專利名稱：鍺硅hbt器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，特別是涉及一種鍺硅HBT(SiGe HBT)器件。
背景技術(shù)：
在射頻(RF，radio frequency)應(yīng)用中，需要越來(lái)越高的器件特征頻率(cutoff frequency,艮隨止頻率)。RF CMOS工藝雖可實(shí)現(xiàn)較高頻率，但仍難以完全滿足射頻要求，如很難實(shí)現(xiàn)40GHz 以上的特征頻率，而且其成本非常高?；衔锇雽?dǎo)體(compound semiconductor)可實(shí)現(xiàn)非常高的特征頻率，但存在材料成本高、尺寸小的缺點(diǎn)，加上大多數(shù)化合物半導(dǎo)體有毒，限制了其應(yīng)用。HBT(heterojunction bipolar transistor，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)則是超高頻器件的很好選擇。HBT由寬禁帶的發(fā)射區(qū)，重?fù)诫s、帶隙較小的基區(qū)和寬禁帶的集電區(qū)材料組成。 例如，發(fā)射區(qū)由硅構(gòu)成、基區(qū)由鍺硅構(gòu)成、集電區(qū)由硅構(gòu)成的鍺硅HBT。鍺硅HBT的基區(qū)能帶間隙比發(fā)射區(qū)小，提高了發(fā)射區(qū)的載流子注入效率，增大器件的電流放大倍數(shù)；并且利用基區(qū)的高摻雜，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率；另外與硅集成電路工藝高度兼容，因此鍺硅 HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主力軍。請(qǐng)參閱圖la，這是一種現(xiàn)有的鍺硅HBT的示意圖。硅襯底11中具有埋層13、隔離結(jié)構(gòu)14和集電區(qū)16。其中，埋層11在硅襯底11的內(nèi)部(不在表面)。隔離結(jié)構(gòu)14為介質(zhì)，且其底部在埋層13之中。集電區(qū)16在隔離結(jié)構(gòu)14之間，且其底部也在埋層13之中。 硅襯底11之上具有表面隔離結(jié)構(gòu)15(介質(zhì))和鍺硅基區(qū)外延層18。其中，表面隔離結(jié)構(gòu) 15在隔離結(jié)構(gòu)14之上。鍺硅基區(qū)外延層18在集電區(qū)16、隔離結(jié)構(gòu)14和表面隔離結(jié)構(gòu)15 之上。鍺硅基區(qū)外延層18在硅材料(集電區(qū)16)之上的部分為單晶材料，稱為單晶鍺硅基區(qū)外延層18a ；鍺硅基區(qū)外延層18在非硅材料(隔離結(jié)構(gòu)14、表面隔離結(jié)構(gòu)15)之上的部分為多晶材料，稱為多晶鍺硅基區(qū)外延層18b。在單晶鍺硅基區(qū)外延層18a之上具有發(fā)射極 20，發(fā)射極20通常為多晶硅材料，且呈現(xiàn)上寬下窄的T型結(jié)構(gòu)。在T形發(fā)射極20的肩膀部位下方、且在單晶鍺硅基區(qū)外延層18a的上方具有介質(zhì)19。在單晶鍺硅基區(qū)外延層18a之上、且在介質(zhì)19和發(fā)射極20的兩側(cè)具有側(cè)壁21 (介質(zhì))。所述鍺硅基區(qū)外延層18 (包括單晶鍺硅基區(qū)外延層18a和多晶鍺硅基區(qū)外延層 18b)具體又包括三層，如圖Ib所示，自上而下分別是覆蓋層181、鍺硅層182和緩沖層 183。請(qǐng)參閱圖2b，現(xiàn)有的鍺硅HBT器件中，覆蓋層181為η型摻雜的硅材料。鍺硅層 182為鍺硅材料，自上而下分為四個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜、P型摻雜、第二 η型摻雜、未摻雜，在圖2b中分別標(biāo)為①、②、③、④。所述第一 η型摻雜部分及其下方的P型摻雜部分之間的分界線稱為EB結(jié)，就是發(fā)射區(qū)20和基區(qū)18之間的PN結(jié)。