專利名稱：Ldmos晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
高壓(特別是大于120伏的高壓)BCD工藝及由其形成的電路模塊廣泛應(yīng)用于汽車電子、液晶顯示面板(IXD)驅(qū)動(dòng)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)驅(qū)動(dòng)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是近年來的熱門研究領(lǐng)域。橫向擴(kuò)散金屬氧化物(LDM0Q晶體管是B⑶工藝中常用的一種功率器件，在高壓驅(qū)動(dòng)電路中是一種非常關(guān)鍵的器件。但是，現(xiàn)有技術(shù)的LDMOS晶體管的工作電壓還不夠高， 無法滿足各種應(yīng)用的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法，以提高器件的工作電壓。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；第一摻雜類型的埋層，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；第一摻雜類型的外延層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面；柵介質(zhì)層，位于所述埋層上方的外延層上；柵電極，位于所述柵介質(zhì)層上；第一摻雜類型的體區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層另一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏區(qū)，位于所述漏端漂移區(qū)中；第二摻雜類型的源區(qū)，位于所述體區(qū)中；其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反，所述柵介質(zhì)層為場(chǎng)氧化層?？蛇x地，所述LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)還包括第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)，位于所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)的外側(cè)，貫穿所述外延層并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)，位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)的外側(cè)，貫穿所述外延層并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中?？蛇x地，所述LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)還包括第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)，位于所述體區(qū)中，包圍所述源區(qū)并延伸至所述柵電極下的柵介質(zhì)層下方。
可選地，所述柵介質(zhì)層的厚度為3500A至4500A。本發(fā)明還提供了一種LDMOS晶體管的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有第一摻雜類型的埋層；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一摻雜類型的外延層；在所述外延層中形成第一摻雜類型的體區(qū)和第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)；在所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)之間的外延層上形成場(chǎng)氧化層以作為柵介質(zhì)層，所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)延伸至所述柵介質(zhì)層下方；在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極；在所述體區(qū)中形成第二摻雜類型的源區(qū)，在所述漏端漂移區(qū)中形成第二摻雜類型的漏區(qū)，其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反?？蛇x地，所述形成方法還包括在所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)外側(cè)的外延層和半導(dǎo)體襯底中形成第一摻雜類型的第
一隔離結(jié)構(gòu)；在所述第一隔離結(jié)構(gòu)外側(cè)的外延層和半導(dǎo)體襯底中形成第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)?？蛇x地，采用以下方式形成所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)在形成所述外延層之前，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜類型的第一下隔離部和第二摻雜類型的第二下隔離部；在形成所述外延層之后，對(duì)所述外延層進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜類型的第一上隔離部和第二摻雜類型的第二上隔離部，所述第一上隔離部與第一下隔離部相接，所述第二上隔離部與第二下隔離部相接?？蛇x地，采用以下方式形成所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)在形成所述外延層之后，對(duì)所述外延層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，形成貫穿所述外延層的第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽中填充第一摻雜類型的半導(dǎo)體材料，以形成第一隔離結(jié)構(gòu)；在所述第二溝槽中填充第二摻雜類型的半導(dǎo)體材料，以形成第二隔離結(jié)構(gòu)?？蛇x地，在形成所述體區(qū)之后，形成所述柵介質(zhì)層之前，所述形成方法還包括在所述體區(qū)中形成第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)，所述源區(qū)擴(kuò)展區(qū)包圍所述源區(qū)并延伸至所述柵電極下的柵介質(zhì)層下方?？蛇x地，使用局部氧化法形成所述場(chǎng)氧化層?？蛇x地，所述柵介質(zhì)層的厚度為3500A至4500A。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法中，采用場(chǎng)氧化層作為柵介質(zhì)層，由于場(chǎng)氧化層的厚度比較大，有利于提高器件的工作電壓。