專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電路裝置及其制造方法，尤其涉及內(nèi)置有對大電流進行開關的功率型半導體元件的電路裝置及其制造方法。
背景技術：
下面，參照圖9對現(xiàn)有的混合集成電路裝置100的結(jié)構進行說明(參照下述的專利文獻1)。在矩形基板101的表面上，隔著絕緣層102形成有導電圖案103，在該導電圖案 103上固定安裝有電路元件，從而形成規(guī)定的電路。在此，半導體元件105A和芯片元件105B 作為電路元件與導電圖案103相連接。引線104和形成在基板101的周邊部的由導電圖案 103構成的焊盤109相連接，并且具有作為外部端子的功能。密封樹脂108具有密封形成于基板101表面的電路的功能。半導體元件105A是導通例如數(shù)安培 數(shù)百安培左右的大電流的功率型元件，發(fā)熱量非常大。因此，半導體元件105A載置于在導電圖案103上載置的散熱片110的上部。 散熱片110由例如高X寬X厚=IOmmX IOmmX Imm左右的銅等金屬片構成。專利文獻1 (日本)特開平5-1(^645號公報但是，在具有上述結(jié)構的混合集成電路裝置100中，如果在基板101的上面形成逆變電路等用于變換大電流的電路，則需要擴大用于確保電流容量的導電圖案103的寬度， 這阻礙了混合集成電路裝置100的小型化。而且，為了確保散熱性，需要對應每個半導體元件準備散熱片，這也導致成本上升。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明主要目的是提供一種具有良好的散熱性的小型電路裝置及其制造方法。本發(fā)明的電路裝置的特征在于，具有電路基板；多條引線，每條該引線具有固定安裝在所述電路基板的上面的島部、經(jīng)由傾斜部和所述島部相連續(xù)并且從所述電路基板的上面離開的接合部、和所述接合部相連續(xù)并向外部引出的引線部；電路元件，安裝在所述島部的上面并且經(jīng)由連接裝置和所述接合部相連接。本發(fā)明的電路裝置的制造方法的特征在于，具有準備引線框架的工序，該引線框架由多條具有島部、經(jīng)由傾斜部和所述島部相連續(xù)的接合部、和所述接合部相連續(xù)并向外部引出的引線部的引線構成；將電路元件和所述接合部經(jīng)由連接裝置連接的工序，該電路元件安裝在所述島部的上面，所述接合部設置在相比所述島部位于上方的位置；將所述島部的下面固定安裝在電路基板的上面的工序；密封所述電路基板及所述電路元件的工序。根據(jù)本發(fā)明，將經(jīng)由傾斜部相連續(xù)的島部和接合部設置在引線上，將島部固定安裝于電路基板的上面，并且將接合部設置在從電路基板的上面離開的上方位置。然后，安裝于島部的電路元件和接合部經(jīng)由連接裝置相連接。由此，防止了例如由金屬細線構成的連接裝置相互接觸而短路，所以能夠通過多條引線及連接裝置形成逆變電路等比較復雜的電路。


圖1是表示本發(fā)明的電路裝置的視圖，㈧是立體圖，⑶是剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的電路裝置的俯視圖。圖3(A)、(B)是表示本發(fā)明的電路裝置的一部分的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的電路裝置的視圖，(A)是表示要安裝的逆變電路的電路圖， ⑶是表示引出引線的俯視圖，(C)是表示引線的剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的其他形式的電路裝置的剖面圖。圖6是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的視圖，㈧是俯視圖，⑶是剖面圖。圖7是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的視圖，㈧是俯視圖，⑶是剖面圖。圖8是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的視圖，㈧是剖面圖，⑶是俯視圖。