專利名稱：高壓氮化物led器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于發(fā)光器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種高壓氮化物L(fēng)ED器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著以氮化物為基礎(chǔ)的高亮度發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)應(yīng)用的開發(fā)，新一代綠色環(huán)保固體照明光源氮化物L(fēng)ED已成為研究的重點(diǎn)，尤其是以第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)為代表的藍(lán)色LED的開發(fā)。以氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)和氮化鋁鎵 (AlGaN)合金為主的III族氮化物半導(dǎo)體材料具有寬的直接帶隙、內(nèi)外量子效率高、高熱導(dǎo)率、耐高溫、抗腐蝕、抗震性、高強(qiáng)度和高硬度等特性，是目前制造高亮度發(fā)光器件的理想材料。傳統(tǒng)的LED芯片一般采用低電壓直流電驅(qū)動(dòng)。從交流電經(jīng)過電源整流和變壓后可以輸出高壓直流電或低壓直流電。當(dāng)輸出為高壓直流電時(shí)，其輸入端和輸出端壓差低，則交流電到直流電的轉(zhuǎn)換效率高；當(dāng)輸出為低壓直流電時(shí)，其輸入端和輸出端壓差高，則交流電到直流電的轉(zhuǎn)換效率低。為了輸出和高壓直流電同樣的輸出功率，提高從交流電到低電壓直流電的轉(zhuǎn)換效率，勢必會(huì)增加LED驅(qū)動(dòng)電流，必然導(dǎo)致低壓LED在工作時(shí)散熱性要遠(yuǎn)低于高壓LED，這意味著LED散熱外殼的成本隨之增高，同時(shí)也縮短了 LED芯片的壽命。因此， LED驅(qū)動(dòng)器的價(jià)格(包括電源整理部分和變壓部分的成本)以及LED外殼散熱材料的使用均推高了 LED燈具的價(jià)格。目前，為了降低LED芯片和燈具的價(jià)格，采用的技術(shù)方案主要包括大電流密度驅(qū)動(dòng)的直流LED芯片，其優(yōu)勢是極大的降低LED燈具的芯片成本；交流高電壓LED芯片，其優(yōu)勢是降低LED燈具的整流和變壓功能的成本；直流高電壓LED芯片，其優(yōu)勢是降低LED燈具的變壓功能的成本；大電流密度驅(qū)動(dòng)的直流高電壓LED芯片，其優(yōu)勢是降低LED芯片的成本，降低LED燈具的變壓功能的成本；大電流密度驅(qū)動(dòng)的交流高電壓LED芯片，其優(yōu)勢是降低LED芯片的成本，降低LED燈具的整流和變壓功能的成本。因此，就現(xiàn)有產(chǎn)品而言，LED要進(jìn)入通用照明領(lǐng)域仍然存在著不少問題，其原因是因?yàn)槟壳斑@些現(xiàn)有產(chǎn)品都是先進(jìn)行LED芯片結(jié)構(gòu)的制造，接著進(jìn)行切割劃片，最后，對形成 LED模塊進(jìn)行測試、驗(yàn)收，其技術(shù)方案只是單純的從降低整流、變壓、大電流密度驅(qū)動(dòng)下的 LED芯片的結(jié)構(gòu)的改進(jìn)或LED燈具成本的某一角度出發(fā)，解決單一類型產(chǎn)品成本高的缺陷， 并沒有解決因光電性能等特性不良的LED芯片的封裝而造成的原材料的浪費(fèi)、成本的增高，降低了 LED模塊成品率與封裝效率，增加了封裝所需要的引線數(shù)及封裝空間，不能真正實(shí)現(xiàn)大功率LED模塊的可客制化、封裝尺寸的小型化與集成化。由此可見，現(xiàn)有LED產(chǎn)品的技術(shù)方案并沒有從LED芯片產(chǎn)業(yè)成本整體方面出發(fā)，因此，LED芯片和燈具的價(jià)格整體成本仍然比普通照明燈具高出不少，不能被大眾普遍接受。為了解決上述問題，在實(shí)現(xiàn)高壓III族氮化物L(fēng)ED發(fā)光芯片結(jié)構(gòu)時(shí)，需要尋求一種能以LED整體行業(yè)為出發(fā)點(diǎn)，進(jìn)一步降低LED芯片和燈具的價(jià)格，使LED能更快進(jìn)入通用照明領(lǐng)域。