進(jìn)一步地，本實(shí)施例的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法中，形成有第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)和第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)，該第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)貫穿外延層并延伸至半導(dǎo)體襯底中，使得器件所處的區(qū)域成為隔離島，將整個(gè)LDMOS晶體管與周邊的器件隔離，有利于改善器件性能。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的LDMOS晶體管的形成方法的流程示意圖；圖2至圖8是本發(fā)明實(shí)施例的LDMOS晶體管的形成方法中各步驟的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)的LDMOS晶體管的柵介質(zhì)層一般是通過熱氧化法來形成的，其厚度往往較小，通過熱氧化法難以形成特別厚的柵介質(zhì)層，導(dǎo)致器件無法承受高工作電壓。本發(fā)明實(shí)施例的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法中，采用場(chǎng)氧化層作為柵介質(zhì)層，由于場(chǎng)氧化層的厚度比較大，有利于提高器件的工作電壓。進(jìn)一步地，本實(shí)施例的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法中，形成有第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)和第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)，該第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)貫穿外延層并延伸至半導(dǎo)體襯底中，使得器件所處的區(qū)域成為隔離島，將整個(gè)LDMOS晶體管與周邊的器件隔離，有利于改善器件性能。下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例的LDMOS晶體管的形成方法的流程示意圖，包括步驟S11，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有第一摻雜類型的埋層；步驟S12，在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一摻雜類型的外延層；步驟S13，在所述外延層中形成第一摻雜類型的體區(qū)和第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)；步驟S14，在所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)之間的外延層上形成場(chǎng)氧化層以作為柵介質(zhì)層，所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)延伸至所述柵介質(zhì)層下方；步驟S15，在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極；步驟S16，在所述體區(qū)中形成第二摻雜類型的源區(qū)，在所述漏端漂移區(qū)中形成第二摻雜類型的漏區(qū)，其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。圖2至圖8示出了本實(shí)施例的LDMOS晶體管的形成方法的各步驟的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖1和圖2至圖8對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。結(jié)合圖1和圖2，執(zhí)行步驟S11，提供半導(dǎo)體襯底10，半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成有第一摻雜類型的埋層11。半導(dǎo)體襯底10可以是硅襯底、鍺硅襯底、III-V族元素化合物襯底、或絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他半導(dǎo)體材料襯底，本實(shí)施例采用的是P型摻雜的硅襯底，其中具有P型的摻雜離子，如硼離子、銦離子等。埋層11的形成方法可以包括對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入并進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散。 本實(shí)施例中，第一摻雜類型為N型，注入的離子可以是碲(Sb)離子、砷(As)離子等。之后參考圖3，對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入，在其中形成第一摻雜類型的第一下隔離部12a以及第二摻雜類型的第二下隔離部13a。具體的，第一下隔離部1 的形成過程可以包括在半導(dǎo)體襯底10的表面上形成光刻膠層并對(duì)其進(jìn)行圖形化，定義出第一下隔離部1 的圖形；以圖形化后的光刻膠層為掩膜，對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入，本實(shí)施例中注入離子為N型離子，如磷(P)離子等；之后對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行退火，使得注入的離子高溫?cái)U(kuò)散；之后去除圖形化后的光刻膠層。第二下隔離部13a的形成過程也類似，只是注入離子為P型離子，如硼離子等，其具體過程這里不再贅述。結(jié)合圖1和圖4，執(zhí)行步驟S12，在半導(dǎo)體襯底10上形成第一摻雜類型的外延層 14。外延層14的形成方法可以是外延生長，本實(shí)施例中其摻雜類型具體為N型。之后參考圖5，對(duì)外延層14進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜類型的第一上隔離部12b 和第二摻雜類型的第二上隔離部13b，其中，第一上隔離部12b與第一下隔離部1 相接，組成了第一隔離結(jié)構(gòu)12，第二上隔離部13b與第二下隔離部13a相接，組成了第二隔離結(jié)構(gòu) 13。第一上隔離部12b的形成過程可以包括在外延層14的表面上形成光刻膠層并對(duì)其進(jìn)行圖形化，定義出第一上隔離部12b的圖形；以圖形化后的光刻膠層為掩膜，對(duì)外延層 14進(jìn)行離子注入，本實(shí)施例中注入離子為N型離子，如磷(P)離子等；之后對(duì)半導(dǎo)體襯底10 進(jìn)行退火，使得注入的離子高溫?cái)U(kuò)散；之后去除圖形化后的光刻膠層。第二上隔離部1 的形成過程也類似，只是注入離子為P型離子，如硼離子等，其具體過程這里不再贅述。