圖2b中未表現(xiàn)出CB結(jié)， 即集電區(qū)16和基區(qū)18之間的PN結(jié)，這將由集電區(qū)16中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到鍺硅基區(qū)外延層18來(lái)實(shí)現(xiàn)。鍺硅基區(qū)外延層18中EB結(jié)與CB結(jié)之間的部分是實(shí)際的基區(qū)。緩沖層183為不摻雜的硅材料?，F(xiàn)有的鍺硅HBT器件的制造方法包括如下步驟第1步，在硅襯底11中刻蝕出溝槽，就是圖1中隔離結(jié)構(gòu)14的位置，例如采用淺槽隔離(STI)工藝。第2步，在所刻蝕溝槽的底部通過(guò)離子注入工藝形成埋層13，此時(shí)埋層可能為兩個(gè)獨(dú)立的部分，再經(jīng)過(guò)退火工藝，使埋層13在硅襯底11的中間相連接。第3步，以介質(zhì)材料填充所刻蝕溝槽，例如采用STI工藝。第4步，在硅襯底11中且在隔離結(jié)構(gòu)14之間以離子注入工藝注入η型雜質(zhì)形成集電區(qū)16。第5步，在硅襯底11的表面淀積一層介質(zhì)，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝在所淀積的介質(zhì)層上形成基區(qū)窗口，就是圖1中鍺硅基區(qū)外延層18與硅襯底11 (集電區(qū)16)和隔離結(jié)構(gòu) 14相接觸的部位，殘留的介質(zhì)作為表面隔離結(jié)構(gòu)15。第6步，在硅片表面通過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出鍺硅基區(qū)外延層18，外延工藝中摻雜P型雜質(zhì)(例如硼)，該鍺硅基區(qū)外延層18與硅(即集電區(qū)16)相接觸的部位形成了單晶鍺硅基區(qū)外延層18a，該鍺硅基區(qū)外延層18與非硅材料相接觸的部位(例如與介質(zhì)材料相接觸的部位)形成了多晶鍺硅基區(qū)外延層18b。第7步，在單晶鍺硅基區(qū)外延層18a之上淀積一層介質(zhì)層，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成發(fā)射極窗口，即圖1中τ形發(fā)射極20的底部位置。第8步，在硅片表面淀積一層多晶硅，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成T形發(fā)射極20。 剩余的第7步淀積的介質(zhì)層就是圖1中的介質(zhì)19。這一步可以直接淀積具有η型雜質(zhì)的多晶硅(在位摻雜)，也可以先淀積未摻雜的多晶硅再進(jìn)行η型雜質(zhì)的離子注入。無(wú)論哪一種方式，隨后都要進(jìn)行退火工藝，以使得η型雜質(zhì)在多晶硅中擴(kuò)散均勻。第9步，在硅片表面淀積一層介質(zhì)，并通過(guò)干法反刻工藝形成位于介質(zhì)19和發(fā)射極20兩側(cè)的側(cè)墻21。所述方法第8步在退火工藝前，沿圖1中χ軸硅片深度增加的方向的摻雜分布如圖加所示。就材料而言，只有鍺硅層182為鍺硅材料，其余均為硅材料。就摻雜而言，發(fā)射區(qū)(發(fā)射極20)為η型摻雜(例如為砷)。覆蓋層181為ρ型摻雜(例如為硼)。鍺硅層 182自上而下分為兩個(gè)部分，分別是ρ型摻雜部分和未摻雜部分，在圖加中分別標(biāo)為①、②。 緩沖層183未摻雜。集電區(qū)16為η型摻雜，其摻雜情況未圖示。所述方法第8步在退火工藝后，沿圖1中χ軸硅片深度增加的方向的摻雜分布如圖2b所示。主要變化有兩點(diǎn)一是覆蓋區(qū)181由退火前的ρ型摻雜變?yōu)橥嘶鸷蟮摩切蛽诫s。二是鍺硅區(qū)182根據(jù)摻雜類型劃分，由退火前的兩部分變?yōu)橥嘶鸷蟮乃牟糠?。這些變動(dòng)是由于發(fā)射區(qū)20中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到基區(qū)18所致，整個(gè)鍺硅HBT器件的EB結(jié)也是在退火工藝中形成。