專利名稱：液晶顯示器及其制造方法
液晶顯示器及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例總地涉及平板顯示器。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例涉及液晶顯示器構(gòu)造及其制造。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是當(dāng)前使用的平板顯示器的較常用的類型之一，通常包括其上形成有場(chǎng)產(chǎn)生電極(諸如像素電極和公共電極等)的兩片顯示面板以及插置在這兩片顯示面板之間的液晶層。
液晶顯示器通過(guò)施加電壓到場(chǎng)產(chǎn)生電極而在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，并通過(guò)所產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)確定液晶層的液晶分子的方向，由此控制入射光的偏振從而顯示圖像。
液晶顯示器的透射率可以通過(guò)對(duì)液晶分子的適當(dāng)控制而增大。
同時(shí)，液晶顯示器的每個(gè)像素電極與開關(guān)器件連接，開關(guān)器件又與信號(hào)線諸如柵極線、數(shù)據(jù)線等連接。
開關(guān)器件是諸如薄膜晶體管等的三端器件，開關(guān)器件通過(guò)其輸出端傳輸數(shù)據(jù)電壓到像素電極。
在這些液晶顯示器中的一些中，像素電極和公共電極可以提供在單個(gè)顯示面板上。在此情形下，由于數(shù)據(jù)線與像素電極之間的電容耦合導(dǎo)致的場(chǎng)扭曲(field distortion)，可能在數(shù)據(jù)線附近發(fā)生光泄露。
在本背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此它可以包含不屬于現(xiàn)有技術(shù)的信息。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過(guò)其中像素電極和公共電極形成在單個(gè)顯示面板上的結(jié)構(gòu)增大了液晶顯示器的透射率，防止了由于數(shù)據(jù)線和像素電極之間的電容耦合引起的光泄露，并且減小了數(shù)據(jù)線的負(fù)載。
此外，本發(fā)明致力于增大液晶層在其顯示區(qū)域中的場(chǎng)產(chǎn)生效率。
本發(fā)明一示范性實(shí)施例提供一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于第一基板和第二基板之間；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于第一基板上；像素電極，設(shè)置于第一基板上用于從第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓；以及公共電極，設(shè)置于第一基板上且交疊像素電極的至少一部分和第一數(shù)據(jù)線。像素電極和公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，像素電極和公共電極中的另一個(gè)具有至少大致平面形狀。
該液晶顯示器還可以包括鈍化層，該鈍化層具有約3. 5或更小的介電常數(shù)且包括設(shè)置在公共電極和第一數(shù)據(jù)線之間的第一部分。
鈍化層的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
鈍化層可以包括有機(jī)材料。
該液晶顯示器還可以包括與該第一數(shù)據(jù)線相鄰且設(shè)置在與該第一數(shù)據(jù)線相同的層中的第二數(shù)據(jù)線，其中鈍化層還可以包括設(shè)置在公共電極與第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且第一部分和第二部分可以彼此間隔開。
該液晶顯示器還可以包括與第一數(shù)據(jù)線相鄰且設(shè)置在與第一數(shù)據(jù)線相同的層中的第二數(shù)據(jù)線，其中鈍化層還可以包括設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間的第三部分， 且第一部分的厚度可以大于第三部分的厚度。
像素電極和公共電極中的至少一個(gè)可以包括透明導(dǎo)電材料。
本發(fā)明另一示范性實(shí)施例提供一種制造液晶顯示器的方法，該方法包括在基板上形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括第一數(shù)據(jù)線；在基板上形成像素電極；在基板上形成公共電極，該公共電極交疊像素電極的至少一部分和第一數(shù)據(jù)線；以及形成鈍化層，該鈍化層具有設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和公共電極之間的第一部分且具有約3. 5或更小的介電常數(shù)。像素電極和公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，像素電極和公共電極中的另一個(gè)具有至少大致平面形狀。
鈍化層的形成還可以包括在公共電極與第一數(shù)據(jù)線之間沉積有機(jī)材料；以及通過(guò)使用光掩模曝光所沉積的有機(jī)材料來(lái)形成鈍化圖案，該鈍化圖案包括交疊第一數(shù)據(jù)線的第二部分和具有比第二部分的厚度小的厚度的第三部分。
光掩?？梢园ㄅ渲脼閭鬏敼獾耐该鲄^(qū)域、配置為阻擋光的不透明區(qū)域以及配置為傳輸部分入射光的半透明區(qū)域。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體的形成還可以包括形成與第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，該鈍化圖案的第二部分可以交疊該第二數(shù)據(jù)線。
制造液晶顯示器的方法還可以包括蝕刻鈍化圖案以及灰化鈍化圖案。
鈍化圖案的灰化可以包括去除第三部分。
制造液晶顯示器的方法還可以包括形成在鈍化層之下的絕緣層，其中鈍化圖案的蝕刻還可以包括蝕刻該絕緣層。
鈍化層的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)，像素電極和公共電極中的至少一個(gè)可以包括透明導(dǎo)電材料。
本發(fā)明另一示范性實(shí)施例提供一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于該第一基板和該第二基板之間；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于第一基板上；公共電極，設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線上方且交疊第一數(shù)據(jù)線，該公共電極具有至少大致平面形狀；像素電極，設(shè)置于公共電極上方以用于從第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，該像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極；以及鈍化層，設(shè)置于第一基板上，該鈍化層具有約3. 5 或更小的介電常數(shù)，該鈍化層還具有設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線和公共電極之間的第一部分。
鈍化層的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
鈍化層可以包括有機(jī)材料。
該液晶顯示器還可以包括與該第一數(shù)據(jù)線相鄰且設(shè)置在與該第一數(shù)據(jù)線相同的層中的第二數(shù)據(jù)線，其中該鈍化層還包括設(shè)置在該公共電極與該第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且第一部分和該第二部分彼此間隔開。
本發(fā)明另一示范性實(shí)施例提供一種制造液晶顯示器的方法，該方法包括在基板上形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括第一數(shù)據(jù)線；在第一數(shù)據(jù)線上方形成公共電極，該公共電極交疊第一數(shù)據(jù)線；在公共電極上方形成像素電極；以及形成鈍化層，該鈍化層具有設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和公共電極之間的第一部分且具有約3. 5或更小的介電常數(shù)，其中像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極且公共電極具有至少大致平面形狀。
形成鈍化層還可以包括在形成公共電極之前，在第一數(shù)據(jù)線上沉積有機(jī)材料； 以及通過(guò)使用光掩模曝光所沉積的有機(jī)材料來(lái)形成鈍化圖案，該鈍化圖案包括交疊第一數(shù)據(jù)線的第二部分和具有比該第二部分的厚度小的厚度的第三部分。
形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體還可以包括形成與第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，鈍化圖案的第二部分交疊第二數(shù)據(jù)線。
該方法還可以包括蝕刻鈍化圖案以及灰化鈍化圖案。
灰化鈍化圖案還可以包括去除第三部分。
本發(fā)明另一示范性實(shí)施例提供一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于第一基板和第二基板之間；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于第一基板上；公共電極，設(shè)置于第一基板上且交疊第一數(shù)據(jù)線；以及像素電極，設(shè)置于公共電極上方用于從第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，該像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極。
該液晶顯示器還可以包括鈍化層，包括設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和公共電極之間的第一部分，該鈍化層包括有機(jī)材料。
鈍化層可以具有約3. 5或更小的介電常數(shù)。
鈍化層的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
該液晶顯示器還可以包括與該第一數(shù)據(jù)線相鄰且設(shè)置在與該第一數(shù)據(jù)線相同的層中的第二數(shù)據(jù)線，其中鈍化層還包括設(shè)置在公共電極與第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且第一部分和第二部分彼此間隔開。
鈍化層還可以包括第三部分，該第三部分連接第一部分和第二部分從而該鈍化層可以至少部分地覆蓋第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線。
該液晶顯示器還可以包括設(shè)置在第二基板上的光阻擋構(gòu)件。
光阻擋構(gòu)件可以位于兩個(gè)相鄰的像素電極之間，該兩個(gè)相鄰的像素電極設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線的相反兩側(cè)。