但是，在實(shí)際的實(shí)施過程中仍然存在相當(dāng)大的壁壘，亟待引進(jìn)能有效改善上述缺陷的新方法，以解決第三代半導(dǎo)體材料使用時(shí)所面臨的LED芯片產(chǎn)業(yè)成本和燈具價(jià)格高、成品率低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高壓氮化物L(fēng)ED器件及其制造方法，以降低整體LED芯片產(chǎn)業(yè)成本、提高成品率為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，包括如下步驟提供一襯底，所述襯底上依次形成有N型氮化物成核層和外延層；蝕刻所述外延層形成N型接觸電極臺階；依次蝕刻所述N型氮化物成核層，形成LED隔離溝槽，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底的表面；在所述N型接觸電極臺階上制作N型接觸電極，在所述外延層上制作P型接觸電極，形成多個(gè)LED單元芯片；對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行光電性能測試，并根據(jù)所述測試結(jié)果選擇性的對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行激光劃片，以將多個(gè)LED單元芯片分組切割成至少一個(gè)LED模塊；對所述LED模塊進(jìn)行封裝，所述LED模塊中的各LED 單元芯片通過引線進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)，形成高壓氮化物L(fēng)ED器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出了一種高壓氮化物L(fēng)ED器件，至少一個(gè)高壓LED模塊，每個(gè)高壓LED模塊包括至少兩個(gè)LED單元芯片，其中，每個(gè)LED單元芯片具有N型接觸電極和P型接觸電極，各LED單元芯片通過N型接觸電極和P型接觸電極進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)；以及一基板，所述基板表面設(shè)置有基板電極，所述基板電極與所述高壓LED模塊通過引線鍵合。由上述技術(shù)方案可見，與傳統(tǒng)通用的高壓LED制造工藝相比，本發(fā)明公開的高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，在沒有改變LED外延結(jié)構(gòu)、有效利用LED芯片自身結(jié)構(gòu)特性的前提下，在形成N型接觸電極和P型接觸電極后就進(jìn)行光電性能測試，并根據(jù)所述測試結(jié)果選擇性的對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行激光劃片，例如根據(jù)光通量設(shè)計(jì)要求，先對整塊晶片進(jìn)行測試，避開光電性能不良的LED單元芯片，分類形成不同規(guī)格的LED單元芯片，再依據(jù)不同規(guī)格的要求，可客制化激光劃片，將LED分組切割成不同形狀的LED模塊，例如正方形或長方形LED模塊；然后，將上述形成的LED模塊進(jìn)行板上晶片直裝后，再將每個(gè)LED模塊中的各LED單元芯片通過引線進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)，組成高壓LED模塊。通過本發(fā)明公開的高壓氮化物L(fēng)ED器件及其制造方法，避免了以往制造高壓LED模塊先切片后再測試光電性能而造成的缺陷，例如，LED模塊中的LED單元芯片光電性能等特性不良而產(chǎn)生芯片工藝的原材料的浪費(fèi)、成本的增高；并且提高了 LED模塊成品率與封裝效率，節(jié)省了封裝所需要引線數(shù)及封裝空間，實(shí)現(xiàn)了大功率LED模塊的可客制化、封裝尺寸的小型化與集成化。


圖Ia至圖If是本發(fā)明一實(shí)施例的高壓氮化物L(fēng)ED器件制造方法的流程示意圖。圖Ig是本發(fā)明一實(shí)施例的高壓氮化物L(fēng)ED器件的電連接的俯視示意圖。圖Ih是本發(fā)明一實(shí)施例的高壓氮化物L(fēng)ED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的多個(gè)LED單元芯片激光切割劃片分組的俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制造中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。參見圖Ia至lf，對本發(fā)明一實(shí)施例的高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。該方法包括如下步驟SlOO 提供一襯底，所述襯底上依次形成有N型氮化物成核層和外延層。參見圖2a，先在襯底100上自下而上依次沉積N型氮化物成核層104和外延層 111。所述外延層111包括依次形成于所述N型氮化物成核層104上的多量子阱有源層 106、P型氮化物層108、P型限制層110。