專利名稱：用于iii-v化合物半導(dǎo)體電池的柵格設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及用于將日光轉(zhuǎn)化成電能的空間或聚光器地面太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)，且更明確地說(shuō)，涉及一種包含太陽(yáng)能電池上的柵格配置的布置。
背景技術(shù)：
用于地面太陽(yáng)能發(fā)電應(yīng)用的市售硅太陽(yáng)能電池具有范圍在從8%到15%的效率?；贗II-V化合物的化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池在正常操作條件下具有28%的效率。此外，眾所周知，將太陽(yáng)能聚集到III-V化合物半導(dǎo)體光伏電池上會(huì)在聚光狀態(tài)下將所述電池的效率增加到超過(guò)37%的效率。地面太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)目前鑒于其低成本和普遍可用性而使用硅太陽(yáng)能電池。盡管III-V化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池已在衛(wèi)星應(yīng)用(其中在選擇此些裝置時(shí)其功率-重量效率比每瓦的成本考慮因素更重要)中廣泛使用，但尚未針對(duì)存在于地球表面的太陽(yáng)光譜(稱為空氣質(zhì)量I. 5或AMI. 5D)的最佳覆蓋而設(shè)計(jì)此些III-V半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池。在硅和III-V化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池兩者的設(shè)計(jì)中，一個(gè)電接點(diǎn)通常放置在太陽(yáng)能電池的光吸收側(cè)或前側(cè)上，且第二接點(diǎn)放置在所述電池的后側(cè)上。光敏半導(dǎo)體安置在襯底的光吸收側(cè)上，且包含一個(gè)或一個(gè)以上p-n結(jié)，這樣當(dāng)光被吸收于電池內(nèi)時(shí)形成電子流。導(dǎo)電柵格線在電池的上部表面上延伸以捕獲此電子流，接著所述導(dǎo)電柵格線連接到前接點(diǎn)或接合墊中。指定太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面是構(gòu)成所述太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料層的物理結(jié)構(gòu)(組成、帶隙和層厚度)。常常以垂直、多結(jié)結(jié)構(gòu)制造太陽(yáng)能電池以便使用具有不同帶隙的材料且轉(zhuǎn)化盡可能多的太陽(yáng)光譜。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計(jì)中可用的一種類型的多結(jié)結(jié)構(gòu)為三結(jié)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其由鍺底部單元、砷化鎵(GaAs)中間單元和磷化銦鎵 (InGaP)頂部單元構(gòu)成。

發(fā)明內(nèi)容
I.發(fā)明目的本發(fā)明的一目的是提供一種具有柵格配置的用于地面發(fā)電應(yīng)用的改進(jìn)的III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽(yáng)能電池，其準(zhǔn)許太陽(yáng)能電池每太陽(yáng)照度下在AMUD太陽(yáng)輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35毫瓦的峰值DC功率。本發(fā)明的一目的是提供一種具有柵格配置的用于空間發(fā)電應(yīng)用的改進(jìn)的III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽(yáng)能電池，其準(zhǔn)許太陽(yáng)能電池每太陽(yáng)照度下在AMO太陽(yáng)輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35毫瓦的峰值DC功率。
本發(fā)明的另一目的是在III-V半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池的前表面上提供一種柵格結(jié)構(gòu)，以容納高電流用于聚光器光伏地面發(fā)電應(yīng)用。一些實(shí)施方案可實(shí)現(xiàn)前述目的中的一些目的。2.發(fā)明特征簡(jiǎn)潔且概括地說(shuō)，本發(fā)明提供一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的聚光器光伏太陽(yáng)能電池布置，所述布置包括聚光透鏡，其用于產(chǎn)生大于500X的聚光度；以及太陽(yáng)能電池，其在所聚集的光束的路徑中，所述太陽(yáng)能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽(yáng)能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上且具有帶隙以使AMl. 5光譜區(qū)中的吸收最大化；以及安置在所述頂部單元上的表面柵格，其包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。
