10的內(nèi)部以及覆蓋其表面，也即是該引腳結(jié)構(gòu)10上端除第一凸面15和第二凸面16外的其他部分全部被基座30覆蓋，因此該引腳結(jié)構(gòu)10與該基座30具有高密合度。該基座30由模具20的凹槽24形成的環(huán)狀部分圍繞該第一覆蓋層17和第二覆蓋層18?；?0還可進一步在其環(huán)狀部分的內(nèi)表面以及第一凸面15和第二凸面16之間的部分上覆蓋一層高反射率材料形成反射層。步驟六，如圖6-7所示，通過蝕刻、洗滌或光照等方式去除第一覆蓋層17和第二覆蓋層18，使第一凸面15和第二凸面16外露。第一凸面15與該第二凸面16與基座30的內(nèi)凹表面處于同一水平高度?；?0的內(nèi)凹表面沒有覆蓋該第一凸面15和第二凸面16，其他區(qū)域均由基座30覆蓋。由于該第一凸面15和第二凸面16在形成基座30的過程中由第一覆蓋層17和第二覆蓋層18保護，該流體材料并不會漫延至該第一凸面15和第二凸面16，因此去除第一覆蓋層17和第二覆蓋層18后的第一凸面15和第二凸面16光滑無毛邊。步驟七,如圖8所不，在第一凸面15上搭載一發(fā)光芯片40,發(fā)光芯片40與第一凸面15形成電性連接，并通過導(dǎo)線41電連接至第二凸面16。也即是該芯片40的兩個電極分別與第一電極11和第二電極12形成電性連接。由于覆蓋在第一凸面15和第二凸面16附近的基座30上均鍍有反射膜，故當(dāng)發(fā)光芯片40通電對外發(fā)光時，基座30提供多方位的反射。又由于第一凸面15和第二凸面16為光滑無毛邊的表面，故芯片40能穩(wěn)固地搭載在第一凸面15上，導(dǎo)線41能夠可靠地焊接于第二凸面16上。步驟八，如圖9所示，在芯片40表面覆蓋封裝結(jié)構(gòu)50而成型發(fā)光二極管100。該封裝結(jié)構(gòu)50填滿基座30的內(nèi)凹表面。該封裝結(jié)構(gòu)50還可包含有熒光粉。
通過以上步驟制成的發(fā)光二極管100由于其基座30與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即引腳結(jié)構(gòu)10的高密合度可具有良好的封裝密合度。并且由于芯片40搭載的第一凸面15、第二凸面16光滑無毛邊，能有效提聞封裝過程中廣品的良率。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，該制造方法包括步驟 提供引腳結(jié)構(gòu)，該引腳結(jié)構(gòu)包括隔開的第一電極及第二電極，第一電極及第二電極分別包括第一凸面和第二凸面； 在引腳結(jié)構(gòu)的第一凸面和第二凸面上分別覆蓋第一覆蓋層及第二覆蓋層； 提供模具，該模具具有包覆該引腳結(jié)構(gòu)的腔體，該模具部分貼合于該引腳結(jié)構(gòu)； 往模具所形成的腔體內(nèi)注塑流體材料形成基座，該流體材料在注塑過程中避開第一覆蓋層及第二覆蓋層； 移除模具； 移除該第一覆蓋層及第二覆蓋層以暴露出第一凸面及第二凸面； 將發(fā)光芯片電連接至第一凸面及第二凸面；及 在發(fā)光芯片上覆蓋封裝層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該第一電極包括水平段及自該水平段向上凸伸的第一凸起，該第二電極包括水平段及自該水平段向上凸伸的第二凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該第一凸面和第二凸面分別位于該第一凸起與第二凸起上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該第一覆蓋層完全覆蓋該第一凸面，該第二覆蓋層完全覆蓋第二凸面。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于第一電極還包括自其水平段向下延伸的垂直段及自該垂直段水平延伸的另一水平段，該第二電極還包括自其水平段向下延伸的垂直段及自該垂直段水平延伸的另一水平段。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于該模具由第一部分和第二部分組成，其第一部分包含一凹槽承載該引腳結(jié)構(gòu)，在注塑流體過程中該凹槽的內(nèi)壁與該第一電極及第二電極的垂直段及另一水平段貼附。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該模具的第二部分至少包含兩凹槽用于收容該引腳結(jié)構(gòu)的第一凸面和第二凸面上的第一覆蓋層和第二覆蓋層。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該兩凹槽的形成的空間大于或等于該第一凸面和第二凸面上的覆蓋層的體積。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于該模具的第二部分還包含環(huán)形凹槽，流體材料在注塑成型后生成一環(huán)狀部分圍繞該第一凸面和第二凸面。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于在該環(huán)狀部分內(nèi)表面覆蓋一層高反射率材料形成反射層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的制造方法，該制造方法包括步驟提供引腳結(jié)構(gòu)包括隔開的第一電極及第二電極，第一電極及第二電極分別包括第一凸面和第二凸面；在引腳結(jié)構(gòu)的第一凸面和第二凸面上分別覆蓋第一覆蓋層及第二覆蓋層；提供模具具有包覆該引腳結(jié)構(gòu)的腔體，該模具部分貼合于該引腳結(jié)構(gòu)；往模具所形成的腔體內(nèi)注塑流體材料形成基座，該流體材料在注塑過程中避開第一覆蓋層及第二覆蓋層；移除模具；移除該第一覆蓋層及第二覆蓋層；將發(fā)光芯片電連接至第一凸面及第二凸面；及在發(fā)光芯片上覆蓋封裝層。通過以上步驟制成的發(fā)光二極管由于搭載芯片的第一凸面、第二凸面光滑無毛邊的表面，能有效提高封裝過程中產(chǎn)品的良率。
文檔編號H01L33/00GK103000771SQ20111027557
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者林新強, 曾文良, 陳立翔, 羅杏芬 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司