專利名稱：固體拍攝裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及固體拍攝裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
固體拍攝裝置，在數(shù)字靜物照相機(jī)、攝影機(jī)或監(jiān)視攝影機(jī)等多種用途中使用。作為該固體拍攝裝置，廣泛使用CCD圖像傳感器和/或CMOS圖像傳感器。固體拍攝裝置，構(gòu)成為包含將光信號變換為電信號的光電二極管，電讀取投影于圖像區(qū)域的像。另外，開發(fā)出了背面照射型固體拍攝裝置，進(jìn)一步推進(jìn)像素的微細(xì)化，所述背面照射型固體拍攝裝置具有在半導(dǎo)體基板的背面(受光面)側(cè)設(shè)置有光電二極管、在受光面與相反面外部之間設(shè)置有用于進(jìn)行電信號的輸入輸出的布線層的結(jié)構(gòu)。光電二極管，具有與半導(dǎo)體基板的膜厚大致相同的深度。因此，在圖像區(qū)域的周邊，光相對于與受光面垂直的方向持角度入射于光電二極管，從而光的入射效率會(huì)降低。進(jìn)而，在將光電二極管進(jìn)一步微細(xì)化了的情況下，入射效率會(huì)進(jìn)一步降低。由此，固體拍攝裝置的受光靈敏度會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題在于提供可以使向圖像區(qū)域的入射效率提高的固體拍攝裝置及其制造方法。實(shí)施方式的固體拍攝裝置具備多個(gè)光電二極管，其設(shè)置于基板內(nèi)，且分別具有第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域；以及元件分離區(qū)域，其設(shè)置于前述基板內(nèi)，且包括第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域，且將前述多個(gè)光電二極管分別電分離；其中，前述元件分離區(qū)域向排列有前述多個(gè)光電二極管的圖像區(qū)域的中心方向傾斜。另一實(shí)施例的固體拍攝裝置的制造方法，是具有排列有多個(gè)光電二極管的圖像區(qū)域的固體拍攝裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板的工序；以及在前述半導(dǎo)體基板內(nèi)形成元件分離區(qū)域的工序，所述元件分離區(qū)域?qū)⑶笆龆鄠€(gè)光電二極管分別電分離且向前述圖像區(qū)域的中心方向傾斜；其中，前述形成元件分離區(qū)域的工序，反復(fù)進(jìn)行在前述半導(dǎo)體基板上形成抗蝕劑層的工序和以前述抗蝕劑層作為掩模而在前述半導(dǎo)體基板內(nèi)導(dǎo)入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)的工序；前述抗蝕劑層，每當(dāng)前述反復(fù)的次數(shù)增加，便向前述圖像區(qū)域的中心方向偏離而形成。根據(jù)上述構(gòu)成的固體拍攝裝置及其制造方法，可以使向圖像區(qū)域的入射效率提
尚ο


圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是固體拍攝裝置的沿圖1所示的A-A'線的剖面圖。圖3是說明固體拍攝裝置的濾色器的配置例的圖。
圖4是說明固體拍攝裝置的圖像區(qū)域的拓進(jìn)的概略圖。圖5是表示固體拍攝裝置的元件分離區(qū)域的構(gòu)成的俯視圖。圖6是表示固體拍攝裝置的制造工序的俯視圖。圖7是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖8是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖9是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖10是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖11是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖12是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖13是表示固體拍攝裝置的制造工序的剖面圖。圖14是表示第2實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖15是表示第3實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的圖像區(qū)域的概略圖。