專(zhuān)利名稱(chēng)：一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法。
背景技術(shù)：
非晶硅薄膜太陽(yáng)電池作為第三代太陽(yáng)電池，由于其價(jià)格低、無(wú)污染、弱光響應(yīng)好等諸多優(yōu)勢(shì)，在太陽(yáng)能領(lǐng)域里受到了人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。但是由于轉(zhuǎn)換效率低，安裝相同瓦數(shù)的電池占地面積要比晶硅大很多，在土地日益稀缺的今天該缺點(diǎn)顯得尤為突出。如何提高非晶硅太陽(yáng)電池單位面積上的發(fā)電量就成為現(xiàn)在亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可提高組件發(fā)電量的非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法，電池組件是按TCO玻璃層、非晶硅層、AZO膜層、PVB膠層、鋼化玻璃層、AZO膜層、非晶硅層、TCO層和聚酰亞胺PI層依次排列，制備方法包括以下步驟
a.選取TCO玻璃，進(jìn)行激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，對(duì)非晶硅層進(jìn)行激光劃
刻；
b.SPUTTER工藝腔室壓強(qiáng)控制在(1 1. 5) *10_6mbar，AZO靶材與電池基板間距80 90mm,通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300 350slh，濺射AZO膜，膜厚500 600nm ；
c.激光劃刻AZO背電極，使整個(gè)電池的發(fā)電層與前后電極導(dǎo)通，在背電極側(cè)焊接電池正負(fù)引線(xiàn)，并將引線(xiàn)引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0. 6 0. 8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進(jìn)行層壓；
d.在鋼化玻璃一側(cè)沉積AZO膜層，膜厚500 600nm，激光劃刻AZO層；
e.送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為η層、i層和ρ層，η層厚度30 50nm， i層厚度200 300nm，ρ層厚度10 20nm，激光劃刻非晶硅層；
f.沉積TCO層，厚度700 800nm，激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導(dǎo)通，在TCO膜層焊接電極引線(xiàn)，引至電池板上沿與前側(cè)電池電極并聯(lián)后接至接線(xiàn)盒；
TCO上方使用聚酰亞胺PI透明基片進(jìn)行封裝，兩塊電池引線(xiàn)串聯(lián)后引入接線(xiàn)盒。本發(fā)明的技術(shù)效果是它可有效提高非晶硅太陽(yáng)電池單位面積上的發(fā)電量，使其應(yīng)用的范圍更加廣泛。
具體實(shí)施例方式一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法，屬于太陽(yáng)能領(lǐng)域。該方法是在制備完第一塊非晶硅薄膜太陽(yáng)電池之后，在背板鋼化玻璃后倒序沉積另一塊非晶硅電池，兩塊電池的電極并聯(lián)后引至組件上方的接線(xiàn)盒，背側(cè)電池受光面與前側(cè)太陽(yáng)電池相反，從而使整個(gè)電池模組達(dá)到雙面可發(fā)電的效果，提高了非晶硅電池單位面積上的發(fā)電量。包括以下步驟
a.選取透光率超過(guò)90%以上的TCO玻璃，進(jìn)行第一次激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，而后對(duì)非晶硅層進(jìn)行第二次激光劃刻；
b.SPUTTER工藝腔室壓強(qiáng)控制在(1 1. 5) *10_6mbar，AZO靶材與電池基板間距80 90mm,通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300 350slh，濺射AZO膜，膜厚500 600nm ；
c.激光劃刻AZO背電極，使整個(gè)電池的發(fā)電層與前后電極導(dǎo)通，在背電極側(cè)焊接電池正負(fù)引線(xiàn)，并將引線(xiàn)引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0. 6 0. 8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進(jìn)行層壓；
d.在鋼化玻璃一側(cè)利用濺射工藝沉積AZO膜層，膜厚500 600nm，激光劃刻AZO層；
e.送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為η層、i層和ρ層，η層厚度30 50nm， i層厚度200 300nm，ρ層厚度10 20nm，激光劃刻非晶硅層；
f.利用LPCVD技術(shù)沉積TCO層，厚度700 800nm。激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、 AZO層形成電路導(dǎo)通。在TCO膜層焊接電極引線(xiàn)，引至電池板上沿與前側(cè)電池電極并聯(lián)后接至接線(xiàn)盒；
g.TCO上方使用透光率為90% 93%的聚酰亞胺PI透明基片進(jìn)行封裝； 兩塊電池引線(xiàn)串聯(lián)后引入接線(xiàn)盒，接線(xiàn)盒焊接于整個(gè)電池組件的上沿。該方法是在制備完第一塊非晶硅薄膜太陽(yáng)電池之后，在背板鋼化玻璃后倒序沉積另一塊非晶硅電池，兩塊電池的電極并聯(lián)后引至組件上方的接線(xiàn)盒，背側(cè)電池受光面與前側(cè)太陽(yáng)電池相反，從而使整個(gè)電池模組達(dá)到雙面可發(fā)電的效果，提高了非晶硅電池單位面積上的發(fā)電量，同時(shí)也使其應(yīng)用的范圍更加廣泛。實(shí)施例1
選取透光率超過(guò)90%以上的TCO玻璃，進(jìn)行第一次激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，而后對(duì)非晶硅層進(jìn)行第二次激光劃刻；
