專利名稱：超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，以減少化學(xué)機(jī)械拋光對超低介電常數(shù)薄膜產(chǎn)生損失的表面處理方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，當(dāng)半導(dǎo)體器件縮小至深亞微米的范圍時，互聯(lián)中的電阻(R)和電容(C)易產(chǎn)生寄生效應(yīng)，導(dǎo)致金屬連線傳遞的時間延遲(RC time delay)和信號串?dāng)_。因此，高性能的集成電路芯片需要盡可能低的連線電容電阻信號延遲和信號串?dāng)_。為此，需要低阻值材料如銅金屬線以及連線的層間及線間填充低介電常數(shù) (low k dielectric)的隔離材料來減少因寄生電阻與寄生電容引起的RC延遲時間，從而達(dá)到提高器件性能的目的。然而，當(dāng)金屬導(dǎo)線的材料由鋁轉(zhuǎn)換成電阻率更低的銅的時候，由于銅很快擴(kuò)散進(jìn)氧化硅和硅，且銅的蝕刻較為困難，因此，現(xiàn)有技術(shù)通過轉(zhuǎn)變到雙大馬士革結(jié)構(gòu)，然后填入銅來實現(xiàn)銅互聯(lián)，以促使低阻值材料如銅或低介電常數(shù)材料在集成電路生產(chǎn)工藝中的應(yīng)用?，F(xiàn)有比較通用的一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光工藝為例，可以參見圖IA至圖1F。首先，參見圖1A，提供一基底層100，在所述基底層100上形成第一蝕刻阻擋層 101，在第一蝕刻阻擋層(Etch Stop layer) 101上沉積第一介電層102，并在第一介電層 102和第一蝕刻阻擋層101中制作第一溝槽1062后，采用物理汽相沉積(physical vapor deposition, PVD)工藝形成第一擴(kuò)散阻擋層104。其次，參見圖1B，在第一擴(kuò)散阻擋層104上沉積金屬，形成第一溝槽電鍍銅 1062’，且對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，并停止在第一介電層102的表面上，使第一溝槽電鍍銅1062’的表面平坦化，并使第一溝槽電鍍銅1062’和第一介電層102的表
面平齊。接著，參見圖1C，在第一介電層102和第一溝槽電鍍銅1062’的表面上由下至上依次沉積第二蝕刻阻擋層108、第二介電層110、圖形化的光刻膠(圖中未示)，并以圖形化的光刻膠為掩膜蝕刻完成第一通孔112和第二溝槽114的制作，通過灰化工藝去除光刻膠。繼而，參見圖1D，在第二蝕刻阻擋層108的側(cè)壁、第二介電層110的表面和側(cè)壁上采用PVD濺射沉積第二擴(kuò)散阻擋層118。然后，參見圖1E，在第二擴(kuò)散阻擋層118上利用電鍍等工藝進(jìn)行填充沉積直至第一通孔112和第二溝槽114中填滿金屬120為止。最后，參見圖1F，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，并停止在第二介電層 110表面上，在進(jìn)行有效清潔后沉積另一介電材料，然后開始下一互連層的制備。目前在45納米以上技術(shù)，普遍采用的超低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)材料是多孔性的摻碳的氧化硅(carbon doped oxide)薄膜(K < 2. 7)。通過超低介電常數(shù)材料的使用，可以在不降低布線密度的條件下，有效的降低寄生效應(yīng)，減少了 RC互連延遲時間，從而提高集成電路的速度。但是，伴隨著介質(zhì)材料介電常數(shù)不斷減少的要求，介電材料的空隙率和含碳量不斷增加，而結(jié)構(gòu)變得越來越疏松，在許多工藝過程中，如上述技術(shù)方案的CMP工藝(圖 IB和圖IF所示)之后，由于摻碳氧化硅中存在著多孔，CMP進(jìn)行過程中會引入諸如研磨液等污染滲入到多孔中，從而改變介電常數(shù)，造成表層的損傷122和損傷122’。如果不能有效去除這些污染，否則，這些污染會對集成電路的性能、可靠性和產(chǎn)率產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。由此可見，引用這種新材料作為超低介電常數(shù)材料應(yīng)用于雙大馬士革結(jié)構(gòu)中時， 在形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)的過程中，所述CMP工藝對不同表面將產(chǎn)生不同水平的破壞，尤其介電層的區(qū)域，以及金屬表面，從而使諸如介電層區(qū)域中的超低介電常數(shù)薄膜的受損厚度增大，導(dǎo)致介電常數(shù)的變大。