·
在另一方面中，本發(fā)明提供一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的光伏太陽(yáng)能電池，所述光伏太陽(yáng)能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽(yáng)能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格，其包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。在另一方面中，本發(fā)明提供一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的光伏太陽(yáng)能電池布置，所屬布置包括鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽(yáng)能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格，其安置在所述頂部單元上，包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有梯形橫截面形狀，其中頂部處的寬度為約4. 5微米且底部處的寬度為約7微米。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有約100微米的中心到中心間距。在一些實(shí)施例中，表面柵格線由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有覆蓋頂部單兀的表面面積的至少5%但少于表面面積的10%的總表面面積。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有覆蓋約6%表面面積的柵格圖案的總表面面積。在一些實(shí)施例中，太陽(yáng)能電池具有至少3. O伏的開(kāi)路電壓(V。。)、至少O. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少O. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽(yáng)照度下以超過(guò)35%的轉(zhuǎn)化效率在AMI. 5D太陽(yáng)輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35毫瓦的峰值DC功率。在一些實(shí)施例中，太陽(yáng)能電池具有至少3. O伏的開(kāi)路電壓(V。。)、至少O. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少O. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽(yáng)照度下以超過(guò)35%的轉(zhuǎn)化效率在AMO太陽(yáng)輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35毫瓦的峰值DC功率。在一些實(shí)施例中，頂部、中間和底部子單元的帶隙分別為1.9電子伏特、I. 4電子伏特和O. 7電子伏特。在一些實(shí)施例中，頂部子單元具有少于300歐姆/平方的薄層電阻。在一些實(shí)施例中，頂部子單元的薄層電阻為約200歐姆/平方。在一些實(shí)施例，安置于太陽(yáng)能電池的子單元之間的隧道二極管層具有適于支持穿過(guò)隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。
本發(fā)明的一些實(shí)施方案可并入有或?qū)嵤┣笆霭l(fā)明內(nèi)容中提到的較少方面和特征。


圖I為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)造的地面太陽(yáng)能電池的很大程度放大的橫截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的教示構(gòu)造的地面太陽(yáng)能電池的很大程度放大的橫截面圖；圖3為展示在AMI. 5D光譜以及一平方厘米太陽(yáng)能電池表面面積的情況下500太陽(yáng)照度下的太陽(yáng)能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖；以及圖4為展示在AMO光譜以及六十平方厘米表面面積的情況下一太陽(yáng)照度下的太陽(yáng)能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將描述本發(fā)明的細(xì)節(jié)，其包含本發(fā)明的示范性方面和實(shí)施例。參看圖式和以下描述，使用相同參考數(shù)字來(lái)指代相同或在功能上類似的元件，且相同參考數(shù)字旨在以高度簡(jiǎn)化的圖解方式說(shuō)明示范性實(shí)施例的主要特征。此外，圖式并不希望描繪實(shí)際實(shí)施例的每個(gè)特征或所描繪的元件的相對(duì)尺寸，且未按比例繪制。在第6，680，432號(hào)美國(guó)專利中更明確地描述三結(jié)III_V化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池的典型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，所述專利以引用的方式并入本文中。如在圖I的所說(shuō)明的實(shí)例中所展示，底部子單元10包含由P型鍺(“Ge”)形成的襯底11、12，底部部分也用作子單元10的基底層。