更優(yōu)的，在形成所述外延層111之后，在外延層111上沉積透明導(dǎo)電層112。更優(yōu)的，在所述襯底100上形成N型氮化物成核層104之前，在所述襯底100上形成氮化物緩沖層102。其中，所述襯底100可以是藍(lán)寶石襯底，所述P型限制層110可以是P型氮化物。SlOl 蝕刻所述外延層形成N型接觸電極臺階。參見圖lb，采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝anductively Coupled Plasma Etcher, I CP)蝕刻外延層111，所述蝕刻停止在N型氮化物成核層104上，以形成N型接觸電極臺階114。若在形成所述外延層111之后，在外延層111上沉積了透明導(dǎo)電層112，則蝕刻所述外延層111之前先蝕刻所述透明導(dǎo)電層112，然后，所述蝕刻停止在N型氮化物成核層 104表面上，形成N型接觸電極臺階114。當(dāng)然，所述蝕刻也可停止在N型氮化物成核層104中(即蝕刻掉部分厚度的N型氮化物成核層104)，以形成N型接觸電極臺階114，同樣可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。S102 依次蝕刻所述N型氮化物成核層，形成LED隔離溝槽，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底的表面。參見圖lc，在N型氮化物成核層104上采用ICP蝕刻工藝蝕刻N(yùn)型接觸電極臺階 114，形成LED隔離溝槽116，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底100的表面。 S103 在所述N型接觸電極臺階上制作N型接觸電極，在所述外延層上制作P型接觸電極，形成多個(gè)LED單元芯片。參見圖ld，在N型接觸電極臺階114上形成N型接觸電極118，在外延層111的表面上(本實(shí)施例是透明導(dǎo)電層112之上)形成P型接觸電極120，形成多個(gè)LED單元芯片 1，。其中，制作N型接觸電極118和P型接觸電極120的材料可以為鎳金(Ni/Au)合金或其他金屬。S104 對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行光電性能測試，并根據(jù)所述測試結(jié)果選擇性的對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行激光劃片，將多個(gè)LED單元芯片分組切割成至少一個(gè)LED 模塊。參見圖le，首先，由于LED制造時(shí)一般普遍采用藍(lán)寶石作襯底用以支撐整個(gè)LED的制造過程，當(dāng)LED單元芯片1’形成之后，采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝將襯底100減薄至厚度為~ A,以利于后續(xù)工藝將晶片進(jìn)行切割劃片。其中，所述光電性能測試一般包括光特性測試、電特性測試、熱學(xué)特性測試、可靠性測試中的一種或多種，當(dāng)然所述光電性能測試還可包括其他常見的LED測試，在此不一一列舉。進(jìn)一步地，所述光特性測試包括光通量、發(fā)光效率、輻射通量、輻射效率、光強(qiáng)、光強(qiáng)分布特性和光譜參數(shù)等等測試，而對于光通量測試，可以采用積分球法和變角光度計(jì)法或其它測試方法，一般標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定采用2 π立體角測試結(jié)構(gòu)。上述光電性能測試為現(xiàn)有的測試技術(shù)，在此不再詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員仍是知曉的。參見圖2，整片晶片包括55個(gè)LED單元芯片1，(整片晶片包括所述的LED單元芯片不限于本實(shí)施例中的數(shù)目)。通過上述光電性能測試的結(jié)果，可以獲得所有LED單元芯片1’的光電性能參數(shù)，例如由于晶片制造過程中的缺陷，不合格的單元芯片如第32號LED 單元芯片和第41號LED單元芯片被標(biāo)上記號“ X，，；或是測試結(jié)果不符合光通量設(shè)計(jì)要求的如第12號LED單元芯片和第21號LED單元芯片被標(biāo)上記號“〇”；或是測試結(jié)果不符合 LED其他光電性能的如第37號LED單元芯片和第46號LED單元芯片被標(biāo)上記號“Δ”。需要說明的是，在圖2中第32號LED單元芯片被標(biāo)識為32，其它LED單元芯片的標(biāo)識類似，如第41號LED單元芯片標(biāo)識為41，在此不一一贅述。然后，通過掌握的光電特性的參數(shù)性能，可以提供各種客制化的LED模塊2’，滿足客戶不同需求，例如，對晶片中參數(shù)性能良好的集中區(qū)域進(jìn)行大塊晶片激光切割劃片成不同形狀的LED模塊2’時(shí)，可以減少切割工藝步驟所帶來的成本，以滿足大功率LED模塊客戶的需求。