圖16是表示配置于固體拍攝裝置的中央部分的像素的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式[第1實(shí)施方式]圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置10的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是固體拍攝裝置10的沿圖1所示的A-A'線的剖面圖。支持基板11，是為了增加固體拍攝裝置10整體的強(qiáng)度及剛性而設(shè)置的，例如含有硅(Si)。在支持基板11上，設(shè)置有作為布線結(jié)構(gòu)體的多層布線層12。多層布線層12包含例如含有硅氧化物的層間絕緣層13和設(shè)置于該層間絕緣層13內(nèi)的多層金屬布線14。在多層布線層12，設(shè)置有用于讀取光電二極管的電荷的傳輸門M。在多層布線層12上設(shè)置有例如含有硅(Si)的η型半導(dǎo)體基板15。作為η型半導(dǎo)體基板15，既可以是含有硅(Si)的η型外延層，也可以是形成于基板內(nèi)的η型阱。半導(dǎo)體基板15，其與多層布線層12相接的面是表面，濾色器側(cè)的面為背面。半導(dǎo)體基板15的背面為受光面。在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，以矩陣狀設(shè)置有多個(gè)光電二極管PD。多個(gè)光電二極管PD被格子狀(網(wǎng)眼狀)的元件分離區(qū)域19電分離。元件分離區(qū)域19包含ρ型半導(dǎo)體區(qū)域，所述P型半導(dǎo)體區(qū)域通過將P型雜質(zhì)、例如硼(B)導(dǎo)入至半導(dǎo)體基板15而形成。關(guān)于元件分離區(qū)域19的更具體的結(jié)構(gòu)后面描述。在此，示出在1個(gè)像素中包括1個(gè)光電二極管PD的例子。各光電二極管PD具備電荷蓄積區(qū)域17和η.型半導(dǎo)體區(qū)域16。電荷蓄積區(qū)域17包含η型半導(dǎo)體區(qū)域，作為對入射光進(jìn)行光電變換的受光部起作用。η+型半導(dǎo)體區(qū)域16具有使蓄積于電荷蓄積區(qū)域17的電荷聚集的功能。η+型半導(dǎo)體區(qū)域16設(shè)置于光電二極管PD的下部，通過將高濃度的η型雜質(zhì)、例如磷(P)導(dǎo)入半導(dǎo)體基板15而形成。光電二極管PD的俯視形狀例如是大致正方形。在光電二極管PD上設(shè)置有ρ型半導(dǎo)體層18。ρ型半導(dǎo)體層18與元件分離區(qū)域19同樣，作為將多個(gè)光電二極管PD電分離的元件分離區(qū)域起作用。在ρ型半導(dǎo)體層18上設(shè)置有例如含有硅氧化物的平坦化膜20。在平坦化膜20上，按每個(gè)像素設(shè)置有濾色器21。濾色器21具備主要使紅色的波長區(qū)域的光透射的紅色過濾器R、主要使綠色的波長區(qū)域的光透射的綠色過濾器G、主要使藍(lán)色的光透射的藍(lán)色過濾器B。圖3是說明濾色器21的配置例的圖。另外，在圖3中，圖示出與5X5像素對應(yīng)的數(shù)量的濾色器。在本實(shí)施方式中，濾色器21例如使用拜耳(Bayer)排列進(jìn)行配置。如圖所示，相鄰的濾色器(R，G，B)以在行方向及列方向獲得互相不同的色信號的方式配置。在濾色器21上設(shè)置有例如含有硅氧化物的保護(hù)膜22。在保護(hù)膜22上，設(shè)置有與像素對應(yīng)的數(shù)量的微透鏡(聚光透鏡)23。利用這樣的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施方式的固體拍攝裝置10，從圖2的上方使光入射，通過利用光電二極管PD的電荷蓄積區(qū)域17進(jìn)行光電變換，能夠?qū)θ肷涔膺M(jìn)行受光檢測。并且，由于從形成有光電二極管PD的半導(dǎo)體基板15觀察，從與位于下方的多層布線層12的一側(cè)(表面?zhèn)?相反側(cè)(背面?zhèn)?的上方使光入射，所以成為所謂背面照射型結(jié)構(gòu)。一般地，從照相機(jī)透鏡入射于光電二極管PD的光，在圖像區(qū)域的中央和周邊成為不同的角度。因此，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，使微透鏡23以及濾色器21以光電二極管PD為基準(zhǔn)，向圖像區(qū)域的中心方向偏離(拓進(jìn)，scaling)，使光在圖像區(qū)域的周邊部分也有效地入射。圖4是說明圖像區(qū)域的擴(kuò)進(jìn)的概略圖。另外，在圖4中，為了簡化，示出由5X5像素構(gòu)成圖像區(qū)域的情況的擴(kuò)進(jìn)。