金屬接觸層或墊50形成于基底層11的底部上，以向多結(jié)太陽(yáng)能電池提供電接點(diǎn)。底部子單元10進(jìn)一步包含(例如)n型Ge發(fā)射極區(qū)12和η型成核層13。成核層13沉積在襯底11、12上，且通過(guò)摻雜劑從上部層到Ge襯底中的擴(kuò)散而在Ge襯底中形成發(fā)射極層12，進(jìn)而將P型鍺襯底的上部部分12改變成η型區(qū)12。重度摻雜的η型砷化鎵層14沉積在成核層13上，且為到發(fā)射極區(qū)12中的砷摻雜劑的源。盡管生長(zhǎng)襯底和基底層11優(yōu)選為P型Ge生長(zhǎng)襯底和基底層，但其它半導(dǎo)體材料也可用作生長(zhǎng)襯底和基底層，或僅用作生長(zhǎng)襯底。此些襯底的實(shí)例包含(但不限于)GaAs、InP> GaSb> InAs> InSb> GaP> Si、SiGe> SiC、Al203、Mo、不鎊鋼、鈉I丐玻璃(soda-lime glass)和 SiO2。重度摻雜的P型砷化鋁鎵(“AlGaAs”)和(“GaAs”)穿隧結(jié)層(tunnelingjunction layer) 14、15可沉積在成核層13上，以形成隧道二極管且在底部子單元與中間子單元20之間提供低阻路徑。中間子單元20包含高度摻雜的P型砷化鋁鎵(“AlGaAs”)背表面場(chǎng)(“BSF”)層16、P型InGaAs基底層17、高度摻雜的η型磷化銦鎵(“InGaP2”)發(fā)射極層18和高度摻雜的η型磷化銦鋁(“Α1ΙηΡ2”)窗口層19。窗口層通常具有與發(fā)射極相同的摻雜類型，但具有比發(fā)射極高的摻雜濃度。此外，窗口層常常需要具有比發(fā)射極高的帶隙，以便抑制窗口中的少數(shù)載流子光生(photogeneration)和注入,進(jìn)而減少原本將在窗口層中發(fā)生的重組。注意，多種不同半導(dǎo)體材料可用于光伏電池的窗口、發(fā)射極、基底和/或BSF層，所述半導(dǎo)體材料包含AllnP、AlAs、A1P、AlGalnP、AlGaAsP、AlGalnAs、AlGalnPAs、GalnP、GalnAs、GalnPAs、AlGaAs、AlInAs、AlInPAs> GaAsSb> AlAsSb、GaAlAsSb> AllnSb、GalnSb、AlGalnSb、AIN、GaN> InN、GalnN、AlGalnN、GaInNAs、AlGaInNAs、ZnSSe、CdSSe和其它材料且仍落在本發(fā)明的精神內(nèi)。中間子單元20的InGaAs基底層17可包含(例如)大約I. 5%的銦。也可使用其它組成。在BSF層沉積在底部子單元10的穿隧結(jié)層14、15上之后，基底層17形成于BSF層16上。提供BSF層16以減少中間子單元20中的重組損失。所述BSF層16從接近背表面的高度摻雜區(qū)驅(qū)動(dòng)少數(shù)載流子，以使重組損失的影響最小化。因此，BSF層16減少太陽(yáng)能電池的背側(cè)處的重組損失，且進(jìn)而減少基底層/BSF層界面處的重組。在發(fā)射極層沉積之后，窗口層19沉積在中間子單元20的發(fā)射極層18上。中間子單元20中的窗口層19也有助于減少重組損失且改進(jìn)下伏結(jié)的單元表面的鈍化。
在沉積頂部單元30的層之前，重度摻雜的η型InAlP2和ρ型InGaP2穿隧結(jié)層21、22分別可沉積在中間子單元20上，從而形成隧道二極管。在高聚光度地面太陽(yáng)能電池的實(shí)施例中，安置于子單元之間的隧道二極管層具有適于支持穿過(guò)隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。在所說(shuō)明的實(shí)例中，頂部子單元30包含高度摻雜的P型磷化銦鎵鋁(“InGaAlP”)BSF層23、ρ型InGaP2基底層24、高度摻雜的η型InGaP2發(fā)射極層25和高度摻雜的η型InAlP2窗口層26。在BSF層23形成于中間子單元20的穿隧結(jié)層21、22上之后，頂部子單元30的基底層24沉積在BSF層23上。在發(fā)射極層25形成于基底層24上之后，窗口層26沉積在頂部子單元的發(fā)射極層25上。蓋帽層(cap layer) 27可沉積且經(jīng)圖案化為頂部子單元30的窗口層26上的單獨(dú)接觸區(qū)。蓋帽層27用作從頂部子單元30到金屬柵格層40的電接點(diǎn)。頂部單元的薄層電阻小于300歐姆/平方，且在一些實(shí)施例中其為約200歐姆/平方厘米。經(jīng)摻雜的蓋帽層27可為半導(dǎo)體層，例如，GaAs或InGaAs層。也可在窗口層26的表面上在蓋帽層27的接觸區(qū)之間提供抗反射涂層28。現(xiàn)有技術(shù)太陽(yáng)能電池中的柵格線40通常在電池的相對(duì)側(cè)上在兩條母線(busbar)之間延伸。在現(xiàn)有技術(shù)中，柵格線通常具有5微米或更小的厚度或高度，約5微米的寬度和約100微米的間距(S卩，鄰近柵格線的中心之間的距離)。柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單元的表面面積的5. 0%與10. 0%之間。如在圖2的所說(shuō)明的實(shí)例中所展示，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池具有實(shí)質(zhì)上與圖I的太陽(yáng)能電池相同的半導(dǎo)體層11到27、金屬接觸層50和抗反射涂層28，且此處不需要重復(fù)此描述。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，柵格線在電池的相對(duì)側(cè)上在兩條母線之間延伸。