專利名稱：阻抗為50ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
目前氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片屬于新型高科技產(chǎn)業(yè)，取代傳統(tǒng)的不環(huán)保的氧化鈹基板負(fù)載片，而國際一些公司對此新型產(chǎn)業(yè)的研究與開發(fā)起步比較早。隨著國內(nèi)微波通訊行業(yè)的日益發(fā)展，無論是出于價格因素還是自身發(fā)展的需要上，國內(nèi)氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的自主開發(fā)、設(shè)計研究愈發(fā)顯得的重要。隨著功率的增高，對氮化鋁陶瓷作為基板的高功率負(fù)載片提出更高的要求，一方面為了達(dá)到更高的功率需要更大基板尺寸，一方面隨著市場的不斷發(fā)展又要求降低成本， 并且元器件的小型化集成化又是新的發(fā)展趨勢。同時，氮化鋁陶瓷的導(dǎo)熱性能隨著溫度的升高會有下降的趨勢，但是矛盾的是，功率的不斷提高，必然導(dǎo)致負(fù)載片在工作的過程中會產(chǎn)生更高的熱量，也就是會達(dá)到更高的溫度。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述情況，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種9. 5*9. 5*lmm能夠承載200W 功率的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，其性能穩(wěn)定，阻值精度高，價格更具優(yōu)勢。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片，其包括一 9. 5*9. 5*lmm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接， 所述電阻橫向布置。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷
有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該阻抗為50 Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200 瓦負(fù)載片的電阻橫向布置，這樣在設(shè)計時可對電阻進(jìn)行拉長，從而增加電阻的面積，使在 9. 5*9. 5*lmm基板面積上能承受200瓦的功率。同時可使負(fù)載片在特性方面滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，使其具有良好的VSWR性能，替代同類進(jìn)口產(chǎn)品，填補(bǔ)國內(nèi)空白。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片包括一 9. 5*9. 5*lmm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻3，電阻3橫向布置.電阻3通過導(dǎo)線2連接形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，這樣即可使負(fù)載電路接地形成回路。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5，這樣可對導(dǎo)線2、電阻3及玻璃保護(hù)膜4形成有效保護(hù)。背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。負(fù)載電路上設(shè)有與引線焊接的焊盤。該阻抗為50 Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片的電阻橫向布置，這樣在設(shè)計時可對電阻進(jìn)行拉長，從而增加電阻的面積，優(yōu)化電路的設(shè)計，使在9. 5*9. 5*lmm基板上能承受200瓦的功率，同時也可使負(fù)載片在特性方面滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，使其具有良好的 VSWR性能，能夠更好的與設(shè)備進(jìn)行匹配，可替代同類進(jìn)口產(chǎn)品，填補(bǔ)國內(nèi)空白。以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制， 凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 9. 5*9. 5*lmm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻橫向布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片，其包括一9.5*9.5*1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻橫向布置。該阻抗為50Ω大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦負(fù)載片平均功率可達(dá)到200瓦，且具有良好的VSWR性能，為國內(nèi)微波無源器件的首創(chuàng)，替代同類的進(jìn)口產(chǎn)品，填補(bǔ)國內(nèi)的空白。
文檔編號H01P1/22GK102427154SQ201110278079
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司