SPUTTER工藝腔室壓強(qiáng)控制在l*l(r6ml3ar，AZO靶材與電池基板間距80mm，通入純度4N5 以上的Ar氣體，流量為300slh，濺射AZO膜，膜厚550nm ；激光劃刻AZO背電極，使整個(gè)電池的發(fā)電層與前后電極導(dǎo)通，在背電極側(cè)焊接電池正負(fù)引線(xiàn)，并將引線(xiàn)引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0. 76mm,疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進(jìn)行層壓；
在鋼化玻璃一側(cè)利用濺射工藝沉積AZO膜層，膜厚560nm，激光劃刻AZO層；送入PECVD 沉積非晶硅層，沉積順序依次為η層、i層和ρ層，η層厚度30nm，i層厚度200nm，ρ層厚度 15nm,激光劃刻非晶硅層；利用LPCVD技術(shù)沉積TCO層，厚度750nm。激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導(dǎo)通。在TCO膜層焊接電極引線(xiàn)，引至電池板上沿與前側(cè)電池電極并聯(lián)后接至接線(xiàn)盒；
TCO上方使用透光率為90%的聚酰亞胺PI透明基片進(jìn)行封裝；兩塊電池引線(xiàn)串聯(lián)后引入接線(xiàn)盒，接線(xiàn)盒焊接于整個(gè)電池組件的上沿。實(shí)施例2
選取透光率超過(guò)90%以上的TCO玻璃，進(jìn)行第一次激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，而后對(duì)非晶硅層進(jìn)行第二次激光劃刻；
SPUTTER工藝腔室壓強(qiáng)控制在1. 5*10_6mbar，AZO靶材與電池基板間距90mm，通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為350slh，濺射AZO膜，膜厚600nm ；激光劃刻AZO背電極，使整個(gè)電池的發(fā)電層與前后電極導(dǎo)通，在背電極側(cè)焊接電池正負(fù)引線(xiàn)，并將引線(xiàn)引至電池板上沿， 電池后鋪PVB膠，厚度為0. 76mm,疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進(jìn)行層壓；
在鋼化玻璃一側(cè)利用濺射工藝沉積AZO膜層，膜厚600nm，激光劃刻AZO層；送入PECVD 沉積非晶硅層，沉積順序依次為η層、i層和ρ層，η層厚度50nm，i層厚度300nm，ρ層厚度 20nm,激光劃刻非晶硅層；利用LPCVD技術(shù)沉積TCO層，厚度800nm。激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導(dǎo)通。在TCO膜層焊接電極引線(xiàn)，引至電池板上沿與前側(cè)電池電極并聯(lián)后接至接線(xiàn)盒；
TCO上方使用透光率為93%的聚酰亞胺PI透明基片進(jìn)行封裝；兩塊電池引線(xiàn)串聯(lián)后引入接線(xiàn)盒，接線(xiàn)盒焊接于整個(gè)電池組件的上沿。
權(quán)利要求
1.一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法，其特征在于，電池組件是按TCO玻璃層、 非晶硅層、AZO膜層、PVB膠層、鋼化玻璃層、AZO膜層、非晶硅層、TCO層和聚酰亞胺PI層依次排列，制備方法包括以下步驟a、選取TCO玻璃，進(jìn)行激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，對(duì)非晶硅層進(jìn)行激光劃刻；b、SPUTTER工藝腔室壓強(qiáng)控制在(1 1.5)*l(T6mbar，AZ0靶材與電池基板間距80 90mm,通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300 350slh，濺射AZO膜，膜厚500 600nm ；c、激光劃刻AZO背電極，使整個(gè)電池的發(fā)電層與前后電極導(dǎo)通，在背電極側(cè)焊接電池正負(fù)引線(xiàn)，并將引線(xiàn)引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0. 6 0. 8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進(jìn)行層壓；d、在鋼化玻璃一側(cè)沉積AZO膜層，膜厚500 600nm，激光劃刻AZO層；e、送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為η層、i層和ρ層，η層厚度30 50nm， i層厚度200 300nm，ρ層厚度10 20nm，激光劃刻非晶硅層；f、沉積TCO層，厚度700 800nm，激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導(dǎo)通，在TCO膜層焊接電極引線(xiàn)，引至電池板上沿與前側(cè)電池電極并聯(lián)后接至接線(xiàn)盒；g、TCO上方使用聚酰亞胺PI透明基片進(jìn)行封裝，兩塊電池引線(xiàn)串聯(lián)后引入接線(xiàn)盒。
2.如權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法，其特征在于，所述步驟a 中選取TCO玻璃透光率超過(guò)90%。
3.如權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法，其特征在于，所述步驟g 中的聚酰亞胺PI透明基片透光率為90% 93%。
全文摘要
一種非晶硅薄膜太陽(yáng)電池組件的制備方法涉及太陽(yáng)能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。電池組件是按TCO玻璃層、非晶硅層、AZO膜層、PVB膠層、鋼化玻璃層、AZO膜層、非晶硅層、TCO層和聚酰亞胺PI層依次排列。它可有效提高非晶硅太陽(yáng)電池單位面積上的發(fā)電量，使其應(yīng)用的范圍更加廣泛。
文檔編號(hào)H01L31/20GK102339910SQ20111029767
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者李鵬, 林宏達(dá), 王恩忠, 甄雁卉, 薛泳波 申請(qǐng)人:牡丹江旭陽(yáng)太陽(yáng)能科技有限公司