采用鍺硅HBT作為高頻器件應(yīng)用時(shí)，為了進(jìn)一步提高特征頻率，可以采用減薄基區(qū)和提高基區(qū)摻雜濃度這兩個(gè)手段。但是，基區(qū)摻雜濃度的提高會(huì)帶來(lái)EB結(jié)反向耐壓降低的負(fù)面影響。而基區(qū)減薄對(duì)精確控制基區(qū)寬度也帶來(lái)更高的要求，并且對(duì)工藝不穩(wěn)定性的容忍度也減低。為了形成合適的基區(qū)寬度，一方面需要精確控制多晶硅退火工藝的溫度和時(shí)間，使發(fā)射區(qū)中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)基區(qū)的深度適當(dāng)。如果發(fā)射區(qū)中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)太少，電流增益會(huì)太??；反之則會(huì)造成增益太大，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的反向擊穿電壓BVceo太小，工藝穩(wěn)定性不可控。另一方面，基區(qū)中的P型雜質(zhì)也會(huì)在多晶硅退火工藝中產(chǎn)生擴(kuò)散， 這會(huì)導(dǎo)致基區(qū)變寬，直接影響截止頻率，如何克服其影響將變得至關(guān)重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鍺硅HBT器件，其采用優(yōu)化的雜質(zhì)摻雜設(shè)計(jì)，可以精確控制基區(qū)寬度，并提高了器件和工藝的穩(wěn)定性。為此，本發(fā)明還要提供所述鍺硅HBT器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明鍺硅HBT器件包括有鍺硅基區(qū)外延層，所述鍺硅基區(qū)外延層包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；所述覆蓋層為η型摻雜的硅材料；所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜部分、P 型摻雜部分、第二 η型摻雜部分；所述第一 η型摻雜部分和ρ型摻雜部分之間的分界線作為 EB結(jié)；所述ρ型摻雜部分和第二 η型摻雜部分之間的分界線作為CB結(jié)；所述緩沖層為η型摻雜的硅材料。上述鍺硅HBT器件的制造方法包括有外延生長(zhǎng)形成鍺硅基區(qū)外延層、淀積多晶硅形成T型發(fā)射極的步驟；所述外延生長(zhǎng)形成鍺硅基區(qū)外延層的步驟中，在外延工藝中摻雜ρ型雜質(zhì)和η型雜質(zhì)，且所摻雜的P型雜質(zhì)濃度高于所摻雜的η型雜質(zhì)；所形成的鍺硅基區(qū)外延層包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；所述覆蓋層為η型摻雜的硅材料；所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜部分、P 型摻雜部分、第二 η型摻雜部分；所述第一 η型摻雜部分和ρ型摻雜部分之間的分界線作為 EB結(jié)；所述ρ型摻雜部分和第二 η型摻雜部分之間的分界線作為CB結(jié)；所述緩沖層為η型摻雜的硅材料；所述淀積多晶硅形成T型發(fā)射極的步驟中，或者直接淀積具有η型雜質(zhì)的多晶硅， 或者先淀積未摻雜的多晶硅再進(jìn)行η型雜質(zhì)的離子注入，隨后都要進(jìn)行退火工藝，以使得η 型雜質(zhì)在多晶硅中擴(kuò)散均勻。本發(fā)明鍺硅HBT器件及其制造方法通過(guò)優(yōu)化基區(qū)的摻雜分布，在整個(gè)基區(qū)中摻雜 η型雜質(zhì)，藉由外延生長(zhǎng)鍺硅基區(qū)外延層的步驟中精確控制摻入η型雜質(zhì)的濃度，與外延生長(zhǎng)鍺硅基區(qū)外延層的步驟中原本就存在的摻入P型雜質(zhì)的縱向位置、濃度相配合，從而精確控制EB結(jié)和CB結(jié)的位置，也就精確控制了基區(qū)的寬度。這種制造工藝能增加器件和工藝穩(wěn)定性，改善面內(nèi)的均勻性，減少原本為控制EB結(jié)位置的熱過(guò)程(退火溫度、時(shí)間)，可以精確控制鍺硅HBT的EB結(jié)、CB結(jié)位置及兩者的反向耐壓。