如從圖4可以理解，微透鏡23以及濾色器21隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，從光電二極管PD (具體地，η+型半導(dǎo)體區(qū)域16)的中心向圖像區(qū)域的中心方向偏離而配置。另外，各像素所包含的傳輸門M以及布線層與拓進(jìn)相配合，配置于光電二極管PD的η+型半導(dǎo)體區(qū)域16的下方。在此，如從圖2可以理解，將多個(gè)光電二極管PD分別分離的元件分離區(qū)域19，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜。換言之，元件分離區(qū)域19構(gòu)成為，隨著從圖像區(qū)域的中心離開，向圖像區(qū)域的中心方向的傾斜度變大。為了實(shí)現(xiàn)這樣的結(jié)構(gòu)的元件分離區(qū)域19，元件分離區(qū)域19通過層疊多個(gè)ρ型擴(kuò)散層而構(gòu)成，這多個(gè)ρ型擴(kuò)散層隨著向上方層前進(jìn)而向圖像區(qū)域的中心方向偏離從而在傾斜方向?qū)盈B。圖5是表示元件分離區(qū)域19的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5的由實(shí)線表示的四邊形表示構(gòu)成元件分離區(qū)域19的多個(gè)ρ型擴(kuò)散層與光電二極管PD的邊界。另外，在圖5中，為了簡化，作為構(gòu)成元件分離區(qū)域19的多個(gè)ρ型擴(kuò)散層，示出3個(gè)ρ型擴(kuò)散層19-1 19-3。通過如圖5那樣形成元件分離區(qū)域19，由元件分離區(qū)域19分離的多個(gè)光電二極管PD，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜。由此，在圖像區(qū)域的周邊部分，也能夠使光有效地入射于光電二極管PD，因而，能夠使受光靈敏度提高。(制造方法)接著，關(guān)于固體拍攝裝置10的制造方法參照附圖進(jìn)行說明。圖6是表示固體拍攝裝置10的制造工序的俯視圖，圖7是沿圖6的B-B'線的剖面圖。另外，圖6的俯視圖對應(yīng)于圖像區(qū)域之中與圖1的俯視圖相同的部分。首先，準(zhǔn)備在背面?zhèn)刃纬捎笑研桶雽?dǎo)體層18的η型半導(dǎo)體基板15。在圖7中，半導(dǎo)體基板15的表面成為上面。接著，通過第1次的光刻工序，在半導(dǎo)體基板15上形成包括多個(gè)抗蝕劑層30-1的抗蝕劑圖案?？刮g劑圖案，包括在行方向以及列方向隔開預(yù)定的間隔而配置的多個(gè)抗蝕劑層30-1，各抗蝕劑層30-1是與光電二極管PD的俯視形狀相同的正方形。另外，通過抗蝕劑圖案而露出的區(qū)域，是與元件分離區(qū)域19的俯視形狀相同的格子狀。接著，如圖8所示，通過第1次的離子注入工序，以抗蝕劑層30-1作為掩模，將ρ型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基板15。此時(shí)，通過使離子注入的加速能量增大，使雜質(zhì)離子到達(dá)P型半導(dǎo)體層18，在半導(dǎo)體基板15的下部形成ρ型半導(dǎo)體區(qū)域19-1。由此，在半導(dǎo)體基板15的下部，形成格子狀的ρ型半導(dǎo)體區(qū)域19-1。此后，剝離抗蝕劑層30-1。接著，如圖9所示，通過第2次的光刻工序，在半導(dǎo)體基板15上形成包括多個(gè)抗蝕劑層30-2的抗蝕劑圖案。多個(gè)抗蝕劑層30-2分別隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，從多個(gè)抗蝕劑層30-1的中心向圖像區(qū)域的中心方向偏離而配置。各抗蝕劑層30-2，是與抗蝕劑層30-1相同的俯視形狀。接著，如圖10所示，通過第2次的離子注入工序，以抗蝕劑層30-2作為掩模，將ρ型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基板15。此時(shí)，通過使離子注入的加速能量比第1次小，以在ρ型半導(dǎo)體區(qū)域19-1上相互接觸的方式形成ρ型半導(dǎo)體區(qū)域19-2。由此，在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，形成隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)而從P型半導(dǎo)體區(qū)域19-1向圖像區(qū)域的中心方向偏離的格子狀的P型半導(dǎo)體區(qū)域19-2。此后，剝離抗蝕劑層30-2。以后，同樣地，改變離子的加速能量(改變離子注入深度)，并且使光刻工序以及離子注入工序反復(fù)多次。由此，如圖U所示，在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，形成到達(dá)半導(dǎo)體基板15的表面的元件分離區(qū)域19。