所述大塊晶片可以包括第9號LED單元芯片、第10號LED單元芯片、第11號LED 單元芯片、第16號LED單元芯片、第17號LED單元芯片、第18號LED單元芯片、第23號LED 單元芯片、第M號LED單元芯片、第25號LED單元芯片，或是可以包括第9號LED單元芯片、第10號LED單元芯片、第11號LED單元芯片、第16號LED單元芯片、第17號LED單元芯片、第18號LED單元芯片、第19號LED單元芯片、第20號LED單元芯片、第23號LED單元芯片、第24號LED單元芯片、第25號LED單元芯片、第沈號LED單元芯片、第27號LED 單元芯片(所述大塊晶片不限于本實(shí)施例中的列舉)；在晶片中參數(shù)性能不良的集中區(qū)域， 可以進(jìn)行精細(xì)的激光切割劃片成相應(yīng)形狀的LED模塊2’，可以避開光電性能不良的LED單元芯片1’，以提高LED模塊的成品率，以滿足光電性能要求嚴(yán)格的客戶需求，所述精細(xì)切割劃片分組的LED模塊可以包括第42號LED單元芯片、第43號LED單元芯片、第49號LED 單元芯片、第50號LED單元芯片或是可以包括第44號LED單元芯片、第45號LED單元芯片，也可以包括第9號LED單元芯片、第16號LED單元芯片、第23號LED單元芯片、第30 號LED單元芯片(所述精細(xì)切割劃片分組不限于本實(shí)施例中的列舉)。最后，根據(jù)客戶的具體需求對所述的未被切割劃片的多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行選擇性的激光劃片，形成可客制化的LED模塊。所述每個(gè)LED模塊2’包括至少一個(gè)LED單元芯片1’。另外，對測試結(jié)果不合
6格或是不符合LED光電特性的LED單元芯片如通過修復(fù)步驟可以修復(fù)的則進(jìn)行修復(fù)，若不能進(jìn)行修復(fù)的可降級或是丟棄處理。需要說明的是，上述描述并不用于限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容進(jìn)行其他變形，例如可根據(jù)所述測試結(jié)果對所述多個(gè) LED單元芯片進(jìn)行其它形式的激光劃片。S105 對所述LED模塊進(jìn)行封裝，所述LED模塊中的各LED單元芯片通過引線進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)，形成高壓氮化物L(fēng)ED器件。參見圖If和圖lg，采用通常的COB封裝技術(shù)將LED模塊2’直接封裝在基板支架 122上，然后將基板支架122上的基板電極IM通過導(dǎo)線1 與所述LED模塊2’上相應(yīng)的LED單元芯片的電極鍵合，以作電流注入的引線，并同步形成了凸點(diǎn)焊球，繼續(xù)完成所述 LED模塊內(nèi)部的每個(gè)LED單元芯片1’引線130的串聯(lián)和/或并聯(lián)，以形成高壓氮化物L(fēng)ED 器件3。所述高壓氮化物L(fēng)ED器件3包括至少一個(gè)LED模塊2’。由于本發(fā)明是依據(jù)光電性能的不同而切割劃分形成了所述的每個(gè)LED模塊2’，所以在所述的每個(gè)LED模塊上打引線進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)，可以有效地使所需引線數(shù)目減少。通常，COB基板支架122上的基板電極124所使用的導(dǎo)線1 材料為銅基導(dǎo)線，因此，鍵合盤1 需要進(jìn)行表面處理，在銅基材上鍍鎳，厚度為2 4um，再鍍金，厚度為0. 1 0. 2um，形成銅鎳金復(fù)合金屬層，以增加電極處的粘合度和強(qiáng)度，避免導(dǎo)線剝落。經(jīng)過本步驟，每個(gè)高壓氮化物L(fēng)ED器件中的各個(gè)LED單元芯片通過LED隔離溝槽進(jìn)行電學(xué)上的隔離。更優(yōu)的，在形成的所述高壓氮化物L(fēng)ED器件上涂覆熒光粉硅膠132，以制備出能適應(yīng)不同顏色需求的高壓氮化物L(fēng)ED器件(參見圖Ih)。參見圖2f，本發(fā)明還提出了一種高壓氮化物L(fēng)ED器件，利用上述的高壓氮化物L(fēng)ED 器件的制造方法形成，包括至少一個(gè)高壓LED模塊以及一基板，每個(gè)高壓LED模塊包括至少兩個(gè)LED單元芯片，其中，每個(gè)LED單元芯片具有N型接觸電極和P型接觸電極，所述高壓 LED模塊中的各LED單元芯片通過N型接觸電極和P型接觸電極進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)，所述基板表面設(shè)置有基板電極，所述基板電極與所述高壓LED模塊通過引線鍵合。