第一隔離結(jié)構(gòu)12和第二隔離結(jié)構(gòu)13并別形成于LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)的周圍，使得器件所處的區(qū)域形成隔離島，與周圍其他器件相隔離，有利于避免寄生效應(yīng)等干擾，改善 LDMOS晶體管的性能。本實(shí)施例中第一隔離結(jié)構(gòu)12和第二隔離結(jié)構(gòu)13是通過多次離子注入形成的，在其他具體實(shí)施例中，還可以是采用以下方式來形成形成外延層14之前并不在半導(dǎo)體襯底 10中形成第一下隔離部1 和第二下隔離部12b，而是在形成外延層14之后，對(duì)外延層14 和半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行刻蝕，在第一隔離結(jié)構(gòu)12的區(qū)域形成第一溝槽，在第二隔離結(jié)構(gòu)12 的區(qū)域形成第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽底部暴露出半導(dǎo)體襯底10 ；之后在第一溝槽中填充第一摻雜類型(本實(shí)施例中具體為N型)的半導(dǎo)體材料，如N型摻雜的硅，以形成第一隔離結(jié)構(gòu)12，在第二溝槽中填充第二摻雜類型(本實(shí)施例中為P型)的半導(dǎo)體材料，如P型摻雜的硅，以形成第二隔離結(jié)構(gòu)13。之后結(jié)合圖1和圖6，執(zhí)行步驟S13，在外延層14中形成第一摻雜類型的體區(qū)15 和第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)16。體區(qū)15和漏端漂移區(qū)16的形成過程可以包括光刻、離子注入等，本實(shí)施例中，體區(qū)15為N型摻雜，其中注入的離子可以是磷離子等，漏端漂移區(qū) 16為P型摻雜，其中注入的離子可以是硼離子等。本實(shí)施例中，在形成體區(qū)15和漏端漂移區(qū)16之后，還在體區(qū)15中形成第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)17。本實(shí)施例中源區(qū)擴(kuò)展區(qū)17的摻雜類型為P型，其形成方法可以是離子注入法。結(jié)合圖1和圖7，執(zhí)行步驟S14，在體區(qū)15和漏端漂移區(qū)16之間的外延層14上形成場(chǎng)氧化層18以作為柵介質(zhì)層，體區(qū)15和漏端漂移區(qū)16延伸至柵介質(zhì)層18下方。具體的，柵介質(zhì)層18的形成方法為局部氧化法(LOCOS)，本實(shí)施例中還在體區(qū)15與第一隔離結(jié)構(gòu)12之間以及漏端漂移區(qū)16與第一隔離結(jié)構(gòu)12之間形成了場(chǎng)氧化層18，這兩部分場(chǎng)氧化層18主要用于器件隔離。本實(shí)施例采用的是0. 35微米的BCD工藝，其中場(chǎng)氧化層18 (即柵介質(zhì)層18)的厚度約為4000A,優(yōu)選為3500A至4500A。
之后結(jié)合圖1和圖8，執(zhí)行步驟S 15，在柵介質(zhì)層18上形成柵電極19 ；執(zhí)行步驟S 16，在體區(qū)15中形成第二摻雜類型的源區(qū)20，在漏端漂移區(qū)16中形成第二摻雜類型的漏區(qū) 21。其中，柵電極19的材料為多晶硅，其形成方法可以是化學(xué)氣相沉積(CVD)等。本實(shí)施例中源區(qū)20和漏區(qū)21的摻雜類型為P型，其形成方法可以是離子注入等。 在其他具體實(shí)施例中，還可以在體區(qū)15中形成N型摻雜的體接觸區(qū)。由于柵介質(zhì)層18是由場(chǎng)氧化層來形成的，其厚度較厚，因而可以耐受更高的工作電壓。本實(shí)施例中所采用的是0. 35微米的BCD工藝，經(jīng)過測(cè)量，采用場(chǎng)氧化層來作為柵介質(zhì)層18，可以使得形成的LDMOS晶體管能承受160V的工作電壓，即柵電極19和漏區(qū)21的工作電壓均為160V。由于柵介質(zhì)層18采用的是場(chǎng)氧化層，其外圍區(qū)域難以被柵電極19覆蓋，因而源區(qū) 20與柵電極10的邊界往往是不相鄰的。由于本實(shí)施例中，在體區(qū)15中形成有源區(qū)擴(kuò)展區(qū) 17，源區(qū)擴(kuò)展區(qū)17包圍源區(qū)20并延伸至柵電極19下的柵介質(zhì)層18下方，即柵電極19與源區(qū)擴(kuò)展區(qū)17是有部分重疊的，因而在器件工作中，源區(qū)20的載流子可以通過源區(qū)擴(kuò)展區(qū) 17、柵介質(zhì)層18下方的溝道區(qū)、漏端漂移區(qū)16輸運(yùn)至漏區(qū)21，使得器件能夠正常工作。至此，本實(shí)施例形成的LDMOS晶體管如圖8所示，包括半導(dǎo)體襯底10 ；第一摻雜類型的埋層11，位于半導(dǎo)體襯底10內(nèi)；第一摻雜類型的外延層14，覆蓋半導(dǎo)體襯底10的表面；柵介質(zhì)層18，位于埋層11上方的外延層14上；柵電極19，位于柵介質(zhì)層18上；第一摻雜類型的體區(qū)15，位于柵介質(zhì)層18 —側(cè)的外延層14中并延伸至柵介質(zhì)層18下方；第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)16，位于柵介質(zhì)層18另一側(cè)的外延層14中并延伸至柵介質(zhì)層18下方；第二摻雜類型的漏區(qū)21，位于漏端漂移區(qū)16中；第二摻雜類型的源區(qū)20，位于體區(qū)15 中；其中，第二摻雜類型與第一摻雜類型相反(本實(shí)施例中，第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型)，柵介質(zhì)層18為場(chǎng)氧化層。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，本實(shí)施例的LDMOS晶體管還包括第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)12，位于體區(qū)15和漏端漂移區(qū)16的外側(cè)，貫穿外延層14并延伸至半導(dǎo)體襯底10 中；第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)13，位于第一隔離結(jié)構(gòu)12的外側(cè)，貫穿外延層14并延伸至半導(dǎo)體襯底10中；第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)17，位于體區(qū)15中，包圍源區(qū)20并延伸至柵電極19下的柵介質(zhì)層18下方。需要說明的是，本實(shí)施例中所形成的LDMOS晶體管為P型的，即LDPMOS晶體管，在其他具體實(shí)施例中，也可以通過類似的方法形成LDNMOS晶體管，即第一摻雜類型改為P型， 第二摻雜類型該為N型。