專利名稱：發(fā)光二極管的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的封裝方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管的封裝方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種可將電轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體元件，憑借其發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保等優(yōu)點，已被廣泛地應(yīng)用到當(dāng)前的各個領(lǐng)域當(dāng)中。為提升發(fā)光元件的出光效率，通常將一反射型偏光增亮膜片(Dual BrightnessEnhancement Film,DBEF)設(shè)置在該封裝結(jié)構(gòu)的出光面上，以產(chǎn)生具有相同偏振方向的偏振光。所述反射型偏光片是采用多層光學(xué)薄膜技術(shù)的反射型增亮膜，其設(shè)置于背光源及下偏片之間，將被傳統(tǒng)吸收型偏光片吸收的光線加以循環(huán)利用，從而提升光學(xué)裝置的出光強(qiáng)度。然而，對于該反射型偏光片和所述發(fā)光二極管的結(jié)合，若采取直接膠粘的方式，所形成的結(jié)構(gòu)連接不夠穩(wěn)固，同時長時間連接膠的老化將影響發(fā)光二極管的出光效果；若在較高的溫度環(huán)境下直接結(jié)合該反射型偏光增亮膜片和發(fā)光二極管，則會對整個發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)造成損壞，尤其是由膠體材料形成的封裝層受到破壞，進(jìn)而影響該發(fā)光二極管的出光效果，故，有待進(jìn)一步改善。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種便于發(fā)光二極管和反射型偏光增亮膜片連接的發(fā)光二極管的封裝方法。一種發(fā)光二極管封裝方法，其步驟包括提供一封裝基板；蝕刻所述封裝基板的上表面形成若干反射杯并在該反射杯內(nèi)設(shè)置若干導(dǎo)電架，每一導(dǎo)電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；在該導(dǎo) 電架上形成以發(fā)光二極管兀件，所述發(fā)光二極管兀件與該第一電極及第二電極形成電性連接；在該封裝基板的各反射杯之間的上表面上設(shè)置若干連接塊；在該若干連接塊上設(shè)置反射型偏光增亮膜片；低溫共燒所述反射型偏光增亮膜片及連接塊，以通過連接塊將反射型偏光增亮膜片結(jié)合在該封裝基板上；及切割所述封裝基板以形成多個發(fā)光二極管封裝元件。與先前技術(shù)相比，該發(fā)光二極管在該反射部的上表面設(shè)置若干連接塊，將反射型偏光增亮膜片設(shè)置在LED的出光面上，通過低溫共燒的方式，使該封裝基板對應(yīng)反射部的區(qū)域和反射型偏光增亮膜片緊密結(jié)合在一起，同時該封裝基板對應(yīng)該熒光層的區(qū)域和反射式偏光增亮膜片相互間隔，從而既保證了所述封裝基板和所述反射型偏光增亮膜片的穩(wěn)固連接，同時也避免了該發(fā)光二極管在共燒的制程中受到破壞。


圖1至圖5為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造步驟示意圖。圖6至圖11為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造步驟示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝方法，其步驟包括提供一封裝基板；蝕刻所述封裝基板的上表面使封裝基板形成若干反射杯，并在每一反射杯內(nèi)設(shè)置一個導(dǎo)電架，每一個導(dǎo)電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；在各導(dǎo)電架上設(shè)置一發(fā)光二極管元件，并將發(fā)光二極管元件與該第一電極及第二電極形成電性連接；在該封裝基板的各反射杯之間的上表面上設(shè)置若干連接塊；在該若干連接塊上設(shè)置反射型偏光增亮膜片；低溫共燒所述反射型偏光增亮膜片及連接塊，以通過連接塊將反射型偏光增亮膜片結(jié)合在該封裝基板上；及切割所述封裝基板、反射型偏光增亮膜片及連接塊以形成多個發(fā)光二極管封裝元件。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于每一反射杯包括一承載部和貼設(shè)該承載部上表面的反射部，所述反射部圍成一收容空間，該反射部的下表面與所述承載部的部分上表面相貼合，所述第一電極和第二電極設(shè)于該承載部的上表面并外露于所述收容空間。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于可在發(fā)光元件上覆蓋形成一熒光層，所述熒光層設(shè)于該反射杯中并與所述反射部上表面有一段距離。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述若干連接塊設(shè)于該反射部的上表面上。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述反射型偏光增亮膜片為多層膜片交疊而成，且均由出光性好的透明材料制成。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于該膜片由兩種折射率為1.88及1. 64的化合物摻雜而成，每一膜片具有不同的折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于所述低溫共燒的溫度范圍為 850 0C -900 0C ο
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于低溫共燒步驟后，該封裝基板對應(yīng)熒光層區(qū)域和反射型偏光增亮膜片之間呈現(xiàn)一空隙。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于低溫共燒步驟后，所述封裝基板對應(yīng)反射部上表面區(qū)域和所述反射型偏光增亮膜片緊密結(jié)合在一起。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于提供若干相互分離的封裝基板，將所述若干封裝基板設(shè)于一載板上；蝕刻每一封裝基板的上表面使封裝基板形成若干反射杯，并在每一反射杯內(nèi)設(shè)置一個導(dǎo)電架，每一個導(dǎo)電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；在各導(dǎo)電架上設(shè)置一發(fā)光二極管元件，并將發(fā)光二極管元件與該第一電極及第二電極形成電性連接；在所述各發(fā)光二極管元件上形成一熒光層以覆蓋該發(fā)光二極管元件；在該封裝基板的各反射杯之間的第一表面上設(shè)置若干連接塊；在該若干連接塊上設(shè)置反射型偏光增亮膜片；低溫共燒所述反射型偏光增亮膜片及連接塊，以通過連接塊將反射型偏光增亮膜片結(jié)合在該封裝基板上；及 將所述若干封裝基板從該載板上分離以形成多個發(fā)光二極管封裝元件。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝方法，其步驟包括提供一封裝基板；蝕刻所述封裝基板的上表面形成若干反射杯并在該反射杯內(nèi)設(shè)置若干導(dǎo)電架，每一導(dǎo)電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；在該導(dǎo)電架上形成以發(fā)光二極管元件，所述發(fā)光二極管元件與該第一電極及第二電極形成電性連接；在該封裝基板的各反射杯之間的上表面上設(shè)置若干連接塊；在該若干連接塊上設(shè)置反射型偏光增亮膜片；低溫共燒所述反射型偏光增亮膜片及連接塊，以通過連接塊將反射型偏光增亮膜片結(jié)合在該封裝基板上；及切割所述封裝基板以形成多個發(fā)光二極管封裝元件。
文檔編號H01L33/00GK103050583SQ20111031164
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者張耀祖 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司