專利名稱：只讀存儲(chǔ)器及其制作方法
只讀存儲(chǔ)器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，尤其是涉及一種只讀存儲(chǔ)器及其制作方法。背景技術(shù)：
只讀存儲(chǔ)器(ROM,read only memory)是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的一種。顧名思義，只讀存儲(chǔ)器只可以讀取其已存入的信息，而無(wú)法對(duì)已存入的信息進(jìn)行擦除或重新寫(xiě)入。ROM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)穩(wěn)定，即使在沒(méi)有電源支持的情況下，所存的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。
只讀存儲(chǔ)器包含若干個(gè)呈陣列排布，用于儲(chǔ)存信息的存儲(chǔ)單元。目前，市面上較為常見(jiàn)的只讀存儲(chǔ)器為掩模只讀存儲(chǔ)器。該掩模只讀存儲(chǔ)器制作時(shí)需要額外的掩模板來(lái)形成用于存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)單元。利用此額外的掩模板離子注入形成兩種不同開(kāi)啟電壓的存儲(chǔ)單元。在讀取信息時(shí)，利用介于兩種開(kāi)啟電壓之間的操作電壓讀取存儲(chǔ)單元信息。例如，讀取時(shí)，低于操作電壓的開(kāi)啟電壓的存儲(chǔ)單元就會(huì)開(kāi)啟有相應(yīng)的電信號(hào)獲得；高于操作電壓的開(kāi)啟電壓的存儲(chǔ)單元就會(huì)處于關(guān)閉狀態(tài)，沒(méi)有電信號(hào)獲得。因此，掩模只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的信息采用上述方法就可進(jìn)行有效地讀取。
然而，此種掩模只讀存儲(chǔ)器需要利用到額外的掩模板來(lái)形成兩種不同開(kāi)啟電壓的存儲(chǔ)單元，增加了只讀存儲(chǔ)器的制作成本。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，本發(fā)明提供一種只讀存儲(chǔ)器及其制作方法，可省去傳統(tǒng)掩模只讀存儲(chǔ)器中額外的掩模板，縮短只讀存儲(chǔ)器的制作周期以及制作成本。
一種只讀存儲(chǔ)器，包含若干個(gè)陣列排布的存儲(chǔ)單元。只讀存儲(chǔ)器包含兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。兩種存儲(chǔ)單元分別為第一 MOS管和第二 MOS管。第一 MOS管的源極和漏極同型，第二 MOS管的源極和漏極反型。
進(jìn)一步地，以兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元均為P型存儲(chǔ)單元為例，第一MOS管的源極和漏極為P型，第二 MOS管的漏極為P型、源極為N型。
進(jìn)一步地，以兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元均為N型存儲(chǔ)單元為例，第一 MOS管的源極和漏極為N型,第二 MOS管的漏極為N型、源極為P型。
進(jìn)一步地，第一 MOS管及第二 MOS管均設(shè)有各自的控制柵極，第一 MOS管及第二 MOS管的漏極和源極距各自的控制柵極之間均設(shè)有輕摻雜漏區(qū)。
上述只讀存儲(chǔ)器的制作方法，該只讀存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元以及存儲(chǔ)單元周邊的外圍器件，具體包括以下步驟
步驟1:提供硅襯底，在硅襯底同時(shí)形成存儲(chǔ)單元和外圍器件的有源區(qū)；
步驟2 :在有源區(qū)表面形成存儲(chǔ)單元和外圍器件的柵氧介質(zhì)及控制柵；
步驟3 :在控制柵兩側(cè)的有源區(qū)同時(shí)形成存儲(chǔ)單元中第一 MOS管的源極和漏極、與第一 MOS管的源極同型的第二 MOS管的漏極或源極、與第一 MOS管的源極同型的所述外圍器件的源極和漏極；
步驟4 :在控制柵兩側(cè)的有源區(qū)同時(shí)形成與第一 MOS管源極反型的第二 MOS管的源極或漏極、與第一 MOS管的源極反型的外圍器件的源極和漏極。
進(jìn)一步地，只讀存儲(chǔ)器的制作方法中步驟3包括以下子步驟
步驟31 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；
步驟32 :去除即將形成的第一 MOS管漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分，同時(shí)去除即將形成的均與第一 MOS管源極同型的第二 MOS管漏極或源極及外圍器件漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分；
步驟33 :向去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成漏極和源極；
步驟34 :去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。
進(jìn)一步地,步驟32包括以下分步驟
將第一 MOS管漏極及源極的區(qū)域以及均與第一 MOS管源極同型的所述第二 MOS管的漏極的區(qū)域或源極區(qū)域和外圍器件漏極及源極區(qū)域定義在第一漏極及源極掩模板上；