接著，如圖12所示，通過光刻工序，在半導(dǎo)體基板15上，形成將光電二極管PD的預(yù)定形成區(qū)域露出的抗蝕劑層31。接著，如圖13所示，通過離子注入工序，以抗蝕劑層31作為掩模，將η型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基板15。由此，在半導(dǎo)體基板15的表面?zhèn)鹊谋砻鎱^(qū)域，形成構(gòu)成光電二極管PD的η+型半導(dǎo)體區(qū)域16。這樣，在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，形成由元件分離區(qū)域19電分離且具有大致正方形的俯視形狀的多個(gè)光電二極管PD。接著，通過一般的制造方法，使用形成有光電二極管PD以及元件分離區(qū)域19的半導(dǎo)體基板15，形成圖2所示的固體拍攝裝置10。(效果)在如以上詳述的第1實(shí)施方式中，背面照射型固體拍攝裝置10，在η型半導(dǎo)體基板15內(nèi)，具備多個(gè)光電二極管PD和將多個(gè)光電二極管PD電分離的格子狀的元件分離區(qū)域19。元件分離區(qū)域19，在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，包括導(dǎo)入ρ型雜質(zhì)而形成的ρ型半導(dǎo)體區(qū)域。并且，使元件分離區(qū)域19隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)而向圖像區(qū)域的中心方向傾斜(拓進(jìn))°因而，根據(jù)第1實(shí)施方式，光電二極管PD，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜而形成。由此，在圖像區(qū)域的周邊部分，能夠使光的入射效率以及受光靈敏度提高。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)可在圖像區(qū)域整體獲得良好的畫質(zhì)的固體拍攝裝置10。同樣地，濾色器21以及微透鏡23也拓進(jìn)。由此，能夠高效地使光入射到光電二極管PD。另外，包括ρ型半導(dǎo)體區(qū)域的元件分離區(qū)域19，也可以不形成到半導(dǎo)體基板15的表面。例如，在半導(dǎo)體基板15的表面?zhèn)鹊谋砻鎱^(qū)域形成元件分離絕緣層，并用P型半導(dǎo)體區(qū)域覆蓋該元件分離絕緣層。并且，以從該P(yáng)型半導(dǎo)體區(qū)域起延伸到半導(dǎo)體基板15的背面的方式形成包括P型半導(dǎo)體區(qū)域的元件分離區(qū)域。即，在該變形例中，本實(shí)施方式的元件分離區(qū)域19，包括元件分離絕緣層以及ρ型半導(dǎo)體區(qū)域。另外，濾色器21以及微透鏡23，既可以如本實(shí)施方式所示實(shí)施拓進(jìn)，也可以不限于此，而配置為使光電二極管PD的受光面的中心與濾色器21及微透鏡23的中心大致相同。[第2實(shí)施方式]第2實(shí)施方式，在P型半導(dǎo)體基板形成包括N型半導(dǎo)體區(qū)域的多個(gè)光電二極管，使該多個(gè)光電二極管隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜。圖14是表示第2實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置10的結(jié)構(gòu)的剖面圖。在多層布線層12上，設(shè)置有例如含有硅(Si)的ρ型半導(dǎo)體基板15。作為ρ型半導(dǎo)體基板15，既可以是含有硅(Si)的P型外延層，也可以是形成于基板內(nèi)的P型阱。在半導(dǎo)體基板15內(nèi)，以矩陣狀設(shè)置有多個(gè)光電二極管PD。各光電二極管PD具備電荷蓄積區(qū)域17以及η+型半導(dǎo)體區(qū)域16。電荷蓄積區(qū)域17包含η型半導(dǎo)體區(qū)域，作為對入射光進(jìn)行光電變換的受光部起作用。光電二極管PD的俯視形狀例如是大致正方形。多個(gè)光電二極管PD，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜。為了實(shí)現(xiàn)這樣結(jié)構(gòu)的光電二極管PD，電荷蓄積區(qū)域17通過層疊多個(gè)η型擴(kuò)散層而構(gòu)成，這多個(gè)η型擴(kuò)散層隨著向上方層前進(jìn)而向圖像區(qū)域的中心方向偏離從而在傾斜方向?qū)盈B。光電二極管PD的電荷蓄積區(qū)域17，能夠通過改變?chǔ)切碗s質(zhì)離子的加速能量(改變離子注入深度)，并且使光刻工序以及離子注入工序反復(fù)多次而形成。