光阻擋構(gòu)件的寬度可以等于或小于該兩個(gè)相鄰像素電極之間的距離。
公共電極可以具有與第一基板和第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀。
本發(fā)明另一示范性實(shí)施例提供一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于第一基板和第二基板之間；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于第一基板上；第一像素電極，設(shè)置于第一基板上且與第一數(shù)據(jù)線電連接從而配置來(lái)從第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓；公共電極，設(shè)置于第一基板上且交疊第一像素電極和第一數(shù)據(jù)線；以及第一鈍化層，設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線上且包括有機(jī)材料，其中第一像素電極和公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，第一像素電極和公共電極中的另一個(gè)具有與第一基板和第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀，且第一鈍化層包括覆蓋第一數(shù)據(jù)線的第一部分。
該液晶顯示器還可以包括與第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，其中第一鈍化層還包括覆蓋第二數(shù)據(jù)線的第二部分，且第一部分和第二部分彼此間隔開。
第一鈍化層可以設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線與公共電極之間。
該液晶顯示器還可以包括與第一像素電極相鄰的第二像素電極；以及光阻擋構(gòu)件，覆蓋第一像素電極與第二像素電極之間的區(qū)域。
光阻擋構(gòu)件的位于第一像素電極和第二像素電極之間的部分的寬度可以等于或小于第一像素電極與第二像素電極之間的距離。
第一像素電極可以設(shè)置在公共電極上方，第一像素電極可以包括多個(gè)分支電極， 公共電極具有大致平面形狀。
第一部分的厚度可以大于第三部分的厚度。
第一鈍化層的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，通過(guò)在單個(gè)基板上形成具有基本平面形狀的電極和包括分支電極的電極，液晶分子運(yùn)動(dòng)的效率可以增大，從而可以增大液晶顯示器的透射率。
此外，公共電極的一部分覆蓋數(shù)據(jù)線以減小光泄露，且通過(guò)在數(shù)據(jù)線和公共電極之間插置具有低電容率的鈍化層或包括有機(jī)材料的鈍化層，數(shù)據(jù)線和公共電極的寄生電容可以減小，從而可以減小數(shù)據(jù)線的信號(hào)延遲。
此外，鈍化層僅設(shè)置在數(shù)據(jù)線和公共電極之間，或者備選地，設(shè)置在顯示區(qū)域中的鈍化層形成得薄，從而可以增大液晶層中的場(chǎng)產(chǎn)生效率且防止由于鈍化層引起的高度臺(tái)階差異導(dǎo)致的配向?qū)尤毕莼虿季€缺陷。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖2和3各自示出沿圖1的液晶顯示器的線II-II和線III-III取得的剖視圖的示范性實(shí)施例；
圖4和5各自示出沿圖1的液晶顯示器的線II-II和線III-III取得的剖視圖的另一示范性實(shí)施例；
圖6是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖7和8是各自沿圖6的液晶顯示器的線VII-VII和線VIII-VIII取得的剖視圖9是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖10和11是各自沿圖9的液晶顯示器的線X-X和線XI-XI取得的剖視圖12是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖13和14是各自沿圖12的液晶顯示器的線XIII-XIII和線XIV-XIV取得的剖視圖15、18、21和對(duì)是布局圖，順序示出在根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的圖1至5 所示的液晶顯示器的制造方法的中間步驟的液晶顯示器；
圖16、19、22、25、27和29是沿圖15、18、21和24的液晶顯示器的線XVI-XVI、線XIX-XIX、線XXII-XXII和線XXV-XXV取得的依序的剖視圖17、20、23、26、28和30是沿圖15、18、21和24的液晶顯示器的線XVII-XVII、線XX-XX、線XXIII-XXIII和線XXVI-XXVI取得的依序的剖視圖31是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的像素電極或公共電極的平面圖32是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖33和34是各自根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例沿圖32的液晶顯示器的線 XXXIII-XXXIII 和線 XXXIV-XXXIV 取得的剖視圖35和36是各自根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例沿圖32的液晶顯示器的線 XXXIII-XXXIII 和線 XXXIV-XXXIV 取得的剖視圖37和38是各自根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例沿圖32的液晶顯示器的線 XXXIII-XXXIII 和線 XXXIV-XXXIV 取得的剖視圖39是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖40和41是各自根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例沿圖39的液晶顯示器的線XL-XL 和線XLI-XLI取得的剖視圖42和43是各自根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例沿圖39的液晶顯示器的線XL-XL 和線XLI-XLI取得的剖視圖44和45是各自根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例沿圖39的液晶顯示器的線XL-XL 和線XLI-XLI取得的剖視圖；以及
圖46、47、48、49和50是各自根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液
附圖標(biāo)記說(shuō)明
3 液晶層31 液晶分子
110,210 基板100,200 顯示面板
121 柵極線124 柵極電極
125:公共電壓線131、131m 公共電極
140 柵極絕緣層
151,154 半導(dǎo)體161、163、165 歐姆接觸
171 數(shù)據(jù)線173 源極電極
175 漏極電極180a、180b、180c、180d
181、182、183、194 接觸孔191、191m 像素電極
220 光阻擋構(gòu)件
230 濾色器250 上涂層具體實(shí)施方式
在下文將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示范性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式修改，而都不偏離本發(fā)明的精神或范圍。
在附圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為了清晰而被夸大。整個(gè)說(shuō)明書中，相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。將理解，當(dāng)元件諸如層、膜、區(qū)域或基板被稱為在另一元件上時(shí)， 它可以直接在另一元件上或者還可以存在居間元件。相反，當(dāng)元件被稱為直接在另一元件上時(shí)，則沒有居間元件存在。
首先，將參照?qǐng)D1、2、3、4和5描述根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖2和3 分別示出圖1的液晶顯示器的一個(gè)實(shí)施例沿線II-II和線III-III取得的剖視圖，圖4和115分別示出圖1的液晶顯示器的另一實(shí)施例沿線II-II和線III-III取得的剖視圖。
這些實(shí)施例的液晶顯示器包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200以及插置在兩個(gè)顯示面板100和200之間的液晶層3。
首先，下面將描述下顯示面板100。
包括多條柵極線121和多條公共電壓線125的多個(gè)柵極導(dǎo)體形成在絕緣基板110上。
柵極線121傳輸柵極信號(hào)且基本沿水平方向延伸。每條柵極線121包括基本向上突出的多個(gè)柵極電極124。
公共電壓線125可以傳輸預(yù)定電壓諸如公共電壓Vcom，可以基本沿水平方向延伸，并可以與柵極線121基本平行。
每條公共電壓線125可以包括多個(gè)擴(kuò)展部126。
柵極絕緣層140形成在柵極導(dǎo)體121和125上。柵極絕緣層140可以由無(wú)機(jī)絕緣材料等制成，例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等。
多個(gè)線形半導(dǎo)體151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)線形半導(dǎo)體151基本沿垂直方向延伸，多個(gè)半導(dǎo)體突出1 從每個(gè)線形半導(dǎo)體151朝向柵極電極IM延伸。
多個(gè)線形歐姆接觸161和多個(gè)島歐姆接觸165形成在線形半導(dǎo)體151上。線形歐姆接觸161具有朝向柵極電極IM延伸的多個(gè)突出163。突出163和島歐姆接觸165彼此面對(duì)地成對(duì)形成在柵極電極1 上方，并設(shè)置在半導(dǎo)體突出巧4上。歐姆接觸161和165 由用諸如磷等的η型雜質(zhì)以高濃度摻雜的諸如η+氫化非晶硅等的材料制成，或者可以由硅化物制成。
包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸161和165上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)且基本沿垂直方向延伸，以交叉柵極線121和公共電壓線125。每條數(shù)據(jù)線171包括朝向柵極電極IM延伸的多個(gè)源極電極173。
漏極電極175包括面對(duì)源極電極173的基本條形末端以及具有比該條形末端更寬的區(qū)域的另一末端。
柵極電極124、源極電極173和漏極電極175與半導(dǎo)體突出IM—起共同地形成開關(guān)器件，即薄膜晶體管(TFT)。
線形半導(dǎo)體151可以具有與數(shù)據(jù)線171、漏極電極175以及設(shè)置在其下的歐姆接觸161和165基本相同的平面形狀，除了其上設(shè)置薄膜晶體管的半導(dǎo)體突出巧4之外。在整個(gè)說(shuō)明書和權(quán)利要求書中，“平面形狀”可以意味著所考慮的元件在基本平行于絕緣基板 110表面的平面中具有特定形狀。換言之，“平面形狀”可意味著相關(guān)元件在與包括兩條數(shù)據(jù)線171的平面、包括兩條柵極線121的平面或者包括數(shù)據(jù)線171和柵極線121兩者的平面基本平行的平面中具有特定形狀。