通過(guò)第一漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除硅襯底表面對(duì)應(yīng)于第一漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
進(jìn)一步地，只讀存儲(chǔ)器的制作方法中步驟4包括以下子步驟
步驟41 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；
步驟42 :同時(shí)去除即將形成的均與第一 MOS管源極反型的第二 MOS管源極或漏極和外圍器件源極和漏極的區(qū)域上的光阻；
步驟43 :向去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行與第一 MOS管源極反型的離子注入，形成漏極和源極；
步驟44 :去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。
進(jìn)一步地，步驟42包括以下分步驟
提供第二漏極及源極掩模板，將均與第一 MOS管的源極反型的第二 MOS管的源極區(qū)域或漏極區(qū)域和外圍器件的源極及漏極區(qū)域定義在第二漏極及源極掩模板上；
通過(guò)第二漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除硅襯底表面對(duì)應(yīng)于第二漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
上述只讀存儲(chǔ)器及其制作方法中，存儲(chǔ)單元中漏極和源極同型的MOS管、漏極和源極反型的MOS管，這兩種不同結(jié)構(gòu)的MOS管可分別用于存儲(chǔ)二進(jìn)制里“O”和“I”信息。在其制作方法中，同一類(lèi)型的漏極、源極可以通過(guò)同一塊源極和漏極的掩模板同步制作，與常規(guī)MOS器件制作工藝兼容，無(wú)需額外的掩模板，因此可以省去傳統(tǒng)掩模只讀存儲(chǔ)器額外的掩模板。

圖1為本發(fā)明只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例中第一 MOS管結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例中第二 MOS管結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例中存儲(chǔ)單元部分版圖示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例提出了只讀存儲(chǔ)器及其制作方法，可省去傳統(tǒng)掩模只讀存儲(chǔ)器額外的掩模板，縮短只讀存儲(chǔ)器的制作周期及成本。
本實(shí)施例的只讀存儲(chǔ)器，包含若干個(gè)陣列排布的存儲(chǔ)單元。只讀存儲(chǔ)器包含兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。兩種存儲(chǔ)單元分別為圖1所示的第一 MOS管和圖2所示的第二 MOS 管。如圖1所示，第一 MOS管的源極14和漏極16同型，第二 MOS管的源極18和漏極20反型。
以兩種不同存儲(chǔ)單元均為P型存儲(chǔ)單元為例，圖1所示的第一 MOS管101的源極 14和漏極16則均為P型，圖2第二 MOS管102的漏極20為P型、源極18為N型。當(dāng)?shù)谝?MOS管101和第二 MOS管102的控制柵11加載操作電壓時(shí)第一 MOS管101可以導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)電流的初始寫(xiě)入或讀出；第二 MOS管102由于漏極20和源極18反型，無(wú)法導(dǎo)通；因此， 可以實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)器二進(jìn)制“O”和“I”信息的初始寫(xiě)入與讀出。由于P型存儲(chǔ)單元控制柵通常是加載負(fù)壓，圖2所示第二 MOS管的源極18為N型，通常在工作狀態(tài)下加載正低電位電壓，因此，圖2所示第二 MOS·管102在工作狀態(tài)時(shí)等同于反向偏置的二極管。在其他實(shí)施例中，第二 MOS管102漏極20為P型或N型，以及源極18為N型或P型可依據(jù)第二 MOS管 102工作的操作電壓而進(jìn)行選擇。只要滿足在實(shí)際的工作狀態(tài)下，第二MOS管102等同于反向偏置二極管即可。
以兩種不同存儲(chǔ)單元均為N型存儲(chǔ)單元為例，圖1所示的第一 MOS管101的源極 14和漏極16則均為N型，第二 MOS管102的漏極20則為N型、源極18則為P型。與存儲(chǔ)單元為P型存儲(chǔ)單元同理，當(dāng)?shù)谝?MOS管101和第二 MOS管102的控制柵11加載操作電壓時(shí)第一MOS管101可以導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)電流的初始寫(xiě)入或讀出；第二 MOS管102由于漏極20和源極18反型，無(wú)法導(dǎo)通；因此，可以實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)器二進(jìn)制“O”和“I”信息的初始寫(xiě)入與讀出。由于N型存儲(chǔ)單元控制柵通常是加載正壓，圖2所示第二 MOS管的源極18為P型，通常在工作狀態(tài)下加載正低電位電壓(通常是零電位)，因此，圖2所示第二 MOS管102在工作狀態(tài)時(shí)也等同于反向偏置的二極管。