因此，這種新材料的引入增加了工藝整合難度。為此，如何有效地避免低介電常數(shù)材料損傷導(dǎo)致的介電常數(shù)提高，以及如何改善金屬層表面狀態(tài)，提高與下層的結(jié)合力，從而提高電遷移和應(yīng)力遷移性能，成為當(dāng)今一個尤為重要的課題。為了解決上述問題，在集成電路生產(chǎn)工藝中運用這些低阻值材料或低介電常數(shù)材料時，需要尋求解決辦法消除來自于CMP等工藝過程中對低介電常數(shù)材料的損傷，但在實際的實施過程中仍然存在相當(dāng)大的壁壘，亟待引進(jìn)能有效改善上述缺陷的新方法，以解決低阻值材料如銅和/或低介電常數(shù)材料等在集成電路生產(chǎn)工藝使用時面臨的最主要的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，以減少化學(xué)機(jī)械拋光對超低介電常數(shù)薄膜的損傷。為解決上述問題，本發(fā)明提出的一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括如下步驟提供一基底層，在所述基底層上由下至上依次沉積第一介質(zhì)阻擋層、第一介電層；采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝(PCVD)處理第一介電層的表面形成第一碳層；采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層，在第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層中形成第一溝槽，并在第一溝槽的側(cè)壁和第一碳層上形成第一擴(kuò)散阻擋層后，再進(jìn)行金屬沉積，形成第一溝槽電鍍銅，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第一碳層的表面上，再在第一碳層和第一溝槽電鍍銅的表面上由下至上依次沉積第二介質(zhì)阻擋層、第二介電層；采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第二介電層的表面形成第二碳層；采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第二碳層、第二介電層、第二介質(zhì)阻擋層，自上而下形成相連通的第一通孔和第二溝槽；在第一通孔的側(cè)壁和第二溝槽的內(nèi)表面以及第二碳層上沉積第二擴(kuò)散阻擋層；在第二擴(kuò)散阻擋層上進(jìn)行金屬沉積直至第一通孔和第二溝槽中填滿金屬為止，形成第一通孔電鍍銅和第二溝槽電鍍銅；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第二碳層表面上。
由上述技術(shù)方案可見，與傳統(tǒng)通用的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法相比，本發(fā)明公開的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，先通過在所述第一介質(zhì)阻擋層上沉積所述第一介電層(超低介電常數(shù)薄膜)和在所述第二介質(zhì)阻擋層上沉積所述第二介電層(超低介電常數(shù)薄膜)，所述超低介電常數(shù)薄膜通常采用的是多孔性的摻碳的氧化硅，隨后用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體工藝對超低介電常數(shù)薄膜表面即所述第一介電層和所述第二介電層的表面進(jìn)行處理，在所述第一介電層和所述第二介電層的表面上分別形成了一層疏水性的致密的第一碳層和第二碳層，所述第一碳層和第二碳層不會影響介質(zhì)層的介電常數(shù)。由于在所第一介電層表面上存在一層疏水性的致密的所述第一碳層、在所述第二介電層表面上存在一層疏水性的致密的所述第二碳層，因此，在后續(xù)的CMP工藝中，可以分別阻止研磨液進(jìn)入所述第一介電層和所述第二介電層的孔洞中，從而減少了 CMP對超低介電常數(shù)薄膜的損傷。因此，利用改進(jìn)的CMP工藝在超低介電常數(shù)薄膜中加工的雙大馬士革結(jié)構(gòu)能保持介質(zhì)層的介電常數(shù)不變。