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，包括如下步驟提供一襯底，所述襯底上依次形成有N型氮化物成核層和外延層；蝕刻所述外延層形成N型接觸電極臺階；依次蝕刻所述N型氮化物成核層，形成LED隔離溝槽，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底的表面；在所述N型接觸電極臺階上制作N型接觸電極，在所述外延層上制作P型接觸電極，形成多個(gè)LED單元芯片；對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行光電性能測試，并根據(jù)所述測試結(jié)果選擇性的對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行激光劃片，以將多個(gè)LED單元芯片分組切割成至少一個(gè)LED模塊；對所述LED模塊進(jìn)行封裝，所述LED模塊中的各LED單元芯片通過引線進(jìn)行串聯(lián)和/ 或并聯(lián)，形成高壓氮化物L(fēng)ED器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于在所述襯底上形成N型氮化物成核層之前，還包括在所述襯底上形成氮化物緩沖層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于所述外延層包括依次形成于所述N型氮化物成核層上的多量子阱有源層、P型氮化物層和P型限制層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于形成所述外延層之后，在所述外延層上沉積透明導(dǎo)電層，蝕刻所述外延層之前先蝕刻所述透明導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要4所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于所述P型接觸電極位于所述透明導(dǎo)電層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于所述N型接觸電極和P型接觸電極的材質(zhì)為鎳金合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于對所述多個(gè)LED 單元芯片進(jìn)行光電性能測試之前，還包括減薄所述襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于對所述LED模塊進(jìn)行板上晶片直裝。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，其特征在于形成高壓氮化物L(fēng)ED器件之后，還包括在所述高壓氮化物L(fēng)ED器件上涂覆熒光粉硅膠。
10.一種利用權(quán)利要求1所述的高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法形成的高壓氮化物 LED器件，包括至少一個(gè)高壓LED模塊，每個(gè)高壓LED模塊包括至少兩個(gè)LED單元芯片，其中，每個(gè)LED 單元芯片具有N型接觸電極和P型接觸電極，各LED單元芯片通過N型接觸電極和P型接觸電極進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)；以及一基板，所述基板表面設(shè)置有基板電極，所述基板電極與所述高壓LED模塊通過引線鍵合。
全文摘要
本發(fā)明提出一種高壓氮化物L(fēng)ED器件的制造方法，包括如下步驟提供一襯底，在襯底上依次形成有N型氮化物成核層和外延層；蝕刻所述外延層形成N型接觸電極臺階；依次蝕刻所述N型氮化物成核層，形成LED隔離溝槽，所述LED隔離溝槽暴露出所述襯底的表面；在所述N型接觸電極臺階上制作N型接觸電極，在所述外延層上制作P型接觸電極，形成多個(gè)LED單元芯片；對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行光電性能測試，并根據(jù)所述測試結(jié)果選擇性的對所述多個(gè)LED單元芯片進(jìn)行激光劃片，以將所述多個(gè)LED單元芯片分組切割成至少一個(gè)LED模塊。本發(fā)明還提供了一種高壓氮化物L(fēng)ED器件，以降低整體LED芯片產(chǎn)業(yè)成本、提高成品率。
文檔編號H01L33/48GK102354699SQ20111029859
公開日2012年2月15日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者于婷婷, 于洪波, 張汝京, 程蒙召, 肖德元 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司