專利名稱：阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，在原有120瓦尺寸上稍微增大了尺寸并進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)從而使功率由原來(lái)的120瓦提高到了 150瓦，加快了其SMT型貼片式負(fù)載片由低功率逐漸向高功率的設(shè)計(jì)進(jìn)程。
背景技術(shù)：
高功率貼片型氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片于傳統(tǒng)的原有的負(fù)載片不同，原有的設(shè)計(jì)方式使在氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片在使用過(guò)程中主要采用類似于MI手工焊接方式，加焊引線或者金屬底座。其缺點(diǎn)一是，制程過(guò)程中的人為因素的存在會(huì)干擾產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。而且手工作業(yè)的方式容易使企業(yè)受到人力資源的限制。二是，引線及某些金屬底座的焊接，增加了制程的成本。所以在近年來(lái)氮化鋁陶瓷基板的生產(chǎn)制造商也著力于SMT型的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)， 由目前已經(jīng)投入使用的貼片設(shè)備進(jìn)行機(jī)械化生產(chǎn)提高穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種尺寸為 6. 35*9. 55*lmm能夠承受150W功率SMT負(fù)載片，延伸了目前氮化鋁陶瓷基板功率負(fù)載片的表面附著型產(chǎn)品的目錄，使高于100瓦的負(fù)載片也進(jìn)入了 SMT領(lǐng)域。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其包括一 6. 35*9. 55*1. OOmm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有特殊的背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，在6. 35*9. 5*1. OOmm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到150W，加大的底部焊盤(pán)面積在較小的面積上保證了優(yōu)異的散熱性能。在SMT氮化鋁陶瓷功率負(fù)載片的產(chǎn)品系列里增加了重量級(jí)的成員，利用了目前已經(jīng)成熟的SMT技術(shù)促進(jìn)了氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片生產(chǎn)的穩(wěn)定性和高效性。同時(shí)在高頻3G頻段范圍也保持了良好的VSWR特性，滿足了市場(chǎng)對(duì)駐波比的要求，能夠與外接的設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片包括一 6. 35*9. 5*1. OOmm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有分離的背導(dǎo)層6，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的兩端接地 7與背導(dǎo)層通過(guò)銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4 的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，在6. 35*9. 55*1. OOmm 的氮化鋁陶瓷基板上的功率可達(dá)到150W，在SMT負(fù)載片的目錄上達(dá)到了功率的新突破，促進(jìn)了機(jī)械化生產(chǎn)的進(jìn)程，進(jìn)一步提高了制程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量，并可使制造企業(yè)擺脫勞動(dòng)力資源的束縛。據(jù)檢測(cè)該氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片能承受的功率非常穩(wěn)定并在高頻范圍內(nèi)仍然有良好的VSWR特性，綜合以上的各種優(yōu)勢(shì)，使得此產(chǎn)品可在通訊行業(yè)外的更多的領(lǐng)域內(nèi)被廣泛使用。以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制， 凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其特征在于其包括一 6. 35*9. 55*1. OOmm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層不是一個(gè)整體，其需要有兩端接地漿料導(dǎo)通連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片，其包括一6.35*9.55*1.00mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有特殊背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板150瓦貼片型負(fù)載片在原有的設(shè)計(jì)上進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)一步將功率提升到150瓦，并在高頻3G時(shí)任然可以保持良好的VSWR特性，滿足了市場(chǎng)的要求。在6.35*9.55*1.00mm的氮化鋁陶瓷基板實(shí)現(xiàn)了功率滿足150瓦的貼片型設(shè)計(jì)，在SMT氮化鋁陶瓷功率負(fù)載片的產(chǎn)品系列里增加了重量級(jí)的成員。
文檔編號(hào)H01P1/22GK102361135SQ20111027811
公開(kāi)日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司