圖9是表示背景技術的混合集成電路裝置的剖面圖。附圖標記說明10混合集成電路裝置；12電路基板；14控制基板；16密封樹脂；18引線；18A、 18B、18C、18D、18E、18F、18G、18H、18I、18J 引線；20 引線；20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、 20H、20I、20J、20K、20L 引線；22 晶體管；24 二極管；26 金屬細線；28 島部;28D、28E、28F、 28J島部；30傾斜部；32引線部；34接合部；34C、34D、34E、34F接合部；36接合部；38支承部；39支承部；40導電圖案；42控制元件；44絕緣層；45電阻；46導電圖案；48固定安裝材料；50導電圖案；52導電圖案力4貫通電極；56逆變電路；58引線框架；60單元；62連接桿；64 外框；68 上模；70 下模；72 型腔；QU Q2、Q3、Q4、Q5、Q6 IGBT ；Dl、D2、D3、D4、D5、D6 二極管。
具體實施例方式下面，參照圖1至圖5，對作為電路裝置的一個例子的混合集成電路裝置10的結(jié)構進行說明。首先，參照圖1，對本實施方式的混合集成電路裝置10的結(jié)構進行說明。圖I(A) 是從斜上方看混合集成電路裝置10的立體圖。圖I(B)是混合集成電路裝置10的剖面圖。參照圖1㈧及圖1⑶，混合集成電路裝置10具有電路基板12、設置在電路基板 12的上面的引線18、20、安裝在引線18的導部觀上的晶體管22和二極管M (電路元件)、 將上述電路基板12、引線18、20、晶體管22及二極管M —體地密封的密封樹脂16。電路基板12是以鋁(Al)或銅(Cu)等金屬為主要材料的金屬基板。電路基板12 的具體大小為例如高χ寬χ厚=30mmX15mmXl. 5mm左右。在采用由鋁構成的基板作為電路基板12的情況下，電路基板12的兩個主面被進行氧化鋁膜處理。電路基板12的上面及側(cè)面被密封樹脂16覆蓋，而下面向外部露出。由此，能夠使散熱片與露出的電路基板12 的表面抵接，從而提高散熱性。而且，為了確保耐濕性及絕緣耐壓性，也可以通過密封樹脂 16覆蓋電路基板12的下面。參照圖1(B)，在紙面左側(cè)設置有引線18，而右側(cè)設置有引線20。在此，多條引線 18,20沿著電路基板12的相向的兩個側(cè)邊設置，但是，可以沿著一側(cè)邊僅設置引線18，另外，引線也可以沿著四個側(cè)邊設置。沿著電路基板12的一側(cè)邊設置有多條引線18。引線18構成為從內(nèi)側(cè)開始具有島部觀、傾斜部30、接合部34及引線部32。在島部28的上面通過焊錫等導電性固定安裝劑固定安裝有晶體管22及二極管24。而島部28的下面固定安裝于電路基板12的上面。 由此，晶體管22及二極管M在工作時產(chǎn)生的熱量經(jīng)由島部觀及電路基板12很好地向外部散熱。而且，通過在引線18的中間部設置傾斜部30，將電路基板12的左上部的端部和引線18分開，防止兩者之間發(fā)生短路。另外，接合部34是經(jīng)由金屬細線沈(例如，直徑為 20 μ m 500 μ m的鋁線)和晶體管22及二極管M連接的部位。關于通過金屬細線沈進行連接的結(jié)構，將在后面參照圖4(B)進行說明。另外，引線部32是從密封樹脂16向外部導出用于插入安裝等的端子部。在與引線18相向的位置設置有多條引線20。引線20構成為從內(nèi)側(cè)開始具有接合部36、傾斜部39及引線部38。接合部36固定安裝在電路基板12的上面，并且與安裝在島部觀上的晶體管22的控制電極電連接。而且，引線部38經(jīng)由傾斜部39從密封樹脂16向外部引出。弓丨線18和引線20的功能不同。具體來說，通過在引線18上安裝晶體管22和二極管M以構成逆變電路。即，引線18還具有作為導通通過逆變電路變換前的直流電或者變換后的交流電的通路的功能。而且，引線18由厚度為500 μ m左右的較厚的銅等金屬構成，所以也具有散熱片的功能。另一方面，引線20和晶體管22的控制電極相連接，具有導通控制信號的連接端子的功能。