專利名稱：Tft陣列基板的制作方法及tft陣列基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領域，更具體的說，涉及-種液晶面板的TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板。
背景技術：
IXD液晶面板是液晶顯示器的重要組件之一，現(xiàn)有的TFT-IXD由于其功耗低，體積小，無輻射等優(yōu)點，被廣泛用于液晶顯示器中。液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，液晶位于兩者之間。目前，制作TFT陣列基板(TFT ARRAY基板)主要是通過構圖工藝在玻璃基板上制作成結構所需要的圖形，來形成 TFT元件以及相應的布線。由于TFT元件及玻璃基板上的布線具有多層次，因而需要實施多次構圖工藝才能完成陣列基板的制作，最初的陣列基板需要7次構圖工藝才能完成陣列基板的制作，而現(xiàn)在，經過技術的發(fā)展和改善，已經形成了只需4次構圖的工藝技術，大大減低了液晶面板的制作成本及提高了生產效率，但是，目前的4次構圖工藝技術其制程仍然較為復雜，還需使用半曝光技術，制作難度較高，此外還需要使用OC層作為絕緣材料，增加了生產的難度。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種效率較高，且制作難度較低的TFT陣列基板的制作方法。本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的一種TFT陣列基板的制作方法，包括以下步驟A、依次沉積金屬薄膜、絕緣層和半導體層后，用構圖方法制作柵線和柵極；B、沉積絕緣層，用構圖方法制作溝道區(qū)域保護層；C、依次沉積摻雜半導體層、金屬層，用構圖方法形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線，并切斷摻雜半導體層及金屬層形成通電溝道；D、沉積ITO層，用構圖方法使ITO層形成像素電極。優(yōu)選的，所述的步驟A中，先采用濺射法形成一層金屬薄膜，再用氣相沉積法在金屬薄膜上依次沉積SiNx絕緣層和a-Si半導體層。金屬薄膜作用于制作柵極以及柵線，通過濺射法所獲得的薄膜結合好，純度高，致密性好，滿足柵極及柵線的要求，絕緣層和半導體層通過常用氣相沉積法形成，制程簡單。優(yōu)選的，所述的步驟A中，通過光刻法作為構圖方法形成柵線和柵極。使用光刻法形成柵極、柵線及有源層較為方便。優(yōu)選的，所述步驟B中，所述絕緣層為SiNx層，所述的SiNx層通過氣相沉積法在半導體層上沉積形成。濺射法所獲得的薄膜結合好，純度高，致密性好，使將作為背溝道保護的絕緣層具有較好內部結構，效果更好。優(yōu)選的，所述的步驟B中，通過光刻法作為構圖方法形成TFT的溝道區(qū)域保護層。
優(yōu)選的，所述步驟C中，使用氣相沉積法沉積N+a-Si形成摻雜半導體層，再用濺射法在該摻雜半導體層上沉積金屬層。濺射法所獲得的薄膜結合好，純度高，致密性好。優(yōu)選的，所述的步驟C中，通過光刻法作為構圖方法形成TFT的源極、漏極和數(shù)據(jù)線。使用光刻法形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線較為方便。優(yōu)選的，所述的步驟C中，通過干刻的方法切斷摻雜半導體層形成通電溝道。干刻制程簡單快速。優(yōu)選的，所述步驟D中，所述ITO層是通過濺射法沉積形成的。優(yōu)選的，所述的步驟D中，通過光刻法作為構圖方法使ITO層形成像素電極，并使像素電極與漏極相連接，并在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上分別形成與之相同的圖案的ITO層。一種使用上述TFT陣列基板的制作方法制成的TFT陣列基板。本發(fā)明由于采用4次構圖技術，通過第一次構圖完成柵極、柵線及有源層的制作， 并且像素電極、數(shù)據(jù)線、源極、漏極及溝道等都是通過完全顯影的光刻或干刻直接形成，不需要使用半曝光技術，且不需要使用OC作為絕緣層，大大降低了陣列基板的制作難度，減少了使用的材料，從而降低了陣列基板的生產成本，提高了生產效率。其形成的TFT器件為背溝道保護型，有利于減小器件關態(tài)電流。


圖1是本發(fā)明實施例的步驟1形成的結構示意圖，圖2是本發(fā)明實施例的步驟2形成的結構示意圖，圖3是本發(fā)明實施例的步驟3形成的結構示意圖，圖4是本發(fā)明實施例的步驟4形成的結構示意圖，圖5是本發(fā)明實施例的制作流程示意圖。其中1、玻璃基板；2、金屬薄膜；3、絕緣層；4、半導體層；5、SiNx層；6、摻雜半導體層；7、源極；8、漏極；9、ITO層。
具體實施例方式下面結合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進一步說明。本發(fā)明實施例中的TFT陣列基板的制作方法流程如圖1-圖5所示，包括以下步驟第一步，如圖1所示，先使用純水或熱硫酸等清洗液將玻璃基板洗凈，采用濺射法 (sputter)在玻璃基板1上形成一層金屬薄膜2用于制作柵極，再用氣相沉積法(CVD)方式在金屬薄膜上依次沉積SiNx絕緣層3和a-Si半導體層4用于制作有源層；之后，再通過光刻法形成柵線和柵極，可具體操作如下在形成的a-Si半導體層上涂上光致抗蝕劑 (photoresist)如感光性樹脂等材料，進行對所涂的光致抗蝕劑實施曝光、顯影得到所希望的形狀；通過刻蝕形成柵線和柵極。在此步驟中，柵極、柵線以及有源層的圖案通過一次構圖工藝完成，減少了構圖的次數(shù)，提高了生產效率。