在一些實(shí)施例中，每一柵格線可具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間，因此每一導(dǎo)體的大小適于傳導(dǎo)由太陽(yáng)能電池在高聚光度下形成的相對(duì)高的電流。柵格線具有為7微米或更大的厚度或高度，約5微米的寬度和約100微米的間距(即，鄰近柵格線的中心之間的距離)。在一些實(shí)施例中，柵格線具有梯形橫截面形狀，其中頂部處的寬度為約4. 5微米且底部處的寬度為約7微米。柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單兀的表面面積的5. 0%與10. 0%之間。柵格圖案和線尺寸經(jīng)選擇以運(yùn)載由太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的相對(duì)高的電流。在一些實(shí)施例中，柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單元的表面面積的6%。在一些實(shí)施例中，例如對(duì)于地面發(fā)電應(yīng)用來(lái)說(shuō)，聚光透鏡60或其它光學(xué)器件可安置在太陽(yáng)能電池的上方且用以在所述電池的表面上將入射日光聚焦到500X或更大的放大倍率。在一些實(shí)施例中，所得的太陽(yáng)能電池具有針對(duì)頂部、中間和底部子單元的1.9電子伏特、I. 4電子伏特和O. 7電子伏特的帶隙。在一些實(shí)施例中，在由聚集的日光以超過(guò)500倍照明時(shí)，太陽(yáng)能電池具有至少3. O伏的開(kāi)路電壓(V。。)、至少O. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少O. 70的填充因數(shù)(FF)和空氣質(zhì)量I. 5 (AMI. 5D)或處于25攝氏度的類似地面光譜下的至少35%的效率，以便產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35亳瓦的峰值DC功率。圖3為展示在AMI. 5D光譜以及一平方厘米太陽(yáng)能電池表面面積的情況下500太·陽(yáng)照度下的太陽(yáng)能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。此類太陽(yáng)能電池(標(biāo)注為型號(hào)CTJ)適合于聚光器光伏系統(tǒng)中的地面應(yīng)用，所述地面應(yīng)用使用透鏡或其它光學(xué)器件以500倍或更大的放大倍率在所述電池上聚焦入射的太陽(yáng)光束。使用厚柵格線(例如，厚度為7微米或更大)實(shí)現(xiàn)電池效率的實(shí)質(zhì)改進(jìn)。光刻的限制和處理考慮因素可使得從生產(chǎn)或可靠性的立場(chǎng)來(lái)說(shuō)使用當(dāng)前生產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)曲線圖較高端處的柵格厚度(即，十微米或更大)是不太可行的，但這不應(yīng)損害本發(fā)明的教示。圖4為展示在AMO光譜以及六十平方厘米表面面積的情況下一太陽(yáng)照度下的太陽(yáng)能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。此類太陽(yáng)能電池(標(biāo)注為型號(hào)ZTJ)適合于光伏系統(tǒng)中的空間應(yīng)用，所述空間應(yīng)用以一個(gè)太陽(yáng)照度操作(即，不使用入射太陽(yáng)光束的放大)。使用厚柵格線(例如，厚度為7微米或更大)實(shí)現(xiàn)電池效率的實(shí)質(zhì)改進(jìn)。光刻的限制和處理考慮因素可使得從生產(chǎn)或可靠性的立場(chǎng)來(lái)說(shuō)使用當(dāng)前生產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)曲線圖較高端處的柵格厚度(即，十微米或更大)是不太可行的，但這不應(yīng)損害本發(fā)明的教示。
權(quán)利要求
1.一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的聚光器光伏太陽(yáng)能電池布置，其包括 聚光透鏡(60)，其用于產(chǎn)生大于500X的聚光度；以及 太陽(yáng)能電池，其在所聚集的光束的路徑中，所述太陽(yáng)能電池包含 鍺(11、12)襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽(yáng)能子單元(10)； 砷化鎵中間單元(20)，其安置在所述襯底(11、12)上； 磷化銦鎵頂部單元(30)，其安置在所述中間單元(20)上且具有帶隙以使AMl. 5光譜區(qū)中的吸收最大化；以及 安置在所述頂部單元(30)上的表面柵格(45)，其包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線(45)，其中所述柵格線(45)具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間，且適合于傳導(dǎo)由所述太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的相對(duì)高的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中所述梯形形狀具有頂部處約4.5微米的寬度和底部處約7微米的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中所述柵格線(45)具有約100微米的中心到中心間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中柵格圖案由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線(45)構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中柵格圖案的總表面面積覆蓋所述頂部單元(30)的表面面積的至少5%，但少于所述表面面積的10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中柵格圖案的所述總表面面積覆蓋所述表面面積的約6%。