在圖中，晶體管22等經(jīng)由一條金屬細線沈相連接，但也可以經(jīng)由多條(例如兩條、三條)金屬細線26進行晶體管22的電連接。而且，還可以采用通過帶狀接合形成的金屬箔代替金屬細線來作為連接晶體管22等的連接裝置。下面，參照圖2對引線18、20的結(jié)構進行說明。參照該圖，引線18A 18H和引線 20A 20H被設置為相互相向。在引線18A 18H中，設置在左右端部的引線18A、18H是從外部供給直流電流的引線，引線18C、18D、18E輸出通過內(nèi)置的逆變電路變換的三相交流電的引線。而且，用于檢測電流值的電阻45設置在引線18A和引線18B之間。在引線18C 18E各自的上面安裝有構成三相逆變電路的晶體管以及二極管。關于這方面內(nèi)容，將在后面參照圖4進行說明。在引線20A 20L中，引線20A、20B經(jīng)由金屬細線分別和引線18A、18B相連接，用于檢測電流值。引線20C 20H和安裝在引線18C 18H上的晶體管的控制電極相連接。 具體來說，當晶體管是IGBT時，這些引線18C 18H連接在IGBT的柵極電極上。下面，參照圖3(A)及圖3(B)的剖面圖，對引線的島部觀固定安裝于電路基板12 的上面的結(jié)構進行說明。參照圖3 (A)，由鋁等金屬構成的電路基板12的上面被絕緣層44覆蓋。絕緣層44 由充填有高濃度例如60重量％ 80重量％左右的Al2O3等填充物的環(huán)氧樹脂等構成。在絕緣層44的表面形成有由厚度為50 μ m左右的銅等金屬構成的導電圖案46，在該導電圖案 46的上面通過焊錫等固定安裝材料48固定安裝引線的島部觀。由此，晶體管22工作時所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由島部28、固定安裝材料48、導電圖案46及電路基板12向外部散熱。
在圖3(B)中，在絕緣層44的上面沒有形成導電圖案，島部觀的下面通過導電性或者絕緣性的固定安裝材料48固定安裝在絕緣層44的上面。在此，圖1 (B)所示的引線20的接合部36也通過和上述相同的結(jié)構固定安裝在電路基板12的上面。下面，參照圖4說明在混合集成電路裝置10安裝有三相逆變電路時的結(jié)構。圖 4(A)是逆變電路的電路圖，圖4(B)是表示引線結(jié)構的俯視圖，圖4(C)是引線18的剖面圖。參照圖4(A)，逆變電路56由六個IGBT(Ql Q6)和六個二極管(Dl D6)構成， Ql Q3是高電位側(cè)的晶體管，Q4 Q6是低電位側(cè)的晶體管。在各IGBT(Ql Q6)的集電極電極和發(fā)射極電極上，反向并聯(lián)連接有續(xù)流二極管(Dl D6)。這樣，通過使續(xù)流二極管并聯(lián)連接在IGBT上，可以保護IGBT不會受電感應性負載所產(chǎn)生的反電動勢的過電壓破壞。 在此，還可以使用MOS等其他的晶體管來代替IGBT。而且，IGBT (Ql)和IGBT (Q4)串聯(lián)連接，排他性地對IGBT (Ql)和IGBT (Q4)進行開關控制，U相的交流電從兩元件的中間點經(jīng)由引線向外部輸出。IGBT(Q2)和IGBT(Q5)串聯(lián)連接，排他性地對IGBT((^)和IGBT((^)進行開關控制，V相的交流電從兩元件的中間點向外部輸出。排他性地對串聯(lián)連接的IGBT(QIB)和IGBT(Q6)進行開關控制，W相的交流電從兩元件的中間點向外部輸出。各IGBT的開關由位于裝置的外部的控制元件進行控制。通過這樣的結(jié)構，輸入到逆變電路56的直流電變換成三相(U、V、W)交流電，通過該交流電使作為負載的電動機M驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。參照圖4(B)，在引線18C 18H所具有的各島部觀( 觀!1的上面，通過焊錫等導電性固定安裝劑固定安裝有IGBT及二極管。具體來說，在引線18C的島部28C上安裝有IGBT(Ql)和二極管D1，在引線18D的島部28D上安裝有IGBT(Q2)和二極管D2，在引線18E的島部28E上安裝有IGBT (Q3)和二極管D3，在引線18H的島部28H上安裝有三個 IGBT (Q4 Q6)和三個二極管D4 D6。