半導(dǎo)體基板15之中除去光電二極管PD的區(qū)域，為包含ρ型半導(dǎo)體區(qū)域的元件分離區(qū)域19。另外，通過使光電二極管PD的上表面比元件分離區(qū)域19的上表面低，可以通過P型半導(dǎo)體區(qū)域?qū)⒍鄠€(gè)光電二極管PD的上部電分離。根據(jù)如以上詳述的第2實(shí)施方式，光電二極管PD，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜而形成。由此，在圖像區(qū)域的周邊部分，能夠使光的入射效率及受光靈敏度提高。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)可在圖像區(qū)域整體獲得良好的畫質(zhì)的固體拍攝裝置10。[第3實(shí)施方式]第3實(shí)施方式，將圖像區(qū)域分為包含其中心的中央部分和包圍該中央部分的周邊部分，并且僅在周邊部分使元件分離區(qū)域傾斜。圖15是表示第3實(shí)施方式所涉及的圖像區(qū)域的概略圖。圖像區(qū)域被劃分為包含其中心的中央部分40和包圍該中央部分40的周邊部分41。在配置于周邊部分41的像素中，與第1實(shí)施方式的圖2同樣，元件分離區(qū)域19隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜(拓進(jìn))。由此，光電二極管PD，隨著向圖像區(qū)域的周邊前進(jìn)，向圖像區(qū)域的中心方向傾斜而形成。另一方面，對于配置于中央部分40的像素，以與受光面近似垂直的角度入射光。因此，在本實(shí)施方式中，在配置于中央部分40的像素中，不進(jìn)行元件分離區(qū)域19以及光電二極管PD的拓進(jìn)。圖16是表示配置于中央部分40的像素的結(jié)構(gòu)的剖面圖。將多個(gè)光電二極管PD電分離的元件分離區(qū)域19，在垂直于受光面的方向延伸，以格子狀形成。因而，光電二極管PD也形成為在與受光面垂直的方向延伸。光電二極管PD的俯視形狀例如是大致正方形。另外，關(guān)于在光電二極管PD的上方配置的濾色器21以及微透鏡23，也不進(jìn)行拓進(jìn)。
根據(jù)如以上詳述的第3實(shí)施方式，能夠在圖像區(qū)域的中央部分40確保受光靈敏度，且在圖像區(qū)域的周邊部分41使光的入射效率以及受光靈敏度提高。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)可在圖像區(qū)域整體獲得良好的畫質(zhì)的固體拍攝裝置10。另外，周邊部分41的元件分離區(qū)域19以及光電二極管PD，并不限于第1實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，而也可以以相同的角度向圖像區(qū)域的中心方向傾斜。另外，也可以將第2實(shí)施方式應(yīng)用于第3實(shí)施方式。雖然說明了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出的，而并非要限定發(fā)明的范圍。這些實(shí)施方式，可以以其他的各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的范圍的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、改變。這些實(shí)施方式和/或其他的變形，包含于發(fā)明的范圍和/或主旨，同樣地也包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明和其均等的范圍。
權(quán)利要求
1.一種固體拍攝裝置，具備多個(gè)光電二極管，其設(shè)置于基板內(nèi)，且分別具有第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域；以及元件分離區(qū)域，其設(shè)置于前述基板內(nèi)，且包括第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域，且將前述多個(gè)光電二極管分別電分離；其中，前述元件分離區(qū)域向排列有前述多個(gè)光電二極管的圖像區(qū)域的中心方向傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述元件分離區(qū)域的傾斜度隨著從前述圖像區(qū)域的中心離開而變大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述元件分離區(qū)域以相同的角度向前述圖像區(qū)域的中心方向傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