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中所述太陽(yáng)能電池具有至少3.O伏的開(kāi)路電壓(Voc)、至少O. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少O. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽(yáng)照度下以超過(guò)35%的轉(zhuǎn)化效率在AMl. 5太陽(yáng)輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過(guò)35毫瓦的峰值DC功率。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中所述頂部、中間和底部子單元(30、20、10)的帶隙分別為I. 9電子伏特、I. 4電子伏特和O. 7電子伏特。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的布置，其中所述頂部子單元(30)具有少于300歐姆/平方的薄層電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池，其中所述頂部子單元的所述薄層電阻為約200歐姆/平方。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽(yáng)能電池，其進(jìn)一步包括安置于所述太陽(yáng)能電池的所述子單元之間的隧道二極管層(14、15 ;21、22)，所述隧道二極管層具有適于支持穿過(guò)所述隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。
12.一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的光伏太陽(yáng)能電池布置，其包括 鍺襯底(11、12)，其包含第一光敏結(jié)且形成底部 太陽(yáng)能子單元(10)； 砷化鎵中間單元(20)，其安置在所述襯底(11、12)上； 磷化銦鎵頂部單元(30)，其安置在所述中間單元(20)上；以及 安置在所述頂部單元(30)上的表面柵格，其包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線(45)，其中所述柵格線(45)具有大于7微米的厚度，且每一柵格線(45)具有 梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中所述梯形形狀具有頂部處約4.5微米的寬度和底部處約7微米的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中所述柵格線(45)具有約100微米的中心到中心間距。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中柵格圖案由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線(45)構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中柵格圖案的總表面面積覆蓋所述頂部單元(30)的表面面積的至少5%，但少于所述表面面積的10%。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中柵格圖案的所述總表面面積覆蓋所述表面面積的約6%。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中所述頂部、中間和底部子單元(30、20、10)的帶隙分別為I. 9電子伏特、I. 4電子伏特和O. 7電子伏特。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布置，其中所述頂部子單元(30)具有少于300歐姆/平方的薄層電阻。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其中所述頂部子單元的所述薄層電阻為約·200歐姆/平方。
全文摘要
一種用于從太陽(yáng)產(chǎn)生能量的光伏太陽(yáng)能電池，所述光伏太陽(yáng)能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽(yáng)能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格，其包含多個(gè)間隔開(kāi)的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102983208SQ201110276170
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月7日
發(fā)明者理查德·W·小霍夫曼, 普拉溫·帕特爾, 坦森·瓦格赫塞 申請(qǐng)人:安科太陽(yáng)能公司