在此，設置在各IGBT的背面的集電極電極及二極管的陽極電極通過焊錫等導電性固定安裝劑連接在各島部的上面。為了構成逆變電路，安裝在各島部上的晶體管及二極管經(jīng)由金屬細線相連接。在本實施方式中，安裝在各引線的島部上的晶體管及二極管經(jīng)由金屬細線和鄰接的引線的接合部相連接。具體來說，安裝在引線18C的島部28C上的IGBT(Ql)的發(fā)射極電極及二極管Dl 的陰極電極經(jīng)由金屬細線26和引線18B的接合部34B相連接。安裝在引線18D的島部28D 上的IGBT(Q2)的發(fā)射極電極及二極管D2的陰極電極經(jīng)由金屬細線沈和引線18C的接合部34C相連接。安裝在引線18E的島部28E上的IGBT(Q3)的發(fā)射極電極及二極管D3的陰極電極經(jīng)由金屬細線沈和引線18D的接合部34D相連接。而且，安裝于和直流電源負極側(cè)相連接的島部^H的IGBT(Q4 Q6)及二極管 D4 D6與引線18C 18E的接合部34C 34E相連接。具體來說，IGBT (Q4)的發(fā)射極電極及二極管D4的陰極電極經(jīng)由金屬細線沈和引線18C的接合部34C相連接。IGBT(Q5) 的發(fā)射極電極及二極管D5的陰極電極經(jīng)由金屬細線沈和引線18D的接合部34D相連接。 IGBT (Q6)的發(fā)射極電極及二極管D6的陰極電極經(jīng)由金屬細線沈和引線18E的接合部34E 相連接。在本實施方式中，以上述方式通過金屬細線對鄰接的引線彼此進行連接。而且，將
6IGBT(Q4)及二極管D4和引線18C的接合部34C連接的金屬細線沈形成為跨越引線18D、 18E的上方。如果引線18B 18H的整體處于平坦的狀態(tài)，則這樣復雜地形成的金屬細線沈之間可能會接觸而引起短路。在本實施方式中，如圖4(C)所示，連接有金屬細線的接合部34經(jīng)由傾斜部30位于島部觀的上方。由此，即使為了構成逆變電路而使金屬細線形成為復雜的形狀，也能夠防止因金屬細線彼此接觸而引起短路。而且，在本實施方式中，如圖I(B)所示，在電路基板12的上面沒有形成導電圖案， 在載置于電路基板12的上面的引線18的島部觀上安裝有晶體管22和二極管M。S卩，本實施方式的引線18不僅具有外部輸出端子的功能，而且還具有背景技術中的導電圖案的功能。引線18的島部觀的厚度為例如500 μ m左右，比背景技術中形成在電路基板的上面的導電圖案的厚度(50μπι)厚。因此，與以前的通過將較寬的薄的導電圖案來應對數(shù)十安培左右的大電流的情況相比，本實施方式的厚的引線18本身具有較寬的截面面積，所以能夠使引線18所占的面積比現(xiàn)有的導電圖案小。這有助于裝置整體的小型化。下面參照圖5，對其他實施方式的混合集成電路裝置IOA的結(jié)構進行說明。圖5所示的混合集成電路裝置IOA的基本結(jié)構和圖1所示的裝置的基本結(jié)構相同，不同之處在于在電路基板12的上面固定安裝有控制基板14。具體來說，在電路基板12的紙面左側(cè)的上面固定安裝有引線18的島部觀，該結(jié)構如上所述。而且，在電路基板的紙面右側(cè)的上面固定安裝有控制基板14，所述控制基板14的上面安裝有控制元件42。控制基板14由玻璃環(huán)氧基板等廉價的絕緣基板構成，在控制基板14的上面形成有導電圖案。而且，樹脂封裝狀態(tài)的控制元件42和導電圖案相連接。另外，控制元件42經(jīng)由形成于控制基板14的上面的導電圖案及金屬細線和晶體管22的控制電極相連接。由此，構成逆變電路的晶體管22基于從控制元件42提供的控制信號被控制。 控制元件42和引線20經(jīng)由控制基板14上的導電圖案及金屬細線沈和紙面右側(cè)的額引線 20相連接。通過將控制元件42內(nèi)置于混合集成電路裝置10Α，構成了逆變電路和控制電路一體化的模塊，因此能夠使裝置整體的性能提高。而且，控制元件42安裝在載置于由金屬材料構成的電路基板12的上面的控制基板14上，所以防止了控制元件42過熱。