圖Ia是現(xiàn)有的鍺硅HBT器件的剖面示意圖；圖Ib是圖Ia中基區(qū)的剖面示意圖；圖加是現(xiàn)有的鍺硅HBT器件沿著χ軸的剖面分布(多晶硅退火工藝前)；
圖2b是現(xiàn)有的鍺硅HBT器件沿著χ軸的剖面分布(多晶硅退火工藝后)；圖3a是本發(fā)明鍺硅HBT器件沿著χ軸的剖面分布(多晶硅退火工藝前)；圖北是本發(fā)明鍺硅HBT器件沿著χ軸的剖面分布(多晶硅退火工藝后)。圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明11為硅襯底；13為埋層；14為隔離結(jié)構(gòu)；15為表面隔離結(jié)構(gòu)；16為集電區(qū)；18為鍺硅基區(qū)外延層；18a為單晶鍺硅基區(qū)外延層；18b為多晶鍺硅基區(qū)外延層；181為覆蓋層； 182為鍺硅層；183為緩沖層；19為介質(zhì)；20為多晶硅發(fā)射極；21為側(cè)壁。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明鍺硅HBT器件的主要結(jié)構(gòu)未作變化，仍如背景技術(shù)部分所述及圖la、圖Ib 所示。有變化的僅為鍺硅基區(qū)外延層18中的摻雜類型。請(qǐng)參閱圖北，本發(fā)明鍺硅HBT器件中，覆蓋層181為η型摻雜的硅材料，其下表面與硅(集電區(qū)16)相接觸。鍺硅層182為鍺硅材料，自上而下分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜、ρ型摻雜、第二 η型摻雜，在圖北中分別標(biāo)為①、②、③。EB結(jié)就是所述第一 η型摻雜部分及其下方的ρ型摻雜部分之間的分界線，就是發(fā)射區(qū)20和基區(qū)18之間的PN結(jié)。CB結(jié)為所述ρ型摻雜部分及其下方的第二 η型摻雜部分之間的分界線，也就是集電區(qū)16和基區(qū)18之間的PN結(jié)。鍺硅基區(qū)外延層18中且在EB結(jié)和CB結(jié)之間的區(qū)域?yàn)閷?shí)際的基區(qū)。緩沖層183為η型摻雜的硅材料，其上表面與介質(zhì)19的底面、T型發(fā)射極20的底面、側(cè)壁21的底面相接觸。整個(gè)基區(qū)18的η型摻雜雜質(zhì)例如為砷、磷。本發(fā)明鍺硅HBT器件的制造方法的主要步驟未作變化，仍如背景技術(shù)部分所述。 有變化的僅為以下步驟第6步，在硅片表面通過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出鍺硅基區(qū)外延層18?，F(xiàn)有方法在外延工藝中僅摻雜P型雜質(zhì)(例如硼)。本發(fā)明所述方法在外延工藝中摻雜P型雜質(zhì)和η型雜質(zhì) (例如砷、磷)。所摻雜的P型雜質(zhì)濃度高，用于控制基區(qū)18的摻雜濃度。所摻雜的η型雜質(zhì)濃度低，用于調(diào)節(jié)EB結(jié)和CB結(jié)的位置。第8步，在硅片表面淀積多晶硅并形成T形發(fā)射極20。這一步可以直接淀積具有 η型雜質(zhì)的多晶硅(在位摻雜)，也可以先淀積未摻雜的多晶硅再進(jìn)行η型雜質(zhì)的離子注入。無(wú)論哪一種方式，隨后都要進(jìn)行退火工藝，以使得η型雜質(zhì)在多晶硅中擴(kuò)散均勻?，F(xiàn)有方法是由該退火工藝來(lái)控制EB結(jié)在基區(qū)18中的位置(比如在鍺硅層182中)，其對(duì)退火的溫度、時(shí)間和多晶硅中的摻雜濃度要求很高。本發(fā)明所述方法由于在基區(qū)18已摻入η型雜質(zhì)，EB結(jié)的位置已經(jīng)形成不需要依賴退火工藝來(lái)控制，因此對(duì)退火的溫度和時(shí)間要求較低。