像素電極191形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上。
像素電極191可以由透明導(dǎo)電材料諸如ΙΤ0、IZO等制成。
像素電極191設(shè)置在薄膜晶體管的漏極電極175上從而覆蓋且直接接觸部分漏極電極175，像素電極191還包括與柵極絕緣層140接觸的部分。像素電極191從漏極電極 175接收數(shù)據(jù)電壓。
備選地，由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料制成的鈍化層(未示出)可以進(jìn)一步設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上，像素電極191可以設(shè)置在鈍化層上。在此情形下，像素電極191可以通過(guò)鈍化層中的接觸孔(未示出)從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓。
像素電極191具有填充被柵極線121和數(shù)據(jù)線171圍繞的區(qū)域的大部分的平面形狀。
像素電極191的基本形狀可以是具有與柵極線121和數(shù)據(jù)線171大致平行的四條邊的矩形。像素電極191的位于薄膜晶體管附近的邊緣可以被切角(chamfer)，但是像素電極191的形狀不限于此。
第一鈍化層180a形成在像素電極191、數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上。第一鈍化層180a可以由無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料制成。
多個(gè)接觸孔182形成在第一鈍化層180a和柵極絕緣層140上以暴露公共電壓線 125的一部分，例如擴(kuò)展部126的一部分。
參照?qǐng)D2和3，第二鈍化層180c形成在第一鈍化層180a上。根據(jù)示范性實(shí)施例的第二鈍化層180c沿?cái)?shù)據(jù)線171形成，覆蓋數(shù)據(jù)線171。
第二鈍化層180c可以由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料制成，其相對(duì)介電常數(shù)可以為約3. 5 或更小。根據(jù)所使用的測(cè)量方法，第二鈍化層180c的相對(duì)介電常數(shù)可以有約10%的偏差。 當(dāng)?shù)诙g化層180c包括有色材料諸如用于濾色器的材料時(shí)，考慮到包括在有色材料中的顏料或染料的相對(duì)介電常數(shù)，第二鈍化層180c的相對(duì)介電常數(shù)可以增大到約4. 5。特別地， 優(yōu)選的是第二鈍化層180c的介電常數(shù)小于第一鈍化層180a的介電常數(shù)。比較相對(duì)電容率 (permittivity)，第二鈍化層180c的介電常數(shù)可以小于下面的第一鈍化層180a或柵極絕緣層140的介電常數(shù)。
第二鈍化層180c的厚度可以在從約0.5μπι到約3.0μπι的范圍內(nèi)。第二鈍化層 180c的介電常數(shù)越低，其厚度可以越薄。
備選地，參照?qǐng)D4和5，第二鈍化層180b形成在第一鈍化層180a上。
第二鈍化層180b形成在第一鈍化層180a的整個(gè)表面上，因此，它也設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線171之間。
此外，第一鈍化層180a和柵極絕緣層140兩者的接觸孔182延伸到第二鈍化層 180b，從而接觸孔182形成為穿過(guò)柵極絕緣層140、第一鈍化層180a和第二鈍化層180b。
第二鈍化層180b覆蓋數(shù)據(jù)線171，且包括沿?cái)?shù)據(jù)線171設(shè)置的較厚部分180c'。
在圖4和5所示的示范性實(shí)施例中，第一鈍化層180a可以被省略。
此外，第二鈍化層180b的特性與上面描述的圖2和3所示的第二鈍化層180c的特性基本相同。
多個(gè)公共電極131形成在第二鈍化層180c和180b上。
公共電極131可以由透明導(dǎo)電材料諸如ITO、IZO等制成。
每個(gè)公共電極131包括覆蓋數(shù)據(jù)線171以及第二鈍化層180c和180b的垂直部分 135、彼此間隔開且同時(shí)設(shè)置在兩個(gè)垂直部分135之間的多個(gè)分支電極133、以及連接多個(gè)分支電極133的末端的下水平部分13 和上水平部分132b。
垂直部分135基本平行于數(shù)據(jù)線171且交疊數(shù)據(jù)線171從而覆蓋數(shù)據(jù)線171。下水平部分13 和上水平部分132b可以基本平行于柵極線121。
多個(gè)分支電極133可以基本彼此平行且相對(duì)于柵極線121的延伸方向形成斜角， 其中斜角可以為45度或更大。
上分支電極133和下分支電極133可以通常關(guān)于公共電極131的虛擬水平中心線具有彼此的翻轉(zhuǎn)對(duì)稱性(inversion symmetry)。
相鄰的公共電極131通過(guò)垂直部分135彼此連接。
公共電極131部分地交疊像素電極191。特別地，公共電極131的至少兩個(gè)相鄰分支電極133交疊像素電極191。
公共電極131通過(guò)接觸孔182從公共電壓線125接收預(yù)定電壓，諸如公共電壓 Vcom0
接下來(lái)，將描述上顯示面板200。光阻擋構(gòu)件220和濾色器230形成在絕緣基板 210 上。
光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在相鄰的像素電極191之間且防止像素電極191之間的光泄露，并定義面對(duì)像素電極191的開口區(qū)域。光阻擋構(gòu)件220包括覆蓋設(shè)置在數(shù)據(jù)線171兩側(cè)的兩個(gè)相鄰像素電極191之間的區(qū)域的部分。因此，光阻擋構(gòu)件220可以覆蓋沿兩個(gè)相鄰像素電極191之間的區(qū)域延伸的數(shù)據(jù)線171。光阻擋構(gòu)件220的寬度可以基本等于或小于兩個(gè)相鄰像素電極191之間的距離。例如，光阻擋構(gòu)件220的邊緣與相鄰像素電極191 的邊緣之間的距離可以為0(零)或更大(當(dāng)沿基板110的上表面的法線觀察時(shí))，且可以小于兩個(gè)相鄰像素電極191之間的距離。光阻擋構(gòu)件220防止光從相鄰像素電極191之間泄露出去。
濾色器230形成在被光阻擋構(gòu)件220圍繞的區(qū)域中，且可以沿像素電極191的列方向伸長(zhǎng)。每個(gè)濾色器230可以顯示原色諸如紅、綠和藍(lán)等之一。
上涂層250可以進(jìn)一步形成在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230上。
配向?qū)?1和21可以施加在兩個(gè)顯示面板100和200的內(nèi)表面上(即在面板100、 200的彼此面對(duì)的表面上)且可以是水平配向?qū)印?br> 在圖1所示的示范性實(shí)施例中，公共電極131的分支電極133傾斜得更靠近垂直方向，即數(shù)據(jù)線171沿其延伸的方向。配向?qū)?1和21的配向方向可以是垂直方向。
插置于下顯示面板100和上顯示面板200之間的液晶層3包括液晶分子31，其中液晶分子31可以被配向?yàn)槭沟卯?dāng)電場(chǎng)不存在時(shí)液晶分子31的主軸形成得相對(duì)于兩個(gè)顯示面板100和200的表面基本水平。
當(dāng)數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191且公共電壓Vcom施加到公共電極131時(shí)，電場(chǎng)產(chǎn)生于液晶層3中，從而確定液晶層3的液晶分子31的方向以顯示相應(yīng)圖像。
特別地，像素電極191在數(shù)據(jù)線171和柵極線121圍繞的顯示區(qū)域中是基本平坦的，使得它能通過(guò)圖3中的箭頭表示的電場(chǎng)控制顯示區(qū)域的大部分中的液晶分子31的方向 (除了公共電極131的分支電極133的中心線附近的部分之外)，從而增大液晶顯示器的透射率。特別地，因?yàn)殡妶?chǎng)可以由于具有平面形狀的像素電極191而甚至產(chǎn)生在公共電極的分支電極133之上，所以與具有與公共電極的分支電極交替設(shè)置的分支的像素電極(IPS模式)相比，根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的液晶顯示器的透射率可以進(jìn)一步增大。
在本發(fā)明示范性實(shí)施例中，公共電極131的垂直部分135在寬度方向上交疊數(shù)據(jù)線171從而覆蓋數(shù)據(jù)線171，從而可以減小數(shù)據(jù)線171和像素電極191之間的串?dāng)_并減小由于數(shù)據(jù)線171和相鄰的像素電極191之間的寄生電容引起的光泄露。也就是，公共電極131 的垂直部分135的至少一部分置于像素電極191和數(shù)據(jù)線171之間，減小數(shù)據(jù)線171和像素電極191之間的串?dāng)_和光泄露。
此外，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，具有低電容率的第二鈍化層180c或180b插置在數(shù)據(jù)線171和上面的公共電極131的垂直部分135之間，從而可以降低數(shù)據(jù)線171和上面的公共電極131之間的寄生電容，以減小數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲。
特別地，如圖2和圖3的示范性實(shí)施例中所描述的，第二鈍化層180c僅形成在數(shù)據(jù)線171的上部分上。備選地，如圖4和圖5的示范性實(shí)施例中所描述的，第二鈍化層180b 在數(shù)據(jù)線171上或附近較厚而在其它地方較薄。以此方式，設(shè)置在第二鈍化層180c和180b 之下的像素電極191可以增大顯示器的場(chǎng)產(chǎn)生效率。
此外，當(dāng)?shù)诙g化層180c和180b的電容率減小時(shí)，其厚度可以進(jìn)一步減小，使得在顯示區(qū)域中場(chǎng)產(chǎn)生效率可以進(jìn)一步增大，從而可以進(jìn)一步增大透射率。
通過(guò)減小第二鈍化層180c和180b的厚度，該構(gòu)造也用于防止由于高度上的臺(tái)階差引起的配向?qū)尤毕菀约安季€缺陷諸如斷開。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，具有較低介電常數(shù)的第二鈍化層180c和180b的位置不限于圖1至5描述的示范性實(shí)施例中所示的那些。特別地，它們可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171 和公共電極131之間的任何層中。
接下來(lái)將參照?qǐng)D6、7和8描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的液晶顯示器。
與上述示范性實(shí)施例相同的部件用相同的附圖標(biāo)記指示，對(duì)其的描述將大部分被省略。
圖6是根據(jù)本發(fā)明該示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖7和圖 8每個(gè)是沿圖6的液晶顯示器的線VII-VII和線VIII-VIII取得的剖視圖。