圖IA至圖IF為現(xiàn)有技術(shù)中一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法。圖2為本發(fā)明一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光的方法流程。圖3A至圖3K為本發(fā)明一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。參見圖2，本發(fā)明所提供的一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法流程為SlOO 提供一基底層，在所述基底層上由下至上依次沉積第一介質(zhì)阻擋層、第一介電層；SlOl采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第一介電層的表面形成第一碳層；S102:采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層， 在第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層中形成第一溝槽，并在第一溝槽的側(cè)壁和第一碳層上形成第一擴(kuò)散阻擋層后，再進(jìn)行金屬沉積，形成第一溝槽電鍍銅，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第一碳層的表面上，再在第一碳層和第一溝槽電鍍銅的表面上由下至上依次沉積第二介質(zhì)阻擋層、第二介電層；S103:采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第二介電層的表面形成第二碳層；
S104:采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第二碳層、第二介電層、第二介質(zhì)阻擋層， 自上而下形成相連通的第一通孔和第二溝槽；S105:在第一通孔的側(cè)壁和第二溝槽的內(nèi)表面以及第二碳層上沉積第二擴(kuò)散阻擋層；S106:在第二擴(kuò)散阻擋層上進(jìn)行金屬沉積直至第一通孔和第二溝槽中填滿金屬為止，形成第一通孔電鍍銅和第二溝槽電鍍銅；S107 對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第二碳層的表面上。下面以圖2所示的方法流程為例，結(jié)合附圖3A至3J，對一種消除低介電常數(shù)材料損傷的后段工藝集成的制作工藝進(jìn)行詳細(xì)描述。SlOO 提供一基底層，在所述基底層上由下至上依次沉積第一介質(zhì)阻擋層、第一介電層。參見圖3A，提供一基底層300，在所述基底層300上由下至上依次沉積第一介質(zhì)阻擋層301、第一介電層302。SlOl 采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理所述第一介電層302 的表面，形成第一碳層303。參見圖;3B和圖3C，采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理所述第一介電層302的表面，形成一層疏水性的致密的第一碳層303，并且不會影響介質(zhì)層的介電常數(shù)。所述第一碳層303具有良好的黏附性和阻隔性，因此，所述第一碳層303可防止后續(xù)CMP工藝過程中由于研磨導(dǎo)致的因水而引起的潤滑或污染附著。所述碳?xì)浠衔餁怏w可以為CxHy氣體或CxHy氣體與其他氣體混合的CxHy化合物氣體。碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積的具體工藝參數(shù)包括工作壓力為3托至 8托，反應(yīng)溫度為200攝氏度至400攝氏度，反應(yīng)氣體為CxHy與He，其中，He與CxHy的氣體流量比為10至100。其中，射頻功率為50至200瓦，所述碳?xì)浠衔餁怏w流量為100至lOOOsccm。S102:采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層， 在第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層中形成第一溝槽，并在第一溝槽的側(cè)壁上形成第一擴(kuò)散阻擋層后，再進(jìn)行金屬沉積，形成第一溝槽電鍍銅，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第一碳層的表面上，再在第一碳層和第一溝槽電鍍銅的表面上由下至上依次沉積第二介質(zhì)阻擋層、第二介電層。首先，參見圖3D，采用蝕刻工藝由下至上依次蝕刻第一碳層303、第一介電層302 和第一介質(zhì)阻擋層301，在所述第一碳層303、所述第一介電層302和所述第一介質(zhì)阻擋層 301中進(jìn)行第一溝槽3062的制作，并在所述的第一溝槽3062的側(cè)壁以及第一碳層303上采用物理氣相沉積工藝(PVD)濺射沉積第一擴(kuò)散阻擋層304。然后，參見圖3E，隨后采用電鍍工藝沉積金屬，形成第一溝槽電鍍銅3062’，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在所述第一碳層303的表面上，使第一溝槽電鍍銅 3062’的表面平坦化，且使第一溝槽電鍍銅3062’的表面和第一碳層303的表面平齊。接著， 在第一碳層303和第一溝槽電鍍銅3062’表面上由下至上依次沉積第二介質(zhì)阻擋層308、第二介電層310。