第二步，如圖2所示，使用氣相沉積法(CVD)方式在a-Si半導體層上沉積SiNx層 5作為絕緣層，再次通過光刻的方法形成TFT的溝道區(qū)域保護層。第三步，如圖3所示，使用氣相沉積法沉積N+a-Si形成摻雜半導體層6，再用濺射法(sputter)在該N+a-Si層上沉積一層金屬膜，通過光刻的方式形成TFT的源極 (source) 7、漏極(drain) 8和數(shù)據(jù)線(data line)，并用干刻的方法切斷N+a_Si層形成通電溝道。第四步，如圖4所示，用濺射法(sputter)方式沉積ITO層9，用光刻的方法制作形成ITO像素電極，使ITO像素電極與漏極8相連接，并在數(shù)據(jù)線(data line)、源極(source) 和漏極(drain)上分別形成與之相同的圖案的ITO層9。根據(jù)上述的制作方法，可得到一種采用背溝道保護型的TFT元件的陣列基板，如圖4中所示玻璃基板1上設有金屬薄膜2，在金屬薄膜2之上分別設有SiNx絕緣層3和 a-Si半導體層4，以形成TFT元件的柵極和有源層(絕緣層3和半導體層4)。在有源層之上，設有一層SiNx層5作為絕緣層，之上設有切斷的、使溝道絕緣保護層5裸露出來的摻雜半導體層6和第二層金屬層(對應于圖4中的源極7和漏極8)，以形成源極7和漏極8，源極7和漏極8之上還設有ITO層9，形成ITO像素電極。在本實施例中，其形成的TFT元件是背溝道保護型結構，有利于減小器件關態(tài)電流。以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟A、依次沉積金屬薄膜、絕緣層和半導體層后，用構圖方法制作柵線和柵極；B、沉積絕緣層，用構圖方法制作溝道區(qū)域保護層；C、依次沉積摻雜半導體層、金屬層，用構圖方法形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線，并切斷摻雜半導體層及金屬層形成通電溝道；D、沉積ITO層，用構圖方法使ITO層形成像素電極。
2.如權利要求1所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟A中， 先采用濺射法形成一層金屬薄膜，再用氣相沉積法在金屬薄膜上依次沉積SiNx絕緣層和 a-Si半導體層。
3.如權利要求2所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟A中， 通過光刻法作為構圖方法形成柵線和柵極。
4.如權利要求1所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟B中，所述絕緣層為SiNx層，所述的SiNx層通過氣相沉積法在半導體層上沉積形成。
5.如權利要求4所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟B中， 通過光刻法作為構圖方法形成TFT的溝道區(qū)域保護層。
6.如權利要求1所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟C中，使用氣相沉積法沉積N+a-Si形成摻雜半導體層，再用濺射法在該摻雜半導體層上沉積金屬層。
7.如權利要求6所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟C中， 通過光刻法作為構圖方法形成TFT的源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
8.如權利要求6所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟C中， 通過干刻的方法切斷摻雜半導體層形成通電溝道。
9.如權利要求1所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟D中，所述ITO層是通過濺射法沉積形成的。
10.如權利要求9所述的一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述的步驟D中， 通過光刻法作為構圖方法使ITO層形成像素電極，并使像素電極與漏極相連接，并在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上分別形成與之相同的圖案的ITO層。
11.一種使用如權利要求1-10所述的TFT陣列基板的制作方法制成的TFT陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板，該制作方法包括以下步驟依次沉積金屬薄膜、絕緣層和半導體層，用構圖方法制作柵線和柵極；沉積絕緣層，用構圖方法制作溝道區(qū)域保護層；依次沉積摻雜半導體層、金屬層，用構圖方法形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線，并切斷摻雜半導體層及金屬層形成通電溝道；沉積ITO層，用構圖方法使ITO層形成像素電極。本發(fā)明由于采用4次構圖技術，通過一次構圖完成柵極、柵線及有源層的制作，并且像素電極、數(shù)據(jù)線、源極、漏極及溝道等都是通過完全顯影的光刻或干刻直接形成，降低了陣列基板的制作難度和生產成本，提高了生產效率。其形成的TFT器件為背溝道保護型，有利于減小器件關態(tài)電流。
文檔編號H01L21/77GK102299104SQ20111028016
公開日2011年12月28日 申請日期2011年9月20日 優(yōu)先權日2011年9月20日
發(fā)明者覃事建 申請人:深圳市華星光電技術有限公司