專利名稱：控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體集成電路的工藝技術(shù)方法，尤其涉及一種控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法。
背景技術(shù)：
隨著制程線寬越來越窄，使得微影制程的困難度隨之增加，這是因為線寬縮減后， 容易發(fā)生對準失誤的情形，尤其在定義導體層時，因為導體層的反射系數(shù)通常較介電層或絕緣層大，致使定義光阻層圖案時，曝光光源容易在導體層表面發(fā)生反射，造成光阻層尺寸偏差，導致微影圖案轉(zhuǎn)換不正確。為防止上述所提的誤差出現(xiàn)，可以在導體層上制造一層抗反射層，以達到降低反射率的效果。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，在介電抗反射薄膜的制作工藝流程中，具體包括(1)反應(yīng)氣體流到排氣管道直到穩(wěn)定；(2)在同一時間反應(yīng)氣體流入反應(yīng)腔及電漿開啟；(3)介電抗反射薄膜沉積；(4)先關(guān)反應(yīng)氣體然后再關(guān)閉電漿。現(xiàn)有光阻所需介電抗反射薄膜的沉積厚度介于200-500埃，整個沉積步驟通常只有8-20秒，所以在同時開啟電漿及通反應(yīng)氣體，不容易控制得到所需的反射率及消光系數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其可有效控制獲得所需介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的
一種控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，在介電抗反射薄膜的制作工藝流程中，具體包括下列步驟 將反應(yīng)氣體通入到排氣管道直到其穩(wěn)定；
先通反應(yīng)氣體使其流入反應(yīng)腔或先開啟電漿，形成通入反應(yīng)氣體與開啟電漿之間的時間延遲；
進行介電抗反射薄膜沉積；以及先關(guān)反應(yīng)氣體然后再關(guān)閉電漿。上述控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，先通反應(yīng)氣體流入反應(yīng)腔，再開啟電漿，將增加整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物硅的含量，從而提高介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。上述控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，先開啟電漿， 再通反應(yīng)氣體流入反應(yīng)腔，將降低整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物硅的含量，從而降低介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。上述控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，通反應(yīng)氣體和開啟電漿之間的時間間隔為O至2秒。上述控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，反應(yīng)氣體為SiH4*N20，其中 SiH4 為 17(T270sccm，N2O 為 22(T320sccm，反應(yīng)溫度 400°C，反應(yīng)壓力為 2. 0 2. 4托，采用高頻比頻率45(T650Watts。上述控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，得到的介電抗反射薄膜的反射率為1. 9^2. 2，消光系數(shù)為0. 45、. 75。

與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于
1、先通反應(yīng)氣體再開啟電漿，將增加整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效提高介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。2、反之先開啟電漿再通反應(yīng)氣體，將降低整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效降低介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中介電抗反射薄膜的制作工藝流程示意框圖； 圖2是本發(fā)明中介電抗反射薄膜的制作工藝流程示意框圖。
具體實施例方式下面結(jié)合原理圖和具體操作實施例對本發(fā)明作進一步說明。如圖1和圖2所示，本發(fā)明是在現(xiàn)有技術(shù)介電抗反射薄膜的制作工藝流程的基礎(chǔ)上加以改進，將反應(yīng)氣體SiH4和N2O通入到排氣管道直到其穩(wěn)定，具體來說，是先通反應(yīng)氣體使其流入反應(yīng)腔，或者先開啟電漿，形成通入反應(yīng)氣體與開啟電漿之間的時間延遲，通反應(yīng)氣體和開啟電漿之間的時間間隔為0至2秒；再進行介電抗反射薄膜沉積，最后先關(guān)反應(yīng)氣體然后再關(guān)閉電漿?；瘜W方程式如下
SiH4 + 2N2Q 二P12: > SiQN+1.5N2+2H2
其中，SiH4為170 270sccm，N20為22(T320sccm，反應(yīng)溫度400°C，反應(yīng)壓力為2. 0 2· 4 托，采用高頻比頻率45(T650WattS。最后生成的介電抗反射薄膜，即氮氧化硅薄膜的反射率為1. 9^2. 2，消光系數(shù)為0. 45、. 75。氮氧化硅(SiON)薄膜是一種介電抗反射的薄膜材料， 具有優(yōu)良的充電性能、機械性能、鈍化性能和化學穩(wěn)定性能。通過形成通入反應(yīng)氣體與開啟電漿之間的時間延遲，可以靈活調(diào)節(jié)介電抗反射薄膜的反射率和消光系數(shù)，先通反應(yīng)氣體再開啟電漿，將增加整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效提高介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)；反之先開啟電漿再通反應(yīng)氣體，將降低整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效降低介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例，其只是作為范例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對該發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，在介電抗反射薄膜的制作工藝流程中，具體包括下列步驟將反應(yīng)氣體通入到排氣管道直到其穩(wěn)定；先通反應(yīng)氣體使其流入反應(yīng)腔或先開啟電漿，形成通入反應(yīng)氣體與開啟電漿之間的時間延遲；進行介電抗反射薄膜沉積；以及先關(guān)反應(yīng)氣體然后再關(guān)閉電漿。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，先通反應(yīng)氣體流入反應(yīng)腔，再開啟電漿，將增加整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物硅的含量，從而提高介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，先開啟電漿，再通反應(yīng)氣體流入反應(yīng)腔，將降低整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物硅的含量，從而降低介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，通反應(yīng)氣體和開啟電漿之間的時間間隔為O至2秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，反應(yīng)氣體為SiH4和N2O,其中SiH4為17(T270sccm，N2O為22(T320sccm，反應(yīng)溫度400°C，反應(yīng)壓力為2. (Γ2. 4托，采用高頻比頻率45(T650WattS。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其特征在于，得到的介電抗反射薄膜的反射率為1. 9^2. 2，消光系數(shù)為0. 45、. 75。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種控制光阻所需介電抗反射薄膜反射率及消光系數(shù)的方法，其中，在介電抗反射薄膜的制作工藝流程中，具體包括下列步驟將反應(yīng)氣體通入到排氣管道直到其穩(wěn)定；先通反應(yīng)氣體使其流入反應(yīng)腔或先開啟電漿，形成通入反應(yīng)氣體與開啟電漿之間的時間延遲；進行介電抗反射薄膜沉積；以及先關(guān)反應(yīng)氣體然后再關(guān)閉電漿。與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于先通反應(yīng)氣體再開啟電漿，將增加整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效提高介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。反之先開啟電漿再通反應(yīng)氣體，將降低整個反應(yīng)腔體初期反應(yīng)物矽的含量，可有效降低介電抗反射薄膜的反射率及消光系數(shù)。
文檔編號H01L21/314GK102446753SQ20111029891
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者張旭升, 陳建維 申請人:上海華力微電子有限公司