本發(fā)明的該示范性實(shí)施例類似于圖1至5所示的示范性實(shí)施例，但是在數(shù)據(jù)線 171、像素電極191、公共電極131以及位于它們之間的層間絕緣層的結(jié)構(gòu)上存在差異。
將主要描述與圖1至5的示范性實(shí)施例的差異。
根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)線171以周期性方式彎曲，由此相對(duì)于柵極線 121的延伸方向形成斜角。
數(shù)據(jù)線171和柵極線121的延伸方向的斜角可以為約45度或更大。
第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上，像素電極191形成在第一鈍化層180a上。
第一鈍化層180a包括暴露部分漏極電極175的接觸孔181，像素電極191通過(guò)接觸孔181電連接到漏極電極175。
像素電極191具有填充被柵極線121和數(shù)據(jù)線171圍繞的區(qū)域的大部分的基本平面形狀，且具有幾乎平行于柵極線121和數(shù)據(jù)線171的邊。
像素電極191的垂直邊與數(shù)據(jù)線171的垂直邊類似地彎曲，從而處于與數(shù)據(jù)線171 基本平行，且兩側(cè)可以被切角，盡管本發(fā)明不必局限于這樣的構(gòu)造。
第二鈍化層180b形成在像素電極191上，公共電極131形成在第二鈍化層180b上。
多個(gè)接觸孔182形成在柵極絕緣層140、第一鈍化層180a和第二鈍化層180b上以暴露公共電壓線125的擴(kuò)展部126的至少一部分。
公共電極131通過(guò)接觸孔182電連接到公共電壓線125以從公共電壓線125接收預(yù)定電壓，諸如公共電壓Vcom等。
公共電極131包括垂直部分135，彎曲且同時(shí)在寬度方向上交疊數(shù)據(jù)線171以覆蓋數(shù)據(jù)線171 ；多個(gè)分支電極133，彼此間隔開且同時(shí)設(shè)置于兩個(gè)垂直部分135之間且基本平行于垂直部分135延伸；以及下水平部分13 和上水平部分132b，連接多個(gè)分支電極 133的末端。
公共電極131的垂直部分135在寬度方向上交疊數(shù)據(jù)線171從而覆蓋數(shù)據(jù)線171。
第一鈍化層180a和第二鈍化層180b設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和公共電極131之間。這些鈍化層中的至少一個(gè)可以由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料諸如SiOC或者有機(jī)絕緣材料和無(wú)機(jī)絕緣材料的混合物等形成，其介電常數(shù)可以為約3. 5或更低。鈍化層中的至少一個(gè)的相對(duì)介電常數(shù)可以有約10%的偏差。
第一鈍化層180a或第二鈍化層180b的介電常數(shù)可以小于柵極絕緣層140的介電常數(shù)。
第一鈍化層180a或第二鈍化層180b的厚度可以在從約0. 5 μ m至約3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
此外，上述圖1和5的示范性實(shí)施例的第二鈍化層180c和180b的任何一個(gè)或更多特性和效果也可以應(yīng)用到本實(shí)施例的第一鈍化層180a或第二鈍化層180b。
接下來(lái)將參照?qǐng)D9、10和11描述根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的液晶顯示器。
與上述示范性實(shí)施例相同的部件用相同的附圖標(biāo)記指示，對(duì)其的任何冗余描述將被省略。
圖9是本發(fā)明該實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖10和11每個(gè)是圖 9的液晶顯示器沿線X-X和線XI-XI取得的剖視圖。
本發(fā)明該實(shí)施例類似于圖1至5所示的示范性實(shí)施例，但是在像素電極191、公共電極131以及位于像素電極191和公共電極131之間的層間絕緣層的結(jié)構(gòu)上具有差異。
將主要描述與圖1至5所示的示范性實(shí)施例的差異。
第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上，第三鈍化層180d形成在第一鈍化層180a上。第三鈍化層180d沿?cái)?shù)據(jù)線171形成從而覆蓋數(shù)據(jù)線171。
第三鈍化層180d的特性與上述圖1至3的示范性實(shí)施例的第二鈍化層180c的特性基本相同，因此對(duì)其的任何詳細(xì)描述將被省略。
第三鈍化層180d可以形成在基板110的基本整個(gè)表面上以及在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線171之間，就像上述圖1、4和5的實(shí)施例的第二鈍化層180b —樣。在該情況下，第三鈍化層180d可以在它交疊數(shù)據(jù)線171的地方較厚。
公共電極131m形成在第一鈍化層180a和第三鈍化層180d上。
第一鈍化層180a和柵極絕緣層140包括接觸孔184，接觸孔184暴露公共電壓線 125的擴(kuò)展部126的至少一部分，公共電極131m通過(guò)接觸孔184與公共電壓線125電連接以從公共電壓線125接收預(yù)定電壓諸如公共電壓Vcom。
與上述示范性實(shí)施例不同，公共電極131m具有基本平面形狀且在基板110的基本整個(gè)表面上形成于多個(gè)像素之上。
第二鈍化層180b形成在公共電極131m上，像素電極191m形成在第二鈍化層180b上。
第一鈍化層180a和第二鈍化層180b提供有多個(gè)接觸孔183以暴露漏極電極175 的一部分。
像素電極191m包括基本彼此平行地延伸且彼此間隔開的多個(gè)分支電極19 !以及連接分支電極19 !!的端部的下和上水平部分19^1。
當(dāng)數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191m且公共電壓施加到公共電極131m時(shí)，電場(chǎng)產(chǎn)生在液晶層3中。
本發(fā)明的本實(shí)施例的像素電極191m至少部分地交疊公共電極131m。特別地，像素電極191m的至少兩個(gè)相鄰分支電極19 !交疊平面形狀的公共電極131m。
在本發(fā)明的本實(shí)施例中，像素電極191m設(shè)置在公共電極131m上方，公共電極131m 同時(shí)覆蓋多條數(shù)據(jù)線171且還交疊數(shù)據(jù)線171。
因此，如在以上示范性實(shí)施例中那樣，可以減小數(shù)據(jù)線171和像素電極191之間的串?dāng)_且減小由于數(shù)據(jù)線171和相鄰像素電極191之間的寄生電容引起的光泄露。
此外，由于第三鈍化層180d具有較低電容率且插置在數(shù)據(jù)線171和公共電極131m 之間，所以數(shù)據(jù)線171和公共電極131m之間的寄生電容可以減小，從而可以降低數(shù)據(jù)線171 的信號(hào)延遲。
此外，第三鈍化層180d的特性和效果可以與上述圖1至5所示的示范性實(shí)施例的第二鈍化層180c和180b基本相同。
與上述若干實(shí)施例不同的是，傳輸公共電壓的公共電極可以直接設(shè)置在基板110 上，或者可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171以下的層中。即使在該情況下，公共電極可以形成為交疊數(shù)據(jù)線，從而防止液晶顯示器中的光泄露。此外，絕緣層可以具有較低的介電常數(shù)且可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線和公共電極之間以減小數(shù)據(jù)線的信號(hào)延遲。
此外，通過(guò)減小設(shè)置在數(shù)據(jù)線和公共電極之間的絕緣層的厚度，場(chǎng)產(chǎn)生效率可以在液晶層中增大，并且可以減少由于臺(tái)階差引起的缺陷。
接下來(lái)將參照?qǐng)D12、13和14描述根據(jù)本發(fā)明又一示范性實(shí)施例的液晶顯示器。
與上述示范性實(shí)施例相同的部件由相同的附圖標(biāo)記指示且對(duì)其的描述將被省略。
圖12是根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖13和14是圖 12的液晶顯示器分別沿線XIII-XIII和線XIV-XIV取得的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明的該示范性實(shí)施例的液晶顯示器類似于圖9至11所示的示范性實(shí)施例，但是在數(shù)據(jù)線171、像素電極191、公共電極131以及位于它們之間的層間絕緣層的結(jié)構(gòu)上具有差異。
將主要說(shuō)明與圖9至11所示的示范性實(shí)施例的差異。
本發(fā)明該實(shí)施例的數(shù)據(jù)線171在每個(gè)像素區(qū)域中是彎曲的，從而相對(duì)于柵極線 121形成斜角。
數(shù)據(jù)線171的斜角可以為約45度或更大。
第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上，公共電極131m形成在第一鈍化層180a上。
第一鈍化層180a和柵極絕緣層140包括接觸孔184以暴露公共電壓線125的擴(kuò)展部126的至少一部分，公共電極131m通過(guò)接觸孔184與公共電壓線125電連接從而從公共電壓線125接收預(yù)定電壓諸如公共電壓Vcom。
公共電極131m具有基本平面形狀且在基板110的基本整個(gè)表面上形成于多個(gè)像--1 ο
第二鈍化層180b形成在公共電極131m上，像素電極191m形成在第二鈍化層180b上。
第一鈍化層180a和第二鈍化層180b提供有多個(gè)接觸孔183以暴露部分漏極電極 175，像素電極191m通過(guò)接觸孔183與漏極電極175電連接從而接收數(shù)據(jù)電壓。
像素電極191m包括彼此間隔開且同時(shí)基本彼此平行地延伸的多個(gè)分支電極19 ! 以及連接分支電極19 !!的上和下末端的上和下水平部分19^1。
像素電極191m的分支電極19 !可以沿?cái)?shù)據(jù)線171彎曲，使得分支電極19 !很大程度上具有與數(shù)據(jù)線171相同的形狀(也就是說(shuō)，在數(shù)據(jù)線171的彎曲部分中，電極19 ! 保持平行于數(shù)據(jù)線171)。
數(shù)據(jù)電壓和公共電壓分別施加到像素電極191m和公共電極131m，從而在液晶層3 中產(chǎn)生電場(chǎng)。
在本示范性實(shí)施例中，像素電極191m設(shè)置在公共電極131m上方，公共電極131m 覆蓋多條數(shù)據(jù)線171。
因此，類似于以上示范性實(shí)施例，可以減小數(shù)據(jù)線171和像素電極191之間的串?dāng)_，且減小由于數(shù)據(jù)線171和相鄰的像素電極191之間的寄生電容引起的光泄露。
此外，第一鈍化層180a(設(shè)置于數(shù)據(jù)線171和公共電極131m之間)可由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成，其介電常數(shù)可以為約3. 5或更小。取決于所采用的測(cè)量方法，第二鈍化層180a的該相對(duì)介電常數(shù)可以存在約10%的偏差。