在其他實(shí)施例中，第二 MOS管102漏極20為P型或 N型，以及源極18為N型或P型可依據(jù)第二 MOS管102工作的操作電壓而進(jìn)行選擇。只要滿足在實(shí)際的工作狀態(tài)下，第二 MOS管102等同于反向偏置二極管即可。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖1和圖2，第一 MOS管101及第二 MOS管102均設(shè)有各自的控制柵極 11。如圖1所示，第一 MOS管101的漏極16和源極14距控制柵11之間均設(shè)有輕摻雜漏區(qū) 12 (LDD, lightly doped drain)。第二 MOS管102的漏極20和源極18距各自的控制柵極 11之間均設(shè)有輕摻雜漏區(qū)12。
上述只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例的制作方法，該只讀存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元以及存儲(chǔ)單元周邊的外圍器件，結(jié)合圖1和圖2，具體包括以下步驟
步驟1:提供硅襯底，在硅襯底同時(shí)形成存儲(chǔ)單元和外圍器件的有源區(qū)。該有源區(qū)就是晶圓上用于制作器件的位置。圖1和圖2制作的MOS管就基于有源區(qū)10進(jìn)行制作的。
步驟2 :在有源區(qū)表面形成存儲(chǔ)單元和外圍器件的柵氧介質(zhì)及控制柵。請(qǐng)參閱圖2 和圖3，存儲(chǔ)單元的柵氧介質(zhì)17和控制柵11在有源區(qū)10表面形成。存儲(chǔ)單元與外圍器件的柵氧介質(zhì)17及控制柵11均是同時(shí)制作形成的。
基于圖1和圖2所示存儲(chǔ)單元MOS管的結(jié)構(gòu)，步驟2是在步驟I之后實(shí)施的。
在本只讀存儲(chǔ)器的制作方法實(shí)施例中，在形成第一 MOS管、第二 MOS管和外圍器件的源極和漏極之前，即以下內(nèi)容描述的步驟3和步驟4之前，還包括以下步驟請(qǐng)參閱圖1和圖2，
步驟a :在控制柵11兩側(cè)的有源區(qū)10形成第一 MOS管、第二 MOS管和外圍器件的輕摻雜漏區(qū)12 ；
步驟b :在輕摻雜漏區(qū)12形成之后，在控制柵11兩側(cè)形成側(cè)壁13。在控制柵11 表面生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)層，例如氧化硅和氮化硅，然后進(jìn)行蝕刻形成側(cè)壁13。
步驟3 :請(qǐng)參閱圖1以及圖2，在控制柵11兩側(cè)的有源區(qū)10同時(shí)形成存儲(chǔ)單元中第一 MOS管的源極14和漏極16、與第一 MOS管101的源極14同型的第二 MOS管102的漏極20或源極18、與第一 MOS管101的源極14同型的外圍器件的源極和漏極。如上述只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例所描述，第二 MOS管102漏極20與源極18反型的結(jié)構(gòu)，為與目前的測(cè)試與工藝兼容，最好選擇第二 MOS管102的漏極20與第一 MOS管101的源極14同型，即第二 MOS 管102的漏極20與第一 MOS管101的源極14和漏極16是同時(shí)制作的。例如，存儲(chǔ)單元為 P型存儲(chǔ)單元，第一 MOS管101的漏極16、源極14和第二 MOS管102的漏極20均在整個(gè)只讀存儲(chǔ)器的制作工藝中P+離子注入這步完成。如若，存儲(chǔ)單元為N型存儲(chǔ)單元，第一MOS管 101的漏極16、源極14和第二 MOS管102的漏極20均在整個(gè)只讀存儲(chǔ)器的制作工藝中N+ 離子注入這步完成。如上述只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例所描述，第二 MOS管102也存在源極18與第一 MOS管101源極14同型的情況，視實(shí)際第二 MOS管102工作時(shí)加載的工作電壓而定。如若是第二 MOS管的源極與第一 MOS管的漏極和源極同型，因此制作時(shí)，第二 MOS管的源極、 第一 MOS管的漏極和源極就可同時(shí)制作。
只讀存儲(chǔ)器的制作方法實(shí)施例中步驟 3包括以下子步驟
步驟31 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；
步驟32 :去除即將形成的第一 MOS管漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分，同時(shí)去除即將形成的均與第一 MOS管源極同型的第二 MOS管漏極或源極及外圍器件漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分；
步驟33 :向去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成漏極和源極；
步驟34 :去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。
其中，步驟32包括以下分步驟
將第一 MOS管漏極及源極的區(qū)域以及均與第一 MOS管源極同型的所述第二 MOS管的漏極的區(qū)域或源極區(qū)域和外圍器件漏極及源極區(qū)域定義在第一漏極及源極掩模板上；