所述方法第6步需要在外延工藝中同時(shí)摻雜ρ型雜質(zhì)、η型雜質(zhì)，并需要控制雜質(zhì)的縱向位置、濃度。這在工藝上可以通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn)不同的雜質(zhì)由通入不同氣體源來(lái)實(shí)現(xiàn)；位置和濃度由外延生長(zhǎng)過(guò)程中的相應(yīng)時(shí)間段通入相應(yīng)濃度的氣體源來(lái)控制。所述方法第8步的退火工藝，允許發(fā)射區(qū)20中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到覆蓋層181，也允許其擴(kuò)散到鍺硅層182的第一 η型摻雜部分，但不允許其擴(kuò)散到鍺硅層182的ρ型摻雜部分。這在工藝上可以通過(guò)控制退火時(shí)間和溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，為了實(shí)現(xiàn)少擴(kuò)散，可以采用更低的退火溫度。退火溫度越低，雜質(zhì)擴(kuò)散的越慢，工藝上就越好實(shí)現(xiàn)和能夠控制得更好。 最終的雜質(zhì)分布，可以通過(guò)SIMS(二次離子質(zhì)譜儀)來(lái)確認(rèn)，以保證它有沒有擴(kuò)散到鍺硅層182的ρ型摻雜部分。本發(fā)明所述方法第8步在退火工藝前，沿圖1中χ軸硅片深度增加的方向的摻雜分布如圖3a所示。就材料而言，只有鍺硅層182為鍺硅材料，其余均為硅材料。就摻雜而言，發(fā)射區(qū)(發(fā)射極20)為η型摻雜(例如為砷)。覆蓋層181為η型摻雜。鍺硅層182自上而下分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜部分、ρ型摻雜部分和第二 η型摻雜部分，在圖 3a中分別標(biāo)為①、②、③。此時(shí)EB結(jié)和CB結(jié)均已形成。緩沖層183為η型摻雜。集電區(qū) 16為η型摻雜，其摻雜情況未圖示。所述方法第8步在退火工藝后，沿圖1中χ軸硅片深度增加的方向的摻雜分布如圖北所示。主要變化有兩點(diǎn)一是覆蓋區(qū)181由退火前的較低濃度的η型摻雜變?yōu)橥嘶鸷筝^高濃度的η型摻雜。二是鍺硅區(qū)182根據(jù)摻雜類型劃分在退火前后保持三部分不變， 也就是EB結(jié)和CB結(jié)的位置均未改變，只是其中第一 η型摻雜部分(圖3a、圖北中均標(biāo)為 ①)的η型摻雜濃度變高。這些變動(dòng)是由于發(fā)射區(qū)20中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到基區(qū)18所致， 整個(gè)鍺硅HBT器件的EB結(jié)和CB結(jié)在退火工藝之前已形成，該退火工藝對(duì)EB結(jié)和CB結(jié)的位置沒有影響。本發(fā)明鍺硅HBT器件中，EB結(jié)和CB結(jié)的位置是由鍺硅層182中的ρ型雜質(zhì)和η型雜質(zhì)的縱向分布、濃度所決定的，與后續(xù)退火工藝無(wú)關(guān)，因而本發(fā)明的鍺硅HBT器件精確控制了基區(qū)寬度。本發(fā)明鍺硅HBT器件的制造方法中，對(duì)多晶硅中的雜質(zhì)進(jìn)行擴(kuò)散的退火工藝只要求實(shí)現(xiàn)多晶硅中的雜質(zhì)分布均勻，并擴(kuò)散進(jìn)鍺硅基區(qū)外延層中的覆蓋層或鍺硅層的第一 η 型摻雜部分即可。無(wú)需這一步退火來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)EB結(jié)成型的控制。因此退火工藝的溫度可降低，和/或退火時(shí)間可減少，大大提高工藝窗口，增加工藝穩(wěn)定性。