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 半導(dǎo)體襯底；第一摻雜類型的埋層，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)； 第一摻雜類型的外延層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面； 柵介質(zhì)層，位于所述埋層上方的外延層上； 柵電極，位于所述柵介質(zhì)層上；第一摻雜類型的體區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層另一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏區(qū)，位于所述漏端漂移區(qū)中； 第二摻雜類型的源區(qū)，位于所述體區(qū)中；其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反，所述柵介質(zhì)層為場(chǎng)氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)，位于所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)的外側(cè)，貫穿所述外延層并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)，位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)的外側(cè)，貫穿所述外延層并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)，位于所述體區(qū)中，包圍所述源區(qū)并延伸至所述柵電極下的柵介質(zhì)層下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的厚度為 3500A 至4500A。
5.一種LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有第一摻雜類型的埋層； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一摻雜類型的外延層； 在所述外延層中形成第一摻雜類型的體區(qū)和第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)； 在所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)之間的外延層上形成場(chǎng)氧化層以作為柵介質(zhì)層，所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)延伸至所述柵介質(zhì)層下方； 在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極；在所述體區(qū)中形成第二摻雜類型的源區(qū)，在所述漏端漂移區(qū)中形成第二摻雜類型的漏區(qū)，其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括在所述體區(qū)和漏端漂移區(qū)外側(cè)的外延層和半導(dǎo)體襯底中形成第一摻雜類型的第一隔離結(jié)構(gòu)；在所述第一隔離結(jié)構(gòu)外側(cè)的外延層和半導(dǎo)體襯底中形成第二摻雜類型的第二隔離結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，采用以下方式形成所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)在形成所述外延層之前，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜類型的第一下隔離部和第二摻雜類型的第二下隔離部；在形成所述外延層之后，對(duì)所述外延層進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜類型的第一上隔離部和第二摻雜類型的第二上隔離部，所述第一上隔離部與第一下隔離部相接，所述第二上隔離部與第二下隔離部相接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，采用以下方式形成所述第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)在形成所述外延層之后，對(duì)所述外延層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，形成貫穿所述外延層的第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽中填充第一摻雜類型的半導(dǎo)體材料，以形成第一隔離結(jié)構(gòu)；在所述第二溝槽中填充第二摻雜類型的半導(dǎo)體材料，以形成第二隔離結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成所述體區(qū)之后，形成所述柵介質(zhì)層之前，還包括在所述體區(qū)中形成第二摻雜類型的源區(qū)擴(kuò)展區(qū)，所述源區(qū)擴(kuò)展區(qū)包圍所述源區(qū)并延伸至所述柵電極下的柵介質(zhì)層下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，使用局部氧化法形成所述場(chǎng)氧化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的厚度為3500A 至4500A。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底；第一摻雜類型的埋層，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；第一摻雜類型的外延層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面；柵介質(zhì)層，位于所述埋層上方的外延層上；柵電極，位于所述柵介質(zhì)層上；第一摻雜類型的體區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏端漂移區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層另一側(cè)的外延層中并延伸至所述柵介質(zhì)層下方；第二摻雜類型的漏區(qū)，位于所述漏端漂移區(qū)中；第二摻雜類型的源區(qū)，位于所述體區(qū)中；其中，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反，所述柵介質(zhì)層為場(chǎng)氧化層。本發(fā)明能夠提高器件的工作電壓。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102306661SQ201110280379
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者劉建華 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司