S103:采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第二介電層的表面形
成第二碳層。參見圖3F和圖3G，采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第二介電層310的表面，形成一層疏水性的致密的第二碳層312，同樣不會影響介質(zhì)層的介電常數(shù)。所述第二碳層312的特性、作用、工藝參數(shù)等內(nèi)容可參見SlOl所描述的內(nèi)容，在此不再
一一贅述。S104:采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第二碳層、第二介電層、第二介質(zhì)阻擋層， 自上而下形成相連通的第一通孔和第二溝槽。參見圖3H，在第二碳層312上沉積圖形化的光刻膠(圖中未示)，并以圖形化的光刻膠為掩膜由上至下依次蝕刻第二碳層312、第二介電層310、第二介質(zhì)阻擋層308，并自上而下形成完全相連通的第一通孔3141和第二溝槽3142的制作，通過灰化工藝去除光刻膠。S105:在第一通孔的側(cè)壁和第二溝槽的內(nèi)表面以及第二碳層上沉積第二擴(kuò)散阻擋層。參見圖31，在第一通孔3141的側(cè)壁和第二溝槽3142的內(nèi)表面以及第二碳層312 上采用PVD濺射沉積第二擴(kuò)散阻擋層316。所述擴(kuò)散阻擋層的沉積可以防止金屬的擴(kuò)散和具有良好的黏附性，這里所述的擴(kuò)散阻擋層包括第一擴(kuò)散阻擋層304、第二擴(kuò)散阻擋層316。S106:在第二擴(kuò)散阻擋層上進(jìn)行金屬沉積直至第一通孔和第二溝槽中填滿金屬為止，形成第一通孔電鍍銅和第二溝槽電鍍銅。參見圖3J，在第二擴(kuò)散阻擋層316上利用電鍍等工藝進(jìn)行填充沉積直至第一通孔 3141和第二溝槽3142中填滿金屬318為止，形成第一通孔電鍍銅3141’和第二溝槽電鍍銅 3142，。S105 對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第二碳層的表面上。參見圖3K，利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝由上至下依次去除第二碳層312上的金屬318、 第二擴(kuò)散阻擋層316，同步去除第二溝槽3142之外的金屬318，當(dāng)金屬318減薄并完成互聯(lián)金屬層后，停止CMP工藝，通過CMP工藝可是使第二碳層312的表面沒有多余的金屬318，從而使表面平坦。在進(jìn)行有效清潔后沉積另一介電材料，然后開始下一互連層的制備。經(jīng)過上述步驟在通孔內(nèi)鑲嵌著金屬，這樣可以使通孔內(nèi)的金屬與用于金屬導(dǎo)線的溝槽中的材料相同，減少由通孔產(chǎn)生電遷移失效的問題，從而實現(xiàn)了銅替代鋁材料的高導(dǎo)電的導(dǎo)線與低介電常數(shù)材料之間的金屬連線工藝，降低了 RC時間延遲，提高集成電路的性能。由上述技術(shù)方案可知，與傳統(tǒng)通用的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法相比，本發(fā)明公開的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，先通過在所述第一介質(zhì)阻擋層上沉積所述第一介電層(超低介電常數(shù)薄膜)和在所述第二介質(zhì)阻擋層上沉積所述第二介電層(超低介電常數(shù)薄膜)，所述超低介電常數(shù)薄膜通常采用的是多孔性的摻碳的氧化硅，隨后用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體工藝對超低介電常數(shù)薄膜表面即所述第一介電層和所述第二介電層的表面進(jìn)行處理，在所述第一介電層和所述第二介電層的表面上分別形成了一層疏水性的致密的第一碳層和第二碳層，所述第一碳層和第二碳層不會影響介質(zhì)層的介電常數(shù)。由于在所第一介電層表面上存在一層疏水性的致密的第一碳層、在所述第二介電層表面上存在一層疏水性的致密的第二碳層，所述的第一碳層303和所屬的第二碳層312具有良好的黏附性和阻隔性，因此，在進(jìn)行CMP工藝的過程中，所述第一碳層303和所述第二碳層312可以分別阻止研磨液進(jìn)入多孔性的摻碳的所述第一介電層和所述第二介電層中，同時，防止了由于研磨導(dǎo)致的因水引起的潤滑或污染附著，從而減少了 CMP對超低介電常數(shù)薄膜的損傷。