第一鈍化層180a的介電常數(shù)可以低于柵極絕緣層140和第二鈍化層180b中的任一個(gè)或者二者的介電常數(shù)。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，第一鈍化層180a的厚度可以在從約0.5μπι至約 3.0μπι的范圍內(nèi)，第一鈍化層180a的厚度可以與其介電常數(shù)基本成比例。也就是說(shuō)，第一鈍化層180a的介電常數(shù)越低，其厚度可以越薄。
如上所述，數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲可以通過(guò)降低第一鈍化層180a的介電常數(shù)而減小。
沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸且覆蓋數(shù)據(jù)線171的額外鈍化層(未示出)可以進(jìn)一步形成在第一鈍化層180a上。該額外鈍化層還可以包括覆蓋兩條數(shù)據(jù)線171之間的區(qū)域的部分。
在該情況下，覆蓋數(shù)據(jù)線171的鈍化層(未示出)可具有約3. 5或更小的介電常數(shù)。取決于所使用的測(cè)量方法，該鈍化層的該相對(duì)介電常數(shù)可以存在約10%的偏差。
此外，上述圖9至11所示的示范性實(shí)施例的第三鈍化層180d的各種特性和效果可以應(yīng)用到本發(fā)明的示范性實(shí)施例的第一鈍化層180a。
下面將描述制造本發(fā)明的液晶顯示器的下顯示面板的方法。
將參照?qǐng)D15至30描述制造圖1至5所示的液晶顯示器的下顯示面板100的方法。
圖15、18、21和對(duì)是布局圖，順序示出在其制造中的中間步驟的圖1至5所示的液晶顯示器。圖16、19、22、25、27和四是圖15、18、21和M的液晶顯示器沿線XVI-XVI、線 XIX-XIX、線XXII-XXII和線XXV-XXV取得的依次剖視圖，圖17、20、23、26、28和30是圖15、 18,21和24的液晶顯示器沿線XVII-XVII、線XX-XX、線ΧΧΙΙΙ-ΧΧΙΙΙ和線XXIV-XXIV取得的依次剖視圖。
首先，參照?qǐng)D15、16和17，多個(gè)柵極導(dǎo)體121和125(包括具有柵極電極124的多條柵極線121和具有擴(kuò)展部126的多條公共電壓線12 形成在絕緣基板110上，柵極絕緣層140堆疊于其上。
接下來(lái)，參照?qǐng)D18、19和20，半導(dǎo)體層(未示出)、摻雜有一種或更多雜質(zhì)的半導(dǎo)體層(未示出)、以及數(shù)據(jù)導(dǎo)電層(未示出)順序堆疊在柵極絕緣層140上。然后，用單個(gè)掩模通過(guò)曝光和蝕刻形成多個(gè)線形半導(dǎo)體151 (包括半導(dǎo)體突出154、多個(gè)歐姆接觸161和 165以及多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括具有源極電極173的多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175)。
接下來(lái)，參照?qǐng)D21、22和23，透明導(dǎo)電材料諸如ΙΤ0、IZO等堆疊在數(shù)據(jù)導(dǎo)體上且被蝕刻，由此形成多個(gè)表面型像素電極191。
接下來(lái)，參照?qǐng)D24、25和沈，可由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成的第一鈍化層180a堆疊在像素電極191上。
然后，具有約3. 5或更小的介電常數(shù)的有機(jī)材料堆疊在第一鈍化層180a上且通過(guò)曝光和顯影形成由有機(jī)層形成的第二鈍化圖案180cl。
第二鈍化圖案ISOcl包括設(shè)置在數(shù)據(jù)線171的上部分上的較厚部分和具有比該較厚部分小的厚度的較薄部分。
如上所述，使用具有半透明區(qū)域的光掩模的方法可以被用作使第二鈍化圖案 ISOcl的厚度根據(jù)位置而改變的方法。
當(dāng)?shù)诙g化圖案ISOcl具有負(fù)光敏性(即在光不照射的部分中更容易被去除) 時(shí)，光掩模的區(qū)域A是半透明的以透射部分光，區(qū)域B是透明的以透射光，區(qū)域C是不透明的以阻擋光。
因此，在第二鈍化圖案ISOcl中，對(duì)應(yīng)于光掩模的區(qū)域A的部分形成為具有較小的厚度，對(duì)應(yīng)于區(qū)域B的部分形成為具有較大的厚度，對(duì)應(yīng)于區(qū)域C的部分被去除。
區(qū)域A的光掩?？梢园ㄖT如狹縫或格子的圖案或者半透明層以控制所透射的光的量。
如果第二鈍化圖案ISOcl具有正光敏性，則光掩模的區(qū)域B和C的透明度被對(duì)換。
接下來(lái)，參照?qǐng)D27和觀，柵極絕緣層140和第一鈍化層180a利用第二鈍化圖案 ISOcl作為掩模經(jīng)歷干法蝕刻，從而形成接觸孔182以暴露公共電壓線125的一部分。
在該情況下，可以使整個(gè)基板110上第二鈍化圖案ISOcl的厚度與在圖25和沈所示的步驟中第二鈍化圖案ISOcl的先前厚度相比更薄。
然后，透明導(dǎo)電材料諸如ΙΤ0、ΙΖ0等堆疊在第二鈍化圖案ISOcl上且被蝕刻，從而可以形成多個(gè)公共電極131。
在該情況下，第二鈍化圖案ISOcl可以是上述圖1、4和5所示的第二鈍化層180b， 圖1、4和5所示的液晶顯示器的下顯示面板100可以通過(guò)上述制造方法來(lái)制造。19CN 102540596 A
同時(shí)，進(jìn)一步參照?qǐng)D四和30，在圖27和觀的步驟，僅層ISOcl的基本設(shè)置于數(shù)據(jù)線171上的較厚部分得到保留，其余的薄部分已經(jīng)通過(guò)整個(gè)地灰化第二鈍化圖案ISOcl而被去除，從而形成第二鈍化層180c，其對(duì)應(yīng)于上面說(shuō)明的圖1、2和3。
最后，參照?qǐng)D1至3，透明導(dǎo)電材料諸如ΙΤ0、IZO等堆疊在第二鈍化層180c上且被蝕刻，從而形成多個(gè)公共電極131。
圖1、2和3所示的液晶顯示器的下顯示面板100可以通過(guò)上述制造方法來(lái)制造。
在上述本發(fā)明示范性實(shí)施例中，公共電極或像素電極的分支電極基本以與水平方向相比更靠近垂直方向(即數(shù)據(jù)線的延伸方向)的角度傾斜，但是本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。代替地，公共電極或像素電極的分支電極可以傾斜得更靠近水平方向(即柵極線的延伸方向)。
例如，如圖31所示，根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的公共電極或像素電極可以包括沿垂直方向延伸的至少一個(gè)垂直主干部分138和連接到垂直主干部分138的多個(gè)分支電極 139。
在上述示范性實(shí)施例中，多個(gè)分支電極139可以相對(duì)于水平方向Dirl形成大于約 0度且小于約45度的角度，其中水平方向Dirl可以是柵極線121通常延伸的方向。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D32、33和34描述根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器。與上述示范性實(shí)施例特別是圖1至5所示的示范性實(shí)施例相同的部件由相同的附圖標(biāo)記指示。因此，將省略對(duì)它們的大量描述。
圖32是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖33和 34每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的分別沿圖32的線XXXIII-XXXIII和線XXXIV-XXXIV 取得的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200，液晶層3設(shè)置在這兩個(gè)顯示面板100和200之間。
首先，描述下顯示面板100，包括多條柵極線121和多條公共電壓線125的多個(gè)柵極導(dǎo)體形成在絕緣基板110上。然后柵極絕緣層140形成在柵極導(dǎo)體121和125上。多個(gè)線形半導(dǎo)體151形成在柵極絕緣層140上，多個(gè)線形歐姆接觸161和多個(gè)島歐姆接觸165 形成在線形半導(dǎo)體151上。包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸161和165上。
第一鈍化層180x設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及線形半導(dǎo)體151的被暴露的半導(dǎo)體突出巧4上，其中第一鈍化層180x可以由有機(jī)絕緣材料、無(wú)機(jī)絕緣材料等制成。
第二鈍化層180y設(shè)置在第一鈍化層180x上。第二鈍化層180y包括有機(jī)材料，并可以形成在基板110的基本整個(gè)表面上，同時(shí)覆蓋數(shù)據(jù)線171。
第二鈍化層180y的相對(duì)電容率可以為3. 5或更小。根據(jù)所采用的測(cè)量方法，第二鈍化層180y的該相對(duì)介電常數(shù)可以有約10%的偏差。當(dāng)?shù)诙g化層180y包括有色材料諸如用于濾色器的材料時(shí)，歸因于有色材料中包括的顏料或染料的相對(duì)介電常數(shù)，第二鈍化層180y的相對(duì)介電常數(shù)可以增大到約4. 5。第二鈍化層180y的厚度可以在從約0. 5 μ m 至約3. 0μ m的范圍內(nèi)。第二鈍化層180y的相對(duì)電容率越低，第二鈍化層180y的厚度可以變得越薄。在本示范性實(shí)施例中，第二鈍化層180y的上表面可以是大致平坦的。
第一鈍化層180x和第二鈍化層180y具有穿過(guò)其形成的接觸孔181，接觸孔181暴露部分漏極電極175。
多個(gè)像素電極191設(shè)置在第二鈍化層180y上。像素電極可以具有大致平面形狀以填充被柵極線121和數(shù)據(jù)線171圍繞的區(qū)域的大部分。像素電極191的外形可以是具有大致平行于柵極線121或數(shù)據(jù)線171的邊的多邊形，像素電極191的兩個(gè)下拐角被切角。然而，像素電極191的形狀不限于此。
在操作時(shí)，數(shù)據(jù)電壓從漏極電極175通過(guò)接觸孔181施加到像素電極191。
第三鈍化層180z設(shè)置在像素電極191上。第三鈍化層180z可以由無(wú)機(jī)絕緣材料、 有機(jī)絕緣材料等制成。第三鈍化層180z、第二鈍化層180y、第一鈍化層180x和柵極絕緣層 140共同地具有多個(gè)接觸孔182，每個(gè)接觸孔182暴露公共電壓線125的一部分(例如，擴(kuò)展部126的一部分)。
多個(gè)公共電極131設(shè)置在第三鈍化層180z上。每個(gè)公共電極131包括覆蓋數(shù)據(jù)線171的一對(duì)垂直部分135、設(shè)置在兩個(gè)垂直部分135之間且彼此間隔開的多個(gè)分支電極 133、以及連接多個(gè)分支電極133的端部的下水平部分13 和上水平部分132b兩者。垂直部分135大致平行于數(shù)據(jù)線171且交疊(即至少部分地覆蓋)數(shù)據(jù)線171。相鄰的公共電極131在共用單個(gè)垂直部分135的同時(shí)連接到彼此。
接下來(lái)描述上顯示面板200，光阻擋構(gòu)件220和濾色器230設(shè)置在絕緣基板210上。