述元件分離區(qū)域的俯視形狀為格子狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述圖像區(qū)域被分割為中央部分和周邊部分；配置于前述中央部分的元件分離區(qū)域在與前述基板的受光面垂直的方向延伸；配置于前述周邊部分的元件分離區(qū)域向前述圖像區(qū)域的中心方向傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述裝置是背面照射型的固體拍攝裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還具備多個(gè)濾色器，其設(shè)置于前述基板的受光面上；多個(gè)聚光透鏡，其設(shè)置于前述多個(gè)濾色器上；以及布線層，其設(shè)置于前述基板的與受光面相反面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還具備第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，其設(shè)置于受光面?zhèn)鹊那笆龌迳?，且將前述多個(gè)光電二極管分別電分離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中還具備多個(gè)聚光透鏡，其設(shè)置于前述基板的受光面上，且與前述多個(gè)光電二極管對應(yīng)地設(shè)置；前述多個(gè)聚光透鏡從前述多個(gè)光電二極管的位置向前述圖像區(qū)域的中心方向偏離而配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中前述第1導(dǎo)電型是η型；前述第2導(dǎo)電型是ρ型。
11.一種固體拍攝裝置的制造方法，該固體拍攝裝置具有排列有多個(gè)光電二極管的圖像區(qū)域，該方法包括準(zhǔn)備第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板的工序；以及在前述半導(dǎo)體基板內(nèi)形成元件分離區(qū)域的工序，所述元件分離區(qū)域?qū)⑶笆龆鄠€(gè)光電二極管分別電分離且向前述圖像區(qū)域的中心方向傾斜；其中，前述形成元件分離區(qū)域的工序，反復(fù)進(jìn)行在前述半導(dǎo)體基板上形成抗蝕劑層的工序和以前述抗蝕劑層作為掩模而在前述半導(dǎo)體基板內(nèi)導(dǎo)入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)的工序；前述抗蝕劑層，每當(dāng)前述反復(fù)的次數(shù)增加，便向前述圖像區(qū)域的中心方向偏離而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中前述元件分離區(qū)域的傾斜度隨著從前述圖像區(qū)域的中心離開而變大。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中前述元件分離區(qū)域的俯視形狀為格子狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中前述雜質(zhì)從前述半導(dǎo)體基板的與受光面相反面導(dǎo)入。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中每當(dāng)前述反復(fù)的次數(shù)增加，雜質(zhì)的加速能量便變小。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中前述第1導(dǎo)電型是η型；前述第2導(dǎo)電型是ρ型。
全文摘要
本發(fā)明提供可以使向圖像區(qū)域的光的入射效率提高的固體拍攝裝置及其制造方法。實(shí)施方式的固體拍攝裝置具備多個(gè)光電二極管，其設(shè)置于基板內(nèi)，且分別具有第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域；以及元件分離區(qū)域，其設(shè)置于前述基板內(nèi)，且包括第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域，且將前述多個(gè)光電二極管分別電分離；其中，前述元件分離區(qū)域向排列有前述多個(gè)光電二極管的圖像區(qū)域的中心方向傾斜。
文檔編號H01L27/146GK102569311SQ201110277420
公開日2012年7月11日 申請日期2011年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者中舘和彥 申請人:株式會(huì)社東芝