具體來說， 即使晶體管22工作時所產(chǎn)生的熱量傳遞到了由金屬構成的電路基板12上，也可通過由樹脂材料等絕緣材料構成的控制基板14抑制熱量向控制元件42傳遞。需要說明的是，還可以在電路基板12的表面不設置控制基板14，而將控制元件42 安裝在直接形成于電路基板12的上面的導電圖案上。下面，參照圖6 圖8對具有上述結(jié)構的混合集成電路裝置10的制造方法進行說明。參照圖6，首先準備設置有多條引線18、20的引線框架58。圖6 (A)是表示設置在引線框架58上的一個單元60的俯視圖，圖6 (B)是表示單元60的剖面圖。參照圖6(A)，單元60由構成一個混合集成電路裝置的多條引線18、20構成，各引線18、20的一端位于載置有電路基板12的區(qū)域內(nèi)。引線18設置在紙面中單元60內(nèi)部的左側(cè)，如上所述，引線18上設置有用于安裝晶體管和二極管的島部觀。引線20設置在紙面的右側(cè)，具有作為外部連接端子的功能的同時，還具有連接晶體管的控制電極以及機械地
7支撐控制基板的作用。引線18、20的外側(cè)的端部通過與外框64連續(xù)的連接桿62 —體地支撐。如圖6(B)所示，紙面左側(cè)的引線18具有島部觀、傾斜部30、接合部34和引線部 32。在此，島部觀是安裝晶體管等電路元件的部位，接合部34是連接金屬細線的部位。另外，紙面右側(cè)的引線20具有接合部36、傾斜部39和引線部38。在引線框架58中，多個具有上述結(jié)構的單元60設置在畫框狀的外框64的內(nèi)部， 以下的工序?qū)Ω鲉卧?0 —同進行。參照圖7，然后將電路元件及電路基板固定安裝在引線上。圖7(A)是表示本工序的俯視圖，圖7(B)是剖面圖。具體來說，首先，通過焊錫等導電性固定安裝材料將晶體管22的背面電極固定安裝在引線18的島部觀上。同樣地，將二極管M的背面電極固定安裝在引線18的島部觀上。然后，經(jīng)由金屬細線沈?qū)⒕w管22的電極和設置在引線18的中間部的接合部34相連接。同樣地，經(jīng)由金屬細線26將晶體管22的控制電極(柵極電極)和引線20的接合部 36相連接。參照圖7(B)，將引線18的島部28固定安裝在電路基板12的上面。島部28的下面的固定安裝在電路基板12的上面的結(jié)構也可以如圖3(A)所示那樣固定安裝在形成于電路基板12的上面的導電圖案46上，還可以如圖3(B)所示那樣直接固定安裝在覆蓋電路基板12的上面的絕緣層44的上面。在本工序中，為了在各單元60上構建逆變電路，安裝在引線18的各島部觀上的晶體管22及二極管M經(jīng)由金屬細線沈和接合部34相連接。使用金屬細線沈進行連接的結(jié)構如參照圖4進行說明的結(jié)構一樣。即，在本實施方式中，為了構成逆變電路金屬細線 26呈復雜的形狀，所以，如果引線18為平坦的形狀，則有可能金屬細線沈彼此接觸而發(fā)生短路。在本實施方式中，通過將和金屬細線沈連接的接合部34設置在相比島部18位于上方的位置，從而使金屬細線沈相互分離以防止發(fā)生短路。在制造圖5所示的混合集成電路裝置IOA時，在電路基板12的上面設置安裝有控制元件42的控制基板14，通過金屬細線沈?qū)⒃摽刂苹搴途w管22及引線20相連接。參照圖8，接著形成密封樹脂以覆蓋電路基板12。圖8(A)是表示使用模具模制電路基板12的工序的剖面圖，圖8(B)是表示模制后的引線框架58的俯視圖。參照圖8(A)，首先，將電路基板12以固定在引線框架上的狀態(tài)收納在由上模68及下模70形成的型腔72中。在此，通過上模68及下模70夾持引線18、20來固定型腔72內(nèi)部的電路基板12的位置。然后，從設置在模具上的澆口向型腔72注入樹脂，密封電路基板 12及各電路元件等。在本工序中，采用使用熱硬化性樹脂的傳遞模塑法或者使用熱可塑性樹脂的注入模塑法。對電路基板12進行密封的結(jié)構不限于樹脂密封，還可以使用澆注、殼體材料進行密封。參照圖8(B)，在上述模制工序完成之后，通過沖壓加工使引線18、20從引線框架 58分離。具體來說，在設置有連接桿62的位置將引線18、20分離成個體，從而將如圖1所示混合集成電路裝置從引線框架58分離。