光阻擋構(gòu)件220包括覆蓋兩個(gè)相鄰像素電極191之間的區(qū)域的部分，通常在數(shù)據(jù)線171上方。因此，光阻擋構(gòu)件220可以覆蓋數(shù)據(jù)線171的在兩個(gè)相鄰像素電極191之間延伸的部分。覆蓋兩個(gè)相鄰像素電極191之間的區(qū)域的光阻擋構(gòu)件220的寬度可以等于或小于兩個(gè)相鄰像素電極191之間的距離。例如，光阻擋構(gòu)件220的邊緣與相鄰的像素電極 191的邊緣之間的距離Dl可以為0或更大，并可以小于兩個(gè)相鄰像素電極191之間的距離。 光阻擋構(gòu)件220防止光從相鄰的像素電極191之間泄露，且定義面對(duì)像素電極191的開口區(qū)域。
上涂層250可以進(jìn)一步設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230上。
與該示范性實(shí)施例不同，光阻擋構(gòu)件220和濾色器230中的至少一個(gè)可以設(shè)置在下顯示面板100上。
下顯示面板100的基板110的外側(cè)還可以提供有背光單元(未示出)，該背光單元產(chǎn)生光并將光提供給兩個(gè)顯示面板100和200。
在示范性實(shí)施例中，由有機(jī)層形成的第二鈍化層180y插置在數(shù)據(jù)線171和上面的公共電極131的交疊垂直部分135之間。因此，可以減小數(shù)據(jù)線171和公共電極131的寄生電容，從而可以減小數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲。
圖35和36每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例分別沿圖32的線XXXIII-XXXIII 和線XXXIV-XXXIV取得的剖視圖。
根據(jù)圖32、35和36所示的示范性實(shí)施例的液晶顯示器與上述圖32、33和34所示的示范性實(shí)施例大致相同，除了第二鈍化層180y的結(jié)構(gòu)之外。例如，如圖35和36所示，第二鈍化層180y不形成在基板110的基本整個(gè)表面上，而是沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸且同時(shí)覆蓋數(shù)據(jù)線171。在該情況下，如上所述的接觸孔181或接觸孔182可以不形成在第二鈍化層180y 中。如在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171和公共電極131的寄生電容可以通過(guò)僅在數(shù)據(jù)線171上形成第二鈍化層180y而降低，從而可以減小數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲。
如在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，第二鈍化層180y僅形成在數(shù)據(jù)線171上而不形成在顯示區(qū)域(例如，像素區(qū)域或者在兩條數(shù)據(jù)線171之間形成像素電極191的區(qū)域)中，使得可以減少來(lái)自背光的光由于有機(jī)第二鈍化層180y引起的吸收，從而可以防止透射率的降低。
第一鈍化層180x和第二鈍化層180y的層位置可以調(diào)換。也就是說(shuō)，層180x可以替代地形成在層180y上。
圖37和38每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例分別沿圖32的線XXXIII-XXXIII 和線XXXIV-XXXIV取得的剖視圖。
根據(jù)圖32、37和38所示的示范性實(shí)施例的液晶顯示器與上述圖32、33和34所示的示范性實(shí)施例大致相同，除了第二鈍化層180y的結(jié)構(gòu)之外。例如，如圖37和38所示，第二鈍化層180y的厚度可以隨位置而改變。更具體地，第二鈍化層180y的沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的部分的厚度可以比其他部分更厚。當(dāng)?shù)诙g化層180y的電容率降低時(shí)，第二鈍化層 180y的厚度可以進(jìn)一步減小，因此，可以防止由于第二鈍化層180y中的臺(tái)階引起的配向?qū)?11中的缺陷或諸如斷開的布線缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，當(dāng)?shù)诙g化層180y的沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的部分的厚度形成得厚于其他部分時(shí)，由于數(shù)據(jù)線171和公共電極131之間或者數(shù)據(jù)線171和像素電極 191之間的寄生電容引起的數(shù)據(jù)信號(hào)延遲可以減小。此外，光被有機(jī)第二鈍化層180y的吸收可以通過(guò)減小第二鈍化層180y的除了沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的那些部分之外的部分的厚度而減小。例如，設(shè)置在形成像素電極191的位置的部分可以減薄，從而可以防止透射率的降低。
在圖32至38所示的本發(fā)明的各個(gè)示范性實(shí)施例中，第二鈍化層180y的位置不限于所示的位置，而是代替地，可以設(shè)置在任何層，只要第二鈍化層180y設(shè)置于數(shù)據(jù)線171和公共電極131之間。例如，第一鈍化層180x和第二鈍化層180y的層位置可以調(diào)換。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D39、40和41描述根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器。與上述示范性實(shí)施例中相同的部件由相同的附圖標(biāo)記指示，將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
圖39是根據(jù)本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖40和 41每個(gè)是分別沿圖39的線XL-XL和線XLI-XLI取得的剖視圖。
本示范性實(shí)施例與圖32至34所示的示范性實(shí)施例大致相同，除了數(shù)據(jù)線171、像素電極191和公共電極131的結(jié)構(gòu)之外。因此，論述主要集中在與上述圖32至34的示范性實(shí)施例的差異上。
根據(jù)本發(fā)明的本示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)線171周期性彎曲(即在多個(gè)位置彎曲)且與柵極線121的延伸方向形成傾斜角。數(shù)據(jù)線171對(duì)柵極線121的延伸方向的傾斜角可以為45°或者可以更大，如果需要的話。
第一鈍化層180x和第二鈍化層180y設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及暴露的半導(dǎo)體突出巧4上。第一鈍化層180x、第二鈍化層180y和柵極絕緣層140包括分別暴露部分公共電壓線125的接觸孔184。第二鈍化層180y可以包括有機(jī)材料且具有3. 5或更小的相對(duì)電容率。取決于所采用的測(cè)量方法，第二鈍化層180y的該相對(duì)介電常數(shù)可以存在約10%的偏差。第二鈍化層180y的代表性的特性可以與上述圖32至34所示的示范性實(shí)施例的第二鈍化層180y的那些相同。
公共電極131m設(shè)置在第二鈍化層180y上。公共電極131m通過(guò)接觸孔184電連接到公共電壓線125從而施加有預(yù)定電壓諸如來(lái)自公共電壓線125的公共電壓Vcom。在本示范性實(shí)施例中，具有大致平面形狀的公共電極13Im可以在基板110的基本整個(gè)表面上形成為單個(gè)板狀結(jié)構(gòu)。
第三鈍化層180z設(shè)置在公共電極131m上，像素電極191m設(shè)置在第三鈍化層180z 上。分別暴露部分漏極電極175的多個(gè)接觸孔183形成在第一鈍化層180x、第二鈍化層 180y和第三鈍化層180z中。像素電極191m通過(guò)接觸孔183電連接到漏極電極175從而被提供有數(shù)據(jù)電壓。像素電極191m包括基本彼此平行延伸且彼此間隔開的多個(gè)分支電極 193m以及連接分支電極19 !的頂端部或底端部的上和下水平部分19^1。像素電極191m 的分支電極19 !可以與數(shù)據(jù)線171 —起彎曲，如圖所示的。
當(dāng)數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191m時(shí)，它與公共電極131m(其具有施加到其的公共電壓)一起在液晶層3中產(chǎn)生電場(chǎng)。
公共電極131m同時(shí)覆蓋多條數(shù)據(jù)線171且交疊數(shù)據(jù)線171。因此，可以使數(shù)據(jù)線 171和像素電極191之間的串?dāng)_減少，并且還可以減少由于數(shù)據(jù)線171和相鄰的像素電極 191之間的寄生電容引起的光泄露。
此外，有機(jī)的第二鈍化層180y設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和公共電極131m之間以降低數(shù)據(jù)線171和公共電極131m之間的寄生電容，從而可以減小數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲。通過(guò)降低第二鈍化層180y的相對(duì)電容率，第二鈍化層180y的厚度可以進(jìn)一步薄化，且數(shù)據(jù)線171 的信號(hào)延遲可以減小。
圖32至34所示的先前示范性實(shí)施例的各種特性和效果也可以應(yīng)用到本示范性實(shí)施例。
圖42和43每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例分別沿圖39的液晶顯示器的線 XL-XL和線XLI-XLI取得的剖視圖。
根據(jù)圖39、42和43所示的示范性實(shí)施例的液晶顯示器與上述圖39、40和41所示的示范性實(shí)施例大致相同，除了第二鈍化層180y的結(jié)構(gòu)之外。例如，如圖42和43所示，第二鈍化層180y不形成在基板110的基本整個(gè)表面上，而是沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸并同時(shí)覆蓋數(shù)據(jù)線171。在該情況下，上述接觸孔181或接觸孔183可以不形成在第二鈍化層180y中。 這樣，數(shù)據(jù)線171和公共電極131之間的寄生電容可以通過(guò)僅在數(shù)據(jù)線171上形成第二鈍化層180y而降低，從而可以減小數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲。
圖44和45每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例分別沿圖39的液晶顯示器的線 XL-XL和線XLI-XLI獲得的剖視圖。
根據(jù)圖39、44和45所示的本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與上述圖39、40和41所示的示范性實(shí)施例大致相同，除了第二鈍化層180y的厚度可以根據(jù)位置而改變之外。例如，第二鈍化層180y的沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的部分的厚度可以比其他部分相對(duì)更厚。
在圖39至45所示的本發(fā)明的各個(gè)示范性實(shí)施例中，第二鈍化層180y的位置不限于所示的那些。例如，第一鈍化層180x和第二鈍化層180y的層位置可以調(diào)換。