通過(guò)第一漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除硅襯底表面對(duì)應(yīng)于第一漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
步驟4:請(qǐng)參閱圖1和圖2，在控制柵11兩側(cè)的有源區(qū)10同時(shí)形成與第一 MOS管 101的源極14反型的第二 MOS管102的源極18或漏極20、與第一 MOS管101的源極14反型的外圍器件的源極和漏極。例如，存儲(chǔ)單元為P型存儲(chǔ)單元，第一 MOS管101的漏極16、 源極14均為P型。與第一 MOS管101源極14反型的第二 MOS管102的源極18則為N型。 第二MOS管102的源極18與只讀存儲(chǔ)器外圍器件的NMOS管的漏極和源極則同時(shí)可在N+離子注入這步完成。如若，存儲(chǔ)單元為N型存儲(chǔ)單元,第一 MOS管101的漏極16、源極14為N 型，則第二 MOS管102的源極18則為P型。第二 MOS管102的源極18與只讀存儲(chǔ)器外圍器件的PMOS管的漏極和源極則同時(shí)可在P+離子注入這步完成。與步驟3中描述得同理， 在其它實(shí)施例中，與第一 MOS管101源極反型的為第二 MOS管的漏端。原因在這就不反復(fù)贅述了。
只讀存儲(chǔ)器的制作方法實(shí)施例中步驟4包括以下子步驟
步驟41 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；
步驟42 :同時(shí)去除即將形成的均與第一 MOS管源極反型的第二 MOS管源極或漏極和外圍器件源極和漏極的區(qū)域上的光阻；
步驟43 :向去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行與第一 MOS管源極反型的離子注入，形成漏極和源極；
步驟44 :去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。
其中，步驟42包括以下分步驟
提供第二漏極及源極掩模板，將均與第一 MOS管的源極反型的第二 MOS管的源極區(qū)域或漏極區(qū)域和外圍器件的源極及漏極區(qū)域定義在第二漏極及源極掩模板上；
通過(guò)第二漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除硅襯底表面對(duì)應(yīng)于第二漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
步驟3和步驟4的順序在實(shí)際的制作過(guò)程中是可以調(diào)換的?？傊?，第二MOS管102 的漏極20和源極18是分兩次進(jìn)行制作N+離子注入和P+離子注入，分別通過(guò)第一漏極及源極掩模板和第二漏極及源極掩模板進(jìn)行。請(qǐng)參閱圖3所示的只讀存儲(chǔ)器實(shí)施例中存儲(chǔ)單元部分版圖示意圖，即第一漏極及源極掩模板和第二漏極及源極掩模板存儲(chǔ)單元部分的版圖疊加示意圖。以P型存儲(chǔ)單元為例，圖3所示有源區(qū)10對(duì)應(yīng)圖1和圖2中有源區(qū)，圖3所示控制柵11對(duì)應(yīng)圖1和圖2中的控制柵IUP+離子注入?yún)^(qū)域21進(jìn)行P型離子注入，同時(shí)形成圖1所示P型存儲(chǔ)單元的第一 MOS管101的源極14和漏極16，以及圖2所示第二 MOS 管102的漏極20。N+離子注入?yún)^(qū)域25形成第二 MOS管102的源極18。
通常只讀存儲(chǔ)器中外圍器件均包含NMOS和PMOS兩種類(lèi)型MOS管。因此，第二 MOS 管的漏極和源極的制作可分別置入兩種不同MOS管各自的漏極和源極的制作過(guò)程中。因此，只讀存儲(chǔ)器的制作與傳統(tǒng)只讀存儲(chǔ)器制作工藝兼容，沒(méi)有增加額外的掩模板與工藝步驟，且克服了傳統(tǒng)掩模只讀存儲(chǔ)器需要額外的掩模板進(jìn)行制作的弊端，縮短了只讀存儲(chǔ)器的制作周期和成本。
以上實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)， 在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種只讀存儲(chǔ)器，包含若干個(gè)陣列排布的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述只讀存儲(chǔ)器包含 兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元；所述兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元分別為第一 MOS管和第二 MOS管；所述第一 MOS管的源極和漏極同型，所述第二 MOS管的源極和漏極反型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，所述兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元均為P型存儲(chǔ)單元，所述第一 MOS管的源極和漏極為P型，所述第二 MOS管的漏極為P型、源極為N型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，所述兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元均為N型存儲(chǔ)單元，所述第一 MOS管的源極和漏極為N型，所述第二 MOS管的漏極為N型、源極為P型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一MOS管及所述第二 MOS管均設(shè)有各自的控制柵極，所述第一 MOS管及所述第二 MOS管的漏極和源極距各自的所述控制柵極之間均設(shè)有輕摻雜漏區(qū)。