權利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，具有電路基板；多條引線，每條該引線具有固定安裝在所述電路基板的上面的島部、經(jīng)由傾斜部和所述島部相連續(xù)并且從所述電路基板的上面離開的接合部、和所述接合部相連續(xù)并向外部引出的引線部；電路元件，安裝在所述島部的上面并且經(jīng)由連接裝置和所述接合部相連接。
2.如權利要求1所述的電路裝置，其特征在于，安裝在多條所述引線中的第一引線所具有的所述島部上的所述電路元件和第二引線的所述接合部經(jīng)由所述連接裝置電連接。
3.如權利要求2所述的電路裝置，其特征在于，所述第一引線和所述第二引線相鄰接。
4.如權利要求2所述的電路裝置，其特征在于，在所述第一引線和所述第二引線之間至少設置有一條第三弓I線，所述連接裝置形成為越過所述第三弓I線的上方。
5.如權利要求1至4中任一項所述的電路裝置，其特征在于，所述引線包括連接在直流電源的正極側(cè)的第一輸入引線、連接在所述直流電源的負極側(cè)的第二輸入引線、將由自所述第一輸入引線及所述第二輸入引線輸入的直流電變換的交流電輸出的輸出引線，在所述第二輸入引線的島部上安裝的晶體管的上面設有電極，該電極經(jīng)由連接裝置和所述輸出引線具有的接合部相連接，在所述輸出引線的島部上安裝的晶體管的上面設有電極，該電極經(jīng)由連接裝置和所述第一輸入引線的接合部相連接。
6.如權利要求1至5中任一項所述的電路裝置，其特征在于，安裝有控制所述電路元件的控制元件的控制基板設置在所述電路基板的上面。
7.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，具有準備引線框架的工序，該引線框架由多條具有島部、經(jīng)由傾斜部和所述島部相連續(xù)的接合部、和所述接合部相連續(xù)并向外部引出的引線部的引線構成；將電路元件和所述接合部經(jīng)由連接裝置連接的工序，該電路元件安裝在所述島部的上面，所述接合部設置在相比所述島部位于上方的位置；將所述島部的下面固定安裝在電路基板的上面的工序；密封所述電路基板及所述電路元件的工序。
8.如權利要求7所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在所述將電路元件和所述接合部經(jīng)由連接裝置連接的工序中，所述電路元件和第二引線的所述接合部經(jīng)由所述連接裝置電連接，所述電路元件安裝在多條所述引線中的第一引線所具有的所述島部上。
9.如權利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述第一引線和所述第二引線相鄰接。
10.如權利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，在所述第一引線和所述第二引線之間至少設置有一條第三引線，所述連接裝置形成為越過所述第三引線的上方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電路裝置及其制造方法。該電路裝置是具有良好的散熱性的小型的電路裝置。在本發(fā)明的混合集成電路裝置(10)中，在電路基板(12)的上面固定安裝有引線(18)及引線(20)。引線(18)具有島部(28)、傾斜部(30)及引線部(32)，在島部(28)的上面安裝有晶體管(22)及二極管(24)。設置于晶體管(22)及二極管(24)的上面的電極經(jīng)由金屬細線(26)和接合部(34)相連接。引線(18)的接合部(34)被設置在相比島部(28)位于上方的位置，從而與接合部(34)相連接的金屬細線(26)彼此分開。
文檔編號H01L25/07GK102420220SQ201110284769
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權日2010年9月24日
發(fā)明者堀內(nèi)文夫, 工藤清昭, 櫻井章, 真下茂明, 稻垣裕紀 申請人:安森美半導體貿(mào)易公司