上述示范性實(shí)施例的各種特性和效果也可以應(yīng)用到具有相同部件的示范性實(shí)施例。
圖46、47、48、49和50每個(gè)是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器的布局圖。
參照?qǐng)D46，根據(jù)本發(fā)明的本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與上述圖39至45所示的液晶顯示器大致相同。根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器的數(shù)據(jù)線171和像素電極191m可以在兩條相鄰的柵極線121之間彎曲至少一次，如圖所示。具體地，參照?qǐng)D46，數(shù)據(jù)線171和像素電極 191m的分支電極19 !可以大致在兩條相鄰柵極線121之間的中間部分彎曲，且可以在該中間部分的彎曲點(diǎn)之上和之下的兩點(diǎn)處再次彎曲。此外，數(shù)據(jù)線171和像素電極191m的分支電極19 !可以在像素電極191m的下和上水平部分19 !附近彎曲。這樣，數(shù)據(jù)線171和像素電極191m的分支電極19 !每個(gè)在下和上水平部分19 !附近分別彎曲一次或者在兩條相鄰的柵極線121之間的中間部分處彎曲三次，從而可以減少當(dāng)液晶分子的傾斜方向沒有得到控制時(shí)發(fā)生的紋理。接下來(lái)參照?qǐng)D47，根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與圖46所示的液晶顯示器大致相同。在根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器中，不同的像素電極191m中的每個(gè)可以具有相同的形狀。例如，沿行方向或列方向相鄰的像素電極191m的分支電極19 !的彎曲部分處的全部凸點(diǎn)可以相對(duì)于像素電極191m設(shè)置在相同側(cè)(在圖47中分支電極19 !的全部凸點(diǎn)面向左)。因此，多條數(shù)據(jù)線171中的全部可以周期性彎曲，使得數(shù)據(jù)線171沿一個(gè)方向突出。此外，根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器包括位于數(shù)據(jù)線171左右兩側(cè)的薄膜晶體管。相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于左側(cè)的TFT和位于右側(cè)的TFT可以沿列方向1X1交替布置。 設(shè)置于單個(gè)行中的全部TFT可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于一側(cè)。在根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器中，公共電極(未示出，但是與圖40至45所示的公共電極131m相同)通過(guò)接觸孔184連接到公共電壓線125。如圖47所示，每三個(gè)像素電極191m可以布置一個(gè)或兩個(gè)接觸孔184。接下來(lái)參照?qǐng)D48，根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與圖47所示的液晶顯示器大致相同。然而，與圖47所示的示范性實(shí)施例不同，相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于左側(cè)的TFT和位于右側(cè)的TFT可以沿列方向2X2交替布置。設(shè)置于一行中的全部TFT可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于一側(cè)。接下來(lái)參照?qǐng)D49，根據(jù)本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與圖47所示的液晶顯示器大致相同。然而，在本發(fā)明的本示范性實(shí)施例中，沿列方向相鄰的像素電極191m的形狀彼此不同。具體地，沿列方向相鄰的兩個(gè)像素電極191m的分支電極19 !的彎曲方向可以不同。分支電極19 !的彎曲部分的凸點(diǎn)在左側(cè)的像素電極191m和凸點(diǎn)在右側(cè)的像素電極 191m可以沿列方向1X1交替布置。因此，數(shù)據(jù)線171包括交替布置的向左彎曲部分和向右彎曲部分。接下來(lái)參照?qǐng)D50，根據(jù)本發(fā)明的本示范性實(shí)施例的液晶顯示器與圖49所示的液晶顯示器大致相同。然而，與圖49所示的示范性實(shí)施例不同的是，相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于左側(cè)的TFT和位于右側(cè)的TFT可以沿列方向2X2交替布置。在一行中的全部TFT可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線171位于一側(cè)。雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前視為實(shí)用的示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是將理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括于權(quán)利要求的思想和范圍內(nèi)的各種變型和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板； 液晶層，插置于所述第一基板和所述第二基板之間； 第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述第一基板上；像素電極，設(shè)置于所述第一基板上以用于從所述第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓； 公共電極，設(shè)置于所述第一基板上且交疊所述第一數(shù)據(jù)線和至少一部分所述像素電極；以及鈍化層，設(shè)置于所述第一基板上，所述鈍化層具有3. 5或更小的介電常數(shù)，所述鈍化層還具有設(shè)置在所述公共電極和所述第一數(shù)據(jù)線之間的第一部分，其中所述像素電極和所述公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，所述像素電極和所述公共電極中的另一個(gè)具有至少大致平面形狀，該至少大致平面形狀基本平行于所述第一基板或所述第二基板的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述鈍化層的厚度在從0. 5 μ m至3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中 所述鈍化層包括有機(jī)材料。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述公共電極與所述第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間的第三部分，且所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中 所述鈍化層包括有機(jī)材料。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述公共電極與所述第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間的第三部分，且所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述像素電極和所述公共電極中的至少一個(gè)包括透明導(dǎo)電材料。
10.一種制造液晶顯示器的方法，包括在基板上形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括第一數(shù)據(jù)線； 在所述基板上形成像素電極；在所述基板上形成公共電極，該公共電極交疊所述第一數(shù)據(jù)線和至少一部分所述像素電極；以及形成鈍化層，該鈍化層具有設(shè)置于所述公共電極和所述第一數(shù)據(jù)線之間的第一部分且具有3. 5或更小的介電常數(shù)，其中所述像素電極和所述公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，所述像素電極和所述公共電極中的另一個(gè)具有與所述基板的表面基本平行的至少大致平面形狀。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成鈍化層還包括 在所述公共電極與所述第一數(shù)據(jù)線之間沉積有機(jī)材料；以及通過(guò)使用光掩模曝光所沉積的有機(jī)材料來(lái)形成鈍化圖案，該鈍化圖案包括交疊所述第一數(shù)據(jù)線的第二部分和具有比所述第二部分的厚度小的厚度的第三部分。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述光掩模包括配置為透射光的透明區(qū)域、配置為阻擋光的不透明區(qū)域以及配置為透射部分入射光的半透明區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體還包括形成鄰近所述第一數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線，所述鈍化圖案的第二部分交疊所述第二數(shù)據(jù)線。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括 蝕刻所述鈍化圖案；以及灰化所述鈍化圖案。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中灰化所述鈍化圖案還包括去除所述第三部分。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括 形成在所述鈍化層之下的絕緣層，其中蝕刻所述鈍化圖案還包括蝕刻所述絕緣層。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述鈍化層的厚度在從0. 5 μ m至3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述像素電極和所述公共電極中的至少一個(gè)包括透明導(dǎo)電材料。
19.一種液晶顯示器，包括 彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于所述第一基板和所述第二基板之間； 第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述第一基板上；公共電極，設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線上方且交疊所述第一數(shù)據(jù)線，所述公共電極具有與所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀；像素電極，設(shè)置于所述公共電極上方以用于從所述第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，該像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極；以及鈍化層，設(shè)置于所述第一基板上，該鈍化層具有3. 5或更小的介電常數(shù)，該鈍化層還具有設(shè)置在所述第一數(shù)據(jù)線和所述公共電極之間的第一部分。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中所述鈍化層的厚度在從0. 5 μ m至3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器，其中 所述鈍化層包括有機(jī)材料。