5.一種如權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器的制作方法，所述只讀存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元以及存儲(chǔ)單元周邊的外圍器件，其特征在于，包括以下步驟 步驟1:提供硅襯底，在所述硅襯底同時(shí)形成所述存儲(chǔ)單元和外圍器件的有源區(qū)； 步驟2 :在所述有源區(qū)表面形成所述存儲(chǔ)單元和所述外圍器件的柵氧介質(zhì)及控制柵； 步驟3 :在所述控制柵兩側(cè)的有源區(qū)同時(shí)形成所述存儲(chǔ)單元中第一 MOS管的源極和漏極、與所述第一 MOS管的源極同型的第二 MOS管的漏極或源極、與所述第一 MOS管的源極同型的所述外圍器件的源極和漏極； 步驟4 :在所述控制柵兩側(cè)的有源區(qū)同時(shí)形成與所述第一 MOS管源極反型的第二 MOS管的源極或漏極、與所述第一 MOS管的源極反型的所述外圍器件的源極和漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的只讀存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述步驟3包括以下子步驟 步驟31 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻； 步驟32 :去除即將形成的所述第一 MOS管漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分，同時(shí)去除即將形成的均與所述第一 MOS管源極同型的所述第二 MOS管漏極或源極及所述外圍器件漏極和源極的區(qū)域上的光阻部分； 步驟33 :向所述去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成漏極和源極； 步驟34 :去除離子注入后殘留在所述硅襯底表面的光阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的只讀存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述步驟32包括以下分步驟 提供第一漏極及源極掩模板，將所述第一 MOS管漏極及源極的區(qū)域以及均與第一 MOS管源極同型的所述第二 MOS管的漏極的區(qū)域或源極區(qū)域和所述外圍器件漏極及源極區(qū)域定義在所述第一漏極及源極掩模板上； 通過(guò)所述第一漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除所述硅襯底表面對(duì)應(yīng)于第一漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的只讀存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述步驟4包括以下子步驟 步驟41 :在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；步驟42 :同時(shí)去除即將形成的均與所述第一 MOS管源極反型的所述第二 MOS管源極或漏極和所述外圍器件源極和漏極的區(qū)域上的光阻； 步驟43 :向所述去除了光阻的區(qū)域進(jìn)行與所述第一 MOS管源極反型的離子注入，形成漏極和源極； 步驟44 :去除離子注入后殘留在所述硅襯底表面的光阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的只讀存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述步驟42包括以下分步驟 提供第二漏極及源極掩模板，將均與所述第一 MOS管的源極反型的所述第二 MOS管的源極或漏極區(qū)域和所述外圍器件的源極及漏極區(qū)域定義在所述第二漏極及源極掩模板上； 通過(guò)所述第二漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除所述硅襯底表面對(duì)應(yīng)于所述第二漏極及源極掩模板定義的漏極區(qū)域及源極區(qū)域上的光阻部分。
全文摘要
一種只讀存儲(chǔ)器，包含若干個(gè)陣列排布的存儲(chǔ)單元。只讀存儲(chǔ)器包含兩種不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。兩種存儲(chǔ)單元分別為第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源極和漏極同型，第二MOS管的源極和漏極反型。因此，這兩種不同結(jié)構(gòu)的MOS管可分別用于存儲(chǔ)二進(jìn)制里“0”和“1”信息。在其制作方法中，同一類(lèi)型的漏極、源極可以同步做，無(wú)需額外的掩模板，可以省去傳統(tǒng)掩模只讀存儲(chǔ)器額外的掩模板。
文檔編號(hào)H01L21/8246GK103022040SQ20111030109
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者王鍇, 杜鵬, 蔡建祥, 許宗能 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司