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍺硅HBT器件，包括有鍺硅基區(qū)外延層，所述鍺硅基區(qū)外延層包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；其特征是所述覆蓋層為η型摻雜的硅材料；所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜部分、P型摻雜部分、第二 η型摻雜部分；所述第一 η型摻雜部分和ρ型摻雜部分之間的分界線作為EB 結(jié)；所述P型摻雜部分和第二 η型摻雜部分之間的分界線作為CB結(jié)；所述緩沖層為η型摻雜的硅材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述覆蓋層、鍺硅層和緩沖層中的 η型雜質(zhì)包括磷、砷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述鍺硅層中的ρ型雜質(zhì)包括硼。
4.一種制造如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT器件的方法，包括有外延生長(zhǎng)形成鍺硅基區(qū)外延層、淀積多晶硅形成T型發(fā)射極的步驟；其特征是所述外延生長(zhǎng)形成鍺硅基區(qū)外延層的步驟中，在外延工藝中摻雜P型雜質(zhì)和η型雜質(zhì)， 且所摻雜的P型雜質(zhì)濃度高于所摻雜的η型雜質(zhì)；所形成的基區(qū)包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；所述覆蓋層為η型摻雜的硅材料；所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個(gè)部分，分別是第一 η型摻雜部分、ρ型摻雜部分、第二 η型摻雜部分；所述第一 η型摻雜部分和ρ型摻雜部分之間的分界線作為EB 結(jié)；所述P型摻雜部分和第二 η型摻雜部分之間的分界線作為CB結(jié)；所述緩沖層為η型摻雜的硅材料；所述淀積多晶硅形成T型發(fā)射極的步驟中，或者直接淀積具有η型雜質(zhì)的多晶硅，或者先淀積未摻雜的多晶硅再進(jìn)行η型雜質(zhì)的離子注入，隨后都要進(jìn)行退火工藝，以使得η型雜質(zhì)在多晶硅中擴(kuò)散均勻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述淀積多晶硅形成 T型發(fā)射極的步驟中，退火工藝使多晶硅中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到覆蓋層，或者擴(kuò)散到鍺硅層的第一 η型摻雜部分，但禁止其擴(kuò)散到鍺硅層的P型摻雜部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍺硅HBT器件，包括有鍺硅基區(qū)外延層，所述鍺硅基區(qū)外延層包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；所述覆蓋層為n型摻雜的硅材料；所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個(gè)部分，分別是第一n型摻雜部分、p型摻雜部分、第二n型摻雜部分；所述第一n型摻雜部分和p型摻雜部分之間的分界線作為EB結(jié)；所述p型摻雜部分和第二n型摻雜部分之間的分界線作為CB結(jié)；所述緩沖層為n型摻雜的硅材料。本發(fā)明還公開了制造所述鍺硅HBT器件的方法。本發(fā)明能增加器件和工藝穩(wěn)定性，改善面內(nèi)的均勻性，減少原本為控制EB結(jié)位置的熱過(guò)程(退火溫度、時(shí)間)，可以精確控制鍺硅HBT的EB結(jié)、CB結(jié)位置及兩者的反向耐壓。
文檔編號(hào)H01L29/06GK102412283SQ20111031725
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者劉冬華, 段文婷, 石晶, 胡君, 錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司