22.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述公共電極與所述第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開。
23.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中 所述鈍化層包括有機(jī)材料。
24.一種制造液晶顯示器的方法，該方法包括在基板上形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括第一數(shù)據(jù)線； 在所述第一數(shù)據(jù)線上方形成公共電極，該公共電極交疊所述第一數(shù)據(jù)線； 在所述公共電極上方形成像素電極；以及形成鈍化層，該鈍化層具有設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線和所述公共電極之間的第一部分且具有3. 5或更小的介電常數(shù)，其中所述像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，所述公共電極具有與所述基板的表面基本平行的至少大致平面形狀。
25.如權(quán)利要求M所述的方法，其中形成鈍化層還包括在形成所述公共電極之前，在所述第一數(shù)據(jù)線上沉積有機(jī)材料；以及通過(guò)使用光掩模曝光所沉積的有機(jī)材料來(lái)形成鈍化圖案，該鈍化圖案包括交疊所述第一數(shù)據(jù)線的第二部分和具有比所述第二部分的厚度小的厚度的第三部分。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體還包括形成鄰近所述第一數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線，所述鈍化圖案的第二部分交疊所述第二數(shù)據(jù)線。
27.如權(quán)利要求M所述的方法，還包括 蝕刻所述鈍化圖案；以及灰化所述鈍化圖案。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中灰化所述鈍化圖案還包括去除所述第三部分。
29.一種液晶顯示器，包括 彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于所述第一基板和所述第二基板之間； 第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述第一基板上；公共電極，設(shè)置于所述第一基板上且交疊所述第一數(shù)據(jù)線；以及像素電極，設(shè)置于所述公共電極上方以用于從所述第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，該像素電極包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極。
30.如權(quán)利要求四所述的液晶顯示器，還包括鈍化層，包括設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線和所述公共電極之間的第一部分，所述鈍化層包括有機(jī)材料。
31.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，其中所述鈍化層具有3. 5或更小的介電常數(shù)。
32.如權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，其中所述鈍化層的厚度在從0. 5 μ m至3. 0 μ m的范圍內(nèi)。
33.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，還包括第二數(shù)據(jù)線，鄰近所述第一數(shù)據(jù)線且設(shè)置在與所述第一數(shù)據(jù)線相同的層中， 其中所述鈍化層還包括設(shè)置在所述公共電極與所述第二數(shù)據(jù)線之間的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開。
34.如權(quán)利要求33所述的液晶顯示器，其中所述鈍化層還包括第三部分，該第三部分連接所述第一部分和所述第二部分，使得所述鈍化層至少部分地覆蓋所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線。
35.如權(quán)利要求四所述的液晶顯示器，還包括 設(shè)置在所述第二基板上的光阻擋構(gòu)件。
36.如權(quán)利要求35所述的液晶顯示器，其中所述光阻擋構(gòu)件位于兩個(gè)相鄰的像素電極之間，所述兩個(gè)相鄰的像素電極設(shè)置在所述第一數(shù)據(jù)線的相反兩側(cè)。
37.如權(quán)利要求36所述的液晶顯示器，其中所述光阻擋構(gòu)件的寬度等于或小于所述兩個(gè)相鄰像素電極之間的距離。
38.如權(quán)利要求四所述的液晶顯示器，其中所述公共電極具有與所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀。
39.一種液晶顯示器，包括 彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；液晶層，插置于所述第一基板和所述第二基板之間； 第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述第一基板上；第一像素電極，設(shè)置于所述第一基板上且與所述第一數(shù)據(jù)線電連接從而配置為從所述第一數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓；公共電極，設(shè)置于所述第一基板上且交疊所述第一像素電極和所述第一數(shù)據(jù)線；以及第一鈍化層，設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線上且包括有機(jī)材料，其中所述第一像素電極和所述公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，所述第一像素電極和所述公共電極中的另一個(gè)具有與所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀，且所述第一鈍化層包括覆蓋所述第一數(shù)據(jù)線的第一部分。
40.如權(quán)利要求39所述的液晶顯示器，還包括 與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，其中所述第一鈍化層還包括覆蓋所述第二數(shù)據(jù)線的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開。
41.如權(quán)利要求40所述的液晶顯示器，其中所述第一鈍化層設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線與所述公共電極之間。
42.如權(quán)利要求41所述的液晶顯示器，還包括與所述第一像素電極相鄰的第二像素電極；以及光阻擋構(gòu)件，覆蓋所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的區(qū)域。
43.如權(quán)利要求42所述的液晶顯示器，其中所述光阻擋構(gòu)件的位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的部分的寬度等于或小于所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的距離。
44.如權(quán)利要求39所述的液晶顯示器，還包括 與所述第一像素電極相鄰的第二像素電極；以及光阻擋構(gòu)件，覆蓋所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的區(qū)域。
45.如權(quán)利要求44所述的液晶顯示器，其中所述光阻擋構(gòu)件的位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的部分的寬度等于或小于所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的距離。
46.如權(quán)利要求39所述的液晶顯示器，還包括 與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，其中所述第一鈍化層還包括設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間的第三部分。
47.如權(quán)利要求46所述的液晶顯示器，其中所述第一鈍化層設(shè)置在所述第一數(shù)據(jù)線和所述公共電極之間。
48.如權(quán)利要求47所述的液晶顯示器，其中所述第一像素電極設(shè)置在所述公共電極上方，且所述第一像素電極包括多個(gè)分支電極，所述公共電極具有與所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀。
49.如權(quán)利要求47所述的液晶顯示器，其中所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。
50.如權(quán)利要求46所述的液晶顯示器，其中所述第一像素電極設(shè)置在所述公共電極上方，且所述第一像素電極包括多個(gè)分支電極，所述公共電極具有與所述第一基板和所述第二基板中的至少一個(gè)的表面基本平行的至少大致平面形狀。
51.如權(quán)利要求46所述的液晶顯示器，其中所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。
52.如權(quán)利要求39所述的液晶顯示器，其中所述第一鈍化層的厚度在從0.5μπι至 3. Ομ 的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了液晶顯示器及其制造方法。該液晶顯示器包括第一基板和第二基板；液晶層；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于第一基板上；像素電極，設(shè)置于第一基板上；以及公共電極，設(shè)置于第一基板上且交疊像素電極的至少一部分和第一數(shù)據(jù)線。像素電極和公共電極中的一個(gè)包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極，像素電極和公共電極中的另一個(gè)具有至少大致平面形狀，該至少大致平面形狀基本平行于第一基板和第二基板中的至少一個(gè)的表面。該液晶顯示器還可以包括鈍化層，該鈍化層具有約3.5或更小的介電常數(shù)且包括設(shè)置在公共電極與第一數(shù)據(jù)線之間的第一部分。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102540596SQ20111031761
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月3日
發(fā)明者嚴(yán)允成, 廉周錫, 金性勛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社