因此，利用改進(jìn)的CMP工藝在超低介電常數(shù)薄膜中加工的雙大馬士革結(jié)構(gòu)能保持介質(zhì)層的介電常數(shù)不變。當(dāng)然，本發(fā)明公開的一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法包括但不限于只有2 層介電層(所述介電層包括所述第一介電層和所述第二介電層)的結(jié)構(gòu)，若在實際生產(chǎn)過程中還需要進(jìn)行第三介電層或是第四介電層甚至更多的介電層的制作，也屬于本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括如下步驟提供一基底層，在所述基底層上由下至上依次沉積第一介質(zhì)阻擋層、第一介電層； 采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第一介電層的表面形成第一碳層；采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層，在第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層中形成第一溝槽，并在第一溝槽的側(cè)壁上形成第一擴(kuò)散阻擋層后，再進(jìn)行金屬沉積，形成第一溝槽電鍍銅，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第一碳層的表面上，再在第一碳層和第一溝槽電鍍銅的表面上由下至上依次沉積第二介質(zhì)阻擋層、第二介電層；采用碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝處理第二介電層的表面形成第二碳層；采用蝕刻工藝由上至下依次蝕刻第二碳層、第二介電層、第二介質(zhì)阻擋層，自上而下形成相連通的第一通孔和第二溝槽；在第一通孔的側(cè)壁和第二溝槽的內(nèi)表面以及第二碳層上沉積第二擴(kuò)散阻擋層； 在第二擴(kuò)散阻擋層上進(jìn)行金屬沉積直至第一通孔和第二溝槽中填滿金屬為止，形成第一通孔電鍍銅和第二溝槽電鍍銅；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，并停止在第二碳層表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于所述碳?xì)浠衔餁怏w等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的工作壓力為3托至8托，反應(yīng)溫度為200攝氏度至400攝氏度，反應(yīng)氣體為CxHy與He，其中，He與CxHy的氣體流量比為10至100。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于所述第一擴(kuò)散阻擋層和所述第二擴(kuò)散阻擋層的形成采用物理氣相沉積工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于所述金屬沉積采用電鍍工藝。
全文摘要
本發(fā)明提出一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括如下步驟采用碳?xì)浠衔餁怏w處理第一介電層的表面形成第一碳層；在第一碳層、第一介電層和第一介質(zhì)阻擋層中形成第一溝槽，對在第一溝槽側(cè)壁上形成的第一擴(kuò)散阻擋層上進(jìn)行金屬沉積后形成的第一溝槽電鍍銅進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，再沉積第二介質(zhì)阻擋層、第二介電層；采用碳?xì)浠衔餁怏w處理第二介電層的表面形成第二碳層；形成第一通孔和第二溝槽；沉積第二擴(kuò)散阻擋層；在第二擴(kuò)散阻擋層上對第一通孔和第二溝槽進(jìn)行金屬填充；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第二碳層上。本發(fā)明提供了一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，以減少化學(xué)機(jī)械拋光對超低介電常數(shù)薄膜產(chǎn)生損失的表面處理方法。
文檔編號H01L21/768GK102332399SQ201110301250
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者張文廣, 徐強(qiáng), 鄭春生, 陳玉文 申請人:上海華力微電子有限公司